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一種用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的pcb板的制作方法

文檔序號(hào):8190426閱讀:363來源:國知局
專利名稱:一種用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的pcb板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電路板,具體是ー種用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品越來越來越趨向高速、寬帶、高靈敏度、高密集度和小型化,這種趨勢(shì)導(dǎo)致了電路板設(shè)計(jì)中電磁兼容問題的嚴(yán)重化,特別是電源和地線的電磁干擾問題,成為目前電磁兼容設(shè)計(jì)中急待解決的技術(shù)難題和系統(tǒng)工程。傳統(tǒng)方法是通過加去耦電容來抑制電源線中存在的干擾,但是去耦電容在頻率比較高的情況下,效果并不理想。近年來,EBG結(jié)構(gòu)被用于電源層來抑制高頻噪聲干擾,尤其是平面電磁帶隙結(jié)構(gòu)易于制作,獲得了廣泛的研究。不過典型的EBG結(jié)構(gòu)并未考慮電源層上的電壓降。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和不足,提供一種用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,本實(shí)用新型適用于樹狀PCB電源板設(shè)計(jì),具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。本實(shí)用新型通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,依次包括電源層、納米材料層、高介電常數(shù)介質(zhì)層、地層構(gòu)成。所述電源層、地層為覆銅層。所述納米材料層為高磁導(dǎo)率納米材料層。所述高介電常數(shù)介質(zhì)層為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇。所述高介電常數(shù)介質(zhì)層厚度為0. 2mm 2mm。所述覆銅層的厚度為0. 035mm 0. 07mm。本實(shí)用新型適用于樹狀PCB電源板設(shè)計(jì),具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。

圖I是本實(shí)用新型用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是2級(jí)“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖;圖3是2級(jí)圓形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖;圖4為I級(jí)“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖;圖5為2級(jí)“H”形構(gòu)形樹電源層;圖6為2級(jí)圓形構(gòu)形樹電源層;圖7為I級(jí)“H”形構(gòu)形樹電源層;具體實(shí)施方式
下面對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步詳細(xì)的說明,但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。[0021]如圖I所示,本實(shí)用新型用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,依次包括電源層I、納米材料層
2、高介電常數(shù)介質(zhì)層3、地層構(gòu)成4 ;所述電源層I、地層4為覆銅層;所述納米材料層2為高磁導(dǎo)率納米材料層。所述高介電常數(shù)介質(zhì)層3為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇。所述高介電常數(shù)介質(zhì)層3厚度為0. 2mm 2mm。所述覆銅層的厚度為0. 035mm 0. 07mm。電源層設(shè)計(jì),需要先根據(jù)構(gòu)形理論設(shè)計(jì)出構(gòu)形樹,構(gòu)形樹將電流均勻分配到電源板各處,解決高電源電壓降問題。然后在構(gòu)形樹的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出完整電源層。圖2是2級(jí)“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖;圖3是2級(jí)圓形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖;圖4為I級(jí)“H”形構(gòu)形樹的構(gòu)造圖;圖5為2級(jí)“H”形構(gòu)形樹電源層;圖6為2級(jí)圓形構(gòu)形樹電源層;圖7為I級(jí)“H”形構(gòu)形樹電源層;如上所述,便可較好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
權(quán)利要求1.一種用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,其特征在于依次包括電源層、納米材料層、高介電常數(shù)介質(zhì)層、地層構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,其特征在于所述電源層、地層為覆銅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,其特征在于所述納米材料層為高磁導(dǎo)率納米材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,其特征在于所述高介電常數(shù)介質(zhì)層為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,其特征在于所述高介電常數(shù)介質(zhì)層厚度為0. 2mm 2_。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,其特征在于所述覆銅層的厚度為0.035mm 0. 07mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于設(shè)計(jì)構(gòu)形樹的PCB板,依次包括電源層、納米材料層、高介電常數(shù)介質(zhì)層、地層構(gòu)成,電源層、地層為覆銅層,所述納米材料層為高磁導(dǎo)率納米材料層,所述高介電常數(shù)介質(zhì)層為介電常數(shù)為14000的鈦酸鋇,所述高介電常數(shù)介質(zhì)層厚度為0.2mm~2mm,所述覆銅層的厚度為0.035mm~0.07mm。本實(shí)用新型適用于樹狀PCB電源板設(shè)計(jì),具有低電源電壓降、超寬帶電源噪聲抑制功及小型化等功能。
文檔編號(hào)H05K1/02GK202406379SQ20112056176
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者劉詩韻, 郭巍, 黃惠芬 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)
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