專利名稱：著磁磁性材料的磁場(chǎng)屏蔽裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及著磁磁性材料的磁場(chǎng)屏蔽裝置。
背景技術(shù)：
磁體充磁后在周圍空間產(chǎn)生較強(qiáng)的靜磁場(chǎng)，如果不進(jìn)行屏蔽，在航空運(yùn)輸過程中會(huì)對(duì)飛行造成影響。為保證飛行安全，需對(duì)磁性物品進(jìn)行安全檢測(cè)。IATA902國(guó)際航空運(yùn)輸協(xié)議(International Air Transport Association)規(guī)定，距被測(cè)物品表面2. Im處的任意磁場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)小于0. 159A/m(0. 002Gs)才可作為普通貨物運(yùn)輸不受限制。因此著磁后的磁體在運(yùn)輸前必須先進(jìn)行屏蔽。在其他一些情況下，也需要對(duì)著磁磁體在使用前進(jìn)行磁場(chǎng)屏蔽。最常用的磁屏蔽裝置是利用高導(dǎo)磁性的鐵磁材料做成屏蔽罩來屏蔽著磁磁體產(chǎn)生的靜磁場(chǎng)。在磁體產(chǎn)生的外磁場(chǎng)中放入高導(dǎo)磁率的鐵板后，由于鐵磁材料的導(dǎo)磁率比空氣的導(dǎo)磁率大幾千倍，絕大部分磁場(chǎng)被集中在鐵磁回路中，即磁力線從磁體的N極出發(fā)，沿著鐵板壁內(nèi)又流回到磁體的S極。這樣磁場(chǎng)就不會(huì)發(fā)散出去，屏蔽的空間外基本上沒有磁場(chǎng)，從而達(dá)到靜磁屏蔽的目的。導(dǎo)磁率越高的材料屏蔽效果越好，常用的高導(dǎo)磁率材料有軟鐵、硅鋼等，故靜磁屏蔽又叫鐵磁屏蔽。一般情況我們用普通的鐵板屏蔽磁場(chǎng)即可。但需要屏蔽的磁場(chǎng)很強(qiáng)時(shí)，如屏蔽的 NdFeB磁體的磁場(chǎng)時(shí)僅用單層屏蔽材料不能很好地達(dá)到航空運(yùn)輸?shù)钠帘我蟆?br> 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種磁體著磁后磁場(chǎng)的屏蔽裝置，即選取合適的材料及合理的結(jié)構(gòu)來達(dá)到屏蔽磁場(chǎng)的目的，并且屏蔽裝置簡(jiǎn)單易于操作，經(jīng)濟(jì)成本低。本實(shí)用新型的著磁磁性材料的磁場(chǎng)屏蔽裝置，其特征在于該屏蔽裝置由外形相似并嵌套在一起的兩層屏蔽層組成，在兩個(gè)屏蔽層之間有一定的空隙，在此空隙中填充有非導(dǎo)磁材料。優(yōu)選地，所述的兩個(gè)屏蔽層由導(dǎo)磁材料制成，其形狀為具有一定的體積且一面有開口。優(yōu)選地，所述的開口上有一與用屏蔽層相同材質(zhì)做成的平板。優(yōu)選地，所述的導(dǎo)磁材料包括鐵磁材料，硅鋼材料。優(yōu)選地，所述的開口不在著磁磁性材料磁場(chǎng)的取向方向上。本裝置采用的是多層屏蔽，即將一個(gè)屏蔽層放入另一個(gè)屏蔽層內(nèi)，兩個(gè)屏蔽層之間留有一定空隙，既經(jīng)濟(jì)又方便，可以有效降低成本。它會(huì)把漏進(jìn)空腔里的殘余磁通量又一次地屏蔽掉，使強(qiáng)磁場(chǎng)衰減到非常低甚至為零，能夠滿足航空運(yùn)輸要求及其他磁場(chǎng)屏蔽需要。

圖1是本實(shí)用新型的屏蔽裝置示意圖。[0013]其中1—磁體，2——內(nèi)屏蔽層，3——外屏蔽層，4——非導(dǎo)磁材料，5——平板。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的實(shí)施方式具體如下本磁場(chǎng)屏蔽裝置由外形相似并嵌套在一起的兩層屏蔽層組成，在兩個(gè)屏蔽層之間有一定的空隙，在此空隙中填充有非導(dǎo)磁材料。這兩個(gè)屏蔽層都是由導(dǎo)磁材料制成，包括鐵磁材料，硅鋼材料等，其形狀為具有一定的體積且一面有開口。如圖1所示?？梢愿鶕?jù)需要屏蔽磁體的形狀和多少確定屏蔽層的形狀和大小，通常比較常見的是長(zhǎng)方體。首先用導(dǎo)磁材料制成一個(gè)上部有開口的長(zhǎng)方體作為內(nèi)屏蔽層2，需要屏蔽的磁體 1放置在內(nèi)屏蔽層內(nèi)部。再用導(dǎo)磁材料做一個(gè)上部有開口、體積比內(nèi)屏蔽層大且可以容納內(nèi)屏蔽層的外屏蔽層3，內(nèi)外屏蔽層之間有一定的空隙，在此空隙中填充上非導(dǎo)磁材料4。最后用一與屏蔽層相同材質(zhì)做成的平板5將開口封住。本裝置采用的是多層屏蔽，即將一個(gè)屏蔽層放入另一個(gè)屏蔽層內(nèi)，兩個(gè)屏蔽層之間留有一定空隙，空隙內(nèi)可以填充任何非導(dǎo)磁材料作支撐，如加一定的塑料泡沫，既經(jīng)濟(jì)又方便，可以有效降低成本。它會(huì)把漏進(jìn)空腔里的殘余磁通量又一次地屏蔽掉，使強(qiáng)磁場(chǎng)衰減到非常低甚至為零，以滿足航空運(yùn)輸要求以及其他磁場(chǎng)屏蔽的需要。實(shí)施例待發(fā)貨的著磁后的NdFeB磁體被排列成長(zhǎng)方體形狀，如圖1所示，沿磁體的取向方向用特斯拉計(jì)測(cè)量磁體的表面磁場(chǎng)，讀數(shù)為520Gs。把磁體未經(jīng)屏蔽直接放入包裝箱里，此時(shí)測(cè)量箱面(距離磁體約20mm)得到的磁場(chǎng)強(qiáng)度為60 。根據(jù)理論磁場(chǎng)強(qiáng)度和距離的平方成反比和國(guó)際航空運(yùn)輸協(xié)議規(guī)定2. 1米處的磁場(chǎng)強(qiáng)度小于0. 002Gs計(jì)算得出，距離磁體約20mm處的磁場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)小于22Gs，因此沒有采用任何屏蔽措施的包裝不能滿足航空運(yùn)輸要求。根據(jù)磁體的尺寸，先用厚度約為Imm的單層鐵板做一個(gè)可以容納下磁體的一面開口的長(zhǎng)方體，將磁體放入長(zhǎng)方體，此時(shí)開口不在磁體磁場(chǎng)的取向方向上。然后沿磁體的取向方向在鐵板外面的相同位置上再次測(cè)量表面磁場(chǎng)，此時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度為20(}S。由此看出，高導(dǎo)磁材料可以起到一定的屏蔽磁場(chǎng)作用，但不會(huì)完全屏蔽掉。再用同樣厚度的鐵板做一個(gè)大一點(diǎn)的并可以容納下上述長(zhǎng)方體的長(zhǎng)方體套在上述長(zhǎng)方體外面，并在兩層鐵板間填加保利龍泡沫。在第二層鐵板外面再用特斯拉計(jì)沿磁體取向方向在相同位置測(cè)量表面磁場(chǎng)，此時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度為零。最后用同樣鐵板做的與開口尺寸相當(dāng)?shù)钠桨鍖㈤_口封上(當(dāng)用兩層屏蔽時(shí)，只要封住外面的屏蔽層就可以了)，防止可能的殘余漏磁。當(dāng)然本裝置在實(shí)際使用時(shí)還可以按照這樣的順序進(jìn)行在待發(fā)貨的磁體的包裝箱內(nèi)側(cè)用單層鐵板做一個(gè)與包裝箱形狀相同且開口在同一側(cè)的外屏蔽層，然后再做一個(gè)與外屏蔽層形狀相同且開口在同一側(cè)但略小一號(hào)的內(nèi)屏蔽層，放到外屏蔽層里面，并在兩個(gè)屏蔽層之間填充保利龍泡沫。將著磁后的磁體放到內(nèi)屏蔽層里面，此時(shí)箱子及屏蔽層的開口不在磁體的取向方向上。最后將同樣鐵板做成的尺寸與外屏蔽層開口相當(dāng)?shù)钠桨鍖㈤_口封上。封好包裝箱后即可以航空發(fā)貨。航空運(yùn)輸對(duì)磁體的屏蔽要求是較高的，能滿足航空運(yùn)輸要求的屏蔽裝置對(duì)其他情形的磁場(chǎng)屏蔽需要都可以適應(yīng)。
權(quán)利要求1.一種著磁磁性材料的磁場(chǎng)屏蔽裝置，其特征在于該屏蔽裝置由外形相似并嵌套在一起的兩層屏蔽層組成，在兩個(gè)屏蔽層之間有一定的空隙，在此空隙中填充有非導(dǎo)磁材料。
2.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)屏蔽裝置，其特征在于所述的兩個(gè)屏蔽層由導(dǎo)磁材料制成，其形狀為具有一定的體積且一面有開口。
3.如權(quán)利要求2所述的磁場(chǎng)屏蔽裝置，其特征在于所述的開口上有一與屏蔽層相同材質(zhì)做成的平板。
4.如權(quán)利要求2所述的磁場(chǎng)屏蔽裝置，其特征在于所述的導(dǎo)磁材料包括鐵磁材料，硅鋼材料。
5.如權(quán)利要求2所述的磁場(chǎng)屏蔽裝置，其特征在于所述的開口不在著磁磁性材料磁場(chǎng)的取向方向上。
專利摘要一種磁體著磁后磁場(chǎng)的屏蔽裝置由外形相似并嵌套在一起的兩層屏蔽層組成，在兩個(gè)屏蔽層之間有一定的空隙，在此空隙中填充有非導(dǎo)磁材料。這兩個(gè)屏蔽層都是由導(dǎo)磁材料制成，包括鐵磁材料，硅鋼材料等，其形狀為具有一定的體積且一面有開口。本裝置既經(jīng)濟(jì)又方便，可以有效降低成本。它會(huì)把漏進(jìn)空腔里的殘余磁通量又一次地屏蔽掉，使強(qiáng)磁場(chǎng)衰減到非常低甚至為零，能夠滿足航空運(yùn)輸及其他磁場(chǎng)屏蔽要求。
文檔編號(hào)H05K9/00GK201947600SQ20112000915
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月13日
發(fā)明者劉剛, 常海華, 蔡喆倫, 郄永峰, 郭雙峰 申請(qǐng)人:三環(huán)瓦克華(北京)磁性器件有限公司, 北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司