專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
將有機(jī)電致發(fā)光元件(以下有時稱作有機(jī)EL元件)作為發(fā)光元件使用的發(fā)光裝置(顯示裝置及照明裝置等)目前備受矚目。例如在顯示裝置中，在基板上配置有分別作為像素發(fā)揮作用的多個有機(jī)EL元件。為了相互獨(dú)立地驅(qū)動各有機(jī)EL元件，利用隔壁將各有機(jī)EL元件彼此間電絕緣。該隔壁例如以格子狀形成，在由隔壁包圍的區(qū)域中配置各有機(jī) EL元件。所以，多個有機(jī)EL元件以矩陣狀配置。構(gòu)成有機(jī)EL元件的有機(jī)層(發(fā)光層等)可以利用涂布法來形成。具體來說，通過將含有有機(jī)材料和溶劑的墨液向由隔壁包圍的區(qū)域選擇性地供給，進(jìn)而將其干燥，而在由隔壁包圍的區(qū)域中形成有機(jī)層。構(gòu)成有機(jī)層的有機(jī)材料在溶劑中的溶解性不一定高，墨液中的有機(jī)材料的濃度通常來說為1重量％左右。因而，與所要形成的有機(jī)層的體積相比就會供給大量的墨液，由于隔壁也可以作為墨液的收容體發(fā)揮作用，因此向由隔壁包圍的區(qū)域供給的墨液不會溢出， 而由隔壁收容，通過直接進(jìn)行干燥而膜化，從而形成有機(jī)層。圖4是形成有機(jī)EL元件時所用的以往的基板的剖面圖。在基板1中，設(shè)有陽極2， 設(shè)有包圍該陽極2的絕緣膜3，在該絕緣膜3上設(shè)有隔壁主體4。由于隔壁也作為收容墨液的收容體發(fā)揮作用，因此為了防止所供給的墨液溢出流向相鄰的像素，通常來說由相對于墨液顯示疏液性的構(gòu)件構(gòu)成。但是，在僅用顯示疏液性的構(gòu)件構(gòu)成隔壁的情況下，由于所供給的墨液在被隔壁彈開的同時干燥，因此膜化時的有機(jī)層的周邊部的膜厚就會變薄。所以， 為了避免在像素區(qū)域的端部產(chǎn)生的膜厚的不均勻性，在隔壁主體4與基板1之間設(shè)有顯示親液性的絕緣膜3 (例如參照日本特開2005-174906號公報)。如圖4的箭頭所示，向隔壁供給的墨液因溶劑氣化而逐漸干燥，其液面朝向基板1 地移動。此時由于絕緣膜3是親液性的，因此墨液在被絕緣膜3拖曳的狀態(tài)下干燥。其結(jié)果是，在絕緣膜3的端部附近在有機(jī)層的膜厚中產(chǎn)生分布。圖4中，表示出利用涂布法形成 2層有機(jī)層5、6的狀態(tài)。如圖4所示，因絕緣膜3的存在，絕緣膜3的端部附近的有機(jī)層5、6的膜厚與像素區(qū)域的中央部不同。該膜厚的不均勻性成為發(fā)光不良的原因。有機(jī)EL元件是通過在2層有機(jī)層5、6上再設(shè)置陰極而形成的，然而例如在靠近陽極2的有機(jī)層(下層)5的導(dǎo)電性高的情況下，由于在絕緣膜3的端部附近，靠近陰極的有機(jī)層(上層)6的膜厚薄，因此在使有機(jī)EL元件發(fā)光時，會有從絕緣膜3的端部附近產(chǎn)生漏電的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供具備能夠在像素區(qū)域內(nèi)形成膜厚均勻的有機(jī)層的有機(jī)EL 元件的發(fā)光裝置及其制造方法。
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，其特征在于，具有基板、設(shè)置于該基板上的多個有機(jī)電致發(fā)光元件以及確定設(shè)置各有機(jī)電致發(fā)光元件的各像素區(qū)域的隔壁，其中，所述隔壁包括在相當(dāng)于所述各像素區(qū)域的區(qū)域穿設(shè)有開口的絕緣膜以及設(shè)置于該絕緣膜的與基板側(cè)相反一側(cè)的隔壁主體，所述有機(jī)電致發(fā)光元件包括一對電極和由該電極夾持并且配置在由所述隔壁所包圍的區(qū)域中的發(fā)光部，所述絕緣膜的厚度比所述發(fā)光部的厚度薄。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置，即，上述絕緣膜的厚度小于50nm。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置，S卩，由面向所述開口的所述絕緣膜的側(cè)面區(qū)劃成的開口在靠近所述基板的朝向上呈正錐形。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置，即，從基板的厚度方向的一側(cè)觀察，所述絕緣膜的面向像素區(qū)域的側(cè)面與所述隔壁主體的面向像素區(qū)域的側(cè)面之間的間隔為1 μ m以上。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置，即，所述發(fā)光部包含利用使用含有有機(jī)材料的墨液的涂布法而形成的有機(jī)層。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置，S卩，相對于上述墨液，上述絕緣膜比上述隔壁主體更顯示出親液性。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置，S卩，所述發(fā)光部是由包含以最靠近基板的方式而設(shè)置的空穴注入層的多個層層疊而成的。本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光裝置包括具有一對電極以及由該一對電極所夾持的發(fā)光部的多個有機(jī)電致發(fā)光元件，所述發(fā)光裝置的制造方法包括在基板上形成確定設(shè)置各有機(jī)電致發(fā)光元件的各像素區(qū)域的隔壁的工序；形成所述電極的工序；以及在所述像素區(qū)域形成發(fā)光部的工序，在所述形成隔壁的工序中，形成厚度比所述發(fā)光部的厚度薄并且在相當(dāng)于像素區(qū)域的區(qū)域穿設(shè)有開口的絕緣膜，在該絕緣膜上形成隔壁主體，在所述形成發(fā)光部的工序中，通過向所述像素區(qū)域供給含有有機(jī)材料的墨液，進(jìn)而將所供給的墨液干燥而形成有機(jī)層。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置的制造方法，即，在所述絕緣膜中穿設(shè)開口時，利用干蝕刻在絕緣膜中穿設(shè)開口，所述開口在靠近所述基板的朝向上呈正錐形。本發(fā)明提供如下的發(fā)光裝置的制造方法，即，在形成上述隔壁主體時，使用有機(jī)物形成隔壁主體，進(jìn)而在含氟的氣體氣氛中進(jìn)行等離子體處理。


圖1是本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的剖面圖。圖2是發(fā)光裝置11的俯視圖。圖3示意性地表示形成錐形的絕緣膜17的工序。圖4是形成有機(jī)EL元件時所用的以往的基板的剖面圖。其中，1基板，2陽極，3絕緣膜，4隔壁主體，5有機(jī)層(下層)，6有機(jī)層(上層)，11發(fā)光裝置，12有機(jī)EL元件，13基板，14像素區(qū)域，15隔壁，16開口，17絕緣膜，18隔壁主體，21陽極，22陰極，23發(fā)光部，24發(fā)光層，25空穴注入層，31顯示絕緣性的薄膜，32光致抗蝕劑，33保護(hù)膜
具體實(shí)施例方式圖1是本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的剖面圖，圖2是發(fā)光裝置11的俯視圖。在顯示裝置中所用的普通的發(fā)光裝置中，多個有機(jī)EL元件以矩陣狀設(shè)置，然而在本實(shí)施方式中， 為了容易理解，對將9個有機(jī)EL元件12以3行3列排列的發(fā)光裝置11進(jìn)行說明。圖1僅表示出形成有1個有機(jī)EL元件12的區(qū)域。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11具備基板13、設(shè)置于該基板13上的多個有機(jī)EL元件 12以及確定設(shè)置各有機(jī)EL元件12的各像素區(qū)域14的隔壁15。隔壁15包括在相當(dāng)于各像素區(qū)域14的區(qū)域中穿設(shè)有開口 16的絕緣膜17、設(shè)置于該絕緣膜17的與基板13相反一側(cè)的隔壁主體18。有機(jī)EL元件12包括一對電極21、22、 由該電極21、22夾持并且配置在由上述隔壁15包圍的區(qū)域(像素區(qū)域14)的發(fā)光部23。 發(fā)光部的膜厚通常來說為IOnm 150nm。雖然本實(shí)施方式中對作為有源矩陣型的顯示裝置發(fā)揮作用的發(fā)光裝置11進(jìn)行說明，然而發(fā)光裝置11既可以采用有源矩陣型的顯示裝置，也可以采用無源矩陣型的顯示裝置。發(fā)光裝置11在具備mXn個(記號“m”、“n”分別表示自然數(shù)。本實(shí)施方式中，m =3,η = 3)像素的情況下，是將分別作為像素發(fā)揮作用的mXn個有機(jī)EL元件以m行η列的矩陣狀配置而構(gòu)成的。在基板13上以格子狀形成隔壁15，通過在由該隔壁15區(qū)分出的區(qū)域中設(shè)置各有機(jī)EL元件12，而將各有機(jī)EL元件12以矩陣狀配置。作為基板13，可以使用形成有有源矩陣型的顯示裝置用的電路的TFTCThin Film Transistor)基板。各有機(jī)EL元件12分別具備彼此分離的陽極21。各陽極21在基板13 上離散地以m行η列的矩陣狀配置，與形成于基板13上的電路電連接。本實(shí)施方式中，將一對電極21、22中的設(shè)置于基板13側(cè)的一方的電極設(shè)為陽極21，將另一方的電極設(shè)為陰極 22。也可以在基板上設(shè)置如下構(gòu)成的有機(jī)EL元件，S卩，將設(shè)置于基板13側(cè)的一方的電極設(shè)為陰極，將另一方的電極設(shè)為陽極。從基板13的厚度方向的一側(cè)觀察，陽極21的周邊部至少由絕緣膜17的端部覆蓋。也可以是從基板13的厚度方向的一側(cè)觀察，陽極21的周邊部與隔壁主體18的一部分
堂口 ο絕緣膜17為膜狀，在與像素區(qū)域14相當(dāng)?shù)膮^(qū)域穿設(shè)貫穿的開口而成，以格子狀形成。由于利用該絕緣膜17將陽極21與陰極22電絕緣，因此即使在絕緣膜17上設(shè)置了后述的發(fā)光層24，絕緣膜17上的發(fā)光層M也不會發(fā)光。換言之，由于從基板13的厚度方向的一側(cè)觀察，僅設(shè)在形成于絕緣膜17中的開口 16的發(fā)光部23發(fā)光，因此隔壁15當(dāng)中特別地由絕緣膜17包圍的區(qū)域相當(dāng)于能夠發(fā)光的像素區(qū)域14。隔壁主體18在本實(shí)施方式中與絕緣膜17接觸地設(shè)置。也可以在絕緣膜17與隔壁主體18之間夾設(shè)規(guī)定的層。隔壁主體18形成于絕緣膜17上，退避像素區(qū)域14地形成。即，從基板13的厚度方向的一側(cè)觀察，隔壁主體18在絕緣膜17的內(nèi)側(cè)以格子狀形成。在由隔壁主體18確定的各區(qū)域中，設(shè)有發(fā)光部23。該發(fā)光部23橫跨穿設(shè)置于絕緣膜17中的開口 16地形成，與從該開口 16中露出的陽極21接觸地設(shè)置。絕緣膜17的厚度比發(fā)光部23的厚度薄。所以，發(fā)光部23不僅形成在穿設(shè)置于絕緣膜17中的開口 16處， 而且還超過該開口 16而形成到絕緣膜17上。陰極22是從基板13的厚度方向的一方覆蓋發(fā)光部23及隔壁主體18地遍及基板 13全面地形成的。即，各有機(jī)EL元件12的陰極22被電連接，作為公共的電極發(fā)揮作用。下面，對發(fā)光裝置11的制造方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備TFT基板。TFT基板可以使用市售的基板，通常來說，在TFT基板上形成有電極。在穿過陽極21及基板13取出光的底發(fā)射型的有機(jī)EL元件12中，陽極21由顯示出光透過性的電極構(gòu)成。作為陽極21，可以使用電導(dǎo)率高的金屬氧化物、金屬硫化物及金屬等的薄膜，優(yōu)選使用光透過率高的薄膜。具體來說，可以使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、 ΙΤ0、銦鋅氧化物andium Zinc Oxide 簡稱ΙΖ0)、金、鉬、銀及銅等構(gòu)成的薄膜，它們當(dāng)中優(yōu)選使用由ITO、IZO或氧化錫構(gòu)成的薄膜。作為陽極21的制作方法，可以舉出真空蒸鍍法、 濺射法、離子鍍法、鍍膜法等，在利用這些方法形成導(dǎo)電膜后，利用光刻法制成規(guī)定的圖案。 作為該陽極，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機(jī)的透明導(dǎo)電膜。陽極的膜厚可以考慮光的透過性和電導(dǎo)率地適當(dāng)選擇，例如為IOnm ΙΟμπι，優(yōu)選為20nm 1 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為50nm 500nm。然后形成絕緣膜17。優(yōu)選相對于墨液來說，絕緣膜17比隔壁主體18更顯示出親液性，為了不使隔壁主體18在疏液化的工序中被疏液化，優(yōu)選由無機(jī)物構(gòu)成。絕緣膜17由 SiN及SW2等構(gòu)成，優(yōu)選由SiN構(gòu)成。利用濺射法、CVD (Chemical Vapor Deposition)、掩模蒸鍍、以及旋涂法等形成絕緣膜17。例如通過利用CVD形成在全面中顯示絕緣性的薄膜，然后涂布光致抗蝕劑，向規(guī)定的區(qū)域照射光，并顯影，而形成由光致抗蝕劑層構(gòu)成的保護(hù)膜，繼而利用干式蝕刻或濕式蝕刻在顯示絕緣性的薄膜的與像素區(qū)域14相當(dāng)?shù)膮^(qū)域穿設(shè)開口 16，就可以形成絕緣膜17。此種絕緣膜17的厚度比發(fā)光部23薄，優(yōu)選小于lOOnm，更優(yōu)選小于50nm，進(jìn)一步優(yōu)選小于30nm，特別優(yōu)選小于lOnm。絕緣膜17的厚度的下限要根據(jù)構(gòu)成絕緣膜17的構(gòu)件適當(dāng)?shù)卦O(shè)定為能夠確保電絕緣性的厚度，通常來說為5nm。絕緣膜17的寬度也就是在行方向或列方向相鄰的像素區(qū)域14的間隔，其是根據(jù)析像度適當(dāng)?shù)卦O(shè)定的，通常來說為10 μ m 50 μ m左右。然后形成隔壁主體18。隔壁主體18優(yōu)選相對于墨液顯示出疏液性，優(yōu)選包含利用在含氟的氣體氣氛中進(jìn)行的等離子體處理之類的簡便的方法來疏液化的有機(jī)物。由于可以容易地進(jìn)行圖案處理，因此隔壁主體18優(yōu)選使用例如丙烯酸樹脂系、線性酚醛樹脂系、聚酰亞胺樹脂系的正型或負(fù)型的感光性材料(光致抗蝕劑)來形成。具體來說，通過將光致抗蝕劑涂布于基板整個面，進(jìn)行預(yù)烘烤處理，隔著規(guī)定的掩模向規(guī)定的區(qū)域照射光并顯影， 繼而進(jìn)行后烘烤處理，就可以得到以規(guī)定的形狀圖案處理了的隔壁主體18。作為涂布光致抗蝕劑的方法，可以舉出使用了旋涂機(jī)、狹縫涂布機(jī)等的方法。隔壁主體18繼而被進(jìn)行疏液化處理。例如在形成了包含有機(jī)物的隔壁主體18的情況下，可以通過在含氟氣體氣氛中進(jìn)行等離子體處理來將表面疏液化，具體來說，通過在CF4氣體的氣氛中進(jìn)行等離子體處理，可以將表面疏液化。該等離子體處理中，包含無機(jī)物的絕緣膜17不會疏液化，而是維持親液性。通過像這樣用無機(jī)物來構(gòu)成絕緣膜17，用有機(jī)物來構(gòu)成隔壁主體18，再在含氟氣體氣氛中進(jìn)行等離子體處理，就可以簡便地分別制出顯示疏液性的隔壁主體18和顯示親液性的絕緣膜17。隔壁主體18的厚度被設(shè)定為在利用涂布法形成發(fā)光部23時可以保持墨液的厚度，通常來說為0. 5μπ 10 μ m左右，優(yōu)選為Ιμ 3μπ 。隔壁主體18的寬度比絕緣膜17的寬度短，為IOym 50μπι左右。然后形成發(fā)光部23。發(fā)光部23優(yōu)選包含利用使用含有有機(jī)材料的墨液的涂布法形成的有機(jī)層。發(fā)光部23優(yōu)選通過由包括最靠近基板地設(shè)置的空穴注入層25的多個層層疊而構(gòu)成，本實(shí)施方式中，發(fā)光部23是通過將空穴注入層25和發(fā)光層M這2層有機(jī)層層疊而構(gòu)成的?？昭ㄗ⑷雽?5與陽極21接觸地設(shè)置，與該空穴注入層25接觸地設(shè)置發(fā)光層Μ，繼而與發(fā)光層M接觸地設(shè)置陰極22?？昭ㄗ⑷雽?5利用使用含有后述的形成空穴注入層25的有機(jī)材料和溶解它的溶劑的墨液的涂布法形成。作為涂布法，只要是可以向由隔壁15確定的區(qū)域選擇性地供給墨液的方法，就沒有特別限制，例如可以舉出噴墨打印法、柔版印刷法等。例如通過使用噴墨打印裝置，就可以將墨液向規(guī)定的區(qū)域選擇性地滴加，可以向由隔壁15確定的區(qū)域選擇性地供給墨液。繼而，通過在常溫或加熱下將墨液干燥，就可以形成空穴注入層25。發(fā)光層M利用使用含有后述的形成發(fā)光層M的有機(jī)材料和溶解它的溶劑的墨液的涂布法形成，可以利用與空穴注入層25相同的方法形成。陰極22優(yōu)選使用功函數(shù)小、易于向發(fā)光層中注入電子、電導(dǎo)率高的材料來形成。 在從陽極側(cè)取出光的構(gòu)成的有機(jī)EL元件12中，為了將來自發(fā)光層M的光用陰極22向陽極21側(cè)反射，作為陰極22的材料優(yōu)選可見光反射率高的材料。作為陰極22，例如可以使用堿金屬、堿土類金屬、過渡金屬及III-B族金屬等。作為陰極的材料，例如可以使用鋰、鈉、 鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬；上述金屬中的2 種以上的合金；上述金屬中的1種以上與金、銀、鉬、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的一種以上的合金；或者石墨或石墨層間化合物等。作為合金的例子，可以舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。作為陰極可以使用由導(dǎo)電性金屬氧化物及導(dǎo)電性有機(jī)物等構(gòu)成的透明導(dǎo)電性電極。具體來說，作為導(dǎo)電性金屬氧化物可以舉出氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO及ΙΖ0，作為導(dǎo)電性有機(jī)物可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。陰極也可以由層疊了 2層以上的層疊體構(gòu)成。陰極22的膜厚可以考慮電導(dǎo)率或耐久性而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，例如為IOnm 5μπι左右。本實(shí)施方式中，為了構(gòu)成還能作為用于將發(fā)光部23與外部的環(huán)境隔斷的保護(hù)構(gòu)件發(fā)揮作用的陰極22，將陰極22以厚膜形成。作為陰極22的制作方法，可以舉出真空蒸鍍法、濺射法、或熱壓接金屬薄膜的層壓法等。在以上所說明的本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11中，使絕緣膜17的厚度比發(fā)光部23的厚度薄。圖4所示的以往的發(fā)光裝置中，絕緣膜3的膜厚大，在使用了此種絕緣膜3的情況下，因絕緣膜3的影響，有機(jī)層5、6的膜厚變得不均勻，無法在像素區(qū)域內(nèi)形成均勻的膜厚的有機(jī)層。使用了有機(jī)EL元件的顯示裝置具有通過沿用液晶顯示裝置的大部分技術(shù)而發(fā)展起來的過程。液晶顯示裝置在市場上已得到普及，其要素技術(shù)已經(jīng)確立，因此不必特意改變液晶顯示裝置中一直使用的技術(shù)，絕緣膜3的膜厚等沿襲了液晶顯示裝置的設(shè)置。由此， 圖4所示的以往的發(fā)光裝置的絕緣膜3的膜厚為IOOnm 500nm左右。但是，有機(jī)EL元件由于薄型也是其特征之一，因此在利用了液晶顯示裝置中一直使用的絕緣膜的情況下，絕緣膜會比發(fā)光部厚，所以在液晶顯示裝置的技術(shù)中不成為問題的絕緣膜在有機(jī)層的形成中就會有很大影響。為此，本實(shí)施方式中，通過形成比發(fā)光部23薄的絕緣膜17，在利用涂布法形成空穴注入層25、發(fā)光層對等有機(jī)層時，可以減小絕緣膜17的影響，其結(jié)果是，可以形成均勻的膜厚的有機(jī)層。特別是，構(gòu)成發(fā)光部23的各有機(jī)層優(yōu)選各自的厚度比絕緣膜17厚， 例如在以往的技術(shù)中，由于墨液在被親液性的絕緣膜3拖拉的同時變干，因此在有機(jī)層5中在絕緣膜3的端部附近(參照圖4)較大地顯現(xiàn)出絕緣膜3的影響，然而在本實(shí)施方式中， 由于各有機(jī)層比絕緣膜17厚，因而絕緣膜17的側(cè)面本來對于有機(jī)層的形成就基本上沒有影響，從而可以形成均勻的膜厚的有機(jī)層。由此就可以獲得抑制了發(fā)光不良的有機(jī)EL元件 12，可以實(shí)現(xiàn)性能高的發(fā)光裝置11。特別是在構(gòu)成發(fā)光部23的多個層當(dāng)中最靠近基板的層為電阻低的空穴注入層16的情況下，如果像圖4所示的以往技術(shù)那樣在絕緣膜17的端部附近膜厚變得不均勻，則空穴注入層16與陰極22的間隔就會變窄，或根據(jù)情況而發(fā)生空穴注入層16與陰極22的接觸，因此作為元件的結(jié)構(gòu)來說在發(fā)光時產(chǎn)生漏電的可能性變高。 但是，本實(shí)施方式中，即使利用涂布法形成各有機(jī)層，由于各有機(jī)層比絕緣膜17厚，因此也可以形成均勻的膜厚的有機(jī)層，所以可以獲得抑制了漏電等的有機(jī)EL元件12，可以實(shí)現(xiàn)性能高的發(fā)光裝置11。作為此種絕緣膜17，厚度優(yōu)選小于lOOnm，通過形成此種厚度的絕緣膜17，就可以減小形成發(fā)光部23時的絕緣膜17的影響，可以獲得膜厚均勻的有機(jī)層。此外，絕緣膜17優(yōu)選由面向開口 16的上述絕緣膜17的側(cè)面區(qū)劃成的開口 16在接近基板的朝向上是正錐形。通過像這樣形成錐形的絕緣膜17，絕緣膜17的端部就會變得平緩，由絕緣膜17的端部形成的階梯部可以進(jìn)一步減小在形成發(fā)光部23時的絕緣膜17的影響，從而可以獲得膜厚更加均勻的有機(jī)層。錐形的絕緣膜17例如可以利用干式蝕刻來形成。圖3中示意性地表示形成錐形的絕緣膜17的工序。首先，利用CVD等在全面中形成如前所述由SiN等構(gòu)成的顯示絕緣性的薄膜31。利用CVD，可以形成IOnm 20nm左右的薄膜31，可以適當(dāng)?shù)匦纬蒊Onm 20nm 以上的膜厚的薄膜31。然后，在顯示絕緣性的薄膜31上全面地涂布光致抗蝕劑32 (參照圖 3(1))，然后，進(jìn)行預(yù)烘烤、曝光、顯影、后烘烤等處理，將顯示絕緣性的薄膜31中的形成于像素區(qū)域上的部分除去。使用光致抗蝕劑32形成的保護(hù)膜33的側(cè)面33a并不與顯示絕緣性的薄膜31的表面垂直，而是如圖3( 所示，相對于顯示絕緣性的薄膜31的表面傾斜，其角度θ為10° 60°左右。由于通常的干式蝕刻是各向異性蝕刻，因此如果進(jìn)行導(dǎo)入CF4 氣體的等離子體蝕刻，就會在顯示絕緣性的薄膜31上形成與基板13垂直的貫穿孔。即，包圍貫穿孔的薄膜31的側(cè)面與基板13垂直。但是，如果在除了 CF4以外還導(dǎo)入了 &的氣氛中進(jìn)行等離子體蝕刻，就會如圖3C3)所示，在蝕刻時不僅蝕刻顯示絕緣性的薄膜31，而且還蝕刻到保護(hù)膜33，因此就會在由保護(hù)膜33保護(hù)的區(qū)域如箭頭所示移動的同時，切削顯示絕緣性的薄膜31，其結(jié)果是，形成錐形的絕緣膜17。絕緣膜17的面向像素區(qū)域14的側(cè)面與陽極21表面的夾角Φ優(yōu)選為10° 60°。可以通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定保護(hù)膜33的材料、保護(hù)膜33的傾斜角度θ、蝕刻時導(dǎo)入的0&、02氣體的流量等，來調(diào)整該角度Φ，特別是，可以通過調(diào)整蝕刻時導(dǎo)入的A氣體的流量來調(diào)整角度Φ，具體來說，存在越是增多A氣體的流量則角度Φ就變得越小的傾向。從基板13的厚度方向的一側(cè)觀察，絕緣膜17的面向像素區(qū)域14的側(cè)面與上述隔壁主體18的面向像素區(qū)域14的側(cè)面之間的間隔Ll優(yōu)選為1 μ m以上(參照圖1)。為了發(fā)揮收容墨液的作用，通常來說將隔壁主體18以使其表面相對于墨液顯示疏液性的方式形成，因此所供給的墨液就會在被隔壁主體18彈開的同時干燥。這樣，在隔壁主體18附近有機(jī)層的膜厚就會變薄等，膜厚的均勻性變差。與隔壁主體18分開地設(shè)置絕緣膜17的理由之一是，抑制由隔壁主體18附近的膜厚的不均勻性引起的元件的發(fā)光特性的降低。但是， 如果絕緣膜17從隔壁主體18中突出的部分小，則隔壁主體18的影響就會在像素區(qū)域14 的有機(jī)層的膜厚分布中變得明顯。所以，通過將間隔Ll設(shè)定為Iym以上，就可以減小隔壁主體18對像素區(qū)域14的有機(jī)層的膜厚分布造成的影響，可以在像素區(qū)域14中形成膜厚均勻的有機(jī)層。間隔Ll可以根據(jù)析像度等的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，然而由于如果越大則開口率就越小，因此其上限通常來說為5 μ m左右。以上所說明的本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的有機(jī)EL元件具有“陽極/空穴注入層 /發(fā)光層/陰極”的層構(gòu)成，然而有機(jī)EL元件只要具備一對電極和該電極間的發(fā)光層，則也可以是與本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件不同的元件構(gòu)成。以下對可以設(shè)置于陽極與陰極之間的層進(jìn)行說明，然而這些層當(dāng)中，如果是含有有機(jī)物的層，且形成該層的有機(jī)材料能夠溶解于溶劑中，則可以利用上述的噴墨打印法等涂布法，作為均勻的膜厚的有機(jī)層形成這些層。 設(shè)置于陽極與陰極之間的發(fā)光部優(yōu)選僅由利用涂布法形成的1個或多個有機(jī)層構(gòu)成。通過像這樣僅利用有機(jī)層來構(gòu)成發(fā)光部，就可以利用工序簡便的涂布法來形成發(fā)光部，工序變得簡便。作為設(shè)置于陰極與發(fā)光層之間的層，可以舉出電子注入層、電子輸送層、空穴阻擋層等。在陰極與發(fā)光層之間僅設(shè)有一層的情況下，將該層稱作電子注入層。在陰極與發(fā)光層之間設(shè)有電子注入層和電子輸送層這兩層的情況下，將與陰極接觸的層稱作電子注入層， 將除去該電子注入層以外的層稱作電子輸送層。電子注入層是具有改善從陰極的電子注入效率的功能的層。電子輸送層是具有改善從陰極、電子注入層或更接近陰極的電子輸送層的電子注入的功能的層?？昭ㄗ钃鯇邮蔷哂凶璧K空穴的輸送的功能的層。在電子注入層和/或電子輸送層具有阻礙空穴的輸送的功能的情況下，有時這些層會兼作空穴阻擋層。對于空穴阻擋層具有阻礙空穴的輸送的功能的情況，例如可以制作僅流過霍爾電流的元件，根據(jù)其電流值的減少來確認(rèn)阻礙的效果。作為設(shè)置于陽極與發(fā)光層之間的層，可以舉出空穴注入層、空穴輸送層、電子阻擋層等。在陽極與發(fā)光層之間設(shè)有空穴注入層和空穴輸送層這兩層的情況下，將與陽極接觸的層稱作空穴注入層，將除去該空穴注入層以外的層稱作空穴輸送層?？昭ㄗ⑷雽邮蔷哂懈纳茝年枠O的空穴注入效率的功能的層?？昭ㄝ斔蛯邮蔷哂懈纳茝年枠O、空穴注入層或更接近陽極的空穴輸送層的空穴注入的功能的層。電子阻擋層是具有阻礙電子的輸送的功能的層。在空穴注入層和/或空穴輸送層具有阻礙電子的輸送的功能的情況下，有時這些層會兼作電子阻擋層。對于電子阻擋層具有阻礙電子的輸送的功能的情況，例如可以制作僅流過霍爾電流的元件，根據(jù)其電流值的減少來確認(rèn)阻礙的效果。有時將電子注入層及空穴注入層總稱為電荷注入層，將電子輸送層及空穴輸送層總稱為電荷輸送層。以下給出本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件可以采用的層構(gòu)成的例子。a)陽極/ζ發(fā)光層/陰極
b)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/陰極
C)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層丨‘陰極
e)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/電子輸送層/‘陰極
f)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/電子輸送層/丨電子注入層/'陰極
d)陽極/丨空穴輸送層/發(fā)光層/陰極
e)陽極/1空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層丨‘陰極
f)陽極/1空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/‘陰極
g)陽極/1空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/丨電子注入層/'陰極
h)陽極/1空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/‘陰極
i)陽極/丨空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層丨丨電子注入層/'陰極
j)陽極/丨空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層丨丨電子輸送層/'陰極
k)陽極/‘空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層丨1電子輸送層/‘電子注入層/陰極
1)陽極/丨發(fā)光層/電子注入層/陰極
m)陽極/丨發(fā)光層/電子輸送層/陰極
η)陽極/1發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/‘陰極
(這里，記號“/”表示夾隔著記號·“/”的各層被相鄰地層疊。以下相同。)本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件也可以具有2層以上的發(fā)光層，作為具有2層發(fā)光層的有機(jī)EL元件，如果在上述a) η)的層構(gòu)成當(dāng)中的任意一種中將由陽極和陰極夾持的層疊體設(shè)為“重復(fù)單元Α”，則可以舉出以下的ο)所示的層構(gòu)成。ο)陽極/(重復(fù)單元A)/電荷注入層/(重復(fù)單元A)/陰極作為具有3層以上的發(fā)光層的有機(jī)EL元件，如果將“(重復(fù)單元A) /電荷注入層” 設(shè)為“重復(fù)單元B”，則可以舉出以下的ρ)所示的層構(gòu)成。ρ)陽極/(重復(fù)單元B) χ/(重復(fù)單元A)/陰極記號“X”表示2以上的整數(shù)，(重復(fù)單元Β)χ表示層疊了 χ段的重復(fù)單元B的層疊體。所謂電荷注入層是通過施加電場而產(chǎn)生空穴和電子的層。作為電荷注入層，例如可以舉出由氧化釩、銦錫氧化物andium Tin Oxide 簡稱ΙΤ0)、氧化鉬等構(gòu)成的薄膜。為了進(jìn)一步提高與電極的密合性或改善從電極的電荷注入性，本實(shí)施方式的有機(jī) EL元件也可以與電極相鄰地設(shè)置膜厚2nm以下的絕緣層。為了實(shí)現(xiàn)界面處的密合性的提高或混合的防止等，也可以在上述的各層間插入薄的緩沖層。對于所層疊的層的順序、層數(shù)以及各層的厚度，可以考慮發(fā)光效率或元件壽命而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
下面，對構(gòu)成有機(jī)EL元件的各層的材料及形成方法進(jìn)行更具體的說明?！纯昭ㄗ⑷雽印底鳛闃?gòu)成空穴注入層的空穴注入材料，可以舉出氧化釩、氧化鉬、氧化釕以及氧化鋁等氧化物；或苯基胺系、星爆型胺系、酞菁系、無定形碳、聚苯胺以及聚噻吩衍生物等。作為空穴注入層的成膜方法，例如可以舉出始于含有空穴注入材料的溶液的成膜。作為基于溶液的成膜中所用的溶劑，只要是溶解空穴注入材料的溶劑，就沒有特別限制，可以舉出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑；以及水。作為基于溶液的成膜方法，可以舉出旋涂法、流涂法、微型凹版印刷法、凹版印刷法、棒涂法、輥涂法、拉絲棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、 噴墨打印法等涂布法。空穴注入層的膜厚的最佳值隨著所用的材料而不同，以使驅(qū)動電壓和發(fā)光效率為適度的值的方式適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，至少需要不會產(chǎn)生針孔的厚度，如果太厚，則元件的驅(qū)動電壓就會升高，因此不夠理想。所以，空穴注入層的膜厚例如為Inm 1 μ m,優(yōu)選為2nm 500nm，進(jìn)一步優(yōu)選為5nm 200nm?！纯昭ㄝ斔蛯印底鳛闃?gòu)成空穴輸送層的空穴輸送材料，可以舉出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚對苯乙炔或其衍生物、或聚(2，5-噻吩乙烯)或其衍生物等。它們當(dāng)中，作為空穴輸送材料，優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚對苯乙炔或其衍生物、或者聚(2，5_噻吩乙烯)或其衍生物等高分子空穴輸送材料，更優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子的空穴輸送材料的情況下，優(yōu)選分散于高分子粘合劑中使用。作為空穴輸送層的成膜方法，沒有特別限制，然而如果是低分子的空穴輸送材料， 則可以舉出始于包含高分子粘合劑和空穴輸送材料的混合液的成膜，如果是高分子的空穴輸送材料，則可以舉出始于包含空穴輸送材料的溶液的成膜。作為基于溶液的成膜中所用的溶劑，只要是溶解空穴輸送材料的溶劑，就沒有特別限制，可以舉出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑等。作為基于溶液的成膜方法，可以舉出與上述的空穴注入層的成膜法相同的涂布法。作為所混合的高分子粘合劑，優(yōu)選不會極度阻礙電荷輸送的材料，另外，優(yōu)選使用對可見光的吸收弱的材料，例如可以舉出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
作為空穴輸送層的膜厚，最佳值隨著所用的材料而不同，以使驅(qū)動電壓和發(fā)光效率為適度的值的方式適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，至少需要不會產(chǎn)生針孔的厚度，如果太厚，則元件的驅(qū)動電壓變高，不夠理想。所以，該空穴輸送層的膜厚例如為Inm 1 μ m,優(yōu)選為2nm 500歷， 更優(yōu)選為5nm 200nm?！窗l(fā)光層〉發(fā)光層通常來說主要由發(fā)出熒光和/或磷光的有機(jī)物形成，或者由該有機(jī)物和輔助它的摻雜劑形成。摻雜劑例如是為了提高發(fā)光效率、改變發(fā)光波長而添加的。有機(jī)物無論是低分子化合物還是高分子化合物都可以，發(fā)光層優(yōu)選含有聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為IO3 IO8的高分子化合物。作為構(gòu)成發(fā)光層的發(fā)光材料，例如可以舉出以下的色素系材料、金屬絡(luò)合物系材料、高分子系材料、摻雜劑材料。(色素系材料)作為色素系材料，例如可以舉出環(huán)戊胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳烯衍生物、吡咯衍生物、噻吩環(huán)化合物、吡啶環(huán)化合物、紫環(huán)酮衍生物、茈衍生物、低聚噻吩衍生物、 triphmanylamine衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物寸。(金屬絡(luò)合物系材料)作為金屬絡(luò)合物系材料，例如可以舉出如下的金屬絡(luò)合物，S卩，在中心金屬中，具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土類金屬，在配位基中具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉結(jié)構(gòu)等，例如可以舉出銥絡(luò)合物、鉬絡(luò)合物等具有來自三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物、鋁喹啉絡(luò)合物、苯并喹啉鈹絡(luò)合物、苯并噁唑鋅絡(luò)合物、苯并噻唑鋅絡(luò)合物、 偶氮甲基鋅絡(luò)合物、P卜啉鋅絡(luò)合物、銪絡(luò)合物等。(高分子系材料)作為高分子系材料，可以舉出聚對苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯撐衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、將上述色素系材料或金屬絡(luò)合物系發(fā)光材料高分子化了的材料等。在上述發(fā)光性材料當(dāng)中，作為發(fā)出藍(lán)色光的材料，可以舉出二苯乙烯基芳烯衍生物、噁二唑衍生物以及它們的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚對苯撐衍生物、聚芴衍生物等。尤其優(yōu)選高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚對苯撐衍生物或聚芴衍生物等。作為發(fā)出綠色光的材料，可以舉出喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物以及它們的聚合物、聚對苯乙炔衍生物、聚芴衍生物等。尤其優(yōu)選高分子材料的聚對苯乙炔衍生物、聚芴衍生物等。作為發(fā)出紅色光的材料，可以舉出香豆素衍生物、噻吩環(huán)化合物以及它們的聚合物、聚對苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。尤其優(yōu)選高分子材料的聚對苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。(摻雜劑材料)作為摻雜劑材料，例如可以舉出茈衍生物、香豆素衍生物、紅熒烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸(squalium)衍生物、嚇啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十環(huán)烯、吩噁嗪酮等。發(fā)光層的厚度通常來說約為2nm 200nm。
〈電子輸送層〉作為構(gòu)成電子輸送層的電子輸送材料，可以使用公知的材料，可以舉出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、聯(lián)苯醌衍生物、或 8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。它們當(dāng)中，作為電子輸送材料，優(yōu)選噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁啉或其衍生物、 聚芴或其衍生物，更優(yōu)選2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑、苯醌、蒽醌、 三(8-羥基喹啉)鋁、聚喹啉。作為電子輸送層的成膜法沒有特別限制，然而如果是低分子的電子輸送材料，則可以舉出基于粉末的真空蒸鍍法、或者基于溶液或熔融狀態(tài)的成膜，如果是高分子的電子輸送材料，則可以舉出基于溶液或熔融狀態(tài)的成膜。在進(jìn)行基于溶液或熔融狀態(tài)的成膜的情況下，也可以并用高分子粘合劑。作為從基于溶液將電子輸送層成膜的方法，可以舉出與上述的基于溶液將空穴輸送層成膜的方法相同的成膜法。電子輸送層的膜厚的最佳值隨著所用的材料而不同，以使驅(qū)動電壓和發(fā)光效率為適度的值的方式適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，至少需要不會產(chǎn)生針孔的厚度，如果太厚，則元件的驅(qū)動電壓就會升高，因此不夠理想。所以，空穴注入層的膜厚例如為Inm 1 μ m,優(yōu)選為2nm 500nm，進(jìn)一步優(yōu)選為5nm 200nm。〈電子注入層〉作為構(gòu)成電子注入層的材料，可以根據(jù)發(fā)光層的種類適當(dāng)?shù)剡x擇最佳的材料，可以舉出堿金屬、堿土類金屬、包含堿金屬及堿土類金屬中的一種以上的合金、堿金屬或堿土類金屬的氧化物、商化物、碳酸化物、或者這些物質(zhì)的混合物等。作為堿金屬、堿金屬的氧化物、鹵化物及碳酸化物的例子，可以舉出鋰、鈉、鉀、銣、銫、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、 氧化鉀、氟化鉀、氧化銣、氟化銣、氧化銫、氟化銫、碳酸鋰等。作為堿土類金屬、堿土類金屬的氧化物、鹵化物、碳酸化物的例子，可以舉出鎂、鈣、鋇、鍶、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、氧化鍶、氟化鍶、碳酸鎂等。電子注入層也可以由層疊了 2層以上的層疊體構(gòu)成，例如可以舉出LiF/Ca等。電子注入層可以利用蒸鍍法、濺射法、印刷法等形成。作為電子注入層的膜厚，優(yōu)選Inm Ιμπι左右。〈絕緣層〉作為絕緣層的材料，可以舉出金屬氟化物、金屬氧化物、有機(jī)絕緣材料等。作為設(shè)有膜厚2nm以下的絕緣層的有機(jī)EL元件，可以舉出與陰極相鄰地設(shè)置了膜厚2nm以下的絕緣層的元件、與陽極相鄰地設(shè)置了膜厚2nm以下的絕緣層的元件。以上所說明的發(fā)光裝置可以適用于曲面狀或平面狀的照明裝置中，如作為掃描儀的光源使用的面狀光源，此外還適用于顯示裝置中。作為顯示裝置，可以舉出分段顯示裝置、點(diǎn)矩陣顯示裝置等。在點(diǎn)矩陣顯示裝置中，有有源矩陣顯示裝置及無源矩陣顯示裝置等。有機(jī)EL元件在有源矩陣顯示裝置、無源矩陣顯示裝置中，被作為構(gòu)成各像素的發(fā)光元件使用。有機(jī)EL元件在區(qū)段顯示裝置中，被作為構(gòu)成各區(qū)段的發(fā)光元件使用，在液晶顯示裝置中，被作為背光燈使用。
工業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，通過形成比發(fā)光部薄的絕緣膜，就可以減小在形成發(fā)光部時絕緣膜所造成的影響，其結(jié)果是，可以在像素區(qū)域內(nèi)形成膜厚均勻的有機(jī)層。由此就可以獲得抑制了發(fā)光不良的有機(jī)電致發(fā)光元件，可以實(shí)現(xiàn)性能高的發(fā)光裝置。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具有基板、設(shè)置于該基板上的多個有機(jī)電致發(fā)光元件以及確定設(shè)置各有機(jī)電致發(fā)光元件的各像素區(qū)域的隔壁，其中，所述隔壁包括在相當(dāng)于所述各像素區(qū)域的區(qū)域穿設(shè)有開口的絕緣膜以及設(shè)置于該絕緣膜的與基板側(cè)相反一側(cè)的隔壁主體，所述有機(jī)電致發(fā)光元件包括一對電極和由該電極夾持并且配置在由所述隔壁所包圍的區(qū)域中的發(fā)光部，所述絕緣膜的厚度比所述發(fā)光部的厚度薄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中， 所述絕緣膜的厚度小于50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，由面向所述開口的所述絕緣膜的側(cè)面區(qū)劃成的開口朝靠近所述基板的方向上呈正錐形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，從基板的厚度方向的一側(cè)觀察，所述絕緣膜的面向像素區(qū)域的側(cè)面與所述隔壁主體的面向像素區(qū)域的側(cè)面之間的間隔為Iym以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光部包含利用使用含有有機(jī)材料的墨液的涂布法而形成的有機(jī)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，相對于所述墨液，所述絕緣膜比所述隔壁主體更顯示出親液性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光部是由包含以最靠近基板的方式而設(shè)置的空穴注入層的多個層層疊而成的。
8.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光裝置包括具有一對電極以及由該一對電極所夾持的發(fā)光部的多個有機(jī)電致發(fā)光元件，所述發(fā)光裝置的制造方法包括在基板上形成確定設(shè)置各有機(jī)電致發(fā)光元件的各像素區(qū)域的隔壁的工序； 形成所述電極的工序；以及在所述像素區(qū)域形成發(fā)光部的工序，在所述形成隔壁的工序中，形成厚度比所述發(fā)光部的厚度薄并且在相當(dāng)于像素區(qū)域的區(qū)域穿設(shè)有開口的絕緣膜，在該絕緣膜上形成隔壁主體，在所述形成發(fā)光部的工序中，通過向所述像素區(qū)域供給含有有機(jī)材料的墨液，進(jìn)而將所供給的墨液干燥而形成有機(jī)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，在所述絕緣膜中穿設(shè)開口時，利用干蝕刻在絕緣膜中穿設(shè)開口，所述開口朝靠近所述基板的方向上呈正錐形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中，在形成所述隔壁主體時，使用有機(jī)物形成隔壁主體，進(jìn)而在含氟的氣體氣氛中進(jìn)行等離子體處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，具有基板、設(shè)置于該基板上的多個有機(jī)電致發(fā)光元件以及確定設(shè)置各有機(jī)電致發(fā)光元件的各像素區(qū)域的隔壁，其中，所述隔壁包括在相當(dāng)于所述各像素區(qū)域的區(qū)域穿設(shè)有開口的絕緣膜以及設(shè)置于該絕緣膜的與基板側(cè)相反一側(cè)的隔壁主體，所述有機(jī)電致發(fā)光元件包括一對電極和由該電極夾持并且配置在由所述隔壁所包圍的區(qū)域中的發(fā)光部，所述絕緣膜的厚度比所述發(fā)光部的厚度薄。
文檔編號H05B33/10GK102227953SQ200980147719
公開日2011年10月26日 申請日期2009年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月28日
發(fā)明者栗原直, 梶谷優(yōu), 藤澤拓司, 西岡幸也, 赤津光俊, 雨宮聰 申請人:住友化學(xué)株式會社