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鑄錠用坩堝的制作方法

文檔序號:8133247閱讀:361來源:國知局
專利名稱:鑄錠用坩堝的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種坩堝,尤其是一種鑄錠用坩堝。
背景技術
目前生產(chǎn)多晶鑄錠時采用石英陶瓷坩堝作為多晶硅鑄錠的容器,通過雙溫區(qū)或三 溫區(qū)控制,利用晶錠上下的溫度梯度實現(xiàn)定向凝固,采用氮化硅粉末涂層為脫模劑,此方法 普遍的應用于太陽能電池鑄錠行業(yè)。單晶用石英玻璃坩堝純度較高,成本較大,也比較容 易變形;多晶鑄錠用坩堝投料量大,為了獲得較高的強度,采用的石英陶瓷坩堝含大量的鋁 和堿土金屬結晶促進劑,約1500-2000卯mw,在鑄錠時,行業(yè)內(nèi)普遍在石英陶瓷坩堝內(nèi)表面 噴涂高純的氮化硅,抑制了硅與石英陶瓷坩堝的反應,Si02+Si = 2SiO,減少了硅錠中氧的 引入,同時起到了脫模作用,但是此氮化硅層并不能有效的抑制石英陶瓷坩堝中金屬等雜 質(zhì)元素的擴散,因此多晶錠與石英陶瓷坩堝接觸的面雜質(zhì)含量高,少子壽命低,此原因造成 邊皮和晶錠底部去除量一般高達20-30%,因此造成晶錠的利用率不高,電池效率也受到影 響。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種經(jīng)過表面處理的鑄錠用坩堝,防止 坩堝內(nèi)雜質(zhì)擴散,從而提高鑄錠的利用率和電池的轉(zhuǎn)換效率。 本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是鑄錠用坩堝,包括坩堝本體,坩
堝本體的內(nèi)表面具有一層氫氧化鋇或鋇的鹽類的涂層。 坩堝本體為石英陶瓷坩堝。 本實用新型的有益效果是,該涂層經(jīng)過烘焙,在鑄錠時和坩堝發(fā)生反應,可以抑制 坩堝內(nèi)部雜質(zhì)向硅料擴散的目的,進而提高靠近坩堝部位的少子壽命,提高晶錠的利用率 和電池轉(zhuǎn)換效率。
以下結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。


圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖中1.坩堝本體,2.氫氧化鋇或鋇的鹽類的涂層。
具體實施方式現(xiàn)在結合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡
化的示意圖,僅以示意方式說明本實用新型的基本結構,因此其僅顯示與本實用新型有關 的構成。 如圖1所示的鑄錠用坩堝,包括坩堝本體l,坩堝本體1的內(nèi)表面具有一層氫氧化 鋇或鋇的鹽類的涂層2。[0012] 坩堝本體1為石英陶瓷坩堝。 在坩堝本體1內(nèi)表面上的氫氧化鋇或鋇的鹽類的涂層2,還需要進行烘焙,在高溫
下,鋇化合物會分解形成氧化鋇,氧化鋇與坩堝本體1反應形成致密的硅酸鋇,該硅酸鋇同
時作為結晶促進劑,使坩堝本體1表層進一步向低密度的方石英轉(zhuǎn)變,使其表面層體積膨
脹,表面更平整致密,從而達到抑制坩堝本體1內(nèi)部雜質(zhì)向硅料擴散的目的,進而提高靠近
坩堝部位的晶錠的少子壽命,提高晶錠的利用率和電池轉(zhuǎn)換效率。鋇的分凝系數(shù)非常小,要
優(yōu)于鈣、鎂等其他的金屬促進劑,同時由于氮化硅在坩堝本體1和硅料之間的阻隔作用,鋇
基本不會擴散到硅料中,因此對抑制坩堝本體1中雜質(zhì)的擴散非常有效,經(jīng)過檢測發(fā)現(xiàn)對
鐵的抑制作用尤為明顯,Si02-Ba0-Fe203體系在高溫下會生成BaSi03和BaFe12019。 采用氫氧化鋇為涂層材料時,其過程中發(fā)生的反應可能有 Ba (OH) 2+C02 — BaC03+H20 ; BaC03 — Ba0+C02 (氣體,高溫下1450°C );BaC03+Si02 — BaSi03+C02 ;Ba0+Si02 — BaSi03 ; 3Ba0+2Al — Al203+3Ba。 涂層經(jīng)過烘焙后,其粘附的比較強,效果優(yōu)于未烘焙的坩堝,涂層物質(zhì)優(yōu)選為八水 合氫氧化鋇,溶劑優(yōu)選20-7(TC的純水,攪拌適當時間充分溶解,坩堝本體1表面優(yōu)選的金 屬化合物涂覆量為5X 10—6_3X 10—511101/0112,涂覆液中金屬組分重量百分比為2-15%是合適 的,含量以金屬化合物的量來計算,但涂覆量高于或者低于所述范圍時是不優(yōu)選的,因為涂 覆量太少抑制坩堝本體1中雜質(zhì)向硅液擴散的效果不明顯,涂覆量太多坩堝和氮化硅粉末 層粘結不牢易脫落。晶錠的利用率以少子壽命為標準,為了獲得較高的晶錠利用率,需要在 坩堝本體l的整個內(nèi)表面,或者在硅料與坩堝接觸的內(nèi)壁局部有選擇的做涂覆。涂覆的方
法可以是噴涂、浸涂、涂刷等,但不限于這些方法,涂層涂覆后,烘焙的溫度和時間由所用的
金屬化合物和溶劑決定,在50-120(TC下烘焙所述的涂覆液0. 5-10h是優(yōu)選的。 八水合氫氧化鋇涂層在高于80(TC的溫度下至少烘焙30分鐘是優(yōu)選的,烘焙時間
過短則后續(xù)噴涂的氮化硅粉末涂層容易粘附不牢,若氮化硅粉末涂層粘附不牢則容易掉入
硅液,坩堝本體l與硅液起反應導致氧的引入,同時導致最終不能有效脫模而裂錠,反而影
響晶錠的利用率,并且氮化硅和氧的引入會影響晶錠質(zhì)量。由于內(nèi)表面涂層可能會引起坩
堝本體1內(nèi)層強度進一步增強,但不必擔心會導致坩堝變形,因為多晶鑄錠用石英陶瓷坩
堝與單晶用石英玻璃坩堝晶體結構不一致,石英陶瓷坩堝已基本為方石英,不會產(chǎn)生過大
的變形而導致裂堝漏硅。
權利要求一種鑄錠用坩堝,包括坩堝本體(1),其特征在于所述的坩堝本體(1)的內(nèi)表面具有一層氫氧化鋇或鋇的鹽類的涂層(2)。
2. 根據(jù)權利要求1所述的鑄錠用坩堝,其特征在于所述的坩堝本體(1)為石英陶瓷 坩堝。
專利摘要本實用新型涉及鑄錠用坩堝,包括坩堝本體,坩堝本體的內(nèi)表面具有一層氫氧化鋇或鋇的鹽類的涂層。該涂層經(jīng)過烘焙,在鑄錠時和坩堝發(fā)生反應,可以抑制坩堝內(nèi)部雜質(zhì)向硅料擴散的目的,進而提高靠近坩堝部位的少子壽命,提高晶錠的利用率和電池轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號C30B11/00GK201506711SQ20092023223
公開日2010年6月16日 申請日期2009年9月30日 優(yōu)先權日2009年9月30日
發(fā)明者陳雪, 黃強, 黃振飛 申請人:常州天合光能有限公司
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