專利名稱：有機發(fā)光顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板，特別是一種有機發(fā)光顯示面板。
背景技術(shù)：
近年來平面顯示器朝著高亮度、平面化、輕薄以及省能源的趨勢發(fā)展，有鑒于此，有機發(fā)光(OEL)顯示裝置成為目前光電產(chǎn)業(yè)中極欲發(fā)展的方向之一。有機發(fā)光顯示裝置是一種利用有機官能性材料(organic functional materials)的自發(fā)光的特性來達到顯示效果的裝置，依照有機官能性材料的分子量不同，可分為小分子有機發(fā)光顯示裝置(small molecule OLED，SM-OLED)與高分子有機發(fā)光顯示裝置(polymer light-emitting display，PLED)兩大類。
由于有機發(fā)光元件(有機官能性材料)對于水氣與氧氣非常敏感，與大氣接觸后容易產(chǎn)生暗點(Dark Spot)，所以，為了確保有機發(fā)光元件的使用壽命，如圖1所示，目前的封裝方式是利用濺鍍、電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)或是電子束等方式直接將無機膜41(如SixOy)沉積在有機發(fā)光元件42上。
另外，如圖2所示，美國Vitex System公司亦將無機/有機的多層阻絕層結(jié)構(gòu)51(Barix Coating)直接沉積于有機發(fā)光元件52上，以達到阻隔水氣與氧氣入侵至有機發(fā)光元件52中。
然而，水氣與氧氣除了會從正面(A方向)入侵有機發(fā)光元件之外，亦容易經(jīng)由阻絕層(無機膜)的邊緣(B方向)入侵至元件中。但，上述的兩種封裝方式僅能夠防止水氣與氧氣從正面(A方向)入侵，并無法阻絕水氣與氧氣從側(cè)面(B方向)入侵。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提供一種阻止水氣以及氧氣入侵的有機發(fā)光顯示面板。
為達上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種有機發(fā)光顯示面板，包含一基板、至少一有機發(fā)光區(qū)、至少一保護層、至少一阻隔層以及一封合層，其中，有機發(fā)光區(qū)形成于基板之上，且有機發(fā)光區(qū)具有數(shù)個像素；保護層形成于基板與有機發(fā)光區(qū)之上；阻隔層形成于保護層及/或基板之上；封合層形成于基板之上，且至少披覆阻隔層及/或保護層的周緣。
為達上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種有機發(fā)光顯示面板，包含一基板、至少一有機發(fā)光區(qū)、至少一突部、至少一保護層、至少一阻隔層以及一封合層，其中，有機發(fā)光區(qū)形成于基板之上，且有機發(fā)光區(qū)具有數(shù)個像素；突部形成于基板之上；保護層形成于基板與有機發(fā)光區(qū)之上；阻隔層形成于保護層及/或突部之上；封合層形成于基板及/或突部之上，且至少披覆阻隔層及/或保護層的周緣。
為達上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種有機發(fā)光顯示面板，包含一基板、至少一有機發(fā)光區(qū)、至少一保護層以及至少一阻隔層，其中，有機發(fā)光區(qū)形成于基板之上，且有機發(fā)光區(qū)具有數(shù)個像素；保護層形成于基板與有機發(fā)光區(qū)之上；阻隔層形成于保護層與基板之上，且保護層的其中一層及/或阻隔層的其中一層以光化學(xué)氣相沉積法形成。
承上所述，本發(fā)明的有機發(fā)光顯示面板利用阻隔層或封合層來阻止水氣與氧氣從元件正面以及側(cè)面入侵。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的阻隔層或封合層形成于保護層與基板上，可避免水氣與氧氣從保護層的邊緣穿透至元件內(nèi)部。同時，本發(fā)明的保護層可避免后續(xù)所形成的阻隔層或封合層發(fā)生不連續(xù)的情形，更進一步避免水氣與氧氣經(jīng)由孔隙進入元件中。另外，本發(fā)明的突部使得封合層呈現(xiàn)波浪狀的結(jié)構(gòu)，不僅增加封合層與其它部分(突部、基板)之間的接觸面積以及附著力，同時減少熱漲冷縮所產(chǎn)生的應(yīng)力，更可增加水氣與氧氣穿透的路徑長度，從而減緩水氣與氧氣入侵的速率。再者，本發(fā)明的多層阻隔層能夠錯開等阻隔層之間孔隙的位置，有效地補償膜層的缺陷。又，本發(fā)明中的阻隔層更可由具有不同楊氏模數(shù)的阻隔層所組成，將具有較低楊氏模數(shù)的阻隔層夾置于具有較高楊氏模數(shù)的阻隔層之間以產(chǎn)生緩沖的作用，以降低等阻隔層之間的應(yīng)力。另外，平坦層、阻隔層或是封合層可利用光化學(xué)氣相沉積法形成，利用光化學(xué)氣相沉積法不僅可以在低溫(約300℃以下)下提供足夠的成膜速率，又，由于低溫所形成的膜層結(jié)構(gòu)較為松散，可減低膜層的內(nèi)應(yīng)力，更可減少膜層剝落的可能性。


圖1為現(xiàn)有有機發(fā)光元件的封裝方式的一實施示意圖；圖2為現(xiàn)有有機發(fā)光元件的封裝方式的另一實施示意圖；圖3、圖4、圖5及圖6為本發(fā)明第一實施例中有機發(fā)光顯示面板的一組示意圖；圖7、圖8、圖9以及圖10為本發(fā)明第二實施例中有機發(fā)光顯示面板的一組示意圖；圖11以及圖12為本發(fā)明第三實施例中有機發(fā)光顯示面板的一組示意圖。
圖中符號說明1 有機發(fā)光顯示面板11 基板12 有機發(fā)光區(qū)121像素1211 第一電極1212 有機官能層1213 第二電極
13 保護層14、141、142、143阻隔層15 封合層2 有機發(fā)光顯示面板21 基板22 有機發(fā)光區(qū)221像素2211 第一電極2212 有機官能層2213 第二電極23 突部24 保護層25 阻隔層26 封合層3 有機發(fā)光顯示面板31 基板32 有機發(fā)光區(qū)321像素3211 第一電極3212 有機官能層3213 第二電極33 保護層34、341、342、343阻隔層41 無機膜42 有機發(fā)光元件51 多層阻絕層結(jié)構(gòu)52 有機發(fā)光元件具體實施方式
以下將參照相關(guān)附圖，說明依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的有機發(fā)光顯示面板。為便于說明，相關(guān)圖式僅以單一像素顯示于后。
第一實施例如圖3、圖4、圖5以及圖6所示，本發(fā)明第一實施例的有機發(fā)光顯示面板1，包含一基板11、至少一有機發(fā)光區(qū)12、至少一保護層13、至少一阻隔層14以及一封合層15，其中，有機發(fā)光區(qū)12形成于基板11之上，且有機發(fā)光區(qū)12具有數(shù)個像素121；保護層13形成于基板11與有機發(fā)光區(qū)12之上；阻隔層14形成于保護層13及/或基板11之上；封合層15形成于基板11之上，且至少披覆阻隔層14及/或保護層13的周緣。
于本實施例中，基板11可以是柔性(flexible)基板或是剛性(rigid)基板。另外，基板11亦可以是塑料(plastic)基板或是玻璃基板等等。其中，柔性基板與塑料基板可為聚碳酸酯(polycarbonate，PC)基板、聚酯(polyester，PET)基板、環(huán)烯共聚物(cyclic olefincopolymer，COC)基板或金屬鉻合物基材-環(huán)烯共聚物(metallocene-based cyclic olefin copolymer，mCOC)基板。當(dāng)然，基板11亦可以是硅基板。
另外，再請參考圖3，像素121依序包含一第一電極1211、至少一有機官能層1212及一第二電極1213，而第一電極1211位于基板11之上。
于本實施例中，第一電極1211利用濺鍍(sputtering)方式或是離子電鍍(ion plating)方式形成于基板11上。在此，第一電極1211通常作為陽極且其材質(zhì)通常為一透明的可導(dǎo)電的金屬氧化物，例如氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AlZnO)或是氧化銦鋅(IZO)。
另外，有機官能層1212通常包含一電洞注入層、一電洞傳遞層、一發(fā)光層、一電子傳遞層以及一電子注入層(圖中未顯示)。其中，有機官能層1212利用蒸鍍(evaporation)、旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)、噴墨印刷(ink jet printing)或是印刷(printing)等方式形成于第一電極1211上。此外，有機官能層1212所發(fā)射的光線可為藍光、綠光、紅光、白光、其它的單色光或單色光組合成的彩色光。
再請參考圖3，第二電極1213位于有機官能層1212上。于此，第二電極1213使用蒸鍍或是濺鍍(sputtering)等方法形成于有機官能層1212上。另外，第二電極1213的材質(zhì)可選自但不限定為鋁(Al)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、銦(In)、錫(Sn)、錳(Mn)、銀(Ag)、金(Au)及含鎂的合金(例如鎂銀(Mg:Ag)合金、鎂銦(Mg:In)合金、鎂錫(Mg:Sn)合金、鎂銻(Mg:Sb)合金及鎂碲(Mg:Te)合金)等。
接著，再請參考圖3，保護層13形成于基板11與有機發(fā)光區(qū)12之上。于此，保護層13可利用光化學(xué)氣相沉積法形成于基板11與有機發(fā)光區(qū)12之上。其中，光化學(xué)氣相沉積法可以是真空紫外光(VacuumUltra-Violet，VUV)化學(xué)氣相沉積法。
由于光化學(xué)氣相沉積法是利用光子來分解激發(fā)反應(yīng)氣體，所以反應(yīng)得以在低溫(約為300℃以下)環(huán)境進行。另外，于本實施例中，由于光化學(xué)氣相沉積法所形成的保護層13結(jié)構(gòu)較為松散，可降低膜層的內(nèi)應(yīng)力，所以能夠避免保護層13剝離脫落。當(dāng)然，保護層13亦可利用濺鍍法形成于基板11與有機發(fā)光區(qū)12之上。
再請參考圖3，本實施例中的保護層13具有防水以及防氧的功能，可保護有機發(fā)光區(qū)12不受水氣與氧氣的影響。再者，保護層13亦用以包覆不平坦的有機發(fā)光區(qū)12，作為平坦化之用，使得后續(xù)形成于保護層13上的膜層(阻隔層14)具有較佳的均勻性，而不會發(fā)生不連續(xù)的情形。同時，保護層13更可包覆制程中所存在的微粒子。
另外，再請參考圖3，本實施例的保護層13可避免后續(xù)所形成的阻隔層14發(fā)生不連續(xù)的情形，而使得水氣與氧氣經(jīng)由孔隙進入。
于本實施例中，保護層13為無機材質(zhì)，且保護層13選自氧化硅(SiOx)、類鉆石薄膜(Diamond Like Carbon，DLC)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)以及三氧化二鋁(Al2O3)至少其中之一。
再請參照圖3，本實施例的阻隔層14形成于保護層13與基板11之上。當(dāng)然，如圖4、圖5以及圖6所示，阻隔層14亦可形成于保護層13之上。
其中，阻隔層14可利用光化學(xué)氣相沉積法形成。當(dāng)然，阻隔層14亦可利用濺鍍法形成。
如上所述，利用光化學(xué)氣相沉積法所形成的阻隔層14結(jié)構(gòu)較為松散，可降低膜層的內(nèi)應(yīng)力，所以能夠避免阻隔層14剝離脫落。
于本實施例中，阻隔層14為無機材質(zhì)，其中，阻隔層14選自氧化硅、類鉆石薄膜、氮化硅、氮氧化硅、三氧化二鋁及金屬(包括但不限于鋁、銅、金以及銀)至少其中之一。于此，阻隔層14具有防水性，可進一步提高有機發(fā)光顯示面板1的可靠度。
另外，如圖3所示，數(shù)個阻隔層14中的至少一層可以利用光化學(xué)氣相沉積法形成。當(dāng)然，等阻隔層14中的至少一層亦可以利用濺鍍法形成。
于此，等阻隔層14亦可同時具有防水性以及緩沖功能。例如如圖3所示，阻隔層141、143(材質(zhì)如氮化硅、氮氧化硅、類鉆石薄膜、三氧化二鋁及金屬(例如、鋁、銅、金以及銀))具有極高的防水性，能夠有效防止水氣以及氧氣的入侵；而夾置于阻隔層141、143之間的阻隔層142(材質(zhì)如氧化硅)則具有較小的機械強度，使其具有緩沖功能，能夠有效地降低等阻隔層14的內(nèi)應(yīng)力。此種多層次結(jié)構(gòu)能夠錯開等阻隔層14之間孔隙的位置，有效地補償膜層的缺陷，另外更使得水氣的穿透路徑增長，進一步加強防水的效果。
另外，再請參考圖3及圖4，封合層15形成于基板11之上，且至少披覆阻隔層14及/或保護層13的周緣。當(dāng)然，如圖5及圖6所示，封合層15亦可完全披覆于阻隔層14及保護層13之上。
于本實施例中，封合層15可利用光化學(xué)氣相沉積法形成。當(dāng)然，封合層15亦可利用濺鍍法形成。
于本實施例中，封合層15為無機材質(zhì)，且選自氧化硅、類鉆石薄膜、氮化硅、氮氧化硅、三氧化二鋁及金屬(包括但不限于鋁、銅、金以及銀)至少其中之一。于此，封合層15具有防水性，可進一步提高有機發(fā)光顯示面板1的可靠度。
第二實施例另外，再請參照圖7、圖8、圖9以及圖10，本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光顯示面板2，包含一基板21、至少一有機發(fā)光區(qū)22、至少一突部23、至少一保護層24、至少一阻隔層25以及一封合層26，其中，有機發(fā)光區(qū)22形成于基板21之上，且有機發(fā)光區(qū)22具有數(shù)個像素221；突部23形成于基板21之上；保護層24形成于基板21與有機發(fā)光區(qū)22之上；阻隔層25形成于保護層24及/或突部23之上；封合層26形成于基板21及/或突部23之上，且至少披覆阻隔層25及/或保護層24的周緣。
于本實施例中，像素221依序包含一第一電極2211、至少一有機官能層2212及一第二電極2213，而第一電極2211位于基板21之上。
于本實施例中，基板21、有機發(fā)光區(qū)22、像素221、第一電極2211、有機官能層2212及第二電極2213的特征與功能與第一實施例中的相同元件相同，在此不再贅述。
再請參考圖7、圖8、圖9以及圖10，保護層24可避免后續(xù)所形成的阻隔層25發(fā)生不連續(xù)的情形，而使得水氣與氧氣經(jīng)由孔隙進入。另外，保護層24的特征與功能皆與第一實施例的保護層13相同，在此亦不再贅述。
接著，再請參考圖7、圖8與圖9，阻隔層25形成于保護層24之上。再請參考圖10，當(dāng)然，阻隔層25亦可形成于保護層24以及突部23之上。于本實施例中，阻隔層25的其余特征與功能皆與第一實施例的阻隔層14相同，在此亦不再贅述。
再請參考圖7、圖8、圖9以及圖10，突部23形成于基板21之上。于本實施例中，突部23相互連接(如圖8所示)。當(dāng)然，突部23亦可以獨立設(shè)置(如圖7、圖9以及圖10所示)。
另外，于本實施例中，突部23的材質(zhì)為防水性材料，例如但不限定為感光材料(例如光阻)或二氧化硅。
再者，本實施例的突部23的形狀可以是點塊狀或是長條塊狀等等。另外，于本實施例中，如圖7、圖8、圖9以及圖10所示，突部23可避免后續(xù)所形成的封合層26發(fā)生不連續(xù)的情形，而使得水氣與氧氣經(jīng)由孔隙進入。
再請參考圖7與圖10，封合層26披覆阻隔層25及/或保護層24的周緣。當(dāng)然，如圖8與圖9所示，封合層26完全披覆于阻隔層25、保護層24、突部23與基板21之上。由于部分的封合層26形成于突部23之上，使得封合層26呈現(xiàn)類似波浪狀的結(jié)構(gòu)，此種結(jié)構(gòu)不僅增加了封合層26與其它部分(突部23、基板21)之間的接觸面積以及附著力，同時減少熱漲冷縮所產(chǎn)生的應(yīng)力，更可增加水氣與氧氣穿透的路徑長度，從而減緩水氣與氧氣入侵的速率。
第三實施例如圖11及圖12所示，依據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光顯示面板3，包含一基板31、至少一有機發(fā)光區(qū)32、至少一保護層33以及至少一阻隔層34，其中，有機發(fā)光區(qū)32形成于基板31之上，且有機發(fā)光區(qū)32具有數(shù)個像素321；保護層33形成于基板31與有機發(fā)光區(qū)32之上；阻隔層34形成于保護層33與基板31之上，且保護層33的其中一層及/或阻隔層34(341、342、343)的其中一層以光化學(xué)氣相沉積法形成。
于本實施例中，像素321依序包含一第一電極3211、至少一有機官能層3212及一第二電極3213，而第一電極3211位于基板31之上。
于本實施例中，基板31、有機發(fā)光區(qū)32、像素321、第一電極3211、有機官能層3212、第二電極3213、保護層33以及阻隔層34、341、342、343的特征與功能皆與第一實施例中的相同元件相同，在此亦不再贅述。
于本實施例中，更可包含一封合層(圖中未示)披覆于阻隔層34與基板31之上。
本發(fā)明的有機發(fā)光顯示面板利用阻隔層或封合層來阻止水氣與氧氣從元件正面以及側(cè)面入侵。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的阻隔層或封合層形成于保護層與基板上，可避免水氣與氧氣從保護層的邊緣穿透至元件內(nèi)部。同時，保護層可避免后續(xù)所形成的阻隔層或封合層發(fā)生不連續(xù)的情形，更進一步避免水氣與氧氣經(jīng)由孔隙進入元件中。另外，本發(fā)明的突部使得封合層呈現(xiàn)波浪狀的結(jié)構(gòu)，不僅增加封合層與其它部分(突部、基板)之間的接觸面積以及附著力，同時減少熱漲冷縮所產(chǎn)生的應(yīng)力，更可增加水氣與氧氣穿透的路徑長度，以減緩水氣與氧氣入侵的速率。再者，本發(fā)明的多層阻隔層能夠錯開阻隔層之間孔隙的位置，有效地補償膜層的缺陷。又，本發(fā)明中的阻隔層更可由具有不同楊氏模數(shù)的阻隔層所組成，將具有較低楊氏模數(shù)的阻隔層夾置于具有較高楊氏模數(shù)的阻隔層之間以產(chǎn)生緩沖的作用，以降低阻隔層之間的應(yīng)力。另外，平坦層、阻隔層或是封合層可利用光化學(xué)氣相沉積法形成，利用光化學(xué)氣相沉積法不僅可以在低溫(約300℃以下)下提供足夠的成膜速率，又，由于低溫所形成的膜層結(jié)構(gòu)較為松散，可減低膜層的內(nèi)應(yīng)力，更可減少膜層剝落的可能性。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求書的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示面板，其特征在于，包含一基板；至少一有機發(fā)光區(qū)，形成于基板之上，且有機發(fā)光區(qū)具有數(shù)個像素；至少一保護層，形成于基板與有機發(fā)光區(qū)之上；至少一阻隔層，形成于保護層及/或基板之上；以及一封合層，形成于基板之上，且至少披覆阻隔層及/或保護層的周緣。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，像素依序包含一第一電極、至少一有機官能層及一第二電極。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層、阻隔層及封合層為無機材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層選自氧化硅、類鉆石薄膜、氮化硅、氮氧化硅以及三氧化二鋁至少其中之一。
5.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層及封合層分別選自氧化硅、氮化硅、類鉆石薄膜、氮氧化硅、三氧化二鋁及金屬至少其中之一。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層的至少一層是以光化學(xué)氣相沉積法或是以濺鍍法形成。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層及/或封合層具有防水性。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層的至少一層具有緩沖性。
9.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層的至少一層是以光化學(xué)氣相沉積法或是以濺鍍法形成。
10.一種有機發(fā)光顯示面板，其特征在于，包含一基板；至少一有機發(fā)光區(qū)，形成于基板之上，且有機發(fā)光區(qū)具有數(shù)個像素；至少一突部，形成于基板之上；至少一保護層，形成于基板與有機發(fā)光區(qū)之上；至少一阻隔層，形成于保護層及/或突部之上；以及一封合層，形成于基板及/或突部之上，且至少披覆阻隔層及/或保護層的周緣。
11.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，像素依序包含一第一電極、至少一有機官能層及一第二電極。
12.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，突部于基板兩側(cè)的橫截面呈一梯型或矩型。
13.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，突部的材質(zhì)為防水性材料。
14.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層、阻隔層及封合層為無機材質(zhì)。
15.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層選自氧化硅、類鉆石薄膜、氮化硅、氮氧化硅以及三氧化二鋁至少其中之一。
16.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層及封合層分別選自氧化硅、氮化硅、類鉆石薄膜、氮氧化硅、三氧化二鋁及金屬至少其中之一。
17.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層的至少一層是以光化學(xué)氣相沉積法或是以濺鍍法形成。
18.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層及/或封合層具有防水性。
19.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層的至少一層具有緩沖性。
20.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層的至少一層是以光化學(xué)氣相沉積法或是以濺鍍法形成。
21.一種有機發(fā)光顯示面板，其特征在于，包含一基板；至少一有機發(fā)光區(qū)，形成于基板之上，且有機發(fā)光區(qū)具有數(shù)個像素；至少一保護層，形成于基板與有機發(fā)光區(qū)之上；以及至少一阻隔層，形成于保護層與基板之上，且保護層的其中一層及/或阻隔層的其中一層是以光化學(xué)氣相沉積法形成。
22.如權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，像素依序包含一第一電極、至少一有機官能層及一第二電極。
23.如權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層及阻隔層為無機材質(zhì)。
24.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，保護層選自氧化硅、類鉆石薄膜、氮化硅、氮氧化硅以及三氧化二鋁至少其中之一。
25.如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層選自氧化硅、氮化硅、類鉆石薄膜、氮氧化硅、三氧化二鋁及金屬至少其中之一。
26.如權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層具有防水性。
27.如權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，阻隔層的至少一層具有緩沖性。
28.如權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示面板，其中，更包含一封合層，形成于基板之上，且至少披覆阻隔層及/或保護層的周緣。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示面板，包含一基板、至少一有機發(fā)光區(qū)、至少一保護層、至少一阻隔層以及一封合層，其中，有機發(fā)光區(qū)形成于基板之上，且有機發(fā)光區(qū)具有數(shù)個像素；保護層形成于基板與有機發(fā)光區(qū)之上；阻隔層形成于保護層及/或基板之上；封合層形成于基板之上，且至少披覆阻隔層及/或保護層的周緣。
文檔編號H05B33/14GK1612650SQ20031010441
公開日2005年5月4日 申請日期2003年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月29日
發(fā)明者楊富祥, 李欣真, 吳志豪, 張毅 申請人:錸寶科技股份有限公司