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加熱裝置和圖象形成裝置的制作方法

文檔序號:8127124閱讀:306來源:國知局
專利名稱:加熱裝置和圖象形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及利用感應(yīng)加熱作為發(fā)熱源的加熱裝置和利用該加熱裝置使得加熱熔融體顯影劑等作為顯影材料形成在記錄紙上的顯影劑圖象加熱定著在該記錄紙上的圖象形成裝置。
背景技術(shù)
電子照相裝置等的圖象形成裝置包括利用顯影劑(碳粉)在記錄紙上形成碳粉圖影的成象裝置(未示出),通過紙傳送裝置把已形成該顯影劑圖象的記錄紙沿圖中箭頭方向運送到圖10所示的定影器801中,使顯影圖象811加熱定著在記錄紙810上。
在定影器801上,在與加熱滾筒803對置壓接的加熱滾筒802中配置鹵素加熱器804作為加熱源,加壓滾筒803和加熱滾筒802被圖中未示出的驅(qū)動源向箭頭方向轉(zhuǎn)動。另外,為了使加熱滾表面調(diào)整到規(guī)定的溫度,而隨著溫度傳感器805檢測的溫度通常采用控制鹵素加熱器804接通·截止的溫度調(diào)整方法。
圖11是概略表示鹵素加熱器804的接通·截止控制電路圖,802是加熱滾筒,804是鹵素加熱器,905是作為溫度傳感器即熱敏電阻,901是程序控制器,902是SSR(固態(tài)集電器),903是交流電源,904是比較器,906是基準(zhǔn)電阻。熱敏電阻805的溫度越高,其電阻值變得越小。因此被與基準(zhǔn)電阻分壓的熱敏電阻/GND(接地)間的電壓(熱敏電阻檢測電壓)隨溫度的升高而變小。通過設(shè)定在溫控目標(biāo)溫度上的基準(zhǔn)電壓Vr與熱敏電阻檢測電壓的的比較,熱敏電阻檢測電壓比基準(zhǔn)電壓大的時間接通信號從比較器904供給SSR902。
因此,SSR902在比較器904的接通信號即已輸入的控制信號為高電平時變?yōu)榻油?,低電平時變?yōu)榻刂埂=油顟B(tài)的SSR902使根據(jù)被交流電源903施加的交流電壓的交流電流入鹵素加熱器804,借此使加熱滾筒802的溫度上升。滾筒表面溫度達(dá)到溫度調(diào)控目標(biāo)溫度后,熱敏電阻檢測電壓,比基準(zhǔn)電壓小時,比較器904的輸出使SSR902接通,通過這樣的接通·截止控制,可以使加熱滾筒表面溫度能保持在溫控目標(biāo)溫度上。
另外,也可以在程序控制器上具有A/D(模擬·數(shù)字)變換器,將熱敏電阻檢測電壓數(shù)字化后利用軟件進(jìn)行與基準(zhǔn)值的比較,進(jìn)行接通·截止控制。
另外,作為加熱滾筒802的裝置也有人建議,利用感應(yīng)加熱方式的加熱裝置,即使配置在加熱滾筒802附近的激磁線圈(未示出)流過高頻電流,使產(chǎn)生的高頻磁場作用在加熱滾筒表層上,借此使加熱滾筒的表面的導(dǎo)電層產(chǎn)生渦流,利用該渦流引起的焦?fàn)枱峒訜嵩摑L筒802。
在用該感應(yīng)加熱方式的加熱裝置中,可以加熱加熱滾筒本身,因為還能可變控制用于加熱的電功率,所以可非常迅速地加熱到溫控溫度。
在通過過去的鹵素加熱器截止·接通控制加熱滾筒溫度的方式中,能投入用于加熱加熱滾筒的電功率的是鹵素加熱器,該電功率為使裝置的最大電功率能容納在既定值內(nèi)而設(shè)定。因此,加熱滾筒比可加熱溫度低得足夠多,即使電源投入后溫度立即上升(WarmUp)時,因為可投入的電功率也只能夠鹵素加熱器的消耗的電功率使用,所以對鹵素加熱器中,存在一到加熱到能定著的溫度的時間需要很長這樣的問題。
另外,在能可變控制用于加熱投入電功率的感應(yīng)加熱方式中,從商用電源輸入的電功率以規(guī)定的高頻通過開關(guān)施加在激磁線圈上,利用該高頻電功率感應(yīng)的電流就流入加熱滾筒自身中。
在圖12中示出了該感應(yīng)加熱方式的示意圖,施加的激磁線圈上的高頻電流IP變成與高頻開關(guān)頻率對應(yīng)的電流,在激磁線圈中流過的平均電流Iav基本上隨著商用電源的變化,在激磁線圈中流過與商用電源頻率兩倍的頻率相對的電流。在此,商用電源頻率fp在圖中是用商用電源周期的倒數(shù)表示的值,因此在加熱滾筒與激磁線圈間作用有與商用電源頻率fp的2倍的頻率對應(yīng)的力。在此,商用電源頻率fp一般為50Hz或60Hz,所以其兩倍頻率是100Hz或120Hz。該力的作用使能相對固定在加熱裝置上的激磁線圈自由轉(zhuǎn)動地安裝在加熱裝置上的加熱滾筒吸引。排斥。特別是當(dāng)作用力的頻率(或其整數(shù)倍)與加熱滾筒的固有頻率fn一致時,加熱滾筒本身就會共振起來,因此作為裝置存在發(fā)生非常大的振動和噪音的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是防止因輸入的交流電源的電源頻率產(chǎn)生的力而引起加熱體振動,從而防止振動和噪音。
為了達(dá)到上述目的本發(fā)明最佳方式如下包括加熱體、配置在該加熱體附近的激磁線圈、把用高頻調(diào)制輸入的交流電功率的高頻電功率施加在上述激磁線圈上的電源部,利用已施加上述高頻電功率的上述激磁線圈使上述加熱體感應(yīng)加熱的加熱裝置,上述加熱體的固有振蕩頻率與上述交流電功率的頻率的整數(shù)倍不一致。


圖1是表示加熱滾筒的構(gòu)造圖。
圖2是表示圖象形成裝置的概要的圖。
圖3是感應(yīng)加熱源的方框圖。
圖4是表示圖象形成裝置的圖象處理部的流程的方框圖。
圖5是本發(fā)明的磁回路的說明圖。
圖6是本發(fā)明的加熱定著裝置的構(gòu)成圖。
圖7是本發(fā)明的加熱定著控制部的說明圖。
圖8是本發(fā)明的脈沖發(fā)生部的定時圖。
圖9是表示兩重構(gòu)的加熱滾筒的構(gòu)造的圖。
圖10是現(xiàn)有技術(shù)的加熱定著裝置的構(gòu)成圖。
圖11是現(xiàn)有技術(shù)的加熱定著裝置的電路方框圖。
圖12是表示商用電源電壓,線圈電流和施在滾筒上的力的概念圖。
圖13是控制系統(tǒng)的方框圖。
具體實施例方式
下面參照

本發(fā)明的實施方式。
(實施例1)圖2是概略表示適用把本發(fā)明的加熱裝置作為熱源的加熱定著裝置的彩色圖象形成裝置的圖,201是圖象掃描部,是通過讀取原稿適行數(shù)字信號處理的部分。而200是打印部,是把通過圖象掃描器201讀取的原稿圖象和與通過未圖示的計算機等外部裝置傳送的圖象數(shù)據(jù)對應(yīng)的圖象用全色打印輸出在記錄紙上的部分。
在圖象掃描部201中,202是原稿壓板,使原稿臺玻璃板203上的原稿壓在該原稿臺玻璃板上。原稿臺玻璃板203上的原稿204被鹵素?zé)?05的光照射。將來自原稿的反射光引導(dǎo)到平面鏡206、207上,通過透鏡208成象在行傳感器(以稱CCD)210~1~210~3上。在透鏡208上設(shè)置遠(yuǎn)紅外截止濾波器231。
CCD210~1~210~3分解采自原稿的信息,然后讀取全色信息紅(R)、綠(G)、青(B)成分,傳送給信號處理部209。另外,鹵燈205、平面鏡206通過以速度V,平面鏡207以速度1/2V分別在與CCD傳感器210~1~210~3的電掃描方向(以下稱主掃描方向)、垂直方向(以下稱副掃描方向)上通過機械作用進(jìn)行全面掃描原稿。
211是標(biāo)準(zhǔn)白色板,由CCD傳感器210~1~210~3讀取產(chǎn)生數(shù)據(jù)的補正數(shù)據(jù),該標(biāo)準(zhǔn)白色板211相對從可見光到紅外光顯示出幾乎均勻的反射特性,在可視上具有白色。用該標(biāo)準(zhǔn)白色板211,對CCD傳感器210~1~210~3的可視傳感器的輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行補正(遮蔽)。另外230是光傳感器,與平面板229一起生成圖象前端信號VTOP。
已變成電信號的圖象信號經(jīng)圖象處理部209進(jìn)行按圖4所示那樣的流程進(jìn)行如下處理。來自CCD傳感器210~1~210~3的信號在A/D和S/11部410中變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的、濃談補正部411和輸入遮蔽部412補正圖象數(shù)據(jù)。在改變倍數(shù)動作時,通過變倍處理部413進(jìn)行變倍。
接著通過LOG變換部414將RGB的數(shù)據(jù)變換成品紅(M)、青綠色(C)、黃色(Y)的數(shù)據(jù)后輸入給進(jìn)行圖象數(shù)據(jù)的壓縮、存儲、擴展部415。已存儲的圖象數(shù)據(jù)與后述的打印的各色同步地被讀出,通過遮蔽·UCR部146遮蔽處理后,通過γ校正部417和邊緣加強部418生成M、C、Y黑(K)的輸出圖象數(shù)據(jù),輸送給打印部200。在此就圖象掃描部201中的一次原稿掃描,將M、C、Y、K中的一個成分輸送給打印部200,通過共計四次原稿掃描完成一次打印輸出。
接著說明打印部200。通過掃描器201和未示出的計算機等外部裝置發(fā)送的圖象信號發(fā)送給圖象寫入定時控制電路101。圖象寫入定時控制電路101響應(yīng)品紅(M)、青綠色(C)、黃色(Y)、黑(K)的圖象信號,調(diào)制驅(qū)動半導(dǎo)體激光器102。激光被通過封閉折線電動機106轉(zhuǎn)動的多邊形平面鏡103反射,通過f-θ透鏡104進(jìn)行fθ校正,被折回平面鏡216反射后在感光鼓105掃描。
因為感光鼓105預(yù)先通過一次帶電器242進(jìn)行充同樣的電荷,所以通過激光在感光鼓105上形成靜電潛象,另外,在感光體105的周圍設(shè)置品紅(M)219、青綠(C)220、黃(Y)221、黑(K)222的顯影器,在感光鼓105轉(zhuǎn)動期間四個顯影器交替與感光鼓接觸,被對應(yīng)形成在感光鼓105上形成的M、C、Y、K的顯影劑顯影。
另外,被記錄紙部224、225供紙運送的記錄紙按照與感光鼓側(cè)的圖象形成同步的定時通過連接在未示出的吸著高壓發(fā)生部上的吸著充電板245被靜電吸著在已進(jìn)行充電的轉(zhuǎn)印鼓108上。
于是在轉(zhuǎn)印位置246上,通過連接在未示出的轉(zhuǎn)印高壓發(fā)生部上的轉(zhuǎn)印是帶電板240,為了邊推到感光鼓105側(cè)邊轉(zhuǎn)印顯影劑而通過充電進(jìn)行轉(zhuǎn)印圖象。在使該圖象形成轉(zhuǎn)印的動作重復(fù)4次的過程中,從轉(zhuǎn)印鼓108分離的記錄紙通過作為定著裝置的定著器226將顯影劑加熱定著在記錄紙上,變成打印輸出。在此,清潔器241將沒有轉(zhuǎn)印上的殘留顯影劑和雖然形成在感光鼓105上但沒有進(jìn)行轉(zhuǎn)印的各種控制用的特定補料的顯影劑從該感光鼓上清除掉。
圖7是概要表示本發(fā)明的加熱裝置的圖。701是加熱滾筒,702是激磁線圈,706是熱敏電阻,707是A/D變換器,708是CPU,710是向激磁線圈702供給高頻電功率的感應(yīng)加熱源,713是定著器,715是基準(zhǔn)電阻,716是脈沖生成部,721是交流電源。
CPU708和A/D變換器707,脈沖生成部716與總線相連,響應(yīng)存儲在連接在該總線上的未示出的ROM中的程序進(jìn)行順序控制。激磁線圈702是通過施加高頻電流使高頻電磁場產(chǎn)生的感應(yīng)加熱線圈,通過與如圖6所示那樣配置的斷面形狀工字型的鐵芯(以下稱工鐵心)703磁耦合構(gòu)成使產(chǎn)生的高頻磁場與加熱滾701耦合的磁路。
圖6是從橫向看適用本實施例的加熱裝置713的加熱定著裝置的圖。作為加熱體的加熱滾筒701是例如鐵制的中空的管狀滾筒,為了能被未示出的驅(qū)動裝置可轉(zhuǎn)動地驅(qū)動而被可轉(zhuǎn)動地安裝在定著器架上,并且在滾筒內(nèi)壁上為了變更固有振動頻率fn,而配置作為加強構(gòu)件的肋部101a~101d。在圖示的例中,肋構(gòu)件101a~101d在內(nèi)部上安裝四個,該肋構(gòu)件101a~101d由對磁路不產(chǎn)生影響的非磁性構(gòu)件構(gòu)成。
由支持部件704將由激磁線圈702和工字形鐵芯703構(gòu)成的磁回路支持并配置在加熱滾筒內(nèi)部。由激磁線圈702產(chǎn)生的磁場有效地作用在加熱滾筒的表面上,在此支持部件704是由耐熱樹脂等的非磁鐵材料形成,通過兩端部固定在加熱裝置的架上。
激磁線圈702和工字形鐵芯703朝加熱滾筒701的縱向延伸,以包圍工字形鐵芯703的方式配置線圈702。在此,在圖6中在表示激磁線圈702的卷線的O中,附帶“·”的卷線,附加“X”的卷線分別流過同向的電流。工字形鐵芯703由具有高導(dǎo)磁率的鐵淦氧構(gòu)成。502是加壓滾筒,對加熱滾筒701加壓。使裝載有顯影劑圖象811的記錄紙810通過未示出的驅(qū)動源向箭頭方向轉(zhuǎn)動的加壓滾筒502與加熱滾筒701之間,借此將顯影劑象加熱定著在該記錄紙上。
圖1(a)中示出了在內(nèi)壁上配設(shè)有肋構(gòu)件101a~101d的加熱滾筒701的剖面圖,肋構(gòu)件101a~101d如圖1(b)所示,為沿滾筒縱向延伸的形狀,通過這些肋構(gòu)件101a~101d可使取決于加熱滾筒701的彈性的固有振動頻率fn變化。通過適宜沒定這些肋構(gòu)件101a~101d的寬度和個數(shù),也可以設(shè)定加熱滾筒701的固有振動頻率fn。
在設(shè)定加熱滾筒的固有振動頻率時,可以與輸入的交流電功率的電源頻率的整數(shù)倍不一致,更優(yōu)選的是與其偶數(shù)倍不一致,特別是,因為對作用在加熱滾筒上的力影響大的頻率是電源頻率的兩倍頻率,所以最好不使該固有頻率與電源頻率的兩倍頻率一致。
另外,作為測定加熱滾的固有振動頻率的方法,將例如加速度檢測器安裝在加熱滾筒上后,通過敲該滾筒使其振動,通過測定這時的振動頻率就可以容易得到加熱滾筒的固有振動頻率。
下面說明其動作,在圖7中,從交流電源721向感應(yīng)加熱電源供給交流電功率。從對裝置順序控制的CPU708通過脈沖生成部716向感應(yīng)加熱源710發(fā)送接通信號和PWM信號時,就在與激磁線圈702相連的感應(yīng)加熱源710的輸出端上產(chǎn)生響應(yīng)PWM信號的高頻交流電功率。
圖3中示出感應(yīng)加熱源710的詳細(xì)的方框圖。301~304是兩極管,305是噪聲濾波器,306是噪聲濾波器用電容器,307是電功率開關(guān)用MOS-FET,308是兩極管,309是電容器,311是與門,721是輸給感應(yīng)加熱源的交流電源(商用電源),702是供給來自感應(yīng)加熱電源710的輸入的激磁線圈,716是為了控制感應(yīng)加熱電源710而連接的脈沖生成部。
被交流電源721施加的交流電流變?yōu)榻?jīng)301~304的二極管整流后的脈動電流,經(jīng)構(gòu)成噪聲濾波器的線圈305,電容器306而變成整流后的波形。在此,在構(gòu)成噪聲濾波器的線圈305,電容器306上,對MOS-FET 307的開關(guān)頻率保證充分的衰減量,而對交流電源721的電源頻率fp以無衰減的通過方式變成定數(shù)。
規(guī)定的脈沖寬度的PWM信號和接通信號從脈沖生成部716發(fā)送給感應(yīng)加熱源710。接通信號為高電平時,PWM信號通過AND門311施加在MOS-FET307的控制極·源極之間,MOS-FET307在PWM信號的高電平區(qū)間變成導(dǎo)通狀態(tài),整流后輸入電流變成漏極電流,在激線圈702通電。
當(dāng)在PWM信號的低電平區(qū)間MOS-FET 307變成截止?fàn)顟B(tài)時,因激磁線圈702貯存在FET307導(dǎo)通時流過的電流而產(chǎn)生反起電功率。反起電功率使與激磁線圈702并連的共振用電容器309充電,該流入的線圈的線圈存儲電流使共振用電容器309兩端電壓上升,在激磁線圈702的存儲能量變沒時刻產(chǎn)生最大交流電壓。
另外,從激磁線圈702流出的電流與電壓上升成反比地衰減,在某點通過了線圈電流不流動的瞬間后,本次相反地存儲在共振用電容器309中的電荷向激磁線圈702作為電流流出。
于是在存儲在共振用電容器309中的電荷返回到激磁線圈702的同時,共振用電容器309的電壓開始下降,當(dāng)MOS-FET307的漏極電壓比源極電壓還低時,續(xù)流二極管308導(dǎo)通流過電流,然后再使MOS-FET307導(dǎo)通,因電流流入激磁線圈,而在激磁線圈702中連續(xù)流過響應(yīng)PWM信號的頻率的交流電流。
由于從這樣產(chǎn)生的感應(yīng)加熱源710的規(guī)定頻率的交流電壓施加在激磁線圈702上,而激磁線圈702產(chǎn)生交流磁場51。如圖5所示那樣。這時施加在激磁線圈702上的交流電功率以頻率越小電功率越大的方式投入到激磁線圈702中,通常從200W到數(shù)KW左右。
由交流電功率產(chǎn)生的交流磁場51使對置的加熱滾筒701的表面上產(chǎn)生渦流電流52。因該渦流52流過加滾筒表面,而在加熱滾筒表面產(chǎn)生取決于加熱滾筒701的固有電阻分量的焦?fàn)枱?。加熱滾筒表面便可以自已發(fā)熱,這時因為磁場集中在具有高導(dǎo)磁率的工字形鐵芯703中,所以在加熱滾筒701與工字形鐵芯703相對的部分便產(chǎn)生由很多渦流電流引起的熱。于是投入在激磁線圈702中的電功率越大,產(chǎn)生的交流磁場和焦?fàn)枱嵋簿驮酱蟆?br> 配置在加熱滾筒表面上的熱敏電阻706隨著這樣得到的加熱滾筒的表面發(fā)熱,溫度越高,其電阻值越小。這時,在圖7中,熱敏電阻706幾乎配置在加熱滾筒701的縱向的中央附近,由與基準(zhǔn)電阻分壓后的熱敏電阻/地間的電壓(熱敏電阻檢測電壓)隨溫度越高而變小。該熱敏電阻檢測電壓由A/D變換器707數(shù)字化后輸入給CPU708。在CPU708中通過軟件與溫度基準(zhǔn)值進(jìn)行比較,向脈生成部716輸出確定供給感應(yīng)加熱電源的PWM信號的接通/截止脈沖寬度。
脈沖生成部716通過來自CPU708的設(shè)定值與規(guī)定的設(shè)定值進(jìn)行比較,響應(yīng)適當(dāng)?shù)脑O(shè)定值計數(shù)CLK信號,產(chǎn)生具有接通寬度截止寬度的PWM信號。在圖13中示出了脈沖生成部716的詳細(xì)方框圖。101、106、114是D鎖存器,103、108是下降計數(shù)器,104、109、112、113是AND門,105、110是OR門,111是SR鎖存器。
下面根據(jù)在圖8中所示的PWM生成定時圖,說明脈沖生成部的動作。在此CS1~3是寄存器選擇信號,WR是寫信號,CS1~3數(shù)據(jù),WR、CLK是包含在圖7的CPU708~脈沖生成部716之間的脈沖信號。101-Q是DS鎖存器101的Q輸出、102-Q是D鎖存器102的Q輸出,103-CNT是計數(shù)器103的計數(shù)值,103-RC是計數(shù)器103的脈沖移位輸出,111-Q是DSR閂鎖的Q輸出,108-CNT是計數(shù)器108的計數(shù)值,108-RC是計數(shù)器108的脈沖移位輸出,114-Q是D鎖存器104的Q輸出,115-Q是AND門115的輸出,112-Q是AND門112的輸出。
CLK是數(shù)MHz的信號,輸入給各鎖存器和計數(shù)器作為基準(zhǔn)信號,根據(jù)該信號的計數(shù)可輸出20KHz~100KHz范圍的PWM脈沖。選擇信號CS1選擇為高電平后,在寫信號WR上升沿時,這時輸出給數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)=N閂鎖在D鎖存器101中,作為是指驅(qū)動電源接通含意的寄存器CS3選擇高電平,通過寫信號WR的上升沿將數(shù)據(jù)=1閂鎖在D鎖存器中,同時將數(shù)據(jù)=N截在計數(shù)器103中。
因為連接在SR鎖存器111的Q輸出上的計數(shù)器103的撤銷禁止門的禁止信號EN是高電平,所以計數(shù)器103隨著CLK進(jìn)行計數(shù)動作,在計數(shù)值=0時刻輸入為脈沖移位信號RC=高電平。由于該輸出SR鎖存器111被復(fù)位,在狀態(tài)變成Q=低電平Q*=高電平的同時向一個計數(shù)器108進(jìn)行數(shù)據(jù)值=M的加載。在此因為D鎖存器106的動作與110相同,所以省略說明。
加載計算值=M,被撤銷禁止門的禁止信號的計數(shù)器108隨著CLK進(jìn)行計數(shù)運作,變成在計數(shù)值=0的時刻輸出為脈沖移位信號RC=高電平。通過該輸出使SR鎖存器111置位,在狀態(tài)變化成Q=高電平,Q*=低電平的同時,進(jìn)行向一個計數(shù)器108的計數(shù)=N的加載。通過這樣的重復(fù),導(dǎo)通寬=N計數(shù)值,截止寬=M計數(shù)值的PWM脈沖作為SR鎖存器111的輸出生成。
將該PWM信號和接通信號傳送給加熱電源,在該感應(yīng)加熱電源710的輸出端子上通過換成相應(yīng)于PWM信號的頻率生成20KHz~100KHz左右的交流電功率。通過這樣的動作,可以使加熱滾筒表面的溫度保存在規(guī)定的溫度。這時設(shè)定加熱滾筒701的固有振動頻率fn使其為與商用電源頻率fp(和其數(shù)倍)不一致的固有振動,就可以防止由加熱滾筒70的共振引起的大振動和噪音的發(fā)生。
(實施例2)為了使加熱滾筒701的固有振動頻率fn偏離商用電源頻率fp的整數(shù)倍,而通過改變加熱滾筒701的厚度來改變加熱滾筒本身的彈性,可以使加熱滾筒701的固有振動頻率fn變化。在用鐵制的滾筒作為感應(yīng)加熱方式的加熱滾筒的場合,其厚度0.3mm~1.0mm左右是適合的。如果在該范圍內(nèi),可按原樣保持作為裝置的定著性能,變更加熱滾筒701的厚度也可以使加熱滾筒701的固有振動頻率fn偏移商用電源頻率fp的數(shù)倍。
(實施例3)為了使加熱滾筒701的固有振動頻率和偏離商用電源頻率fp的整數(shù)倍,而可以通過變更加熱滾筒701的材料來變更加熱滾筒本身的彈性,可以使加熱滾筒701的固有振動頻率fn變化。例如即使在用鐵材作為加熱滾筒701的芯金屬用的場合,制作隨著含有的碳以外的鉻、鉬、鈮、釩、鎢等的添材料的配比不同而抗拉強度,揚氏模量等機械特性不同的鋼管,通過適當(dāng)選擇這些鋼管的種類,可以根據(jù)其機械特性,使加熱滾筒701的固有振動頻率fn偏離商量電源頻率fp的數(shù)倍。
(實施例4)為了使加熱滾筒701的固有振動頻率fn偏離商用電源頻率fp的數(shù)倍,而可以用由多個材料構(gòu)件構(gòu)成加熱滾筒701,變更加熱滾本身的彈性,可以使加熱滾701的固有振動頻率fn變化。例如在為了提高加熱滾筒的整個表面的分離性而使用的表面上附加樹脂涂層,通過使當(dāng)選擇該材料的厚度,可以使加熱滾筒701的固有振動頻率fn變化。作為涂層材料最好是PTFE和PFA等,其厚度最好是10~50μm。
或者也可用多種金屬材料構(gòu)成加熱滾的芯金屬部分來變更加熱滾筒本身的彈性,可使加熱滾筒的固有振動頻率fn變化。如圖9所示,在構(gòu)成磁回路的內(nèi)面上為鐵材料,外面上為鋁材料,把燒結(jié)嵌合兩者一體化的滾筒作為加熱滾筒720,可以制成具有與鐵完全不同的固有振動頻率fn的加熱滾筒702。
權(quán)利要求
1.一種加熱裝置,其特征在于包括加熱體、配置在該加熱體附近的激磁線圈、把輸入的交流電功率用高頻調(diào)制成的高頻電功率施加在上述激磁線圈上的電源部,利用已施加上述高頻電功率的上述激磁線圈使上述加熱體感應(yīng)加熱,上述加熱體構(gòu)成為使其固有振蕩頻率與上述交流電功率的頻率的整數(shù)倍不一致。
2.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置,其特征在于上述加熱體構(gòu)成為使其固有振蕩頻率與上述交流電功率的頻率的偶數(shù)倍不一致。
3.如權(quán)利要求2所述的加熱裝置,其特征在于上述加熱體構(gòu)成為使其固有振動頻率與上述交流電功率的頻率的兩倍不一致。
4.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置,其特征在于在上述加熱體上設(shè)置加強構(gòu)件。
5.如權(quán)利要求4所述的加熱裝置,其特征在于上述加強構(gòu)件設(shè)置多個。
6.如權(quán)利要求4所述的加熱裝置,其特征在于上述加強構(gòu)件由非磁性材料構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置,其特征在于上述加熱體由鐵制的滾子構(gòu)成,該滾子的厚度是0.3~1.0mm。
8.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置,其特征在于上述加熱體由鐵的滾子構(gòu)成,在該滾子中添加鉻、鉬、鈮、釩、鎢中的任何一種金屬。
9.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置,其特征在于上述加熱體具有多個材料形成的層結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的加熱裝置,其特征在于上述加熱體具有滾子形狀,在表層上具有樹脂涂層,在內(nèi)側(cè)層上用鐵材。
11.如權(quán)利要求9所述的加熱裝置,其特征在于在靠近上述激磁線圈的層上用鐵材,在比上述層遠(yuǎn)的層上用鋁材。
12.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置,其特征在于上述交流電功率的頻率是50Hz、60Hz、100Hz、120Hz中的任何一個頻率。
13.一種圖象形成裝置,包括在轉(zhuǎn)印材料上形成象的成象裝置和對形成在上述轉(zhuǎn)印材料上的圖象加熱定影的加熱裝置,其特征在于上述加熱裝置包括加熱體、配置在該加熱體附近的激磁線圈、將輸入的交流電功率用高頻調(diào)制為高頻電功率施加在上述激磁線圈上的電源部;上述加熱裝置利用已施加上述高頻電功率的上述激磁線圈對上述加熱體感應(yīng)加;上述加熱體的固有振動頻率與上述交流電功率的頻率的整數(shù)倍不一致。
14.如權(quán)種要求13所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加熱體構(gòu)成為其固有振蕩頻率與上述交流電功率的頻率的偶數(shù)倍不一致。
15.如權(quán)利要求14所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加熱體構(gòu)成為其固有振動頻率與上述交流電功率的頻率的兩倍不一致。
16.如權(quán)利要求13所述的圖象形成裝置,其特征在于在上述加熱體上設(shè)置加強構(gòu)件。
17.如權(quán)利要求16所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加強構(gòu)件設(shè)置多個。
18.如權(quán)利要求16所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加強構(gòu)件由非磁性材料構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求13所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加熱體由鐵制的滾子構(gòu)成,該滾子的厚度是0.3~1.0mm。
20.如權(quán)利要求13所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加熱由鐵的滾子構(gòu)成,在該滾子中添加鉻、鉬、鈮、釩、鎢中的任何一種金屬。
21.如權(quán)利要求13所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加熱體具有多種材料形成的層結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求21所述的圖象形成裝置,其特征在于上述加熱體具有滾子形狀,在表層上具有樹脂涂層,在內(nèi)側(cè)層上用鐵材。
23.如權(quán)利要求21所述的圖象形成裝置,其特征在于在靠近上述激磁線圈的一層上用鐵材,在比上述層遠(yuǎn)的層上用鋁材。
24.如權(quán)利要求13所述的圖象形成裝置,其特征在于上述交流電功率的頻率是50Hz、60Hz、100Hz、120Hz中的任何一個頻率。
全文摘要
在包括加熱體、配置在加熱體附近的激磁線圈、把用高頻調(diào)制輸入的交流電功率的高頻電功率施加在上述激磁線圈上的電源部并利用已施加在上述高頻電功率的上述激磁線圈的上述激磁線圈上使上述加熱體感應(yīng)加熱的加熱裝置中,上述加熱體具有使其固有振蕩頻率與上述交流電功率的頻率的整數(shù)倍不一致的構(gòu)成。
文檔編號H05B6/14GK1434355SQ0215184
公開日2003年8月6日 申請日期2002年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月15日
發(fā)明者大弓正志 申請人:佳能株式會社
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