本發(fā)明涉及攝像頭模組技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種攝像頭模組的制造方法以及終端處理設(shè)備。

背景技術(shù)：

圖像信號(hào)處理（imagesignalprocess，isp）技術(shù)是常用的一種攝像頭處理的技術(shù)，是按照人眼視覺(jué)的要求對(duì)對(duì)圖像傳感器中輸出的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理。隨著攝像頭像素不斷提高，后期對(duì)圖像處理能力的要求也越來(lái)越高。低像素圖像傳感器自帶isp處理單元，而高像素圖像傳感器普遍采用raw格式輸出加平臺(tái)isp的方案。但受限于攝像頭模組與isp芯片傳輸帶寬，高端圖像傳感器也會(huì)內(nèi)置isp對(duì)圖像進(jìn)行預(yù)處理和壓縮來(lái)緩解帶寬問(wèn)題和平臺(tái)isp的壓力。

參考圖1中所示，目前高端圖像傳感器通常采用堆棧式設(shè)計(jì)，堆棧式圖像傳感器是將圖像傳感器芯片1與用于isp處理的芯片2層疊設(shè)置，使得用于isp處理的芯片不占用攝像頭模組中的其他空間，以減小整個(gè)攝像頭模組的面積，用于形成高像素的攝像頭模組。然而，圖像傳感器芯片1與用于isp處理的芯片1進(jìn)行鍵合，將導(dǎo)致整個(gè)攝像頭模組的高度增加，并影響攝像頭模組的良率。此外，用于isp處理的芯片2功耗較大，發(fā)熱嚴(yán)重，在攝像頭模組的圖像信號(hào)引入熱噪聲。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種攝像頭模組的制造方法以及終端處理設(shè)備，解決現(xiàn)有技術(shù)中用于isp處理的芯片導(dǎo)致攝像頭模組高度增加、影響良率、產(chǎn)生熱噪聲的技術(shù)問(wèn)題。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種攝像頭模組的制造方法，包括：

提供攝像頭、柔性電路板、協(xié)處理芯片及連接器，所述協(xié)處理芯片與所述連接器分別位于所述柔性電路板對(duì)應(yīng)的正反兩面；

所述攝像頭的圖像傳感器芯片將原圖像信號(hào)傳輸至所述協(xié)處理芯片，所述原圖像信號(hào)經(jīng)所述協(xié)處理芯片處理后再由所述連接器傳輸至終端處理設(shè)備。

可選的，所述攝像頭將原圖像信號(hào)傳輸至所述協(xié)處理芯片，協(xié)處理芯片對(duì)原圖像信號(hào)進(jìn)行緩存或處理，使得協(xié)處理芯片經(jīng)連接器傳輸至終端處理設(shè)備的帶寬小于圖像傳感器傳輸至協(xié)處理芯片的帶寬。

可選的，所述協(xié)處理芯片與所述圖像傳感器芯片之間間隔大于等于0.2毫米，以減小協(xié)處理芯片發(fā)熱對(duì)圖像傳感器芯片造成的圖像品質(zhì)下降。

可選的，定義所述攝像頭與所述協(xié)處理芯片的通信協(xié)議進(jìn)行圖像信號(hào)的傳輸，所述攝像頭與所述協(xié)處理芯片之間用于圖像信號(hào)傳輸?shù)墓苣_數(shù)量少于所述協(xié)處理芯片與所述連接器之間用于圖像信號(hào)傳輸?shù)墓苣_數(shù)量，降低柔性電路板布線(xiàn)的復(fù)雜度。

可選的，定義所述攝像頭與所述協(xié)處理芯片的通信協(xié)議為雙向傳輸協(xié)議，省去用于控制圖像傳感器芯片的串行接口，降低柔性電路板布線(xiàn)的復(fù)雜度。

可選的，所述協(xié)處理芯片與所述柔性電路板之間具有粘性填充物，所述協(xié)處理芯片與所述粘性填充物用于增強(qiáng)所述柔性電路板的強(qiáng)度，以支撐所述連接器的插拔。

可選的，采用表面貼裝技術(shù)將所述協(xié)處理芯片與所述柔性電路板粘合，所述協(xié)處理芯片的焊料凸點(diǎn)與所述柔性電路板電氣連接，并在所述協(xié)處理芯片與所述柔性電路板之間注入所述粘性填充物。

可選的，所述柔性電路板上還設(shè)置一補(bǔ)強(qiáng)板，所述協(xié)處理芯片兼容設(shè)置于所述補(bǔ)強(qiáng)板內(nèi)部，所述補(bǔ)強(qiáng)板用于增強(qiáng)所述柔性電路板的強(qiáng)度，以支撐所述連接器的插拔；所述補(bǔ)強(qiáng)板還用于增強(qiáng)所述協(xié)處理芯片的散熱。

可選的，兼容設(shè)置所述協(xié)處理芯片的步驟為：提供具有鏤空部的補(bǔ)強(qiáng)板，所述協(xié)處理芯片粘合設(shè)置于所述補(bǔ)強(qiáng)板的鏤空部，暴露出協(xié)處理芯片的焊料凸點(diǎn)；將所述補(bǔ)強(qiáng)板和所述協(xié)處理芯片一體的設(shè)置于所述柔性電路板上，且所述協(xié)處理芯片的焊料凸點(diǎn)與所述柔性電路板電氣連接。

可選的，兼容設(shè)置所述協(xié)處理芯片的步驟為：提供具有鏤空部的補(bǔ)強(qiáng)板，將所述補(bǔ)強(qiáng)板粘合于所述柔性電路板上；將所述協(xié)處理芯片設(shè)置于所述鏤空部中，且所述協(xié)處理芯片通過(guò)焊料凸點(diǎn)與所述柔性電路板電氣連接。

可選的，兼容設(shè)置所述協(xié)處理芯片的步驟為：提供具有凹部的補(bǔ)強(qiáng)板，所述協(xié)處理芯片粘合設(shè)置于所述補(bǔ)強(qiáng)板的凹部，暴露出所述協(xié)處理芯片的焊料凸點(diǎn)；將所述補(bǔ)強(qiáng)板與所述協(xié)處理芯片一體的設(shè)置于所述柔性電路板上，且所述協(xié)處理芯片的焊料凸點(diǎn)與所述柔性電路板電氣連接。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種終端處理設(shè)備，包括：主板以及采用上所述的實(shí)現(xiàn)方法形成的攝像頭模組，其中，所述主板與所述連接器電氣連接，所述主板通過(guò)所述連接器接收所述協(xié)處理芯片處理后的原圖像信號(hào)。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明攝像頭模組的制造方法以及終端處理設(shè)備具有以下有益效果：

本發(fā)明的攝像頭模組包括協(xié)處理芯片，協(xié)處理芯片與連接器分別設(shè)置在柔性電路板對(duì)應(yīng)的正反兩面，協(xié)處理芯片接收攝像頭的圖像傳感器芯片輸出的原圖像信號(hào)，并將原圖像信號(hào)進(jìn)行isp處理，再由連接器將處理后的原圖像信號(hào)傳輸?shù)綀D像信號(hào)處理芯片，從而圖像信號(hào)處理芯片接收經(jīng)過(guò)處理之后的圖像，緩解圖像信號(hào)處理芯片進(jìn)行圖像處理的壓力，提高圖像質(zhì)量。

此外，本發(fā)明將協(xié)處理芯片設(shè)置在補(bǔ)強(qiáng)板內(nèi)，避免由于協(xié)處理芯片導(dǎo)致的攝像頭模組高度增加，也不會(huì)因協(xié)處理芯片的發(fā)熱影響圖像傳感器芯片的性能。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中堆棧式圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中攝像頭模組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中補(bǔ)強(qiáng)板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中補(bǔ)強(qiáng)板與協(xié)處理芯片粘合于輔助裝置上的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中柔性電路板粘合協(xié)處理芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例中柔性電路板粘合補(bǔ)強(qiáng)板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例中柔性電路板粘合協(xié)處理芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明又一實(shí)施例中補(bǔ)強(qiáng)板粘合協(xié)處理芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明又一實(shí)施例中柔性電路板粘合協(xié)處理芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明一實(shí)施例中信號(hào)傳輸示意圖；

圖11為本發(fā)明一實(shí)施例中布線(xiàn)示意圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。

其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為了解決背景技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種攝像頭模組的制造方法以及終端處理設(shè)備，攝像頭模組包括協(xié)處理芯片，協(xié)處理芯片與連接器分別設(shè)置在柔性電路板對(duì)應(yīng)的正反兩面，協(xié)處理芯片接收攝像頭的圖像傳感器芯片輸出的原圖像信號(hào)，并將原圖像信號(hào)進(jìn)行isp處理，再由連接器將處理后的原圖像信號(hào)傳輸?shù)浇K端處理設(shè)備中的圖像信號(hào)處理芯片，從而圖像信號(hào)處理芯片接收經(jīng)過(guò)處理之后的圖像，緩解圖像信號(hào)處理芯片進(jìn)行圖像處理的壓力，提高圖像質(zhì)量。此外，本發(fā)明將協(xié)處理芯片設(shè)置在補(bǔ)強(qiáng)板內(nèi)，避免由于協(xié)處理芯片導(dǎo)致的攝像頭模組高度增加，也不會(huì)因協(xié)處理芯片的發(fā)熱影響圖像傳感器芯片的性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的攝像頭模組的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

參考圖2所示，本發(fā)明的攝像頭模組包括攝像頭10、柔性電路板（fpc）20、協(xié)處理芯片（ispbridge）40及連接器（connectors）30。其中，所述協(xié)處理芯片40與所述連接器30分別位于所述柔性電路板20對(duì)應(yīng)的正反兩面。所述攝像頭10包括圖像傳感器芯片（圖2中未示出）以及與圖像傳感器芯片電氣連接的金屬導(dǎo)線(xiàn)，金屬導(dǎo)線(xiàn)將圖像傳感器電性接出，并與柔性電路板連接。圖像傳感器芯片將原圖像信號(hào)傳輸至所述協(xié)處理芯片40，所述原圖像信號(hào)經(jīng)所述協(xié)處理芯片40處理，其中，所述協(xié)處理芯片40對(duì)所述原圖像信號(hào)進(jìn)行isp處理，包括高動(dòng)態(tài)范圍渲染（hdr）、相位檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦（pdaf）、去噪聲（de-noise）、自動(dòng)白平衡、數(shù)據(jù)壓縮、自動(dòng)曝光控制、去除壞點(diǎn)、色調(diào)調(diào)整等。之后，處理后的原圖像信號(hào)再由所述連接器30傳輸至位于終端處理設(shè)備主處理器中的圖像信號(hào)處理芯片（圖中未示出），圖像信號(hào)處理芯片對(duì)接收到的圖像信號(hào)進(jìn)行進(jìn)一步處理。例如本發(fā)明一實(shí)施例中，所述攝像頭10的圖像傳感器芯片將原圖像信號(hào)傳輸至所述協(xié)處理芯片40，原圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)較大，協(xié)處理芯片40先對(duì)原圖像信號(hào)進(jìn)行壓縮處理，協(xié)處理芯片40再將壓縮數(shù)據(jù)經(jīng)連接器30傳輸至終端處理設(shè)備，從而提高數(shù)據(jù)傳輸效率。其中，協(xié)處理芯片40經(jīng)連接器30傳輸至終端處理設(shè)備（未標(biāo)注）的帶寬小于圖像傳感器芯片傳輸至協(xié)處理芯片40的帶寬。

繼續(xù)參考圖2所示，所述協(xié)處理芯片40與所述攝像頭10的圖像傳感器芯片分別錯(cuò)位間隔設(shè)置于柔性電路板20的正反兩面，即協(xié)處理芯片40與圖像傳感器芯片并非對(duì)應(yīng)的設(shè)置，同時(shí)增強(qiáng)圖像傳感器芯片和協(xié)處理芯片散熱，提高攝像頭模組的散熱性能，在一實(shí)施例中協(xié)處理芯片40與圖像傳感器芯片之間的間隔大于等于0.2毫米，以減小協(xié)處理芯片40發(fā)熱對(duì)圖像傳感器芯片造成的圖像品質(zhì)下降。

此外，柔性電路板20的柔性材料，其機(jī)械強(qiáng)度較低，本發(fā)明中所述協(xié)處理芯片40與所述柔性電路板20之間具有粘性填充物，粘性填充物能夠?qū)崿F(xiàn)協(xié)處理芯片40與柔性電路板20之間的粘合，同時(shí)協(xié)處理芯片40與粘性填充物能夠增強(qiáng)所述柔性電路板20的機(jī)械強(qiáng)度，用以支撐所述連接器30的插拔。本實(shí)施例中，采用表面封裝技術(shù)（smt）將協(xié)處理芯片40與柔性電路板20進(jìn)行接合，協(xié)處理芯片的焊料凸點(diǎn)與柔性電路板中的金屬走線(xiàn)電氣連接，同時(shí)在協(xié)處理芯片與柔性電路板之間注入粘性填充物，如環(huán)氧樹(shù)脂等。當(dāng)然，本發(fā)明中并不限于采用表面貼裝技術(shù)將協(xié)處理芯片40與柔性電路板20粘合，還可以采用激光焊接的形式，本發(fā)明對(duì)此不予限制。

繼續(xù)參考圖2所示，為了進(jìn)一步增加柔性電路板的機(jī)械強(qiáng)度，所述柔性電路板20上還設(shè)置一補(bǔ)強(qiáng)板50，所述協(xié)處理芯片40兼容設(shè)置于所述補(bǔ)強(qiáng)板50的內(nèi)部，且所述協(xié)處理芯片40通過(guò)焊料凸點(diǎn)與柔性電路板20電氣連接。所述補(bǔ)強(qiáng)板用于保護(hù)所述協(xié)處理芯片，并用于增強(qiáng)所述柔性電路板的機(jī)械強(qiáng)度，以支撐所述連接器的插拔。此外，補(bǔ)強(qiáng)板50具有良好的導(dǎo)熱性能，還能夠用于增強(qiáng)協(xié)處理芯片40的散熱性能。其中，兼容設(shè)置所述協(xié)處理芯片40的步驟為：

首先，參考圖3所示，提供補(bǔ)強(qiáng)板50，所述補(bǔ)強(qiáng)板50具有鏤空部51，本實(shí)施例中，采用蝕刻或機(jī)械沖槽等方式在補(bǔ)強(qiáng)板50中形成鏤空部51。其中，補(bǔ)強(qiáng)板50的厚度為80μm~200μm，例如，80μm、100μm、150μm、200μm等，切割出的鏤空部51為1mm²~50mm²，此為根據(jù)協(xié)處理芯片的大小進(jìn)行的設(shè)置。

接著，參考圖4所示，將所述協(xié)處理芯片40粘合設(shè)置于所述補(bǔ)強(qiáng)板50的鏤空部51內(nèi)，并且暴露出協(xié)處理芯片40的焊料凸點(diǎn)41，其中，協(xié)處理芯片40的高度為8050μm~200μm，例如100μm，焊料凸點(diǎn)41的厚度為50μm~1500μm，例如150μm，將所述協(xié)處理芯片40與補(bǔ)強(qiáng)板50之間通過(guò)粘性填充物70粘合。具體的，參考圖4所示，提供一輔助裝置60，輔助裝置60的表面具有粘性，并且可通過(guò)熱處理等方法剝離。先將所述補(bǔ)強(qiáng)板50粘合于所述輔助裝置60上，再將所述協(xié)處理芯片40設(shè)置于鏤空部51中，并粘合于輔助裝置60上，在鏤空部51中注入粘性填充物70，使得所述補(bǔ)強(qiáng)板50和所述協(xié)處理芯片40粘合為一體，再剝離所述輔助裝置60。本實(shí)施例的協(xié)處理芯片40與焊料凸點(diǎn)41的總高度高于補(bǔ)強(qiáng)板50的高度，便于焊料凸點(diǎn)41與柔性電路板20電氣連接。

本實(shí)施例中，所述輔助裝置60為紫外線(xiàn)膠帶（uvtape），通過(guò)紫外光處理從而剝離所述輔助膜60，紫外光使得紫外光膠帶的粘性降低，從而使得紫外光膠帶發(fā)生脫落。當(dāng)然，本發(fā)明的其他實(shí)施例中，本發(fā)明的輔助裝置并不限于為紫外線(xiàn)膠帶，所述輔助裝置60還可以為藍(lán)膜（bluetape），所述補(bǔ)強(qiáng)板50和所述協(xié)處理芯片40粘合為一體之后通過(guò)機(jī)械方式剝離所述輔助膜60。本發(fā)明中，只要能夠用于粘合補(bǔ)強(qiáng)板及協(xié)處理芯片，并能夠從中剝離均在本發(fā)明保護(hù)的思想范圍之內(nèi)，例如，聚酰亞胺有機(jī)聚合物等，或采用激光燒蝕等方式剝離。

再次，參考圖5所示，將所述補(bǔ)強(qiáng)板50和所述協(xié)處理芯片40一體的粘合于所述柔性電路板20，如采用smt的方式將協(xié)處理芯片與柔性電路板連接，且所述協(xié)處理芯片40的焊料凸點(diǎn)41與所述柔性電路板20電氣連接，在所述協(xié)處理芯片40與所述柔性電路板20之間注入粘性填充物70，加強(qiáng)所述協(xié)處理芯片40與所述柔性電路板20之間的粘合。本實(shí)施例中，補(bǔ)強(qiáng)板50能夠增加柔性電路板20的機(jī)械強(qiáng)度，以支撐連接器的插拔。

在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，參考圖6所示，兼容設(shè)置所述協(xié)處理芯片40的步驟還可以為：提供具有補(bǔ)強(qiáng)板50’，補(bǔ)強(qiáng)板50’具有鏤空部51’，采用封裝膠水或熱壓合將所述補(bǔ)強(qiáng)板50’粘合與所述柔性電路板20上，其中，補(bǔ)強(qiáng)板50’的厚度為200μm；接著，參考圖7所示，將所述協(xié)處理芯片40粘合設(shè)置于所述鏤空部51’中，例如，采用激光焊接的方式將協(xié)處理芯片與柔性電路板連接，且所述協(xié)處理芯片40通過(guò)焊料凸點(diǎn)41與所述柔性電路板20電氣連接，并且，在鏤空部51’中注入粘性填充物70使得協(xié)處理芯片40與補(bǔ)強(qiáng)板50’粘合，以固定住協(xié)處理芯片40。

此外，在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，兼容設(shè)置所述協(xié)處理芯片40的步驟還可以為：首先，參考圖8所示，提供補(bǔ)強(qiáng)板50”，所述補(bǔ)強(qiáng)板50”具有凹部52，本實(shí)施例中，所述補(bǔ)強(qiáng)板50”的厚度為80μm~200μm，例如，80μm。采用機(jī)械沖壓的方式在所述補(bǔ)強(qiáng)板50”上形成所述凹部52。之后，所述協(xié)處理芯片40通過(guò)封裝膠70’粘合設(shè)置于所述補(bǔ)強(qiáng)板50”的凹部52，且暴露出所述協(xié)處理芯片40的焊料凸點(diǎn)41，所述封裝膠70’的厚度為10μm~20μm，例如，10μm，所述焊料凸點(diǎn)41的高度為80μm~150μm，例如，80μm。再次，參考圖9所示，將所述補(bǔ)強(qiáng)板50”與所述協(xié)處理芯片40一體的粘合設(shè)置于所述柔性電路板20，如采用smt的方式將協(xié)處理芯片與柔性電路板連接，且所述焊料凸點(diǎn)41與所述柔性電路板20電氣連接。之后，在所述協(xié)處理芯片40與所述柔性電路板20之間注入粘性填充物70，以加強(qiáng)所述協(xié)處理芯片40與所述柔性電路板20之間的粘合。

參考圖10中所示，所述圖像傳感器芯片包括像素陣列11及位于所述像素陣列11周?chē)淖x出電路模塊12，所述像素陣列11用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并形成原圖像信號(hào)，所述讀出電路模塊12將所述圖像傳感器芯片中的電源信號(hào)、控制信號(hào)及原圖像信號(hào)輸出。其中，所述讀出電路模塊12通過(guò)所述柔性電路板20中的金屬布線(xiàn)將所述原圖像信號(hào)傳輸?shù)剿鰠f(xié)處理芯片40，所述協(xié)處理芯片40對(duì)所述原圖像信號(hào)進(jìn)行處理，并將處理后的原圖像信號(hào)傳輸?shù)剿鲞B接器30。并且，所述讀出電路模塊12通過(guò)所述柔性電路板20中的金屬布線(xiàn)將所述電源信號(hào)及所述控制信號(hào)直接傳輸?shù)剿鲞B接器20。

為了降低柔性電路板20中金屬布線(xiàn)的復(fù)雜度，定義所述攝像頭10與所述協(xié)處理芯片40的通信協(xié)議進(jìn)行圖像信號(hào)的傳輸，使得柔性電路板20中所述攝像頭10與所述協(xié)處理芯片40之間用于圖像信號(hào)傳輸?shù)墓苣_數(shù)量少于所述協(xié)處理芯片40與所述連接器30之間用于圖像信號(hào)傳輸?shù)墓苣_數(shù)量。例如，參考圖11中所示，所述圖像傳感器芯片基于cphy高速通信協(xié)議將所述原圖像信號(hào)傳輸?shù)剿鰠f(xié)處理芯片40，圖像傳感器芯片與協(xié)處理芯片40之間設(shè)置兩組管腳，每組3根走線(xiàn)，共設(shè)置6根走線(xiàn)，其傳輸速率為3gbps~8gbps。協(xié)處理芯片40與連接器30之間通過(guò)mipi協(xié)議進(jìn)行圖像信號(hào)的傳輸，協(xié)處理芯片40與連接器30之間設(shè)置四線(xiàn)mipi，包括4對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)和一對(duì)時(shí)鐘線(xiàn)，共10根走線(xiàn)。同時(shí)，協(xié)處理芯片40與連接器30之間還需設(shè)置2根i2c走線(xiàn)，用于控制信號(hào)的傳輸，從而協(xié)處理芯片40與連接器30之間共設(shè)置12根走線(xiàn)。

此外，所述攝像頭10與所述協(xié)處理芯片40的通信協(xié)議為雙向傳輸協(xié)議，省去用于控制圖像傳感器芯片的串行接口，且上行高速，下行低速，即攝像頭10向協(xié)處理芯片40傳輸圖像信號(hào)的速度采用高速傳輸，協(xié)處理芯片40向攝像頭10傳輸?shù)男盘?hào)的速度采用低速傳輸，降低整個(gè)攝像頭模組的功耗。

需要說(shuō)明的是，由于協(xié)處理芯片與攝像頭之間的距離大于協(xié)處理芯片與連接器之間的距離，因此，本發(fā)明中為了降低柔性電路板中協(xié)處理芯片與攝像頭之間金屬布線(xiàn)的難度，使得所述攝像頭與所述協(xié)處理芯片之間用于圖像信號(hào)傳輸?shù)墓苣_數(shù)量少于所述協(xié)處理芯片40與所述連接器30之間用于圖像信號(hào)傳輸?shù)墓苣_數(shù)量，并且省去了所述攝像頭與所述協(xié)處理芯片之間用于控制圖像傳感器芯片的串行接口。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種終端處理設(shè)備，包括：主板以及采用上述的實(shí)現(xiàn)方法形成的攝像頭模組，其中，所述主板與所述連接器電氣連接，所述主板通過(guò)所述連接器接收所述協(xié)處理芯片處理后的原圖像信號(hào)，主板上的圖像信號(hào)處理芯片接收經(jīng)過(guò)處理之后的圖像，緩解圖像信號(hào)處理芯片進(jìn)行圖像處理的壓力，提高圖像質(zhì)量。

綜上所述，本發(fā)明提供一種攝像頭模組的制造方法以及終端處理設(shè)備，攝像頭模組包括協(xié)處理芯片，協(xié)處理芯片與連接器分別設(shè)置在柔性電路板對(duì)應(yīng)的正反兩面，協(xié)處理芯片接收攝像頭的圖像傳感器芯片輸出的原圖像信號(hào)，并將原圖像信號(hào)進(jìn)行isp處理，再由連接器將處理后的原圖像信號(hào)傳輸?shù)綀D像信號(hào)處理芯片，從而圖像信號(hào)處理芯片接收經(jīng)過(guò)處理之后的圖像，緩解圖像信號(hào)處理芯片進(jìn)行圖像處理的壓力，提高圖像質(zhì)量。此外，本發(fā)明將協(xié)處理芯片設(shè)置在補(bǔ)強(qiáng)板內(nèi)，避免由于協(xié)處理芯片導(dǎo)致的攝像頭模組高度增加，也不會(huì)因協(xié)處理芯片的發(fā)熱影響圖像傳感器芯片的性能。

本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。