線路板的鉆孔方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種線路板的鉆孔方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的線路板制作過程中，通常會經(jīng)過壓合(laminat1n)、鉆孔以及通孔電鍍(Plating Through Hole，PTH)等工藝過程，其中壓合及鉆孔工藝，是將銅箔與樹脂片(prepreg)壓合后,利用激光對線路板進(jìn)行鉆孔。在銅箔制作時(shí),銅箔的毛面(Matte side)面需進(jìn)行瘤化處理，以增加表面積，從而增加銅箔和樹脂片之間的附著力。而生產(chǎn)銅箔時(shí)所進(jìn)行的瘤化處理(Nodulizat1n)，會在銅箔壓合面與樹脂片的接合面之間殘留砷、鋅、鉻、鎳等金屬。
[0003]此外，在銅箔與樹脂片壓合后，以及利用激光對線路板鉆孔前，通常會對銅箔進(jìn)行黑氧化(black oxide treatment)或棕氧化處理，以在銅箔表面上形成黑氧化層或棕氧化層。利用黑氧化層或棕氧化層，能增加銅箔表面對激光的吸收率，讓激光能順利地?zé)g(ablating)銅箔以及其底下的樹脂片?，F(xiàn)有的黑氧化層成分比例中包括重量百分比介于4至5%的碳，重量百分比介于22至24%的氧以及重量百分比介于71至73%的銅，其中前述重量百分比是指黑氧化層內(nèi)各元素的重量(例如銅、氧或碳)與黑氧化層總重量之間的比例。
[0004]在利用激光對線路板鉆孔后，會進(jìn)行除膠渣流程(desmear)，而將銅箔表面的黑氧化層或棕氧化層去除，才能進(jìn)行后續(xù)的電鍍工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種線路板的鉆孔方法，其利用光澤度偏低的導(dǎo)電層與絕緣層壓合，以幫助激光鉆孔的進(jìn)行。
[0006]本發(fā)明一實(shí)施例提供線路板的鉆孔方法，其包括:
[0007]提供一基板，該基板包括一導(dǎo)電層以及一與該導(dǎo)電層面對面地連接的絕緣層，其中該導(dǎo)電層具有一光吸收面與一相對于該光吸收面的接合面，該絕緣層連接并接觸該接合面，且該接合面的十點(diǎn)平均粗糙度(ten point height of irregularities, Rz)小于1.5微米，其中該導(dǎo)電層的成分包括重量百分比介于3至6%的碳，重量百分比介于I至3%的氧，以及重量百分比介于92至95%的銅；以及
[0008]照射一激光束于該光吸收面，以移除部分該導(dǎo)電層與部分該絕緣層。
[0009]優(yōu)選地，該光吸收面的十點(diǎn)平均粗糙度小于4微米。
[0010]優(yōu)選地，該導(dǎo)電層包括:
[0011]一光吸收層，具有該光吸收面；以及
[0012]一主體層，形成于該光吸收層與該絕緣層之間。
[0013]優(yōu)選地，該導(dǎo)電層更包括一接合層，該接合層具有該接合面，而該主體層位在該接合層與該光吸收層之間。
[0014]優(yōu)選地，該光吸收層的成分含銅、氧以及碳。
[0015]優(yōu)選地，該激光束的波長介于770納米至15微米。
[0016]優(yōu)選地，該光吸收層是由多個相連的納米顆粒所構(gòu)成。
[0017]優(yōu)選地，該接合層是由多個相連的納米顆粒所構(gòu)成。
[0018]優(yōu)選地,各該納米顆粒的粒徑小于500納米。
[0019]基于上述方法，在以激光對線路板鉆孔前，不需要對導(dǎo)電層進(jìn)行黑氧化或棕氧化處理。如此，可以減少線路板的制造步驟，從而幫助縮短線路板的制造時(shí)間。
[0020]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及功效，請參閱以下詳細(xì)說明以及所附附圖。然而，所附附圖僅提供參考與舉例說明，并非用來對本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍加以限制。
【附圖說明】
[0021]圖1A至圖1C為本發(fā)明一實(shí)施例的線路板的鉆孔方法的流程剖面示意圖。
[0022]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0023]1、I，、I”:基板
[0024]10a、10b:導(dǎo)電層
[0025]10’:線路層
[0026]101:光吸收層
[0027]10a:光吸收面
[0028]102:主體層
[0029]103:接合層
[0030]10b:接合面
[0031]lla、llb:絕緣層
[0032]110:結(jié)合面
[0033]12:開口
[0034]13:金屬柱
[0035]20:激光束
【具體實(shí)施方式】
[0036]圖1A至圖1C為線路板鉆孔工藝中不同步驟的線路板的剖面示意圖。請參閱圖1A，首先，提供一基板I，其例如是具有金屬箔片的基板、金屬核心板(metal core substrate)或是線路板的半成品，其中上述具有金屬箔片的基板可以是銅箔基板(Copper CladLaminate, CCL)。線路板的半成品例如是在增層法(built-up)制造過程中，剛壓合好樹脂片與金屬箔片(例如銅箔)，并在前述銅箔前的線路基板上形成盲孔或通孔。圖1A的基板I是線路板的半成品為例說明。
[0037]在本實(shí)施例中，基板I具有多層導(dǎo)電層以及多層絕緣層，其中導(dǎo)電層與絕緣層交替堆棧，并且每一導(dǎo)電層至少與一絕緣層面對面地連接。在本發(fā)明實(shí)施例中，基板I為四層板。也就是說，本實(shí)施例的基板I是由四層導(dǎo)電層夾置三層絕緣層IlaUlb而形成，其中四層導(dǎo)電層包括兩層導(dǎo)電層1a及兩層導(dǎo)電層10b。兩層導(dǎo)電層1a夾合絕緣層11a，并且導(dǎo)電層1a已經(jīng)過蝕刻工藝而形成圖案化的線路層。絕緣層Ilb及導(dǎo)電層1b則分別被壓合于導(dǎo)電層1a上，并且導(dǎo)電層1b位于最外側(cè)。另外，導(dǎo)電層1b尚未形成盲孔或通孔。
[0038]絕緣層Ila可以是由樹脂片固化而形成，而構(gòu)成樹脂片的材質(zhì)例如是酚醛樹脂(phenolic resin)、環(huán)氧樹月旨(epoxy)或聚亞酰胺樹脂(bismaleimide triazine)等熱固型樹脂。絕緣層Ilb具有結(jié)合面110，其與導(dǎo)電層1b相互接合。
[0039]具體而言，導(dǎo)電層1b包括光吸收層101、主體層102及接合層103，其中主體層102位于光吸收層101與接合層103之間。在本發(fā)明實(shí)施例中，導(dǎo)電層1b可以是表面經(jīng)過納米處理的金屬箔片(例如銅箔)，而金屬箔片的上下表面經(jīng)納米處理之后，形成氧化銅層，從而形成光吸收層101與接合層103。也就是說，構(gòu)成主體層102的主要材料為銅，而構(gòu)成光吸收層101及接合層103的主要材料為氧化銅。
[0040]光吸收層101具有一光吸收面100a，而接合層103具有一接合面100b，其中光吸收面10a與接合面10b分別為導(dǎo)電層1b的兩相對表面。在本發(fā)明實(shí)施例中，接合面10b是指當(dāng)金屬箔片貼合于絕緣層Ilb時(shí)和絕緣層Ilb接合的面，而光吸收面10a是指在后續(xù)的工藝中，將被激光束20照射的表面。實(shí)質(zhì)上，光吸收面1