專利名稱：半導(dǎo)體集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)于一種半導(dǎo)體積體電路，特別是有關(guān)于一種利用二按二極管連接(diode-connected)的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的閾值電壓以設(shè)計(jì)電源復(fù)位電路的半導(dǎo)體集成電路。
近來(lái)，由于便攜式裝備如筆記型個(gè)人計(jì)算機(jī)、蜂巢式電話和個(gè)人手提電話等廣泛快速的傳播，低功率損耗型集成電路的需求亦隨之劇增。而達(dá)成低功率損耗最普遍的方法即是讓半導(dǎo)體集成電路在低電壓的電源下工作，然而以低電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體集成電路會(huì)造成MOS晶體管的閾值電壓降對(duì)電源電位的比例增大，而使得利用MOS晶體管閾值電壓降來(lái)調(diào)整電位變得困難，這將嚴(yán)重地影響電路設(shè)計(jì)。
圖8顯示常規(guī)的產(chǎn)生一電源啟動(dòng)復(fù)位信號(hào)(下文中以POR信號(hào)表示)的電啟動(dòng)復(fù)位電路(下文中以POR電路表示)，在電源啟動(dòng)時(shí)用來(lái)控制和初始化內(nèi)部電路，詳細(xì)例子如美國(guó)專利編號(hào)5,073,874所描述。在圖8中，數(shù)字1a表示一電源電位節(jié)點(diǎn)在，其上電位為Vcc；數(shù)字1b表示一地電位節(jié)點(diǎn)，電位為Vss；數(shù)字2a和2b表示二個(gè)P溝道MOS晶體管而其各別的柵極均和本身的漏極相連接，也就是二極管連接，而二個(gè)P溝道MOS晶體管串連后再連接于電源電位節(jié)點(diǎn)1a和連接節(jié)點(diǎn)2之間。數(shù)字2c表示一電容器連接在連接節(jié)點(diǎn)2和地電位節(jié)點(diǎn)1b之間；數(shù)字3是一倒相器由P溝道MOS晶體管2a和N溝道MOS晶體管3b所構(gòu)成，其輸入端接收連接節(jié)點(diǎn)2的電位而從輸出端輸出POR信號(hào)。
其次，上述常規(guī)POR電路工作方式將在下文中描述。圖9是一時(shí)序圖，表示常規(guī)POR電路(如圖8所示)在電源啟動(dòng)和斷路時(shí)的動(dòng)作。在圖9中，數(shù)字(a)表示在電源電位節(jié)點(diǎn)1a上電位Vcc的變動(dòng)，數(shù)字(b)表示在連接節(jié)點(diǎn)2上電位NN2的變動(dòng)，數(shù)字(c)表示圖8所示POR電路的輸出POR信號(hào)電位(POR)的變動(dòng)情形。此外|Vth|表示MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值，而VT表示倒相器的閾值電壓。首先，當(dāng)外部電源啟動(dòng)時(shí)，電源電位節(jié)點(diǎn)1a的電位Vcc從時(shí)間t0開(kāi)始上升(時(shí)間t0)。當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)1a的電位Vcc達(dá)到P溝道MOS晶體管3a閾值電壓(|Vth|)時(shí)，P溝道MOS晶體管開(kāi)始要導(dǎo)通而POR信號(hào)的電位POR從時(shí)間t1開(kāi)始上升(時(shí)間t1)。再來(lái)，當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)1a的電位Vcc再上升達(dá)到二個(gè)P溝道MOS晶體管2a和2b閾值電壓之和2|Vth|時(shí)，按二極管連接的P溝道MOS晶體管2a和2b開(kāi)始導(dǎo)通，藉著電容器2c的充電開(kāi)始，在時(shí)間t2時(shí)連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2開(kāi)始以較電源電位節(jié)點(diǎn)1a電位平緩的速度上升(時(shí)間t2)。當(dāng)連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2已超出倒相器3的閾值電壓時(shí)，倒相器3被倒相而POR信號(hào)的電位POR開(kāi)始下降(時(shí)間t3)。如前述的動(dòng)作結(jié)果，產(chǎn)生一POR信號(hào)在電源電壓?jiǎn)?dòng)時(shí)用以控制和初始化內(nèi)部電路。
其次，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，也就是當(dāng)改變電源節(jié)點(diǎn)1a的電位Vcc使成為地電位節(jié)點(diǎn)Vss時(shí)，累積在電容器2c的電荷將經(jīng)由布線電容(WiringCapacitance)而逐漸放電，因此連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2開(kāi)始降低(時(shí)間t4)。然而在圖8中所示的POR電路中由于在連接節(jié)點(diǎn)2上并未配置任何放電路徑而僅能由布線電容放電，故而在時(shí)間t5電源完全關(guān)閉后，要使連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2降低至地電位Vss需要很長(zhǎng)的時(shí)間。當(dāng)累積在電容器2c和節(jié)點(diǎn)2的布線電容的電荷未充分放電之前即連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2尚未充分下降(時(shí)間t6時(shí))前即再次啟動(dòng)電源，則只有當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)1a的電位Vcc上升至高于Vα+｜Vth｜時(shí)倒相器3的P溝道MOS晶體管3a開(kāi)始導(dǎo)通，而POR信號(hào)的電位POR開(kāi)始上升(時(shí)間t7)。在這一狀況下，Vα表示連接節(jié)點(diǎn)2在時(shí)間t6時(shí)的電位。接著，當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)1a的電位上升至2個(gè)P溝道MOS晶體管2a和2b閾值電壓之和|Vth｜，且高于Vα?xí)r，2個(gè)按二極管連接的P溝道MOS晶體管開(kāi)始對(duì)電容器2c充電而連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2也開(kāi)始上升(時(shí)間t8)。當(dāng)連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2超出倒相器3的臨界電壓VT時(shí)，被相器3倒相而POR信號(hào)電位開(kāi)始降低(時(shí)間t9)。但是，在上述動(dòng)作過(guò)程中，因?yàn)殡娫丛僖淮螁?dòng)前在連接節(jié)點(diǎn)2上仍殘留Vα的電位，所以用來(lái)決定POR信號(hào)脈沖持續(xù)時(shí)間(t7至t9時(shí)段)，相對(duì)比較于將累積在電容器2c和連接節(jié)點(diǎn)2布線電容上的電荷充分放電使連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2成為地電位Vss的條件下所決定之POR信號(hào)脈沖持續(xù)時(shí)間(t1到t3時(shí)間)而言是極度地縮短了。
以上所描述的常POR電路中，在電源關(guān)閉一次后再啟動(dòng)時(shí)因?yàn)槔鄯e在電容器2c和連接節(jié)點(diǎn)2的布線電容上的電荷放電速度慢且不完全，致使當(dāng)電源啟動(dòng)時(shí)用以控制和初始化內(nèi)部電路的任何POR信號(hào)將無(wú)法產(chǎn)生，即或可產(chǎn)生POR信號(hào)也不是正常的脈沖在此將引起誤動(dòng)作。
又當(dāng)工作在低電壓電源時(shí)，因?yàn)殡娫搓P(guān)閉時(shí)在連接節(jié)點(diǎn)2上電容器2c和布線電容所累積的電荷放電不完全，連接節(jié)點(diǎn)2上所產(chǎn)生的電位Vα和MOS晶體管的閾值電壓|Vth|將占去電壓電源Vcc的絕大比例，因此產(chǎn)生另外一個(gè)問(wèn)題就是在電源關(guān)閉后很難利用傳統(tǒng)的MOS晶體管使連接節(jié)點(diǎn)2的電位NN2和地電位Vss相等。
有鑒于此，本發(fā)明之目的是要解決上述的問(wèn)題，亦提供一半導(dǎo)體集成電路能夠在電源關(guān)閉后再迅速啟動(dòng)時(shí)將內(nèi)部電路的充電電荷放電并將其電位拉低至接近地電位。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一包含POR電路的半導(dǎo)體集成電路，即使在電源關(guān)閉后到電源重新啟動(dòng)的時(shí)間周期縮短的情形下，在電源啟動(dòng)時(shí)仍然能產(chǎn)生正常的POR信號(hào)以控制和初始化內(nèi)部電路。
根據(jù)本發(fā)明的第一特征，一半導(dǎo)體集成電路包含一放電元件由連接成二極管的MOS晶體管在電源電位節(jié)點(diǎn)和連接節(jié)點(diǎn)之間的，從連接節(jié)點(diǎn)至電源電位節(jié)點(diǎn)的方向配置成順向偏壓方向，這一MOS晶體管的背柵極和本身的柵極相連。
根據(jù)本發(fā)明的第二特征，一半導(dǎo)體集成電路包含一電源電壓反應(yīng)電路，該反應(yīng)電路包含一提升電路在電源電位節(jié)點(diǎn)和連接節(jié)點(diǎn)間連接以及一電容器連接到連接節(jié)點(diǎn)和地電位節(jié)點(diǎn)；一放電MOS晶體管，按二極管連接并在電源電位節(jié)點(diǎn)和連接節(jié)點(diǎn)之間，從連接節(jié)點(diǎn)至電源電位節(jié)點(diǎn)的方向配置成前向偏壓方向，這一MOS晶體管的背柵極和本身的柵極相連；一保持電路，其接收前述連接節(jié)點(diǎn)的電位以及輸出一電源啟動(dòng)復(fù)位信號(hào)，使電平從電源電位開(kāi)始上升經(jīng)一預(yù)定時(shí)間后從第一電平改變?yōu)榈诙娖?，而與超出預(yù)設(shè)電平的連接節(jié)點(diǎn)的電位相對(duì)應(yīng)，從而保持該電源啟動(dòng)復(fù)位信號(hào)的第二電平。


圖1為應(yīng)用本發(fā)明的DRAM方框圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的POR產(chǎn)生電路；圖3為根據(jù)本發(fā)明的POR產(chǎn)生電路的動(dòng)作時(shí)序圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的MOS晶體管閾值電壓對(duì)背柵極和源極間電壓的特性圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的POR產(chǎn)生電路；圖6為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的POR產(chǎn)生電路圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的POR產(chǎn)生電路圖；圖8為根據(jù)先有技術(shù)的POR產(chǎn)生電路圖；以及圖9為根據(jù)先有技術(shù)POR產(chǎn)生電路的電路動(dòng)作時(shí)序圖；在所有的圖示中，相同的單元均約予相同的數(shù)字。
圖1表示應(yīng)用本發(fā)明DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)100的方框圖包含一個(gè)內(nèi)部電位產(chǎn)生電路群組200，一POR電路210和一存儲(chǔ)單元陣列101由多個(gè)以行列方式排列的存儲(chǔ)單元所組成。一RAS(行地址選通)緩沖器110接收一由外部施加的信號(hào)RAS和輸出RAS信號(hào)至地址緩沖器130；以及CAS(列地址選通)緩沖器120接收一由外部施加的信號(hào)CAS和輸出一CAS信號(hào)至地址緩沖器130。地址緩沖器130接收一外部地址信號(hào)ext Ai(i＝0，1，2……)和該RAS信號(hào)，鎖存該外部地址信號(hào)extAi，輸出行地址信號(hào)RAi和RAi給內(nèi)部電路，以及接收外部地址信號(hào)ext Ai(i＝0，1，2……)和該CAS信號(hào)，鎖存外部地址信號(hào)extAi和輸出列位址信號(hào)CAi和CAi給內(nèi)部電路。
一行譯碼器140接收從地址緩沖器130來(lái)的信號(hào)RAi和RAi后選擇一相對(duì)應(yīng)的字元線；一列譯碼器150接收從地址緩沖器130來(lái)的信號(hào)CAi和CAi后選擇一相對(duì)應(yīng)的讀出放大器以及I/O(輸入/輸出)電路170，該放大器用以放大存儲(chǔ)單元101在位元線上被讀出的電位而I/O電路則用以傳送存儲(chǔ)單元101在位元線上被讀出的數(shù)據(jù)。數(shù)字160表示一字元驅(qū)動(dòng)器用以提高行譯碼器140所選擇的字元線的電位；180表示一讀出和寫(xiě)入的控制電路，從外部接收一寫(xiě)入允許信號(hào)ext/WE和一輸出允許信號(hào)ext/OE，且輸出一WO信號(hào)來(lái)控制內(nèi)部電路的讀出和寫(xiě)入；以及190表示一I/O緩沖器接收從讀出和寫(xiě)入控制電路180輸出的信號(hào)WO，在寫(xiě)入的情形下經(jīng)一數(shù)據(jù)線傳送外部施加的數(shù)據(jù)extDin至I/O引線I/O讀出放大器170，在讀出的情形下輸出存儲(chǔ)單元中的讀出數(shù)據(jù)由讀出放大器170放大后經(jīng)I/O電路數(shù)據(jù)線傳送至I/O引線成為數(shù)據(jù)ext Dout信號(hào)。
在圖1中，POR電路210用以當(dāng)電源啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生POR信號(hào)來(lái)控制和初始化內(nèi)部電路如內(nèi)部電位產(chǎn)生電路群組200和RAS緩沖器110以及其它部分電路。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)最佳實(shí)施例的POR電路210一圖，而圖3系一動(dòng)作時(shí)序圖。在圖2中，211a表示一電源電位節(jié)點(diǎn)其電位為Vcc；數(shù)字211b表示一地電位節(jié)點(diǎn)其電位為Vss；以及數(shù)字212a和212b表示2個(gè)N溝道MOS晶體管其個(gè)別的柵極和漏極均相連在一起，也就是按二極管連接，在電源電位節(jié)點(diǎn)和連接節(jié)點(diǎn)間連接以便從電源電位節(jié)點(diǎn)211a至連接節(jié)點(diǎn)212的方向配置成前向偏壓方向，從而形成一提升電路212f。數(shù)字212c表示一電容器連接在連接節(jié)點(diǎn)212和地電位節(jié)點(diǎn)211b之間，且和提升電路共同形成一電源電位反應(yīng)電路212g。數(shù)字214表示一倒相器由一P溝道MOS晶體管214a和N溝道MOS晶體管214b構(gòu)成，其輸入端接收連接節(jié)點(diǎn)212的電位而輸出端輸出POR信號(hào)POR；數(shù)字215也是一倒相器由一P溝道MOS晶體管215a和一N溝道MOS晶體管215b構(gòu)成，其輸入端接收POR信號(hào)POR而輸出端則連接至連接節(jié)點(diǎn)212；數(shù)字216表示一保持電路由兩個(gè)倒相器214和215構(gòu)成；數(shù)字213表示一N溝道MOS晶體管連接在電源電位節(jié)點(diǎn)211a和連接節(jié)點(diǎn)212之間，且從連接節(jié)點(diǎn)212至電源電位節(jié)點(diǎn)211a的方向配置成前向偏壓方向，其背柵極213bg亦連接到柵極213g。因此，該MOS晶體管213的作用為一放電晶體管，也就是說(shuō)在電源電位節(jié)點(diǎn)211a的電位Vcc降至比連接節(jié)點(diǎn)212的電位低于一個(gè)N溝道MOS晶體管213的閾值電壓時(shí)，MOS晶體管213導(dǎo)通并將累積在電容器212c和連接節(jié)點(diǎn)212的布線電容上的電荷放電。
本身柵極和背柵極相連接的MOS晶體管的閾值電壓將在下文中參照?qǐng)D4來(lái)描述。
圖3顯示MOS晶體管的閾值電壓Vth相對(duì)于MOS晶體管其背柵極電壓和源極間電位差VBS的變動(dòng)圖示，而其電位差如下列運(yùn)算式(1)所表示Vth＝V0+K[(2F+VBS)1/2-(2F)1/2](1)其中VBS表示背柵極電壓(以源極電壓為基準(zhǔn))，K表示基片體效應(yīng)常數(shù)，F表示基片表面電位，以及V0表示當(dāng)VBS＝0V時(shí)的閾值電壓。
在圖4中，d表示MOS晶體管背柵極與源極間的電位差VBS和MOS晶體管的閾值電壓Vth在此相等之點(diǎn)。從圖4很明顯地看出，因?yàn)閂BS＝Vth的結(jié)果使得將傳統(tǒng)上VBS＝-1.5V時(shí)MOS晶體管的閾值電壓為0.7V降低至0.25V成為可能，且尚比VBS＝0V時(shí)的閾值電壓V0(0.35V)小0.1V。將MOS晶體管的背柵極連接在一起即可使VBS＝Vth。在下文的描述中，為區(qū)別起見(jiàn)|Vtho|將表示當(dāng)MOS晶體管背柵極和柵極連接時(shí)閾值電壓的絕對(duì)值，而|Vth|則表示當(dāng)VBS＝-1.5V時(shí)傳統(tǒng)MOS晶體管的閾值電壓。
接著，上文提及的POR電路210動(dòng)作方式將在下文中描述。在圖3中，(a)表示電源電位節(jié)點(diǎn)211a電位Vcc的變動(dòng)，(b)表示在連接節(jié)點(diǎn)212上電位N212變動(dòng)，以及(c)表示POR電路210的輸出信號(hào)POR的電位變動(dòng)。
首先，當(dāng)由外部電源啟動(dòng)時(shí)，電源電位節(jié)點(diǎn)211a的電位Vcc在T0時(shí)開(kāi)始上升，如圖3(a)所示。當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)211a在電位Vcc在T1時(shí)(參照3(a))達(dá)到P溝道MOS晶體管214a的閾值電壓值|Vth|時(shí)，P溝道MOS晶體管214a開(kāi)始導(dǎo)通，而POR信號(hào)的電位POR也開(kāi)始如圖3(c)所示上升。當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)211a的電位Vcc在T2時(shí)(參照?qǐng)D3(a))再上升到達(dá)2個(gè)N溝道MOS晶體管212a和212b的閾值電壓的相加值2|Vth|時(shí)，2個(gè)N溝道MOS晶體管212a和212b開(kāi)始導(dǎo)通而電容器212c也開(kāi)始充電，借此電容器的充電連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212開(kāi)始以較電源電位節(jié)點(diǎn)212a電位上升斜度平緩的速度上升如圖3(b)所示。當(dāng)連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212在如圖3(b)所示T3處超出倒相器214的閾值電壓VT時(shí)，倒相器214被倒相，也就是說(shuō)MOS晶體管214a成開(kāi)路截止?fàn)顟B(tài)，結(jié)果POR信號(hào)的電位POR開(kāi)始下降如圖3(c)所示。藉由上述的動(dòng)作，在電源啟動(dòng)時(shí)用以控制和初始化內(nèi)部電路的POR信號(hào)于是產(chǎn)生。在這動(dòng)作期間，按二極管連接的放電N溝道MOS晶體管213一直處在反偏的狀態(tài)且沒(méi)有任何電流流通。倒相器215的功能為提高連接節(jié)點(diǎn)212的電位，并和倒相器214一起形成鎖存電路來(lái)保留POR信號(hào)。
當(dāng)電源是斷時(shí)，電源電位節(jié)點(diǎn)211a的電位在T4處開(kāi)始下降如圖3(a)所示，隨著電位繼續(xù)下降，累積在電容器212c和連接節(jié)點(diǎn)212布線電容上的電荷也經(jīng)由溝道MOS晶體管215a以及正向偏壓的按二極管連接的放電N溝道MOS晶體管213逐漸地放電，而連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212也就如圖3(b)所示下降。當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)電位Vcc降至與地電位節(jié)點(diǎn)電位Vss相等時(shí)，連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212將更進(jìn)一步在T5處下降至放電NMOS晶體管213閾值電壓|Vtho|的電平如圖3(b)所示。但是，如果放電N溝道MOS晶體管的背柵極沒(méi)有與其柵極相連接，也就是說(shuō)當(dāng)背柵極是連接到基片電位VBB或地電位Vss時(shí)，連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212僅能下降至比|Vtho|高的電位|Vth|。
隨后，當(dāng)在T6處重新啟動(dòng)電源時(shí)，電源電位節(jié)點(diǎn)211a的電位Vcc將如圖3(b)所示T7處超出|Vtho|+|Vth|，在此同時(shí)P溝道MOS晶體管214a開(kāi)始導(dǎo)通而使POR信號(hào)的電位POR開(kāi)始上升如圖3(c)所示。當(dāng)電源電位節(jié)點(diǎn)211a的電位Vcc再上升達(dá)到|Vtho|+2|Vth|比|Vtho|高出2個(gè)N溝道MOS晶體管212a和212b的閾值電壓和2|Vth|時(shí)(時(shí)間T8)，2個(gè)按二極管連接的N溝道MOS晶體管212a和212b都導(dǎo)通，開(kāi)始對(duì)電容器212c充電，因此連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212開(kāi)始上升，如圖3(b)所示。此外，當(dāng)連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212已達(dá)到倒相器的閾值電壓VT時(shí)(如圖3(b)時(shí)間T9)，倒相器214的輸出倒相而POR信號(hào)的電位POR開(kāi)始下降，如圖3(c)所示。另一方面，如果連接節(jié)點(diǎn)212的電位N212只能降至|Vth|的電平而不能再降時(shí)，則POR信號(hào)的電位POR不是一正常脈沖信號(hào)，如圖3(c)虛線所示。
如上所述，在POR電路中累積在電器212c和連接節(jié)點(diǎn)212布線電容上的電荷在電源中斷后都很快速地降至充分的電平，如此即使縮短電源中斷后到電源重新開(kāi)啟的時(shí)間所產(chǎn)生的POR信號(hào)依然是一正常的脈沖信號(hào)，最終使保護(hù)半導(dǎo)體集成電路免于受在電源啟動(dòng)時(shí)的影響而導(dǎo)至誤動(dòng)作成為可能。
雖然在上述實(shí)施例中以二個(gè)倒相器214和215來(lái)構(gòu)成保持電路216，但是在倒相器214輸出端連接多級(jí)倒相器218和219(如圖5所示)做為驅(qū)動(dòng)器亦是另一較佳實(shí)施例。
此外，雖然N溝道MOS晶體各213是做為放電晶體管，其亦可以P溝道MOS晶體管217來(lái)取代(如圖6)。再者，如圖7所示利用P溝道MOS晶體管212d和212e來(lái)取代N溝道MOS晶體管212a和212b也是另一較佳實(shí)施例。
前述的實(shí)施例有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即一半導(dǎo)體集成電路包含一放電單元能在電源中斷時(shí)將電位快速地放電至近乎地電位的電平。
此外，根據(jù)本發(fā)明之另一優(yōu)點(diǎn)是，一半導(dǎo)體集成電路包含一POR產(chǎn)生電路用以產(chǎn)生一正常脈沖信號(hào)即使當(dāng)電源中斷后立即再啟動(dòng)電源也能夠控制以及初始化內(nèi)部電路。
雖然本發(fā)明已以一些較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動(dòng)與附加，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍僅由后附的申請(qǐng)專利范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一半導(dǎo)體集成電路包含一電源電位反應(yīng)電路，由一連接在一電源電位節(jié)點(diǎn)和一連接節(jié)點(diǎn)之間的提升電路，以及一連接在該連接節(jié)點(diǎn)和一地電位節(jié)點(diǎn)之間的電容器組成；一放電MOS晶體管在該電源電位節(jié)點(diǎn)和連接節(jié)點(diǎn)間按二極管方式連接以便從該連接節(jié)點(diǎn)至該電源電位節(jié)點(diǎn)配置成正向偏壓的方向，該MOS晶體管的背柵極與其自身的一柵極相連接；以及一保持電路，接收該連接節(jié)點(diǎn)的電位以及輸出一電源啟動(dòng)復(fù)位信號(hào)，使電平從該連接節(jié)點(diǎn)的電位在電源電位開(kāi)始上升后一預(yù)定期間后從第一電平改變?yōu)榈诙娖剑c超出預(yù)設(shè)電平的連接節(jié)點(diǎn)的電位相對(duì)應(yīng)，從而保持將該電源啟動(dòng)復(fù)位信號(hào)的第二電平。
2.如權(quán)利要求1所述的該半導(dǎo)體集成電路，該提升電路包含2個(gè)MOS晶體管，該2個(gè)MOS晶體管皆按二極管連接以便從電源電位節(jié)點(diǎn)至連接節(jié)點(diǎn)配置成正向偏壓方向。
3.如權(quán)利要求2所述的該半導(dǎo)體集成電路，該2個(gè)MOS晶體管的背柵極分別與其本身的一柵極相連接。
4.如權(quán)利要求1所述的該半導(dǎo)體集成電路，該保持電路包含一對(duì)MOS連接成觸發(fā)器的倒相器電路。
全文摘要
一種半導(dǎo)體集成電路包含一電源電位反應(yīng)電路以及一電容器(212c)；該電路包含一連接成二極管的放電的MOS晶體管，以便在從連接節(jié)點(diǎn)至電源電位節(jié)點(diǎn)間配置成正向偏壓的方向，該晶體管的背柵極和柵極本身相連接；以及，該電路包含一保持電路(216)，藉此以保持其輸出的電源啟動(dòng)復(fù)位信號(hào)。
文檔編號(hào)H03K17/06GK1159656SQ9612311
公開(kāi)日1997年9月17日 申請(qǐng)日期1996年12月11日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月11日
發(fā)明者飛田洋一 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社