本技術(shù)涉及電子負(fù)載，特別涉及一種控制電路、方法、設(shè)備、存儲介質(zhì)、裝置及電子負(fù)載。

背景技術(shù)：

1、電子負(fù)載是測控技術(shù)中的一種常用儀表，電子負(fù)載控制內(nèi)部mos管的導(dǎo)通量，依靠mos管的耗散功率消耗電能的設(shè)備，其在電源測試領(lǐng)域扮演著非常重要的角色。

2、由于電子負(fù)載中存在多個mos管，電子負(fù)載工作在不同的電流量程時，需要導(dǎo)通不同數(shù)量的mos管。因此，在相關(guān)技術(shù)中，電子負(fù)載的控制信號通過模擬開關(guān)輸入至mos管的柵極，利用模擬開關(guān)實現(xiàn)mos管的通斷控制，利用控制信號調(diào)節(jié)mos管的導(dǎo)通程度，控制mos管的輸出電流。由于模擬開關(guān)存在導(dǎo)通電阻，會導(dǎo)致通過的控制信號發(fā)生衰減，進(jìn)而導(dǎo)致對mos管的控制產(chǎn)生偏差，使得電子負(fù)載的精度下降。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)旨在提出一種控制電路、方法、設(shè)備、存儲介質(zhì)、裝置及電子負(fù)載，能夠提高電子負(fù)載的精度。

2、第一方面，本技術(shù)實施例提供了一種電子負(fù)載控制電路，用于控制電子負(fù)載的多個mos管，所述電路包括：

3、控制單元；

4、dac，所述控制單元的輸出端連接所述dac的輸入端，所述控制單元通過所述dac輸出控制信號，所述控制信號用于控制所述mos管的導(dǎo)通程度；

5、多個運(yùn)放單元，多個所述運(yùn)放單元與多個所述mos管對應(yīng)，每個所述運(yùn)放單元皆包括運(yùn)算放大器和可控開關(guān)，所述dac的輸出端通過第一電阻連接所述運(yùn)算放大器的同相輸入端，所述運(yùn)算放大器的反相輸入端通過第二電阻接地，所述運(yùn)算放大器的輸出端對應(yīng)連接所述mos管的柵極，所述mos管的源極通過第三電阻接地，所述第三電阻的一端通過第四電阻連接所述運(yùn)算放大器的反相輸入端，所述第三電阻的另一端通過第五電阻連接所述運(yùn)算放大器的同相輸入端，所述可控開關(guān)的第一連接端連接所述運(yùn)算放大器的輸出端，所述可控開關(guān)的第二連接端連接所述運(yùn)算放大器的反相輸入端，所述控制單元的輸出端連接所述可控開關(guān)的控制端；在所述可控開關(guān)導(dǎo)通的情況下，最大輸入電壓小于所述mos管的閾值電壓，所述最大輸入電壓為：所述控制信號的預(yù)設(shè)最大值通過所述第一電阻和所述第五電阻分壓后，輸入至所述運(yùn)算放大器的同相輸入端的電壓。

6、根據(jù)本技術(shù)的一些實施例，所述控制單元包括：

7、mcu，所述mcu的輸出端連接所述dac的輸入端；

8、多路模擬開關(guān)，所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端，所述mcu的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端，所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接，所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接。

9、根據(jù)本技術(shù)的一些實施例，還包括：

10、電容，所述電容的一端連接所述運(yùn)算放大器的輸出端，所述電容的另一端連接所述運(yùn)算放大器的反相輸入端。

11、第二方面，本技術(shù)實施例提供了一種電子負(fù)載控制方法，應(yīng)用于如上所述的電子負(fù)載控制電路，所述方法包括：

12、控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開，使得對應(yīng)的所述運(yùn)放單元為誤差放大器；

13、發(fā)送控制信號，使得所述控制信號經(jīng)過所述運(yùn)放單元輸出至所述目標(biāo)mos管的柵極，從而控制所述目標(biāo)mos管的導(dǎo)通程度；

14、控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通，使得對應(yīng)的所述運(yùn)放單元為電壓跟隨器，所述控制信號由于第一電阻和第五電阻的分壓作用，經(jīng)過所述運(yùn)放單元輸出至所述目標(biāo)mos管的柵極電壓無法達(dá)到閾值電壓，所述目標(biāo)mos管斷開。

15、根據(jù)本技術(shù)的一些實施例，所述控制單元包括mcu和多路模擬開關(guān)，所述mcu的輸出端連接所述dac的輸入端，所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端，所述mcu的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端，所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接，所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接；

16、所述控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開，包括：

17、控制目標(biāo)第二連接端與所述供電端斷開連接，使得所述目標(biāo)mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)斷開，所述目標(biāo)第二連接端為：連接所述目標(biāo)mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)的所述第二連接端；

18、所述控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通，包括：

19、控制目標(biāo)第二連接端與所述供電端連接，使得所述目標(biāo)mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)導(dǎo)通。

20、第三方面，本技術(shù)實施例提供了一種電子設(shè)備，包括：

21、至少一個處理器；

22、至少一個存儲器，用于存儲至少一個程序；

23、當(dāng)至少一個所述程序被至少一個所述處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上所述的電子負(fù)載控制方法。

24、第四方面，本技術(shù)實施例提供了一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其中存儲有處理器可執(zhí)行的程序，所述處理器可執(zhí)行的程序被處理器執(zhí)行時用于實現(xiàn)如上所述的電子負(fù)載控制方法。

25、第五方面，本技術(shù)實施例提供了一種電子負(fù)載控制裝置，應(yīng)用于如上所述的電子負(fù)載控制電路，包括：

26、第一控制模塊，用于控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開，使得對應(yīng)的所述運(yùn)放單元為誤差放大器；

27、發(fā)送模塊，用于發(fā)送控制信號，使得所述控制信號經(jīng)過所述運(yùn)放單元輸出至所述目標(biāo)mos管的柵極，從而控制所述目標(biāo)mos管的導(dǎo)通程度；

28、第二控制模塊，用于控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通，使得對應(yīng)的所述運(yùn)放單元為電壓跟隨器，所述控制信號由于第一電阻和第五電阻的分壓作用，經(jīng)過所述運(yùn)放單元輸出至所述目標(biāo)mos管的柵極電壓無法達(dá)到閾值電壓，所述目標(biāo)mos管斷開。

29、根據(jù)本技術(shù)的一些實施例，所述控制單元包括mcu和多路模擬開關(guān)，所述mcu的輸出端連接所述dac的輸入端，所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端，所述mcu的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端，所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接，所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接；

30、所述第一控制模塊，包括：

31、第一控制子模塊，用于控制目標(biāo)第二連接端與所述供電端斷開連接，使得所述目標(biāo)mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)斷開，所述目標(biāo)第二連接端為：連接所述目標(biāo)mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)的所述第二連接端；

32、所述第二控制模塊，包括：

33、第二控制子模塊，用于控制目標(biāo)第二連接端與所述供電端連接，使得所述目標(biāo)mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)導(dǎo)通。

34、第六方面，本技術(shù)實施例提供了一種電子負(fù)載，包括如上所述的電子負(fù)載控制電路。

35、本技術(shù)實施例中，通過控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開，使得運(yùn)放單元為誤差放大器，發(fā)送控制信號，使得控制信號經(jīng)過運(yùn)放單元輸出至目標(biāo)mos管的柵極，從而控制目標(biāo)mos管的導(dǎo)通程度。通過控制目標(biāo)mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通，使得運(yùn)放單元為電壓跟隨器，控制信號由于第一電阻和第五電阻的分壓作用，經(jīng)過運(yùn)放單元輸出至目標(biāo)mos管的柵極電壓無法達(dá)到閾值電壓，目標(biāo)mos管斷開。本技術(shù)實施例，相較于傳統(tǒng)的電子負(fù)載控制技術(shù)，在避免控制信號衰減的情況下，實現(xiàn)mos管通斷控制，提高了電子負(fù)載的精度。

36、本技術(shù)的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本技術(shù)的實踐了解到。