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一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器的制作方法

文檔序號:40614551發(fā)布日期:2025-01-07 21:02閱讀:16來源:國知局
一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器的制作方法

本發(fā)明涉及晶體減振,具體為一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器。


背景技術(shù):

1、石英晶體諧振器,是電子電路中最常用的電子元件之一,由晶體和外圍元器件構(gòu)成。晶體是從石英晶體上按一定方位切下薄片,將薄片兩端拋光并涂上導(dǎo)電的銀層,再從銀層上連出電極并封裝起來制成。晶體是一種能把電能和機械能進行相互轉(zhuǎn)化的元件,利用了晶體的壓電效應(yīng),即在晶體兩極外加電壓后晶體會產(chǎn)生形變,反過來如外力使晶體變形,則兩極上金屬片又會產(chǎn)生電壓。當給晶體電極上施加適當?shù)慕蛔冸妷簳r,晶體就會產(chǎn)生諧振頻率與石英斜面傾角等有關(guān)系,且頻率一定,在諧振狀態(tài)下晶體可以對外提供穩(wěn)定、精確的單頻振蕩。

2、當晶體在振動環(huán)境下工作時,晶體受外界機械振動影響,其形狀和尺寸會發(fā)生變化,同時機械振動引起晶體內(nèi)部元件的松動或位移,導(dǎo)致晶體內(nèi)部電荷分布和電場變化,這些變化經(jīng)放大器放大后,通過反饋網(wǎng)絡(luò)反饋到晶體上,晶體輸出頻率會產(chǎn)生離散頻譜,引入機械振動調(diào)頻邊帶,從而導(dǎo)致晶體輸出頻率穩(wěn)定性和精度下降,惡化相位噪聲。

3、由于晶體大約只有6g,所以減振結(jié)構(gòu)需要做得很輕。

4、現(xiàn)有專利cn114301417a公開了一種上金絲編制環(huán)和下金絲編制環(huán),分別從正、反面夾住石英晶體諧振器。基于金絲編織環(huán)具有很好的柔性,可以提高石英晶體諧振器的抗振動、抗沖擊性能?,F(xiàn)有專利cn114301416a公開了在石英晶片和底座之間安裝三個彈性圓環(huán),3個彈性圓環(huán)沿石英晶片反面的一個圓周周向均布,進行隔振處理。

5、上述技術(shù)存在的問題:現(xiàn)有主要減振辦法:采用金絲編織環(huán)或彈性圓環(huán),對晶體的支撐性不夠,存在支撐效果不理想、減振不穩(wěn)定等問題,達不到預(yù)期指標。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種晶體抑振合金減振件,所述晶體減振件包括第一圓環(huán)和第二圓環(huán),所述第一圓環(huán)包括第一頂點和第二頂點,所述第二圓環(huán)包括第三頂點和第四頂點,所述第一圓環(huán)與所述第二圓環(huán)相互交叉,即所述第一圓環(huán)的第一頂點與所述第二圓環(huán)的第三頂點疊合以及所述第一圓環(huán)的第二頂點與所述第二圓環(huán)的第四頂點疊合;所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)均采用抑振合金材料制成。

3、進一步地,所述第一圓環(huán)經(jīng)過圓心的直徑大于所述第二圓環(huán)經(jīng)過圓心的直徑,所述第一圓環(huán)固定在所述第二圓環(huán)的外部且與所述第二圓環(huán)呈90°垂直交叉狀。

4、進一步地,所述第一圓環(huán)和第二圓環(huán)采用灌封膠連接,也可采用焊接或鉚接進行連接。

5、進一步地,所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)的壁厚一樣,取值范圍為0.1~10mm;所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)的圓心直徑取值范圍為1mm~3mm。

6、進一步地,所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)的壁厚優(yōu)選0.1mm,所述第一圓環(huán)的圓心直徑優(yōu)選2.2mm,所述第二圓環(huán)的圓心直徑優(yōu)選2mm。

7、為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提供第二種技術(shù)方案:一種石英晶體諧振器,包括蓋體、殼體和晶體,所述晶體位于所述殼體內(nèi)部的中間,所述晶體與所述殼體之間設(shè)有權(quán)利要求1~5所述的晶體減振件。

8、進一步地,所述晶體的前后左右上下六個面的中心位置均設(shè)有所述晶體減振件。

9、進一步地,所述晶體減振件與所述殼體之間及所述晶體減振件與所述蓋體之間,均采用灌封膠連接,也可采用焊接或鉚接進行連接。

10、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所達到的有益效果是:

11、1.本發(fā)明晶體減振件的第一圓環(huán)和第二圓環(huán)均采用抑振合金材料制成,抑振合金是一種全新的阻尼合金材料,具有等同于橡膠阻尼特性的同時具有結(jié)構(gòu)鋼強度,其原理是通過內(nèi)部的孿晶的生成和運動消耗振動產(chǎn)生的能量,從而達到減振目的。

12、2.本發(fā)明第一圓環(huán)的作用在于連接晶體和殼體、晶體和蓋體,吸收外界的振動力;第二圓環(huán)的作用在于增強第一圓環(huán)的支撐力,進一步吸收和消耗振動力。

13、3.本發(fā)明第一圓環(huán)和第二圓環(huán)在圓心直徑處連接,使得第二圓環(huán)可以為第一圓環(huán)提供最大的支撐力。

14、4.本發(fā)明位于晶體前后左右方位的晶體減振件可以吸收橫向的振動力,位于晶體上下方位的晶體減振件可以吸收垂向的振動力。



技術(shù)特征:

1.一種晶體抑振合金減振件,其特征在于,所述晶體減振件(1)包括第一圓環(huán)(11)和第二圓環(huán)(12),所述第一圓環(huán)(11)包括第一頂點(111)和第二頂點(112),所述第二圓環(huán)(12)包括第三頂點(121)和第四頂點(122),所述第一圓環(huán)(11)與所述第二圓環(huán)(12)相互交叉,即所述第一圓環(huán)(11)的第一頂點(111)與所述第二圓環(huán)(12)的第三頂點(121)疊合以及所述第一圓環(huán)(11)的第二頂點(112)與所述第二圓環(huán)(12)的第四頂點(122)疊合;所述第一圓環(huán)(11)和所述第二圓環(huán)(12)均采用抑振合金材料制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體抑振合金減振件,其特征在于,所述第一圓環(huán)(11)經(jīng)過圓心的直徑大于所述第二圓環(huán)(12)經(jīng)過圓心的直徑,所述第一圓環(huán)(11)固定在所述第二圓環(huán)(12)的外部且與所述第二圓環(huán)(12)呈90°垂直交叉狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體抑振合金減振件,其特征在于,所述第一圓環(huán)(11)和第二圓環(huán)(12)采用灌封膠連接,也可采用焊接或鉚接進行連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體抑振合金減振件,其特征在于,所述第一圓環(huán)(11)和所述第二圓環(huán)(12)的壁厚一樣,取值范圍為0.1~10mm;所述第一圓環(huán)(11)和所述第二圓環(huán)(12)的圓心直徑取值范圍為1mm~3mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體抑振合金減振件,其特征在于,所述第一圓環(huán)(11)和所述第二圓環(huán)(12)的壁厚優(yōu)選0.1mm,所述第一圓環(huán)(11)的圓心直徑優(yōu)選2.2mm,所述第二圓環(huán)(12)的圓心直徑優(yōu)選2mm。

6.一種石英晶體諧振器,包括蓋體(21)、殼體(22)和晶體(23),所述晶體(23)位于所述殼體(22)內(nèi)部的中間,其特征在于,所述晶體(23)與所述殼體(22)之間設(shè)有權(quán)利要求1~5所述的晶體減振件(1)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石英晶體諧振器,其特征在于,所述晶體(23)的前后左右上下六個面的中心位置均設(shè)有所述晶體減振件(1)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石英晶體諧振器,其特征在于,所述晶體減振件(1)與所述殼體(22)之間及所述晶體減振件(1)與所述蓋體(21)之間,均采用灌封膠連接,也可均采用焊接或鉚接進行連接。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及晶體減振技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器。晶體減振件包括呈90°相互交叉的第一圓環(huán)和第二圓環(huán),均采用抑振合金材料制成。第一圓環(huán)的圓心直徑大于第二圓環(huán)的圓心直徑,第一圓環(huán)十字交叉固定在第二圓環(huán)的圓心直徑處。石英晶體諧振器包括蓋體、殼體和晶體,晶體位于殼體內(nèi)部的中間,晶體的前后左右上下六個面的中心位置均設(shè)有晶體減振件。第一圓環(huán)連接晶體和殼體、晶體和蓋體,吸收外界的振動力;第二圓環(huán)增強第一圓環(huán)的支撐力,進一步吸收和消耗振動力。本發(fā)明位于晶體前后左右方位的晶體減振件可以吸收橫向的振動力,位于晶體上下方位的晶體減振件可以吸收垂向的振動力。

技術(shù)研發(fā)人員:王祺,葉仁傳,熊仲營,王福飛
受保護的技術(shù)使用者:江蘇天麒新材料應(yīng)用研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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