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應(yīng)用于5GNR的22-74GHz低噪聲放大器芯片

文檔序號(hào):40614370發(fā)布日期:2025-01-07 21:02閱讀:12來(lái)源:國(guó)知局
應(yīng)用于5G NR的22-74GHz低噪聲放大器芯片

本發(fā)明涉及射頻集成電路,尤其涉及一種應(yīng)用于5g?nr(new?radio)的22-74ghz低噪聲放大器芯片。


背景技術(shù):

1、為了滿足大量設(shè)備之間呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)流量,毫米波通信成為下一代網(wǎng)絡(luò)不可缺少的一部分。當(dāng)前,全球范圍內(nèi)將24.25ghz-27.5ghz、37ghz-43.5ghz、66ghz-71?ghz標(biāo)識(shí)用于5g及國(guó)際移動(dòng)通信系統(tǒng)未來(lái)發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)全球應(yīng)用和跨標(biāo)準(zhǔn)通信,需要5g毫米波通信網(wǎng)絡(luò)中的用戶設(shè)備具備多頻段兼容性。因此,超寬帶低噪聲放大器作為5g通信系統(tǒng)接收鏈路中關(guān)鍵電路模塊具有廣闊的應(yīng)用前景。

2、傳統(tǒng)的低噪聲放大器,受到硅基晶體管的高頻特性、無(wú)源器件的寄生效應(yīng)、渦流效應(yīng)和趨膚效應(yīng)等多種因素,在高泄漏、高損耗和強(qiáng)互耦合的毫米波域中,實(shí)現(xiàn)覆蓋數(shù)十千兆赫茲的寬帶是具有挑戰(zhàn)性的,存在帶寬窄、面積大等問(wèn)題。因此,基于硅基工藝的低噪聲放大器的性能亟需進(jìn)一步提升,以滿足新一代毫米波通信網(wǎng)絡(luò)的需求。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提出了一種應(yīng)用于5g?nr的22-74ghz低噪聲放大器芯片。

2、為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的,本發(fā)明提供的技術(shù)方案具體如下:

3、一種應(yīng)用于5g?nr的22-74ghz低噪聲放大器芯片,包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、寬帶輸入放大級(jí)、寬帶輸出放大級(jí)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)四個(gè)模塊,并且四個(gè)模塊按照先后順序依次連接,信號(hào)從輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端進(jìn)入,從輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端輸出;

4、其中,所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括電容c1、c2和電感l(wèi)1;電容c1一端接地,另一端連接至信號(hào)輸入端口;電感l(wèi)1一端連接在寬帶輸入放大器輸入級(jí),并與連接在偏置電壓vbias的電阻r1并聯(lián),另一端連接電容c2;電容c2串聯(lián)在電容c1和電感l(wèi)1之間;

5、其中,所述寬帶輸入放大級(jí)包括一個(gè)晶體管q1和電感l(wèi)2、l3、l4、反饋電阻r2、電容c3;所述晶體管q1的發(fā)射極接地,基極連接電感l(wèi)2,集電極連接電感l(wèi)3;所述電阻r2和電容c3串聯(lián)后一端連接電感l(wèi)2,另一端連接電感l(wèi)3,形成反饋回路;所述電感l(wèi)4的一端連接在電容c3、電感l(wèi)3的連接處,另一端接至電源vdd;

6、其中,所述寬帶輸出放大級(jí)包括兩個(gè)晶體管q2、q3組成的cascode結(jié)構(gòu);所述晶體管q2的基極通過(guò)電阻r3連接到偏置電壓vbias,發(fā)射極接地,集電極與晶體管q3的發(fā)射極連接;所述晶體管q3的基極接收放大信號(hào),集電極連接電感l(wèi)6并通過(guò)電感l(wèi)7連接到電源vdd;電感l(wèi)5與電容c4串聯(lián)后一端連接到晶體管q3的發(fā)射極,另一端接地;

7、其中,所述輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包括電容c5;所述電容c5一端連接到電感l(wèi)6、l7的連接處,另一端連接至信號(hào)輸出端口。

8、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果為:

9、基于上述的技術(shù)方案可知,與現(xiàn)有技術(shù)相比較,本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于5g?nr的22-74ghz低噪聲放大器芯片,其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)科學(xué)。

10、在電路中引入分流反饋技術(shù),通過(guò)加入反饋電阻、電容,加強(qiáng)低頻帶寬擴(kuò)展;引入雙感應(yīng)峰值技術(shù),通過(guò)在晶體管基極和集電極加入電感,增大增益,改善噪聲性能;引入諧振反饋補(bǔ)償均衡技術(shù),通過(guò)加入諧振反饋電感、電容,補(bǔ)償高頻增益,進(jìn)一步拓展帶寬。上述技術(shù)降低了電路的復(fù)雜度,拓展了帶寬,減小了芯片面積,具有重大的實(shí)踐意義。



技術(shù)特征:

1.一種應(yīng)用于5g?nr的22-74ghz低噪聲放大器芯片,其特征在于,包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、寬帶輸入放大級(jí)、寬帶輸出放大級(jí)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)四個(gè)模塊,并且四個(gè)模塊按照先后順序依次連接,信號(hào)從輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端進(jìn)入,從輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端輸出;


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于5G?NR的22?74GHz低噪聲放大器芯片,包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、寬帶輸入放大級(jí)、寬帶輸出放大級(jí)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)四個(gè)模塊,并且四個(gè)模塊按照先后順序依次連接,信號(hào)從輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端進(jìn)入,從輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端輸出。在電路中引入分流反饋技術(shù),通過(guò)加入反饋電阻、電容,加強(qiáng)低頻帶寬擴(kuò)展;引入雙感應(yīng)峰值技術(shù),通過(guò)在晶體管基極和集電極加入電感,增大增益,改善噪聲性能;引入諧振反饋補(bǔ)償均衡技術(shù),通過(guò)加入諧振反饋電感、電容,補(bǔ)償高頻增益,進(jìn)一步拓展帶寬。上述技術(shù)降低了電路的復(fù)雜度,拓展了帶寬,減小了芯片面積,具有重大的實(shí)踐意義。

技術(shù)研發(fā)人員:孟凡易,趙增龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者:天津大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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