本發(fā)明涉及一種制造具有配線層的配線結(jié)構(gòu)體的方法。

背景技術(shù)：

1、在具備半導體元件的半導體裝置中，有時設(shè)置包括連接到半導體元件的再配線層等微細配線的配線結(jié)構(gòu)體。配線結(jié)構(gòu)體有時通過半加成法而形成，該半加成法包括如下工序：將具有包括開口的圖案的抗蝕劑層形成于種子層上，在開口內(nèi)在種子層上形成電解鍍層；去除抗蝕劑層；及通過蝕刻而去除種子層的不必要部分(例如，專利文獻1)。作為形成配線層的另一種方法，還提出了溝槽法，該溝槽法通過感光性樹脂材料來形成構(gòu)成配線層的絕緣層，在通過曝光及顯影被圖案化的絕緣層的開口內(nèi)形成電解鍍層(例如，專利文獻2)。

2、以往技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2004-06773號公報

5、專利文獻2：日本特開2018-85358號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、本發(fā)明涉及一種新穎方法，其能夠以高精度制造具有包括微細配線的配線層的配線結(jié)構(gòu)體。

3、用于解決技術(shù)課題的手段

4、本發(fā)明包括以下內(nèi)容。

5、一種制造配線結(jié)構(gòu)體的方法，其包括如下工序：

6、在基板的一個主面上設(shè)置抗蝕劑層；

7、將所述抗蝕劑層通過曝光及顯影進行圖案化，由此形成具有包括所述基板的表面的底面和包括所述抗蝕劑層的表面的壁面的溝槽；

8、形成種子層，所述種子層包括在所述溝槽內(nèi)從所述底面上的位置到所述壁面上的位置連續(xù)形成的溝槽內(nèi)種子部、以及設(shè)置于所述抗蝕劑層的與所述基板相反的一側(cè)并與所述溝槽內(nèi)種子部連續(xù)形成的溝槽外種子部；

9、在所述種子層上形成金屬鍍層，所述金屬鍍層包括與所述溝槽內(nèi)種子部一同填充所述溝槽的填充鍍敷部和設(shè)置于所述溝槽外種子部上的部分；

10、去除所述金屬鍍層的一部分及所述溝槽外種子部，以使所述抗蝕劑層露出且所述填充鍍敷部殘留；及

11、從所述基板的所述主面上去除所述抗蝕劑層，以使包括所述溝槽內(nèi)種子部及所述填充鍍敷部的配線殘留。

12、根據(jù)[1]所述的方法，其中，

13、所述方法還包括如下工序：形成阻擋層，所述阻擋層包括在所述溝槽內(nèi)從所述底面上的位置到所述壁面上的位置連續(xù)形成的部分，

14、在所述阻擋層上形成所述種子層，

15、所述抗蝕劑層從所述基板的所述主面上被去除，以使所述阻擋層與所述配線一同殘留。

16、根據(jù)[1]或[2]所述的方法，其中，

17、該方法還包括如下工序：在所述基板的所述主面上形成包圍所述配線的絕緣層，由此形成包括所述配線及所述絕緣層的配線層。

18、根據(jù)[3]所述的方法，其中，

19、該方法還包括如下工序：在所述配線層的與所述基板相反的一側(cè)的表面上，層疊包括追加配線及包圍所述追加配線的追加絕緣層的一層以上的追加配線層。

20、發(fā)明效果

21、能夠以高精度制造具有包括微細配線的配線層的配線結(jié)構(gòu)體。

技術(shù)特征：

1.一種制造配線結(jié)構(gòu)體的方法，其包括如下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
一種制造配線結(jié)構(gòu)體的方法，其通過新穎的配線形成方法而制造配線結(jié)構(gòu)體，所述配線形成方法包括如下工序：形成溝槽，所述溝槽具有包括基板表面的底面和包括抗蝕劑層表面的壁面；形成種子層，所述種子層包括在溝槽內(nèi)從底面上的位置到壁面上的位置連續(xù)形成的溝槽內(nèi)種子部；在種子層上形成金屬鍍層，所述金屬鍍層包括與溝槽內(nèi)種子部一同填充溝槽的填充鍍敷部；及去除抗蝕劑層，以使包括溝槽內(nèi)種子部及填充鍍敷部的配線殘留。

技術(shù)研發(fā)人員：東之崎慶
受保護的技術(shù)使用者：株式會社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6