本申請(qǐng)涉及顯示，尤其涉及一種蓋板及其制備方法、顯示模組、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?display，oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、筆記本電腦、臺(tái)式電腦等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

2、但目前的oled顯示產(chǎn)品的性能有待提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請(qǐng)的目的在于提出一種蓋板，有利于消除膜層的擠壓應(yīng)力，避免產(chǎn)生翹曲。

2、基于上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N蓋板，其包括：

3、基底；

4、復(fù)合膜層，位于所述基底的一側(cè)；

5、其中，所述復(fù)合膜層包括正膨脹材料和負(fù)膨脹材料。

6、在其中一種實(shí)施方式中，所述正膨脹材料包括氮化硅，所述負(fù)膨脹材料包括鎢酸鋯。

7、在其中一種實(shí)施方式中，所述正膨脹材料形成正膨脹材料層，所述負(fù)膨脹材料形成負(fù)膨脹材料層，所述負(fù)膨脹材料層與所述正膨脹材料層堆疊設(shè)置；

8、優(yōu)選地，所述負(fù)膨脹材料層和所述正膨脹材料層的厚度比為1/15.5至1/12.5；

9、優(yōu)選地，在垂直于所述復(fù)合膜層的厚度方向，所述正膨脹材料之間形成有間隙，所述負(fù)膨脹材料至少部分位于所述間隙；

10、優(yōu)選地，所述正膨脹材料形成多個(gè)所述正膨脹材料層，所述負(fù)膨脹材料層位于兩個(gè)相鄰的所述正膨脹材料層之間；

11、優(yōu)選地，所述負(fù)膨脹材料層設(shè)置有多個(gè)，多個(gè)所述負(fù)膨脹材料層分別位于不同兩個(gè)相鄰的所述正膨脹材料層之間；

12、優(yōu)選地，每?jī)蓚€(gè)相鄰的所述正膨脹材料層之間設(shè)置有一個(gè)負(fù)膨脹材料層。

13、在其中一種實(shí)施方式中，所述復(fù)合膜層的硬度大于所述基底的硬度；

14、優(yōu)選地，所述基底包括玻璃。

15、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請(qǐng)還公開了一種蓋板的制備方法，其包括：

16、提供一基底；

17、在所述基底的一側(cè)形成復(fù)合膜層；其中，所述復(fù)合膜層包括正膨脹材料和負(fù)膨脹材料。

18、在其中一種實(shí)施方式中，所述在所述基底的一側(cè)形成復(fù)合膜層包括：

19、通過(guò)對(duì)氮?dú)狻⒀趸璋胁暮玩u酸鋯靶材進(jìn)行磁控濺射得到游離態(tài)的氮、游離態(tài)的硅和游離態(tài)的鎢酸鋯，并在所述基底的一側(cè)誘發(fā)沉積形成包括氮化硅和鎢酸鋯的復(fù)合膜層；

20、優(yōu)選地，在所述磁控濺射中，所述鎢酸鋯靶材和所述氧化硅靶材的靶材激發(fā)功率比值為1/15.5至1/12.5；

21、優(yōu)選地，在所述磁控濺射中，所述氧化硅靶材的靶材激發(fā)功率包括0.75-0.85kw，所述鎢酸鋯靶材的靶材激發(fā)功率包括0.01-0.11kw。

22、在其中一種實(shí)施方式中，所述在所述基底的一側(cè)形成復(fù)合膜層，包括：

23、在所述基底的一側(cè)形成堆疊的正膨脹材料層和負(fù)膨脹材料層，所述堆疊的正膨脹材料層和負(fù)膨脹材料層形成所述復(fù)合膜層；

24、優(yōu)選地，在制備過(guò)程中，將所述負(fù)膨脹材料至少部分形成在所述正膨脹材料之間的間隙。

25、優(yōu)選地，所述制備方法還包括：

26、在所述基底的一側(cè)形成堆疊的多個(gè)所述正膨脹材料層和多個(gè)所述負(fù)膨脹材料層，每?jī)蓚€(gè)相鄰的所述正膨脹材料層之間形成有一個(gè)所述負(fù)膨脹材料層。

27、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請(qǐng)還公開了一種顯示模組，其包括屏體以及上述任意一項(xiàng)所述的蓋板，所述蓋板設(shè)置在所述屏體的顯示側(cè)。

28、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請(qǐng)還公開了一種顯示裝置，其包括上述所述的顯示模組。

29、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳w板，通過(guò)在基底上形成包含正膨脹材料和負(fù)膨脹材料的復(fù)合膜層，其中，正膨脹材料用于提升膜層硬度和抗摩擦性能，負(fù)膨脹材料的負(fù)膨脹特性用于抵消正膨脹材料產(chǎn)生的強(qiáng)擠壓應(yīng)力，從而消除復(fù)合膜層中的擠壓應(yīng)力，避免正膨脹材料的擠壓應(yīng)力造成蓋板翹曲，有效改善蓋板的翹曲問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.一種蓋板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蓋板，其特征在于，所述正膨脹材料包括氮化硅，所述負(fù)膨脹材料包括鎢酸鋯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蓋板，其特征在于，所述正膨脹材料形成正膨脹材料層，所述負(fù)膨脹材料形成負(fù)膨脹材料層，所述負(fù)膨脹材料層與所述正膨脹材料層堆疊設(shè)置；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蓋板，其特征在于，所述復(fù)合膜層的硬度大于所述基底的硬度；

5.一種蓋板的制備方法，其特征在于，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蓋板的制備方法，其特征在于，所述在所述基底的一側(cè)形成復(fù)合膜層包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蓋板的制備方法，其特征在于，所述在所述基底的一側(cè)形成復(fù)合膜層，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蓋板的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

9.一種顯示模組，其特征在于，包括：

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的顯示模組。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N蓋板及其制備方法、顯示模組、顯示裝置，其蓋板包括：基底；復(fù)合膜層，位于基底的一側(cè)；其中，復(fù)合膜層包括正膨脹材料和負(fù)膨脹材料。本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳w板，通過(guò)在基底上形成包含正膨脹材料和負(fù)膨脹材料的復(fù)合膜層，其中，正膨脹材料用于提升膜層硬度和抗摩擦性能，負(fù)膨脹材料的負(fù)膨脹特性用于抵消正膨脹材料產(chǎn)生的強(qiáng)擠壓應(yīng)力，從而實(shí)現(xiàn)在超硬鍍膜層中消除膜層中的擠壓應(yīng)力，避免正膨脹材料的擠壓應(yīng)力造成蓋板翹曲，有效改善蓋板的翹曲問(wèn)題。同時(shí)，無(wú)需通過(guò)降低ICP沉積功率來(lái)改善蓋板的翹曲問(wèn)題，可以保持較高的ICP沉積功率，以保證膜層硬度和抗摩擦性能不受影響。

技術(shù)研發(fā)人員：陸勝林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥維信諾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6