1.一種半導體器件，其特征在于，包括位于襯底上的沿第一方向依次交替排布的隔離結(jié)構(gòu)、目標柱；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述中部凸出部在所述襯底的頂面的正投影，位于所述中部凸出部正上方的所述有源柱在所述襯底的頂面的正投影以內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述有源柱在所述襯底的頂面的正投影，位于所述有源柱正下方的位線結(jié)構(gòu)在所述襯底的頂面的正投影以內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述有源柱上設(shè)置有沿所述襯底的厚度方向依次排布的第一摻雜區(qū)、溝道區(qū)及第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)與其正下方的位線結(jié)構(gòu)鄰接，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂面不低于所述第二摻雜區(qū)的頂面；所述第一摻雜區(qū)的摻雜類型與其正下方的阱隔離層的摻雜類型相同，所述第一摻雜區(qū)的摻雜類型與所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述阱隔離層與其正下方的襯底形成pn結(jié)；
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸；所述第二方向與所述第一方向相交且二者均垂直于所述襯底的厚度方向；
8.一種存儲器，其特征在于，包括：
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：
10.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，于所述襯底上形成沿所述第一方向依次交替排布的所述第一隔離層、所述目標柱，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述基于所述導電條得到位線結(jié)構(gòu)及位于所述位線結(jié)構(gòu)與所述襯底之間的阱隔離層，包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)還包括金屬導電層；所述硅化處理所述導電條，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求10-13任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述有源柱的頂面覆蓋有圖案化掩膜層；所述保護層還覆蓋所述圖案化掩膜層的外側(cè)表面；所述于沿所述第一方向相鄰的所述導電條之間形成金屬層，包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述種子層，包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述有源柱上設(shè)置有沿所述襯底的厚度方向依次排布的第一摻雜區(qū)、溝道區(qū)及第二摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)與其正下方的位線結(jié)構(gòu)連接，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂面不低于所述第二摻雜區(qū)的頂面；在形成所述位線結(jié)構(gòu)之后，形成所述第二隔離層，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求11-13任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一隔離層與所述介質(zhì)層的刻蝕選擇比大于1；及/或
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述第一隔離層，包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求10-13任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述導電條，包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求11-13任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述介質(zhì)層，包括：