本公開涉及集成電路，特別是涉及一種存儲單元、存儲結構及其制備方法。

背景技術：

1、隨著存儲技術的發(fā)展，人們對存儲器件的集成度、密度的需求越來越高。

2、傳統(tǒng)技術中，通常通過采用6f2排布以及埋入式字線等制作方式來提高存儲密度。然而，采用這些方式時，在小尺寸下的再微縮會造成器件電學性能極大的下降。此時，進一步的微縮變得十分困難，從而限制了存儲密度的進一步提高。

3、2t0c構架的存儲單元內包括兩個晶體管(讀取晶體管與寫入晶體管)而不設有電容器，從而可以有效降低存儲單元所占面積，進而有助于存儲密度提升。但是，現(xiàn)有2t0c構架的存儲單元的存儲密度仍然難以滿足人們日益增長的需求。

技術實現(xiàn)思路

1、基于此，本公開實施例提供一種可以進一步提高存儲密度的存儲單元、存儲結構及其制備方法。

2、一種存儲單元，包括：

3、共享位線，沿第一方向延伸；

4、共享字線，與所述共享位線沿第二方向排列，且所述共享字線沿第三方向延伸，且所述共享字線包括在所述第一方向上相互連接的寫入字線部以及讀取字線部，所述第一方向與所述第二方向相交，所述第一方向與所述第二方向確定的平面為第一平面，所述第三方向與所述第一平面相交；

5、第一填充結構，位于所述寫入字線部的遠離所述共享位線側壁；

6、寫入溝道結構，包括寫入柵介質層以及寫入溝道層，所述寫入柵介質層沿所述寫入字線部的朝向所述共享位線的側壁、所述寫入字線部的遠離所述讀取字線部的側壁以及所述第一填充結構的各側壁延伸，所述寫入溝道層位于所述寫入柵介質層的遠離所述寫入字線部一側的表面而環(huán)繞所述寫入字線部以及所述第一填充結構；

7、隔離層，包括第一隔離部，所述第一隔離部位于所述寫入溝道層沿所述第一方向遠離所述共享字線的一側；

8、讀取溝道結構，包括讀取柵介質層以及讀取溝道層，所述讀取柵介質層沿所述第一隔離部遠離所述共享字線的側壁、所述第一隔離部遠離所述共享位線的側壁、所述寫入溝道層遠離所述寫入柵介質層的側壁延伸，所述讀取溝道層沿所述共享位線的第二方向的側壁、所述讀取柵介質層遠離所述寫入溝道層一側的表面以及所述讀取字線部的第二方向的側壁延伸。

9、在其中一個實施例中，相對于所述第一填充結構的沿所述第二方向遠離所述共享位線的側壁，所述第一隔離部的沿所述第二方向遠離所述共享位線的側壁更靠近所述共享位線。

10、在其中一個實施例中，所述隔離層還包括第二隔離部，所述第二隔離部位于所述讀取字線部與所述共享位線之間。

11、在其中一個實施例中，所述存儲單元還包括第二填充結構，所述第二填充結構包括第一填充部以及第二填充部，所述第二填充部與所述第一填充部分別位于所述讀取字線部在第二方向上的相對兩側，且所述第一填充部位于所述第二隔離部與所述寫入溝道層之間，所述第二填充部位于所述寫入柵介質層與所述讀取柵介質層之間。

12、在其中一個實施例中，所述第二填充結構還包括第三填充部，所述第三填充部位于所述讀取字線部與所述第二隔離部之間。

13、在其中一個實施例中，讀取字線部包括第一子字線部、第二子字線部以及第三子字線部，所述第一子字線部在第一方向上連接所述寫入字線部，所述第二子字線部以及所述第三子字線部均在第二方向上連接所述第一子字線部，且所述第二子字線部在第二方向上連接所述讀取溝道層，所述第三子字線部與所述第二子字線部分別位于所述第二填充部的在所述第一方向上的兩側。

14、在其中一個實施例中，所述共享位線包括在第二方向上連接的寫入位線部與讀取位線部，所述寫入位線部沿所述第一方向延伸，所述讀取位線部位于所述寫入位線部與所述讀取溝道層之間，所述讀取溝道層位于所述讀取位線部的側壁。

15、在其中一個實施例中，包括：

16、基底；

17、于所述基底沿第三方向堆疊設置的多個存儲單元層，每個所述存儲單元層包括多個權利要求1-7任一項所述的存儲單元，其中，所述共享字線貫穿各所述存儲單元層而被各所述存儲單元層的相關存儲單元共用。

18、一種存儲結構的制備方法，包括：

19、提供基底，所述基底上設有沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第一區(qū)以及第二區(qū)，所述第二區(qū)包括第一子區(qū)與第二子區(qū)，第一子區(qū)位于所述第一區(qū)與所述第二子區(qū)之間，所述第二方向與所述第一方向相交，且所述第一方向與所述第二方向確定的平面為第一平面；

20、于所述基底上形成梳齒狀的堆疊結構，所述堆疊結構包括交替堆疊形成的犧牲材料層與隔離材料層，且所述堆疊結構具有梳齒干與梳齒條，所述梳齒干沿第一方向延伸且位于所述第一區(qū)，所述梳齒條位于所述第二區(qū)，且多個所述梳齒條沿第一方向排布在所述梳齒干上，所述梳齒條之間具有隔離初始結構；

21、于所述梳齒條靠近所述第一區(qū)的一側形成沿第三方向延伸的第一通孔，剩余的所述梳齒條形成環(huán)狀齒條，且于所述第一通孔側壁依次形成寫入溝道材料層、寫入柵介質材料層，且于所述寫入柵介質材料層表面形成寫入字線部與第一填充材料層，所述寫入字線部填充所述第一子區(qū)的第一通孔，所述第一填充材料層填充所述第二子區(qū)的第一通孔，所述第三方向與所述第一平面相交；

22、去除位于所述第二子區(qū)的所述隔離初始結構以及位于所述第一子區(qū)的位于所述寫入字線部一側的隔離初始結構，且去除位于所述第二子區(qū)的所述環(huán)狀齒條，剩余的所述隔離初始結構形成隔離結構，剩余的所述環(huán)狀齒條形成第一子齒與第二子齒，其中，所述第二子齒位于所述隔離結構與所述第一通孔之間，所述第一子齒中的所述隔離材料層形成第一隔離部；

23、沿所述梳齒干在所述第二方向的側壁、所述第一子齒側壁、所述寫入溝道材料層側壁以及所述第二子齒側壁依次形成讀取柵介質材料層以及讀取溝道材料層；

24、去除所述寫入柵介質材料層的、所述寫入溝道材料層的以及所述第二子齒的位于所述寫入字線部與所述隔離結構之間的部分，形成沿所述第三方向延伸的第二通孔；

25、于所述第二通孔內形成與所述寫入溝道材料層間隔設置且連接所述讀取溝道材料層的讀取字線部，所述讀取字線部連接所述寫入字線部而形成共享字線；

26、去除位于所述第一區(qū)的所述隔離材料層而形成鏤空腔，且形成填充所述鏤空腔且連接所述讀取溝道材料層的共享位線；

27、去除所述犧牲材料層，且側面刻蝕所述寫入溝道材料層的、所述寫入柵介質材料層的、所述讀取柵介質材料層的、所述讀取溝道材料層的以及所述第一填充材料層的與所述犧牲材料層相對的部分，以分別形成寫入溝道層、寫入柵介質層、讀取柵介質層、讀取溝道層以及第一填充結構，其中，所述寫入溝道層與所述寫入柵介質層形成寫入溝道結構，所述讀取柵介質層與所述讀取溝道層形成讀取溝道結構。

28、在其中一個實施例中，去除所述寫入柵介質材料層的、所述寫入溝道材料層的以及所述第二子齒的位于所述寫入字線部與所述隔離結構之間的部分，形成第二通孔，包括：

29、去除所述寫入柵介質材料層的、所述寫入溝道材料層的以及所述第二子齒的與所述寫入字線部相對的部分以形成初始開孔，剩余的所述第二子齒形成第三子齒，所述第三子齒中的所述隔離材料層形成第二隔離部，所述第二隔離部與所述第一隔離部形成隔離層。

30、在其中一個實施例中，去除所述寫入柵介質材料層的、所述寫入溝道材料層的以及所述第二子齒與所述寫入字線部相對的部分以形成初始開孔的同時，還去除在所述第二方向上位于所述初始開孔兩側的部分寫入溝道材料層，以形成第一開孔與第二開孔，所述第一開孔連接所述第一區(qū)，所述第一開孔、所述第二開孔以及所述初始開孔形成初始通孔；

31、去除所述讀取柵介質材料層、所述讀取溝道材料層以及所述第二子齒的位于所述寫入字線部與所述隔離結構之間的部分，形成第二通孔，還包括：

32、于所述初始通孔內的部分區(qū)域填充第二填充材料層，所述第二填充材料層包括分別填充于所述第一開孔與第二開孔內的第一填充部材料以及第二填充部材料，剩余的所述初始通孔形成中間通孔，

33、去除在第二方向上位于所述中間通孔側壁的所述讀取柵介質材料層以及寫入柵介質材料層，從而形成第三開孔與第四開孔，所述第三開孔、所述第四開孔與所述中間通孔形成所述第二通孔。

34、在其中一個實施例中，所述第二填充材料層還包括第三填充部材料，所述第三填充部材料填充于所述第三子齒側壁。

35、在其中一個實施例中，所述去除所述犧牲材料層，且側面刻蝕所述寫入溝道材料層的、所述寫入柵介質材料層的、所述讀取柵介質材料層的、所述讀取溝道材料層的以及所述第一填充材料層的與所述犧牲材料層相對的部分的同時，還側面刻蝕所述第二填充材料層的與所述犧牲材料層相對的部分，剩余的第二填充材料層形成第二填充結構。

36、在其中一個實施例中，去除位于所述第一區(qū)的所述隔離材料層而形成鏤空腔，且形成填充所述鏤空腔且連接所述讀取溝道層的共享位線，包括：

37、去除位于所述梳齒干側壁的所述讀取柵介質材料層，以形成第五開孔；

38、去除位于所述第一區(qū)的所述隔離材料層，以形成所述鏤空腔；

39、于所述鏤空腔以及所述第五開孔內形成共享位線，所述共享位線在第三方向上位于相鄰犧牲材料層之間。

40、在其中一個實施例中，所述沿所述梳齒干在第二方向的側壁、所述第一子齒側壁、所述寫入溝道材料層側壁以及所述第二子齒側壁依次形成讀取柵介質材料層以及讀取溝道材料層，包括：

41、沿所述梳齒干在第二方向的側壁、所述第一子齒側壁、所述寫入溝道材料層側壁、所述第二子齒側壁以及所述隔離結構側壁形成所述讀取柵介質材料層，且于所述讀取柵介質材料層遠離所述寫入溝道材料層一側的表面形成讀取溝道材料層；

42、去除位于所述隔離結構側壁的讀取柵介質材料層以及所述讀取溝道材料層。

43、上述存儲單元、存儲結構及其制備方法，存儲單元包括共享字線與共享位線。共享字線包括相互連接的寫入字線部與讀取字線部。寫入字線部可以作為寫入晶體管的寫入字線，讀取字線部可以作為讀取晶體管的讀取字線。并且，共享位線可以同時作為寫入晶體管的寫入位線與讀取晶體管的讀取位線rbl。此時，可以有效節(jié)省存儲單元的布線面積，從而可以有效提高存儲單元密度。同時，此時可以簡化布線工藝。