本發(fā)明涉及一種igbt/mosfet驅(qū)動(dòng)電路，尤其涉及一種自適應(yīng)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電阻的sicmosfet驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

sicmosfet因耐壓高、導(dǎo)通電阻小、開(kāi)關(guān)速度快、散熱性好等特點(diǎn)，推動(dòng)著電力電子變換器向高頻化、高功率密度和小型化的方向發(fā)展。然而，開(kāi)關(guān)速度越快，開(kāi)通過(guò)沖電流和關(guān)斷過(guò)沖電壓越大，寄生電感和器件內(nèi)部結(jié)電容振蕩越嚴(yán)重，從而限制開(kāi)關(guān)頻率的提升，甚至損壞器件。

目前，降低開(kāi)關(guān)過(guò)沖電流電壓的主要方法是降低開(kāi)關(guān)速度，一種方法是增大柵極電阻，這種方法的實(shí)現(xiàn)方法簡(jiǎn)單，抑制效果明顯，但會(huì)造成開(kāi)關(guān)延遲時(shí)間嚴(yán)重延長(zhǎng)以及開(kāi)關(guān)速度嚴(yán)重降低，開(kāi)關(guān)損耗嚴(yán)重增大。另一種實(shí)現(xiàn)方法是在開(kāi)關(guān)器件上或者主功率回路中增加緩沖電路。常用的緩沖電路是rcd緩沖電路，這種緩沖對(duì)關(guān)斷過(guò)沖電壓的抑制效果明顯，但在器件開(kāi)通時(shí)存儲(chǔ)在外加電容中的能量會(huì)通過(guò)器件溝道釋放，增加開(kāi)通過(guò)沖電流，增加開(kāi)通損耗。最后一種方法是將主功率回路的寄生電感與r-l阻尼電路中的電感進(jìn)行耦合，減小回路中寄生電感的影響，但耦合寄生電感的方法復(fù)雜，不易實(shí)現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種自適應(yīng)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電阻的sicmosfet驅(qū)動(dòng)電路，以解決現(xiàn)有sicmosfet驅(qū)動(dòng)電路在降低開(kāi)關(guān)過(guò)沖電流電壓時(shí)導(dǎo)致的開(kāi)關(guān)速度低、開(kāi)關(guān)損耗嚴(yán)重的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種自適應(yīng)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電阻的sicmosfet驅(qū)動(dòng)電路，包括：

脈沖信號(hào)發(fā)生器，用于提供一主脈沖信號(hào)和至少一個(gè)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)；

放大電路，用于接收主脈沖信號(hào)，并對(duì)主脈沖信號(hào)進(jìn)行放大處理后發(fā)送至sicmosfet以驅(qū)動(dòng)sicmosfet動(dòng)作；

輸出調(diào)節(jié)電路，用于接收開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)，并根據(jù)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)調(diào)節(jié)sicmosfet的柵極的驅(qū)動(dòng)電阻。

進(jìn)一步地，輸出調(diào)節(jié)電路包括連接在放大電路的輸出端和sicmosfet的柵極之間的輸出模塊,以及分別與脈沖信號(hào)發(fā)生器的輸出端、放大電路的輸出端和sicmosfet的柵極連接的調(diào)節(jié)模塊。

進(jìn)一步地，輸出模塊包括第四電阻r4；第四電阻r4的一端與放大電路的輸出端連接，另一端與sicmosfet的柵極和nmos管的漏極連接。

進(jìn)一步地，調(diào)節(jié)模塊包括至少一個(gè)晶體管調(diào)節(jié)單元；晶體管調(diào)節(jié)單元包括一nmos管和連接在該nmos管的源極的電阻；其中，各晶體管調(diào)節(jié)單元的電阻的另一端與放大電路的輸出端連接；各晶體管調(diào)節(jié)單元的nmos管的漏極分別與輸出模塊的輸出端和sicmosfet的柵極連接，各晶體管調(diào)節(jié)單元的nmos管的柵極與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接以分別接收一個(gè)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)。

進(jìn)一步地，調(diào)節(jié)模塊包四個(gè)晶體管調(diào)節(jié)單元,晶體管調(diào)節(jié)單元包括一nmos管和連接在該nmos管的源極的電阻；其中，各晶體管調(diào)節(jié)單元的電阻的另一端與放大電路的輸出端連接；各晶體管調(diào)節(jié)單元的nmos管的漏極分別與輸出模塊的輸出端和sicmosfet的柵極連接，各晶體管調(diào)節(jié)單元的nmos管的柵極與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接以分別接收一個(gè)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)。

具體地，四個(gè)晶體管調(diào)節(jié)單元包括第二nmos管q2和連接在其源極的第五電阻r5組成的第一晶體管調(diào)節(jié)單元、由第三nmos管q3和連接在其源極的第七電阻r7組成的第二nmos管調(diào)節(jié)單元、由第四nmos管q4和連接在其源極的第十電阻r10組成的第三nmos管調(diào)節(jié)單元以及由第五nmos管q5和連接在其源極的第十二電阻r12組成的第四nmos管調(diào)節(jié)單元。

第五電阻r5、第七電阻r7、第十電阻r10和第十二電阻r12均與第四電阻r4的一端連接；第二nmos管q2、第三nmos管q3、第四nmos管q4和第五nmos管q5的漏極均與第四電阻r4的另一端以及sicmosfet的柵極連接。

進(jìn)一步地，第二nmos管q2的柵極通過(guò)第一保護(hù)電阻rg1與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第三nmos管q3的柵極通過(guò)第二保護(hù)電阻rg2與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第四nmos管q4的柵極通過(guò)第三保護(hù)電阻rg3與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第五nmos管q5的柵極通過(guò)第四保護(hù)電阻rg4與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接。

進(jìn)一步地，該驅(qū)動(dòng)電路還包括與設(shè)置在脈沖信號(hào)發(fā)生器與放大電路之間的第一隔離電路。第一隔離電路包括第一光電隔離器op1；第一光電隔離器op1的輸入端的一端通過(guò)第八電阻r8與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，另一端通過(guò)第六電阻r6接地；第一光電隔離器op1的輸入端的兩端之間通過(guò)第五耦合電容c5連接；第一光電隔離器op1的輸出端與放大電路連接，且同時(shí)通過(guò)第九電阻r9接地。

進(jìn)一步地，該驅(qū)動(dòng)電路還包括設(shè)置在脈沖信號(hào)發(fā)生器與各晶體管調(diào)節(jié)單元的晶體管的柵極之間的第二隔離電路；第二隔離電路包括第二光電隔離器op2和第三光電隔離器op3；第二光電隔離器op2的第一輸入端通過(guò)第十一電阻r11與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第二輸入端通過(guò)第十三電阻r13與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第一輸出端與第一保護(hù)電阻rg1連接，第二輸出端與第二保護(hù)電阻rg2連接；第三光電隔離器op3的第一輸入端通過(guò)第十五電阻r15與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第二輸入端通過(guò)第十六電阻r16與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第一輸出端與第三保護(hù)電阻rg3連接，第二輸出端與第四保護(hù)電阻rg4連接。

進(jìn)一步地，該驅(qū)動(dòng)電路還包括與輸出調(diào)節(jié)電路并聯(lián)連接的快速開(kāi)關(guān)電路，即該快速開(kāi)關(guān)電路并聯(lián)在第四電阻r4的兩端，包括串聯(lián)連接的續(xù)流二極管d1和第三電阻r3，且續(xù)流二極管d1的正極性端第三電阻r3的一端連接，續(xù)流二極管d1的負(fù)極性端連接至放大電路的輸出端。

進(jìn)一步地，該驅(qū)動(dòng)電路還包括為其供電的供電單元。

放大電路包括驅(qū)動(dòng)芯片u1，連接在驅(qū)動(dòng)芯片u1的供電電源端和接地端之間的第六耦合電容c6，以及連接在驅(qū)動(dòng)芯片u1的輸出端和接地端之間的第七耦合電容c7；驅(qū)動(dòng)芯片u1的輸入端與第一光電隔離器op1的輸出端連接，驅(qū)動(dòng)芯片u1的輸出端與輸出調(diào)節(jié)電路連接。

供電電路包括第一供電單元和第二供電單元；第一供電單元包括第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1、第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2、齊納二極管d2和第一晶體管q1；第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的正輸出端分別與齊納二極管d2的p極和第一晶體管q1的集電極連接，第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的負(fù)輸出端與第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2的正輸出端之間通過(guò)第二耦合電容c2連接，第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2的負(fù)輸出端接地；第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的公共端與正輸出端之間連接有第一電容c1；齊納二極管d2與第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的正輸出端之間連接有第一電阻r1；第一晶體管q1的基極通過(guò)第二電阻r2連接至第一電阻r1和齊納二極管d2之間的節(jié)點(diǎn)，第一晶體管q1的發(fā)射極通過(guò)第三電容c3接地，第一晶體管q1的集電極與第一隔離電路的供電端連接。

第二供電單元包括第三dc-dc轉(zhuǎn)換器p2，第三dc-dc轉(zhuǎn)換器p2的正輸出端與第二隔離電路的供電端連接。

第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1、第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2的和第三dc-dc轉(zhuǎn)換器p2的輸入端均勻外接直流電源連接。

本發(fā)明的有益效果為：通過(guò)利用經(jīng)過(guò)隔離后的開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)調(diào)節(jié)各晶體管調(diào)節(jié)單元的各晶體管的開(kāi)通時(shí)間，使不同晶體管調(diào)節(jié)單元的晶體管的導(dǎo)通支路的電阻切換，實(shí)現(xiàn)在sicmosfet開(kāi)關(guān)過(guò)程的不同階段，sicmosfet的柵極電阻阻值可調(diào)節(jié)的目的，且該驅(qū)動(dòng)電路既能保證開(kāi)關(guān)速度，又能降低開(kāi)關(guān)損耗并抑制開(kāi)關(guān)過(guò)程中的過(guò)沖電壓電流。此外，該柵極電阻的調(diào)節(jié)方式與其它方法相比較為簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)，成本較低。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或相似的部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電路原理框圖；

圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的第一供電單元、第一隔離電路、放大電路和輸出調(diào)節(jié)電路的電路原理圖；

圖3為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的第二隔離電路的電路原理圖；

圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的第一供電單元的原理圖；

圖5為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的排針的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示的自適應(yīng)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電阻的sicmosfet驅(qū)動(dòng)電路，包括脈沖信號(hào)發(fā)生器，通過(guò)排針(如圖5所示)與脈沖信號(hào)發(fā)生器的輸出端連接的第一隔離電路和第二隔離電路，與第一隔離電路的輸出端連接的放大電路，分別與放大電路和第二隔離電路的輸出端連接的輸出調(diào)節(jié)電路，以及用于為第一隔離電路、第二隔離電路和放大電路供電的供電電路。

下面分別對(duì)各個(gè)組件進(jìn)行詳細(xì)描述：

該脈沖信號(hào)發(fā)生器用于提供一主脈沖信號(hào)和至少一個(gè)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)，主脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)放大處理后為sicmosfet提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)；開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)用于控制輸出調(diào)節(jié)電路中各晶體管調(diào)節(jié)單元的開(kāi)通時(shí)間，進(jìn)一步控制sicmosfet的柵極的電阻阻值。其中，脈沖信號(hào)的產(chǎn)生可通過(guò)cpld、fpga或單片機(jī)等其他處理器實(shí)現(xiàn)。

輸出調(diào)節(jié)電路包括連接在放大電路的輸出端和sicmosfet的柵極之間的輸出模塊,以及分別與脈沖信號(hào)發(fā)生器的輸出端、放大電路的輸出端和sicmosfet的柵極連接的調(diào)節(jié)模塊。

該輸出模塊包括第四電阻r4；第四電阻r4的一端與放大電路的輸出端連接，另一端與sicmosfet的柵極和nmos管的漏極連接。

該調(diào)節(jié)模塊包括至少一個(gè)晶體管調(diào)節(jié)單元；晶體管調(diào)節(jié)單元包括一nmos管和連接在該nmos管的源極的電阻；其中，各晶體管調(diào)節(jié)單元的電阻的另一端與放大電路的輸出端連接；各晶體管調(diào)節(jié)單元的nmos管的漏極分別與輸出模塊的輸出端和sicmosfet的柵極連接，各晶體管調(diào)節(jié)單元的nmos管的柵極與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接以分別接收一個(gè)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)。

特別的，根據(jù)mosfet的導(dǎo)通特性，調(diào)節(jié)模塊可以設(shè)置四個(gè)并聯(lián)連接的晶體管調(diào)節(jié)單元。如圖2所示，調(diào)節(jié)模塊的四個(gè)晶體管調(diào)節(jié)單元包括第二nmos管q2和連接在其源極的第五電阻r5組成的第一晶體管調(diào)節(jié)單元、由第三nmos管q3和連接在其源極的第七電阻r7組成的第二nmos管調(diào)節(jié)單元、由第四nmos管q4和連接在其源極的第十電阻r10組成的第三nmos管調(diào)節(jié)單元以及由第五nmos管q5和連接在其源極的第十二電阻r12組成的第四nmos管調(diào)節(jié)單元。第五電阻r5、第七電阻r7、第十電阻r10和第十二電阻r12均與第四電阻r4的一端連接；第二nmos管q2、第三nmos管q3、第四nmos管q4和第五nmos管q5的漏極均與第四電阻r4的另一端以及sicmosfet的柵極連接；第二nmos管q2的柵極、第三nmos管q3的柵極、第四nmos管q4的柵極和第五nmos管q5的柵極均與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接。

工作時(shí)，由于sicmosfet在開(kāi)通過(guò)程中分為四個(gè)開(kāi)通階段；第一階段，sicmosfet接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)，gs1開(kāi)始充電，柵極電壓還沒(méi)有到達(dá)vgs(th)，導(dǎo)電溝道沒(méi)有形成，sicmosfet仍處于關(guān)閉狀態(tài)；第二階段，gs間電壓到達(dá)vgs(th)，ds間導(dǎo)電溝道開(kāi)始形成，sicmosfet開(kāi)啟，ds電流增加到id，cgs2迅速充電，vgs由vgs(th)指數(shù)增長(zhǎng)到；第三階段，sicmosfet的ds電壓降至與vgs相同，產(chǎn)生millier效應(yīng)，cgd電容大大增加，柵極電流持續(xù)流過(guò)，由cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對(duì)cgs的充電，從而使得vgs近乎水平狀態(tài)，cgd電容上電壓增加；而ds電容上的電壓繼續(xù)減??；第四階段，sicmosfet的ds電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓效應(yīng)影響變小，cgd電容變小并和cgs電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電，cgs電容的電壓上升，此時(shí)cgs電容電壓達(dá)到穩(wěn)態(tài)，sicmosfet完全開(kāi)啟。

并且，由于sicmosfet的開(kāi)關(guān)與關(guān)斷由柵源電壓來(lái)控制，故本申請(qǐng)通過(guò)設(shè)置四個(gè)不同的晶體管調(diào)節(jié)單元，通過(guò)cpld/fpga控制開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)控制四個(gè)晶體管調(diào)節(jié)單元的晶體管根據(jù)sicmosfet在開(kāi)關(guān)過(guò)程的四個(gè)開(kāi)通階段依次開(kāi)通，即不同晶體管調(diào)節(jié)單元的晶體管的導(dǎo)通支路的源極電阻與第四電阻r4(固定電阻)并聯(lián)的阻值即為sicmosfet的柵極電阻阻值，又由于第五電阻r5、第七電阻r7、第十電阻r10和第十二電阻r12的阻值各不相同，即可通過(guò)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)控制各晶體管的導(dǎo)通進(jìn)行電阻切換，根據(jù)sicmosfet在開(kāi)通過(guò)程逐漸依次減小sicmosfet的柵極電阻，即實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)調(diào)節(jié)sicmosfet的柵極電阻，其調(diào)節(jié)迅速準(zhǔn)確，可達(dá)到既能保證開(kāi)關(guān)速度，降低開(kāi)關(guān)損耗，又能防止誤導(dǎo)通的目的。

為防止mosfet被擊穿損壞，第二nmos管q2的柵極通過(guò)第一保護(hù)電阻rg1與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第三nmos管q3的柵極通過(guò)第二保護(hù)電阻rg2與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第四nmos管q4的柵極通過(guò)第三保護(hù)電阻rg3與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，第五nmos管q5的柵極通過(guò)第四保護(hù)電阻rg4與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接。

為避免主回路中的強(qiáng)電干擾控制回路中的弱電，同時(shí)使得驅(qū)動(dòng)電路的輸入輸出端可以使用不同的地，避免其之間的干擾，該驅(qū)動(dòng)電路還包括與設(shè)置在脈沖信號(hào)發(fā)生器與放大電路之間的第一隔離電路和設(shè)置在脈沖信號(hào)發(fā)生器與輸出調(diào)節(jié)電路之間的第二隔離電路，用于對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的控制部分和主回路隔離。

其中，如圖2所示，第一隔離電路用于隔離主脈沖信號(hào)，其包括第一光電隔離器op1；第一光電隔離器op1的輸入端的一端通過(guò)第八電阻r8與脈沖信號(hào)發(fā)生器連接，另一端通過(guò)第六電阻r6接地；第一光電隔離器op1的輸入端的兩端之間通過(guò)第五耦合電容c5連接；第一光電隔離器op1的輸出端與放大電路連接，且同時(shí)通過(guò)第九電阻r9接地。

如圖3所示，第二隔離電路用于隔離開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)，其包括第二光電隔離器op2和第三光電隔離器op3。第二光電隔離器op2和第三光電隔離器op3的輸入端分別與脈沖信號(hào)發(fā)生器輸出的四個(gè)開(kāi)關(guān)控制脈沖信號(hào)vg1、vg2、vg3、vg4相連接。

并且，該驅(qū)動(dòng)電路還包括與輸出調(diào)節(jié)電路并聯(lián)連接的快速開(kāi)關(guān)電路，即該快速開(kāi)關(guān)電路并聯(lián)在第四電阻r4的兩端，包括串聯(lián)連接的續(xù)流二極管d1和第三電阻r3，且續(xù)流二極管d1的正極性端第三電阻r3的一端連接，續(xù)流二極管d1的負(fù)極性端連接至放大電路的輸出端；sicmosfet導(dǎo)通的時(shí)候經(jīng)過(guò)第四電阻r4，關(guān)斷的時(shí)候經(jīng)過(guò)續(xù)流二極管和第三電阻r3串聯(lián)，快速放掉sicmosfet柵源結(jié)電容上的電荷，使得sicmosfet截止過(guò)程中加快,大大提高開(kāi)關(guān)效率。

其中，上述放大電路包括驅(qū)動(dòng)芯片u1，連接在驅(qū)動(dòng)芯片u1的供電電源端和接地端之間的第六耦合電容c6，以及連接在驅(qū)動(dòng)芯片u1的輸出端和接地端之間的第七耦合電容c7；驅(qū)動(dòng)芯片u1的輸入端與第一光電隔離器op1的輸出端連接，驅(qū)動(dòng)芯片u1的輸出端與輸出調(diào)節(jié)電路連接。

此外，由于nmos管具有控制方式方便，輸入電阻高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗干擾能力強(qiáng)，功耗低等特性，故該柵極電阻的調(diào)節(jié)方式與其它方法相比較為簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)，且成本較低。

該驅(qū)動(dòng)電路還包括用于為放大器、第一隔離電路和第二隔離電路供電的供電單元，供電電路包括第一供電單元和第二供電單元，其通過(guò)不同的dc-dc轉(zhuǎn)換器將外接12v直流電壓分別轉(zhuǎn)換成適合于電路各部分所要求的電壓。

其中，第一供電單元用于為放大器和第一隔離電路提供工作電壓，其包括第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1、第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2、齊納二極管d2和第一晶體管q1；第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的正輸出端分別與齊納二極管d2的p極和第一晶體管q1的集電極連接，第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的負(fù)輸出端與第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2的正輸出端之間通過(guò)第二耦合電容c2連接，第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2的負(fù)輸出端接地；第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的公共端與正輸出端之間連接有第一電容c1；齊納二極管d2與第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1的正輸出端之間連接有第一電阻r1；第一晶體管q1的基極通過(guò)第二電阻r2連接至第一電阻r1和齊納二極管d2之間的節(jié)點(diǎn)，第一晶體管q1的發(fā)射極通過(guò)第三電容c3接地，第一晶體管q1的集電極與第一隔離電路的供電端連接。

如圖4所示，第二供電單元用于為第二隔離電路提供工作電壓，第二隔離電路包括第三dc-dc轉(zhuǎn)換器p2，第三dc-dc轉(zhuǎn)換器p2的正輸出端與第二隔離電路的供電端連接。第一dc-dc轉(zhuǎn)換器x1、第二dc-dc轉(zhuǎn)換器x2的和第三dc-dc轉(zhuǎn)換器p2的輸入端均勻外接直流電源連接。

最后說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。