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技術(shù)編號：12828404

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一種自適應(yīng)調(diào)節(jié)驅(qū)動電阻的SiCMOSFET驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種IGBT/MOSFET驅(qū)動電路，尤其涉及一種自適應(yīng)調(diào)節(jié)驅(qū)動電阻的SiCMOSFET驅(qū)動電路。背景技術(shù)SiCMOSFET因耐壓高、導(dǎo)通電阻小、開關(guān)速度快、散熱性好等特點(diǎn)，推動著電力電子變換器向高頻化、高功率密度和小型化的方向發(fā)展。然而，開關(guān)速度越快，開通過沖電流和關(guān)斷過沖電壓越大，寄生電感和器件內(nèi)部結(jié)電容振蕩越嚴(yán)重，從而限制開關(guān)頻率的提升，甚至損壞器件。目前，降低開關(guān)過沖電流電壓的主要方法是降低開關(guān)速度，一種方法是增大柵極電阻...
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