本發(fā)明涉及一種電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種定子鐵芯及鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片。
背景技術(shù):
現(xiàn)有電機(jī)為了提高電機(jī)生產(chǎn)效率和自動(dòng)化水平,將電機(jī)的定子設(shè)計(jì)成鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)。即一個(gè)定子等分成與槽數(shù)相等的份數(shù),每塊鐵芯之間不斷開,像一條鐵鏈般展開,生產(chǎn)時(shí)可以一起繞完線,再合成一個(gè)整圓就形成了一個(gè)定子。
現(xiàn)有鏈?zhǔn)借F芯結(jié)構(gòu)成圓后存在突起,若使用在非塑封殼電機(jī),與機(jī)殼為點(diǎn)接觸,無法與機(jī)殼緊密配合,故現(xiàn)有鏈?zhǔn)借F芯結(jié)構(gòu)僅應(yīng)用于塑封電機(jī),無法實(shí)現(xiàn)應(yīng)用于非塑封殼電機(jī)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
有鑒于此,本發(fā)明提供一種定子鐵芯及鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片,解決現(xiàn)有技術(shù)鏈?zhǔn)借F芯結(jié)構(gòu)成圓后存在突起,無法與機(jī)殼緊密配合的問題。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明主要提供如下技術(shù)方案:
一方面,本發(fā)明提供一種鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片,所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片成圓后用于定子鐵芯,包括若干個(gè)順次連接的齒形單元,相鄰兩個(gè)齒形單元之間通過連接部連接,在所述連接部的內(nèi)側(cè)設(shè)有折回槽,在所述連接部的外側(cè)設(shè)有內(nèi)凹的過渡結(jié)構(gòu),使所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片成圓后,所述過渡結(jié)構(gòu)的整體不超出成圓后定子鐵芯的外圓。
優(yōu)選地,所述過渡結(jié)構(gòu)為凹槽,包括位于凹槽底部的第一直邊和位于凹槽兩側(cè)的第一側(cè)邊、第二側(cè)邊,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊連接在所述第一直邊的兩側(cè)。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊與所述第一直邊的連接處采用圓角過渡連接,和/或,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊與所述齒形單元的連接處采用圓角過渡連接。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊,和/或,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊與所述齒形單元的連接處分別與所述第一直邊呈鈍角。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊相對(duì)于所述第一直邊呈左右對(duì)稱。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊分別與所述第一直邊呈135°角。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊呈弧線形狀。
優(yōu)選地,所述折回槽的底部設(shè)有減應(yīng)力槽。
優(yōu)選地,所述減應(yīng)力槽為圓形或橢圓形。
優(yōu)選地,所述折回槽呈倒V形,并且所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片成圓后,所述折回槽的兩個(gè)側(cè)邊緣相抵接。
優(yōu)選地,所述齒形單元呈倒工字形,使所述鏈?zhǔn)借F芯片成圓后,相鄰兩個(gè)齒形單元之間圍繞形成梯形的空間。
另一方面,本發(fā)明還提供一種定子鐵芯,包括若干個(gè)鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片,若干個(gè)所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片成圓后層疊連接,所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片使用以上所述的鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片。
本發(fā)明所述的鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片,在兩個(gè)齒形單元之間增加一個(gè)過渡結(jié)構(gòu),保證鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片在成圓后將過渡結(jié)構(gòu)控制在成圓后定子鐵芯直徑以內(nèi),保證與機(jī)殼為面接觸,增加了接觸面積,保證定子鐵芯與機(jī)殼緊密配合,可應(yīng)用于非塑封殼電機(jī),如伺服電機(jī)等,增加了該定子鐵芯的應(yīng)用場合;克服了鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯無法應(yīng)用于其他殼體電機(jī)的難題。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1中A處局部放大結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是現(xiàn)有鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片的成圓后結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是圖3中B處局部放大結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是本發(fā)明實(shí)施例所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6是圖5中C處局部放大結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7是本發(fā)明實(shí)施例所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片的成圓后結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8是圖7中D處局部放大結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:
10、鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片;101、第一連接結(jié)構(gòu);102、第二連接結(jié)構(gòu);
11、齒形單元;
12、連接部;
13、折回槽;131、減應(yīng)力槽;
14、過渡結(jié)構(gòu);141、第一直邊;142、第一側(cè)邊;143、第二側(cè)邊;
15、扣位。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
如圖1-4所示,現(xiàn)有鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片的齒形單元之間的連接部位,在鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片成圓以后會(huì)形成突起,該突起突出于定子鐵芯的外圓,導(dǎo)致定子鐵芯與機(jī)殼之間的固定是通過突起部位的點(diǎn)進(jìn)行固定,使定子鐵芯與機(jī)殼之間無法緊密配合。
如圖5-8所示,本發(fā)明實(shí)施例提供一種鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10,所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10成圓后用于定子鐵芯,包括若干個(gè)順次連接的齒形單元11,相鄰兩個(gè)齒形單元11之間通過連接部12連接,在所述連接部12的內(nèi)側(cè)設(shè)有折回槽13,在所述連接部12的外側(cè)設(shè)有內(nèi)凹的過渡結(jié)構(gòu)14,使所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10成圓后,所述過渡結(jié)構(gòu)14的整體不超出成圓后定子鐵芯的外圓。
基于本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的理解,所述齒形單元11的數(shù)量應(yīng)與定子槽的數(shù)量相同,使所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10成圓后形成相等數(shù)量的定子槽。
本發(fā)明所述的鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片,在兩個(gè)齒形單元之間增加一個(gè)過渡結(jié)構(gòu),保證鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片在成圓后將過渡結(jié)構(gòu)控制在成圓后定子鐵芯直徑以內(nèi),保證與機(jī)殼為面接觸,增加了接觸面積,保證定子鐵芯與機(jī)殼緊密配合,可應(yīng)用于非塑封殼電機(jī),如伺服電機(jī)等,增加了該定子鐵芯的應(yīng)用場合;克服了鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯無法應(yīng)用于其他殼體電機(jī)的難題。
優(yōu)選地,所述過渡結(jié)構(gòu)14為凹槽,包括位于凹槽底部的第一直邊141和位于凹槽兩側(cè)的第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143,所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143連接在所述第一直邊141的兩側(cè)。
采用第一直邊131與兩側(cè)的側(cè)邊結(jié)合的方式,第一直邊141與折回槽13對(duì)應(yīng),當(dāng)所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片成圓時(shí),所述折回槽13的槽口縮小甚至折回槽13的兩邊抵接,從而使與所述折回槽13的位置對(duì)應(yīng)的第一直邊141也產(chǎn)生形變,由于第一直邊131及兩側(cè)的側(cè)邊構(gòu)成凹槽結(jié)構(gòu),這樣不僅有效降低第一直邊141的應(yīng)力集中,也可以確保第一直邊141和兩側(cè)的側(cè)邊都不超出成圓后定子鐵芯的外圓。
本實(shí)施例中,所述第一側(cè)邊、第二側(cè)邊可以是直線形狀,也可以是弧線形狀。
優(yōu)選地,當(dāng)所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143為直線形狀時(shí),所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143與所述第一直邊141的連接處采用圓角過渡連接;并且所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143與所述齒形單元11的連接處也采用圓角過渡連接。采用圓角過渡連接,可以進(jìn)一步有效降低第一直邊141和第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143的連接位置的應(yīng)力集中,使整個(gè)過渡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)更合理。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143分別與所述第一直邊141呈鈍角。采用鈍角的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅便于工藝上成型,也可以有效降低應(yīng)力集中。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143相對(duì)于所述第一直邊141呈左右對(duì)稱。采用對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可以使所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定,布局也更合理。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143分別與所述第一直邊141呈135°角。
優(yōu)選地,所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143也可以是弧線形狀,所述第一側(cè)邊143、第二側(cè)邊143與所述第一直邊141的連接處,所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143與所述齒形單元11的連接處,采用圓角過渡連接。
基于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解,所述第一側(cè)邊142、第二側(cè)邊143也可以是其他形狀。
優(yōu)選地,所述折回槽13呈倒V形,并且所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10成圓后,所述折回槽13的兩個(gè)側(cè)邊緣相抵接。
優(yōu)選地,所述折回槽13的底部設(shè)有減應(yīng)力槽131。減應(yīng)力槽的設(shè)計(jì),可以大幅度降低所述折回槽13在折回過程中產(chǎn)生的應(yīng)力集中,確保產(chǎn)品具有更好的穩(wěn)定性,使產(chǎn)品具有更長的使用壽命。
優(yōu)選地,所述減應(yīng)力槽131為圓形或橢圓形。采用圓形或者橢圓形的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使減應(yīng)力槽131具有更好的減應(yīng)力效果。
優(yōu)選地,所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10的首端設(shè)有第一連接結(jié)構(gòu)101,尾端設(shè)有第二連接結(jié)構(gòu)102,所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10成圓時(shí),所述第一連接結(jié)構(gòu)101與所述第二連接結(jié)構(gòu)102適配連接,并且所述第一連接結(jié)構(gòu)101、所述第二連接結(jié)構(gòu)102均不超出成圓后定子鐵芯的外圓。
在確保過渡結(jié)構(gòu)的整體不超出成圓后定子鐵芯的外圓的同時(shí),還需要確保所述第一連接結(jié)構(gòu)101、第二連接結(jié)構(gòu)102均不超出成圓后定子鐵芯的外圓。從而保證整個(gè)鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片在成圓后,沒有突起突出于外圓表面。
在本實(shí)施例中,所述第一連接結(jié)構(gòu)101和所述第二連接結(jié)構(gòu)102可以如圖中所示的臺(tái)階形狀,也可以是相互契合的其他形狀,例如齒牙形狀。
優(yōu)選地,所述齒形單元11呈倒工字形,使所述鏈?zhǔn)借F芯片成圓后,相鄰兩個(gè)齒形單元之間圍繞形成梯形的空間,用于容置定子鐵芯的線圈。所述齒形單元的外側(cè)邊呈弧形,并且齒形單元的弧度與定子鐵芯外圓的弧度相等。
本發(fā)明還提供一種定子鐵芯,包括若干個(gè)鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片,若干個(gè)所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片成圓后層疊連接,所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片使用以上所述的鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10。所述鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片10之間通過扣位15進(jìn)行層疊連接。
本實(shí)施例提供的定子鐵芯,使用所述的鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片,在兩個(gè)齒形單元之間增加一個(gè)過渡結(jié)構(gòu),保證鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯片在成圓后將過渡結(jié)構(gòu)控制在成圓后定子鐵芯直徑以內(nèi),保證與機(jī)殼為面接觸,增加了接觸面積,保證定子鐵芯與機(jī)殼緊密配合,可應(yīng)用于非塑封殼電機(jī),如伺服電機(jī)等,增加了該定子鐵芯的應(yīng)用場合;克服了鏈?zhǔn)蕉ㄗ予F芯無法應(yīng)用于其他殼體電機(jī)的難題。
綜上所述,本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是,在不沖突的前提下,上述各有利方式可以自由地組合、疊加。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。