一種dc-dc轉(zhuǎn)換電路和dc-dc芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于直流電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，提供了一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路和DC-DC芯片。在本發(fā)明中，根據(jù)DC-DC輸出端的反饋電壓的變化控制分流模塊對(duì)充放電模塊的充電電流進(jìn)行分流，從而改變充放電模塊的充電電流，進(jìn)而改變充放電電容的充電時(shí)間，進(jìn)一步使振蕩電路的振蕩周期發(fā)生改變，達(dá)到軟啟動(dòng)的目的，本發(fā)明提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)ζ滠泦?dòng)周期進(jìn)行調(diào)節(jié)，而不需要芯片專用引腳且不需要增加充放電電容的容量，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，降低了電路的成本，而且可以抑制電路啟動(dòng)時(shí)輸出端的浪涌電流，消除電壓過(guò)沖。
【專利說(shuō)明】—種DC-DC轉(zhuǎn)換電路和DC-DC芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于直流電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，尤其涉及一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路和DC-DC芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]DC-DC轉(zhuǎn)換電路在上電時(shí)，輸出端會(huì)有很大的浪涌電流，還有可能出現(xiàn)電壓過(guò)沖，這些都會(huì)給DC-DC轉(zhuǎn)換電路所在的電子系統(tǒng)造成不確定影響，因此需要軟啟動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換電路的平穩(wěn)啟動(dòng)，來(lái)限制浪涌電流，消除輸出電壓過(guò)沖。
[0003]一般的軟啟動(dòng)電路都需要芯片專用引腳來(lái)外接電容以達(dá)到軟啟動(dòng)的功能，這就造成了芯片應(yīng)用時(shí)電路的復(fù)雜以及應(yīng)用成本的提高。在現(xiàn)有技術(shù)中，DC-DC轉(zhuǎn)換電路(芯片)內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)電路，但是由于軟啟動(dòng)的時(shí)間和充電電容的充電時(shí)間呈正比，而充電電流不會(huì)改變，當(dāng)要較長(zhǎng)的軟啟動(dòng)時(shí)間時(shí)，必須增加充電電容的容量，設(shè)計(jì)復(fù)雜且增加了整個(gè)電路的成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路，旨在解決現(xiàn)有DC-DC轉(zhuǎn)換電路中軟啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)復(fù)雜、成本較高的問(wèn)題。
[0005]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路，包括控制所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動(dòng)周期的振蕩電路，所述振蕩電路包括與充電電源連接的充放電模塊，所述充放電模塊包括與充電電源連接的充放電電容，所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路還包括:
[0006]第一電源端和第二電源端分別與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的參考電壓輸出端和電壓反饋端連接，輸入端與所述充放電模塊的充電線路連接，輸出端接地，用于根據(jù)所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的反饋電壓的變化對(duì)所述充放電模塊在充電過(guò)程中的電流進(jìn)行分流以調(diào)節(jié)所述振蕩周期的分流模塊。
[0007]進(jìn)一步地，所述振蕩電路還包括生成振蕩信號(hào)的振蕩器。
[0008]進(jìn)一步地，所述充放電模塊包括至少一個(gè)充放電電容。
[0009]進(jìn)一步地，所述分流模塊包括第一運(yùn)算放大器Ul以及第一開關(guān)管；
[0010]所述第一運(yùn)算放大器Ul的反相輸入端為所述分流模塊的第一電源端，所述第一運(yùn)算放大器Ul的正相輸入端為所述分流模塊的第二電源端，所述運(yùn)算放大器的輸出端與所述第一開關(guān)管的控制端連接，所述第一開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第一開關(guān)管的低電位端為所述分流模塊的輸出端。
[0011]進(jìn)一步地，所述第一開關(guān)管為第一 NMOS管；
[0012]所述第一 NMOS管的柵極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NMOS管的漏極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NMOS管的源極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
[0013]進(jìn)一步地，所述第一開關(guān)管為第一 NPN型三極管；
[0014]所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
[0015]進(jìn)一步地，所述分流模塊包括:
[0016]第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管、第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管、第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管、第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)
管以及第二開關(guān)管；
[0017]所述第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第一電源端，所述第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極與所述第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極以及所述第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接，所述第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的偏置電流輸出端連接，所述第二PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的電源端連接，所述第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第二電源端，所述第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極以及所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接，所述第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極共接于所述第二開關(guān)管的低電位端，所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述第二開關(guān)管的控制端連接，所述第二開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第二開關(guān)管的低電位端為所述第二開關(guān)管的低電位端。
[0018]進(jìn)一步地，所述第二開關(guān)管為第二 NMOS管；
[0019]所述第二 NMOS管的柵極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NMOS管的漏極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NMOS管的源極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
[0020]進(jìn)一步地，所述第二開關(guān)管為第二 NPN型三極管；
[0021]所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
[0022]本發(fā)明還提供了一種DC-DC芯片，所述DC-DC芯片包括如上任一所述的DC-DC轉(zhuǎn)
換電路。
[0023]在本發(fā)明中，根據(jù)DC-DC輸出端的反饋電壓的變化控制分流模塊對(duì)充放電電容的充電電流進(jìn)行分流，從而改變充放電模塊的充電電流，進(jìn)而改變充放電模塊的充電時(shí)間，進(jìn)一步使振蕩電路的振蕩周期發(fā)生改變，達(dá)到軟啟動(dòng)的目的，本發(fā)明提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)ζ滠泦?dòng)周期進(jìn)行調(diào)節(jié)，而不需要芯片專用引腳且不需要增加充放電電容的容量，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，降低了電路的成本，而且可以抑制電路啟動(dòng)時(shí)輸出端的浪涌電流，消除電壓過(guò)沖。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路的模塊結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的分流模塊的模塊結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的分流模塊的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0027]圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的分流模塊的另一電路結(jié)構(gòu)圖；
[0028]圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的分流模塊的模塊結(jié)構(gòu)圖；
[0029]圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的分流模塊的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0030]圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的分流模塊的另一電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】[0031]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0032]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述:
[0033]圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路的模塊結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅列出與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下:
[0034]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路包括控制所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動(dòng)周期的振蕩電路101，振蕩電路101包括與充電電源VCC連接的充放電模塊1011，DC-DC轉(zhuǎn)換電路還包括:
[0035]第一電源端和第二電源端分別與DC-DC轉(zhuǎn)換電路的參考電壓輸出端Vkef和電壓反饋端Vfb連接，輸入端與充放電模塊1011的充電線路連接，輸出端接地，用于根據(jù)DC-DC轉(zhuǎn)換電路的反饋電壓Vkef的變化對(duì)充放電模塊1011在充電過(guò)程中的電流進(jìn)行分流以調(diào)節(jié)振蕩器1012的振蕩周期的分流模塊102。
[0036]在本發(fā)明實(shí)施例中，分流模塊102的輸入端與充放電模塊1011的充電線路連接，其連接位置并不限定，只要能對(duì)充放電模塊1011的充電電流進(jìn)行分流，分流模塊102在整個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換電路的啟動(dòng)過(guò)程中接收到輸出端的反饋信號(hào)Vfb，分流模塊102根據(jù)反饋電壓Vfb的變化(從小到大)對(duì)充放電模塊1011的充電電流進(jìn)行分流，從而影響充放電模塊1011的充電時(shí)間，由于振蕩電路101產(chǎn)生的振蕩周期與充放電模塊1011的充電時(shí)間成正比，當(dāng)充電電流變小時(shí)，充電時(shí)間必然變長(zhǎng)，振蕩電路101的振蕩周期變長(zhǎng)，從而對(duì)振蕩電路101的振蕩周期進(jìn)行調(diào)節(jié)，達(dá)到DC-DC轉(zhuǎn)換電路的軟啟動(dòng)的目的。
[0037]作為本發(fā)明一實(shí)施例，振蕩電路101還包括生成振蕩信號(hào)的振蕩器1012。
[0038]作為本發(fā)明一實(shí)施例，充放電模塊1011包括至少一個(gè)充放電電容C。
[0039]在本發(fā)明實(shí)施例中，充放電模塊1011可包含一個(gè)或多個(gè)串/并聯(lián)的充放電電容，根據(jù)改變充放電電容的連接方式或數(shù)量，可以改變充放電模塊1011的充放電容量，進(jìn)而改變充放電時(shí)間和振蕩電路的生成信號(hào)的周期，由于一個(gè)充放電電容或多個(gè)充放電電容的工作原理基本相同，為了便于說(shuō)明，以下實(shí)施例中都以采用一個(gè)充放電電容進(jìn)行說(shuō)明。
[0040]實(shí)施例一:
[0041]圖2示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的分流模塊102的模塊結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅列出與本發(fā)明第一實(shí)施相關(guān)的部分，詳述如下:
[0042]如圖2所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，分流模塊102包括第一運(yùn)算放大器Ul以及第一開關(guān)管1021 ；
[0043]第一運(yùn)算放大器Ul的反相輸入端為分流模塊102的第一電源端，第一運(yùn)算放大器Ul的正相輸入端為分流模塊102的第二電源端,第一運(yùn)算放大器Ul的輸出端與第一開關(guān)管1021的控制端連接，第一開關(guān)管1021的高電位端為分流模塊102的輸入端，第一開關(guān)管1021的低電位端為分流模塊102的輸出端。
[0044]如圖3所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，第一開關(guān)管為第一 NMOS管Ql ；
[0045]第一 NMOS管Ql的柵極為第一開關(guān)管1021的控制端，第一 NMOS管Ql的漏極為第一開關(guān)管1021的高電位端,第一 NMOS管Ql的源極為第一開關(guān)管1021的低電位端。
[0046]如圖4所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，第一開關(guān)管1021為第一 NPN型三極管Q2 ；[0047]第一 NPN型三極管Q2的基極為第一開關(guān)管1021的控制端，第一 NPN型三極管Q2的基極為第一開關(guān)管1021的高電位端，第一 NPN型三極管Q2的發(fā)射極為第一開關(guān)管1021的低電位端。
[0048]下面對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施例提供的分流模塊的工作原理以第一開關(guān)管1021為第一NMOS管Ql為例進(jìn)行說(shuō)明:
[0049]當(dāng)DC-DC轉(zhuǎn)換電路上電以后，此時(shí)振蕩器1012開始工作，由于DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓由低電平慢慢上升，所以反饋電壓Vfb同樣由OV開始上升，當(dāng)反饋電壓Vfb小于參考電壓Vkef時(shí)，運(yùn)算放大器Ul輸出電平相對(duì)較高，此時(shí)控制第一 NMOS管Ql導(dǎo)通，充放電電容C的充電電流I會(huì)有部分電流I2進(jìn)入分流模塊102，使得充放電電容C的充電電流變小，則充放電電容C的充電時(shí)間變長(zhǎng)，振蕩器1012的振蕩周期變大；隨著DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓逐漸變大，此時(shí)的反饋電壓Vfb也在變大，當(dāng)反饋電壓Vfb大于參考電壓Vkef時(shí)，運(yùn)算放大器Ul的輸出電壓變小，流入第一 NMOS管Ql的電流I2變小，充放電電容C的充電電流I1變大，從而使充放電電容C的充電時(shí)間漸漸變短，振蕩器1012的振蕩周期變小，通過(guò)分流模塊102對(duì)充放電電容C充電電流的漸變控制使振蕩器1012的振蕩周期漸變，進(jìn)而達(dá)到DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動(dòng)的目的。
[0050]實(shí)施例二:
[0051]圖5示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的分流模塊的模塊結(jié)構(gòu)圖，為了便于說(shuō)明，僅列出與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下:
[0052]如圖5所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，分流模塊102包括:
[0053]第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3、第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q4、第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5、第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6以及第二開關(guān)管1022 ；
[0054]第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極為分流模塊102的第一電源端，第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極與第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極以及第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的源極連接，第二PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極與DC-DC轉(zhuǎn)換電路的偏置電流輸出端連接，第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極與DC-DC轉(zhuǎn)換電路的電源端連接，第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的柵極為分流模塊102的第二電源端，第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的漏極與第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的漏極以及第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的柵極連接，第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極與第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的源極共接于第二開關(guān)管1022的低電位端，第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6的柵極與第二開關(guān)管1022的控制端連接，第二開關(guān)管1022的高電位端為分流模塊102的輸入端，第二開關(guān)管的低電位端為第二開關(guān)管1022的低電位端。
[0055]如圖6所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，第二開關(guān)管1022為第二 NMOS管Q7 ；
[0056]第二 NMOS管Q7的柵極為第二開關(guān)管1022的控制端，第二 NMOS管Q7的漏極為第二開關(guān)管1022的高電位端，第二 NMOS管Q7的源極為第二開關(guān)管1022的低電位端。
[0057]如圖7所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，第二開關(guān)管1022為第二 NPN型三極管Q8 ；
[0058]第二 NPN型三極管Q8的基極為第二開關(guān)管1022的控制端，第二 NPN型三極管Q8的基極為第二開關(guān)管1022的高電位端，第二 NPN型三極管Q8的發(fā)射極為第二開關(guān)管1022的低電位端。
[0059]下面對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施例提供的分流模塊的工作原理以第二開關(guān)管1022為第二NMOS管Q7進(jìn)行說(shuō)明:[0060]當(dāng)DC-DC轉(zhuǎn)換電路上電以后，此時(shí)振蕩器1012開始工作，由于DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓由低電平慢慢上升，所以反饋電壓Vfb同樣由OV開始上升，當(dāng)反饋電壓Vfb小于參考電壓Vkef時(shí)，流過(guò)第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的電流大于流過(guò)第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的電路，經(jīng)由第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q6鏡像后，流入第二 NMOS管Q7的電流I2隨著流過(guò)第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的電流變化而變化，即有電流流入分流模塊102，使得充放電電容C的充電電流I1變小，充電時(shí)間變長(zhǎng)，振蕩器1012的振蕩周期變大；隨著DC-DC轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓逐漸變大，此時(shí)的反饋電壓Vfb也在變大，從而控制流過(guò)第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管Q5的電流變小，進(jìn)而流入第二 NMOS管Q7的電流I2變小，從而充放電電容C的充電電流I1變大，充電時(shí)間漸漸變短，周期變小通過(guò)分流模塊102對(duì)充放電電容C充電電流的漸變控制使振蕩器1012的振蕩周期漸變，進(jìn)而達(dá)到DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動(dòng)的目的。
[0061]在本發(fā)明第一實(shí)施例和第二實(shí)施例中，分流模塊102中第一開關(guān)管1021和第二開關(guān)管1022面前的電路結(jié)構(gòu)并不限于上述兩種，只要是采用將DC-DC轉(zhuǎn)換電路輸出端的反饋電壓Vfb與參考電壓Vkef進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果控制分流電流I2的大小的方法都屬于本發(fā)明保護(hù)的內(nèi)容。
[0062]本發(fā)明還提供了一種DC-DC芯片，該DC-DC芯片包括上述任一所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路。
[0063]在本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)DC-DC輸出端的反饋電壓的變化控制分流模塊對(duì)充放電電容的充電電流進(jìn)行分流，從而改變充放電模塊的充電電流，進(jìn)而改變充放電模塊的充電時(shí)間，進(jìn)一步使振蕩電路的振蕩周期發(fā)生改變，達(dá)到軟啟動(dòng)的目的，本發(fā)明提供的DC-DC轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)ζ滠泦?dòng)周期進(jìn)行調(diào)節(jié)，而不需要芯片專用引腳且不需要增加充放電電容的容量，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，降低了電路的成本，而且可以抑制電路啟動(dòng)時(shí)輸出端的浪涌電流，消除電壓過(guò)沖。
[0064]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種DC-DC轉(zhuǎn)換電路，包括控制所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路軟啟動(dòng)周期的振蕩電路，所述振蕩電路包括與充電電源連接的充放電模塊，其特征在于，所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路還包括: 第一電源端和第二電源端分別與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的參考電壓輸出端和電壓反饋端連接，輸入端與所述充放電模塊的充電線路連接，輸出端接地，用于根據(jù)所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的反饋電壓的變化對(duì)所述充放電模塊在充電過(guò)程中的電流進(jìn)行分流以調(diào)節(jié)所述振蕩周期的分流模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述振蕩電路還包括生成振蕩信號(hào)的振蕩器。
3.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述充放電模塊包括至少一個(gè)充放電電容。
4.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述分流模塊包括第一運(yùn)算放大器以及第一開關(guān)管； 所述第一運(yùn)算放大器的反相輸入端為所述分流模塊的第一電源端，所述第一運(yùn)算放大器的正相輸入端為所述分流模塊的第二電源端，所述運(yùn)算放大器的輸出端與所述第一開關(guān)管的控制端連接，所述第一開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第一開關(guān)管的低電位端為所述分流模塊的輸出端。
5.如權(quán)利要求4所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管為第一NMOS管； 所述第一 NMOS管的柵極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NMOS管的漏極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NMOS管的源極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
6.如權(quán)利要求4所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管為第一NPN型三極管；` 所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的控制端，所述第一 NPN型三極管的基極為所述第一開關(guān)管的高電位端，所述第一 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第一開關(guān)管的低電位端。
7.如權(quán)利要求1所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述分流模塊包括: 第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管、第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管、第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管、第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管以及第二開關(guān)管； 所述第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第一電源端，所述第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極與所述第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極以及所述第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接，所述第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的偏置電流輸出端連接，所述第二 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極與所述DC-DC轉(zhuǎn)換電路的電源端連接，所述第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極為所述分流模塊的第二電源端，所述第三PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極以及所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接，所述第一 PMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的源極共接于所述第二開關(guān)管的低電位端，所述第四NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述第二開關(guān)管的控制端連接，所述第二開關(guān)管的高電位端為所述分流模塊的輸入端，所述第二開關(guān)管的低電位端為所述第二開關(guān)管的低電位端。
8.如權(quán)利要求7所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為第二NMOS管； 所述第二 NMOS管的柵極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NMOS管的漏極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NMOS管的源極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
9.如權(quán)利要求7所述的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管為第二NPN型三極管； 所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的控制端，所述第二 NPN型三極管的基極為所述第二開關(guān)管的高電位端，所述第二 NPN型三極管的發(fā)射極為所述第二開關(guān)管的低電位端。
10.一種DC-DC芯片，其特征在于，所述DC-DC芯片包括如權(quán)利要求1_9任一所述的DC-DC轉(zhuǎn)換 電路。
【文檔編號(hào)】H02M3/07GK103560665SQ201310554340
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
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