專利名稱：一種晶閘管驅(qū)動(dòng)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種晶閘管的驅(qū)動(dòng)方法及裝置。
背景技術(shù)：
晶閘管(SCR)具有以下特征I)驅(qū)動(dòng)只能將晶閘管的陰極陽極(AK極)打開，而不能將其關(guān)斷，晶閘管只能依靠自身AK極電流降到O而關(guān)斷；2)在有驅(qū)動(dòng)的情況下，晶閘管相當(dāng)于一個(gè)二極管，具有正向?qū)ㄘ?fù)向關(guān)斷性，能隔斷反向電壓。在高頻整流領(lǐng)域，雙BOOST拓?fù)溆捎诩嫒葜绷骱徒涣鬏斎雰煞N方式，在中等功率級(jí)別的整流器中有著廣泛應(yīng)用。圖I為雙BOOST電路結(jié)構(gòu)示意圖，該電路的工作原理為電網(wǎng)電壓AC通過第一晶閘管Q1、第二晶閘管Q2進(jìn)行整流，電網(wǎng)電壓AC處于正半周時(shí)，第一晶 閘管Q1、第一電感LI、第一場(chǎng)效應(yīng)管Q3、第一二極管D1、第一電容Cl工作，電網(wǎng)電壓AC經(jīng)過第一晶閘管Ql整流后得到正電壓，正電壓經(jīng)過第一電感LI、第一場(chǎng)效應(yīng)管Q3、第一二極管D1、第一電容Cl組成的BOOST電路，升壓得到第一電容Cl兩端的正邊直流電壓。同理，電網(wǎng)電壓AC處于副半周時(shí)，通過第二晶閘管Q2整流后得到負(fù)電壓，負(fù)電壓經(jīng)過第二電感L2、第二晶閘管Q4、第二二極管D2、第二電容C2組成的BOOST電路，升壓得到第二電容C2兩端的負(fù)邊直流電壓。在電路工作過程中，第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2的驅(qū)動(dòng)裝置持續(xù)向第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電平信號(hào)或者高頻脈沖信號(hào)。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)圖I所示BOOST電路中第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2的驅(qū)動(dòng)損耗很大。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本申請(qǐng)要解決的技術(shù)問題是，提供一種晶閘管的驅(qū)動(dòng)方法及裝置，能夠降低晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。為此，本申請(qǐng)實(shí)施例采用如下技術(shù)方案本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶閘管驅(qū)動(dòng)方法，包括檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值，根據(jù)所述負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值與所述負(fù)載值反相關(guān)；在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值之前還包括檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角，根據(jù)各個(gè)晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間，將檢測(cè)到的相位角所在相位角區(qū)間對(duì)應(yīng)的晶閘管確定為所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管。根據(jù)負(fù)載值確定若干個(gè)相位角包括
所述負(fù)載值小于第一閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定NI個(gè)位置分布近似均勻的相位角；所述負(fù)載值不小于第一閾值且小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N2個(gè)相位角，其中分布于所述相位角區(qū)間兩側(cè)的相鄰相位角之間的間隔小于分布于所述相位角區(qū)間中部的相鄰相位角之間的間隔；所述負(fù)載值不小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N3個(gè)相位角，其中，所述N3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)；所述第一閾值小于所述第二閾值，所述第一閾值和所述第二閾值均大于O ;N1、N2、N3為自然數(shù)，NI大于N2，N2大于N3。在每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū) 動(dòng)信號(hào)包括確定所述每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)；對(duì)于每個(gè)相位角，根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段。根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段包括將包含該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)且時(shí)長為tl的時(shí)間段作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，tl大于O。晶閘管所在電路為升壓BOOST電路時(shí)，還包括檢測(cè)BOOST電路中第一電容和/或第二電容的電容電壓，判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值大于預(yù)設(shè)差值閾值時(shí)，同時(shí)向所有晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置，包括負(fù)載值檢測(cè)單元，用于檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值；相位角確定單元，用于根據(jù)負(fù)載值檢測(cè)單元檢測(cè)的所述負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值與所述負(fù)載值反相關(guān)；信號(hào)輸出單元，用于在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。還包括檢測(cè)單元，用于檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角；晶閘管確定單元，用于根據(jù)各個(gè)晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間，將檢測(cè)單元檢測(cè)到的相位角所在相位角區(qū)間對(duì)應(yīng)的晶閘管確定為當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管。相位角確定單元具體用于所述負(fù)載值小于第一閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定NI個(gè)位置分布近似均勻的相位角；所述負(fù)載值不小于第一閾值且小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N2個(gè)相位角，其中分布于相位角區(qū)間兩側(cè)的相鄰相位角之間的間隔小于分布于相位角區(qū)間中部的相鄰相位角之間的間隔；所述負(fù)載值不小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N3個(gè)相位角，其中，所述N3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)；第一閾值小于第二閾值，第一閾值和第二閾值均大于O ;N1、N2、N3為自然數(shù)，NI大于N2，N2大于N3。信號(hào)輸出單元包括時(shí)間點(diǎn)確定模塊，用于根據(jù)檢測(cè)到的電網(wǎng)電壓的相位角，確定每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)；時(shí)段確定模塊，用于對(duì)于每個(gè)相位角，根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段。時(shí)段確定模塊具體用于將包含該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)且時(shí)長為tl的時(shí)間段作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，tl大于O。晶閘管所在電路為BOOST電路時(shí)，還包括 電壓檢測(cè)單元，用于檢測(cè)BOOST電路中第一電容和/或第二電容的電容電壓；判斷單元，用于判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值是否大于預(yù)設(shè)差值閾值；信號(hào)輸出單元還用于判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值大于預(yù)設(shè)差值閾值時(shí)，同時(shí)向所有晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。對(duì)于上述技術(shù)方案的技術(shù)效果分析如下檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值，根據(jù)負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述負(fù)載值與所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值反相關(guān)；在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。從而不再持續(xù)為各個(gè)晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，只在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間內(nèi)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段為晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在保證晶閘管正常工作的情況下，降低了晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)雙BOOST電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為持續(xù)高電平驅(qū)動(dòng)信號(hào)示意圖；圖3為聞?lì)l脈沖/[目號(hào)不意圖；圖4為本申請(qǐng)晶閘管驅(qū)動(dòng)方法第一實(shí)施例示意圖；圖5為本申請(qǐng)晶閘管驅(qū)動(dòng)方法第二實(shí)施例示意圖；圖5a 圖5c為本申請(qǐng)晶閘管驅(qū)動(dòng)方法在不同負(fù)載值下的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出實(shí)例；圖6為本申請(qǐng)晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置第一實(shí)施例示意圖；圖7為本申請(qǐng)晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置第二實(shí)施例示意圖；圖8為本申請(qǐng)晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置第三實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)中，市電正常工作時(shí)，晶閘管的驅(qū)動(dòng)裝置一般持續(xù)向第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，把這兩個(gè)晶閘管當(dāng)做二極管使用。從前述圖I所示的雙BOOST電路工作原理可知，在電網(wǎng)電壓AC正半周需要第一晶閘管Ql導(dǎo)通，在電網(wǎng)電壓AC負(fù)半周需要第二晶閘管Q2導(dǎo)通。根據(jù)晶閘管的反向電壓隔斷特征，理論上，現(xiàn)有技術(shù)中將第一晶閘管Q1、第二晶閘管Q2的驅(qū)動(dòng)持續(xù)打開，在電網(wǎng)電壓AC正半周，第二晶閘管Q2會(huì)由于兩端加載負(fù)電壓而關(guān)斷，在電網(wǎng)電壓AC負(fù)半周，第一晶閘管Ql由于兩端加載負(fù)電壓而關(guān)斷，圖I所示的電路是可以正常工作的。現(xiàn)有技術(shù)中持續(xù)向第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào),具體的,一般向第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出如圖2所示的持續(xù)高電平的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，或者向第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出如圖3所示的高頻脈沖信號(hào)。由于晶閘管為電流驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體，只要G極和S極有一定大小的電流通過，AK極就可以過正電流，使得晶閘管正向?qū)?。圖2所示的持續(xù)高電平的驅(qū)動(dòng)信號(hào)能夠保證晶閘管的GK極有一持續(xù)的電壓，電壓產(chǎn)生持續(xù)的電流，晶閘管正向?qū)āD3所示的高頻脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)原理與圖2基本相同，這里不贅述。但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在電網(wǎng)電壓AC的正半周，第二晶閘管Q2由于承受負(fù)電壓，會(huì)產(chǎn)生漏電流，在對(duì)第二晶閘管Q2持續(xù)驅(qū)動(dòng)的情況下，產(chǎn)生的所述漏電流會(huì)更大，導(dǎo)致漏電流損耗增大；而且，由于BOOST電路工作過程中，晶閘管的驅(qū)動(dòng)裝置持續(xù)向第一晶閘管Ql和第 二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)損耗大。有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶閘管的驅(qū)動(dòng)方法及裝置，能夠降低類似如圖I所示BOOST電路中晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。當(dāng)然，本申請(qǐng)實(shí)施例的晶閘管驅(qū)動(dòng)方法及裝置并不僅限于應(yīng)用在圖I所示的BOOST電路中，只要電路中的晶閘管只工作于電網(wǎng)電壓一個(gè)周期的某一個(gè)相位角區(qū)間內(nèi)，都可以使用本申請(qǐng)所述晶閘管驅(qū)動(dòng)方法及裝置進(jìn)行該晶閘管的驅(qū)動(dòng)。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例晶閘管的驅(qū)動(dòng)方法示意圖,如圖4所示,該方法包括步驟401 :檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值，根據(jù)所述負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值與所述負(fù)載值反相關(guān)；步驟402 :在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。圖4所示的晶閘管驅(qū)動(dòng)方法中，在所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段為所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而不再如現(xiàn)有技術(shù)般持續(xù)不斷的一直向晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而是只在晶閘管需要工作的相位角區(qū)間內(nèi)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段才向晶閘管斷續(xù)地輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，降低了對(duì)于晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例晶閘管驅(qū)動(dòng)方法的第二實(shí)施例，如圖5所示，該方法包括步驟501 :檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角，根據(jù)各個(gè)晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間，將檢測(cè)到的相位角所在相位角區(qū)間對(duì)應(yīng)的晶閘管確定為當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管。本步驟中所述檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角可以通過捕捉電網(wǎng)電壓的上升過零點(diǎn)實(shí)現(xiàn)。具體的，可以通過DSP等設(shè)備每隔一定的時(shí)間，例如20ms捕捉一次電網(wǎng)電壓AC的上升過零點(diǎn)，所述上升過零點(diǎn)是指電網(wǎng)電壓從負(fù)電壓轉(zhuǎn)換到正電壓時(shí)經(jīng)過的零點(diǎn)；之后，可以根據(jù)捕捉到的該次上升過零點(diǎn)通過計(jì)數(shù)器預(yù)判電網(wǎng)電壓AC的相位角。假設(shè)計(jì)數(shù)器每上升I所花費(fèi)的時(shí)間為a，則計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)到10mS/a時(shí)就可以認(rèn)為電網(wǎng)電壓進(jìn)入下半個(gè)周期，計(jì)數(shù)到20mS/a時(shí)就可以認(rèn)為電網(wǎng)電壓進(jìn)入下一個(gè)周期，通過這種方式可以得到電網(wǎng)電壓AC的相位角。本步驟中所述檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角的第二種方式是通過三相電網(wǎng)電壓的電壓采樣，假設(shè)三相電網(wǎng)電壓分別為Va(t)、Vb(t)、VC(t)，則經(jīng)過α β ζ坐標(biāo)變換得到兩相坐標(biāo)系下的電壓矢量Xa= (2Va (t) -Vb (t) -Vc (t)) /3X β = (Vb (t) -Vc (t)) /3172Xm= (X α 2+Χ β 2) /1/2其中，Va(t)、Vb(t)、Vc(t)分別表示三相電網(wǎng)電壓；Χα表示α β坐標(biāo)系下α軸；Χβ表示α β坐標(biāo)系下β軸；Xm表示α β坐標(biāo)系下三相電壓的模。通過Θ =arcos (X a/Xm)或者Θ =arcos (X β/Xm)就可以求出電網(wǎng)電壓AC的相位角Θ。 例如，在圖I所示的BOOST電路中，第一晶閘管Ql工作于電網(wǎng)電壓AC的正半周，其對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間為(Γ180度，而第二晶閘管Q2工作于電網(wǎng)電壓AC的負(fù)半周，其對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間為18(Γ360度；此時(shí)，如果檢測(cè)到電網(wǎng)電壓處于正半周(相位角為(Γ180度)，則確定第一晶閘管Ql為當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管；如果檢測(cè)到電網(wǎng)電壓處于負(fù)半周(相位角為18(Γ360度)，則確定第二晶閘管Q2為當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管。步驟502 :檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值，根據(jù)負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角。其中，所述晶閘管所在電路根據(jù)晶閘管所處電路不同而不同，例如，當(dāng)對(duì)圖I中所述第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，晶閘管所在電路即為圖I所示的BOOST電路。優(yōu)選地，所述負(fù)載值與所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值反相關(guān)，也即，負(fù)載值越大，確定的相位角數(shù)量越少，負(fù)載值越小，確定的相位角數(shù)量越多。在電路負(fù)載值越大時(shí)，例如圖I中所示的第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2在工作中電流不下降為O的可能性越大，只要晶閘管的電流不下降為0，晶閘管對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)裝置即使不對(duì)晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，晶閘管依然導(dǎo)通。因此，負(fù)載值增大時(shí)，可以相應(yīng)的減少相位角的數(shù)量，進(jìn)而減少相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，減少向晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)間，進(jìn)一步減少對(duì)于晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。其中，本步驟中所述根據(jù)負(fù)載值確定若干個(gè)相位角可以包括(I)所述負(fù)載值小于第一閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定NI個(gè)位置分布均勻的相位角；(2)所述負(fù)載值不小于第一閾值且小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N2個(gè)相位角，其中分布于相位角區(qū)間兩側(cè)的相鄰相位角之間的間隔小于分布于相位角區(qū)間中部的相鄰相位角之間的間隔；(3)所述負(fù)載值不小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N3個(gè)相位角，其中，所述N3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)；N1、N2、N3 為自然數(shù)，NI 大于 N2，N2 大于 N3。當(dāng)所述負(fù)載值通過晶閘管所屬電路中實(shí)際負(fù)載值與該電路額定負(fù)載值的比值表示時(shí)，所述第一閾值、第二閾值的一種實(shí)現(xiàn)方式中，第一閾值可以取值為25%，第二閾值可以取值為50%;但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在實(shí)際應(yīng)用中可以根據(jù)應(yīng)用環(huán)境自主設(shè)置第一閾值、第二閾值的具體數(shù)值，只要第一閾值小于第二閾值，第一閾值和第二閾值均大于O即可；優(yōu)選地，第一閾值和第二閾值均大于O且小于等于I。
對(duì)于(I )，所述NI個(gè)相位角的位置分布均勻并不是指嚴(yán)格均勻，只要近似均勻即可。具體的相位角取值可以自主確定，本申請(qǐng)并不限制。例如，圖I所示的第一晶閘管Ql對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間為0 180度，則確定的相位角可以為0°、30°、60°、90°、120°、150°、180°，此時(shí)，NI為7，且7個(gè)相位角在相位角區(qū)中的分布嚴(yán)格均勻，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，所述7個(gè)相位角也可以通過0°、29. 5° ,59. 54°、90。,120° ,158° ,180°，或者，0°、30。、58。,91. 1° ,125° ,151°、180°等等分布基本均勻但不嚴(yán)格均勻的相 位角取值實(shí)現(xiàn)；再比如，對(duì)于圖I所示的第二晶閘管Q2，其對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間為18(Γ360度，則7個(gè)相位角可以為180°、210°、240°、270°、300°、330°、360°這種分布嚴(yán)格均勻的取值實(shí)現(xiàn)，或者，也可以通過對(duì)某一個(gè)或幾個(gè)角度微調(diào)使其分布基本均勻即可實(shí)現(xiàn)。在實(shí)際應(yīng)用中，所述NI個(gè)相位角位置分布均勻的精度可以自主設(shè)定，例如可以設(shè)置偏差為10度、5度、I度等等，本申請(qǐng)不限制。對(duì)于(2)，所述相位角區(qū)間兩側(cè)以及相位角區(qū)間中部的具體范圍可以在實(shí)際應(yīng)用中自主設(shè)定，例如可以設(shè)置相位角區(qū)間的前后各1/6為相位角區(qū)間的兩側(cè)，相位角區(qū)間中間的1/3為相位角區(qū)間中部；或者，設(shè)置相位角區(qū)間的前后各1/3為相位角區(qū)間的兩側(cè)，相位角區(qū)間中間的1/3為相位角區(qū)間中部等等，以上例子僅為示例，在實(shí)際應(yīng)用中本領(lǐng)域技術(shù)人員可以自主設(shè)定，本申請(qǐng)并不限制。在(2)中，所述若干個(gè)相位角在相位角區(qū)間兩側(cè)分布較密，在相位角區(qū)間中部分布較稀疏，從而在負(fù)載值相對(duì)于(I)中較大時(shí)，保證晶閘管在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中能夠?qū)?，正常工作；而吧小于NI，從而晶閘管的驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)間更短，相對(duì)于(I)進(jìn)一步降低了對(duì)晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。例如，圖I所示的第一晶閘管Ql對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間為O 180度，則在(2)中確定的相位角可以為0°、30°、90°、150°、180°這5個(gè)相位角；對(duì)于圖I所示的第二晶閘管Q2，其對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間為180 360度，則可以取180°、210。、270。、330。、360。;在這兩個(gè)舉例中，相位角的分布仍然是比較均勻的，在實(shí)際應(yīng)用中可以對(duì)相位角進(jìn)行調(diào)整，上述舉例同樣僅為示例，具體的相位角取值本申請(qǐng)并不限制。對(duì)于(3)，參照(2)中的描述所述相位角區(qū)間兩側(cè)的具體范圍可以在實(shí)際應(yīng)用中自主設(shè)定，本申請(qǐng)并不限制。另外，所述Ν3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)也并非嚴(yán)格定義，例如Ν3-1個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)，I個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間兩側(cè)之外的區(qū)域同樣可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于晶閘管的驅(qū)動(dòng)。另外，所述Ν3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)可以為均勻分布、也可以不是均勻分布，只要取值能夠保證晶閘管的導(dǎo)通即可。另外，本實(shí)施例中(I) (2) (3)僅為舉例，意在根據(jù)晶閘管所在電路負(fù)載值的不同進(jìn)一步降低晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗，實(shí)際上，完全可以在以上(I) (2) (3)的舉例下基于保證晶閘管導(dǎo)通這一條件對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行變形，例如在所述負(fù)載值不小于第二閾值時(shí)，使用(2 )或(I)中的條件確定相位角，或者，在負(fù)載值不小于第一閾值且小于第二閾值時(shí)，使用(O中的條件確定相位角等等，這里不再贅述；步驟503 :在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。其中，本步驟的實(shí)現(xiàn)可以包括
根據(jù)檢測(cè)到的電網(wǎng)電壓的相位角，確定所述若干個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)；對(duì)于每個(gè)相位角，根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段。其中，所述根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段可以包括將包含該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)且時(shí)長為tl的時(shí)間段作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，tl大于O。其中，時(shí)長tl的取值本申請(qǐng)并不限制，一般的，只要相鄰連個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段不重疊即可。所述相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)可以為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段的起點(diǎn)、終點(diǎn)或者時(shí)段中的任意一點(diǎn)，這里并不限制。
例如，所述tl的取值可以為1ms，驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段可以為相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)之前O. 5ms開始至相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)之后O. 5ms截止。圖5所示的晶閘管驅(qū)動(dòng)方法中，根據(jù)負(fù)載值的不同，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間內(nèi)確定不同位置的不同數(shù)量的相位角，進(jìn)而在相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段向晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而在保證晶閘管在對(duì)應(yīng)相位角區(qū)間內(nèi)導(dǎo)通的情況下，進(jìn)一步降低了晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。對(duì)圖5的實(shí)現(xiàn)舉具體實(shí)例如下當(dāng)圖5所示的方法對(duì)圖I所示的第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制時(shí)，對(duì)于(I)的情況，確定0°、30。、60。、90。、120。、150。、180。這7個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段對(duì)第一晶閘管Ql輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在180°、210°、240°、270°、300°、330°、360°這7個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段對(duì)第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)；驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)長為Ims,從相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)之前O. 5ms開始,貝U在電網(wǎng)電壓AC的一個(gè)周期內(nèi)對(duì)第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的示意圖如圖5a所示；對(duì)于(2)的情況，確定0°、30。、90。、150。、180。這5個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段對(duì)第一晶閘管Ql輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在180°、210°、270°、330°、360°這5個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段對(duì)第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)；驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)長為Ims,從相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)之前O. 5ms開始，則在電網(wǎng)電壓AC的一個(gè)周期內(nèi)對(duì)第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的示意圖如圖5b所示；對(duì)于(3)的情況，確定0°、30°、150°、180°這4個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段對(duì)第一晶閘管Ql輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在180°、210°、330°、360°這4個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段對(duì)第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)；驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)長為Ims,從相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)之前O. 5ms開始,貝U在電網(wǎng)電壓AC的一個(gè)周期內(nèi)對(duì)第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的示意圖如圖5c所示。由上述實(shí)例可知，使用本申請(qǐng)驅(qū)動(dòng)方法的晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置只要在晶閘管對(duì)應(yīng)相位角區(qū)間的某些時(shí)段進(jìn)行驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出，相較于現(xiàn)有技術(shù)中整個(gè)周期持續(xù)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)而言，大大降低了對(duì)于晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。圖Γ圖5所示的方法應(yīng)用于圖I所示的雙BOOST電路中，對(duì)第一晶閘管Ql和第二晶閘管Q2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，圖Γ圖5所示的方法還可以包括檢測(cè)BOOST電路中第一電容和/或第二電容的電容電壓，判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值大于預(yù)設(shè)差值閾值時(shí)，同時(shí)向所有晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這里向所有晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的持續(xù)時(shí)間可以參考前述的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段的時(shí)長tl的取值，這里不限定。這里的所述所有晶閘管是指需要被本申請(qǐng)所述驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)的BOOST電路中的
所有晶閘管。圖I中第一電容Cl、第二電容C2兩端的負(fù)載突變可能導(dǎo)致異常情況，比如在輕載時(shí)，晶閘管電流為零，而晶閘管驅(qū)動(dòng)剛好處于停止輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)間內(nèi)，如果此時(shí)第一電 容Cl或者第二電容C2兩端負(fù)載值加大，就可能導(dǎo)致晶閘管(例如第一晶閘管Q1、第二晶閘管Q2)不能及時(shí)打開而導(dǎo)致第一電容Cl或者第二電容C2兩端電壓跌落過大的情況。為了避免此情況的發(fā)生，根據(jù)電容電壓下降而增加驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)間，在電容電壓比正常值跌落一定值時(shí)，給電路中所有晶閘管同時(shí)進(jìn)行一次驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出，從而可以避免上述晶閘管不能及時(shí)導(dǎo)通的情況。與上述晶閘管驅(qū)動(dòng)方法相對(duì)應(yīng)的，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置，如圖6所示，該裝置包括負(fù)載值檢測(cè)單元610，用于檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值；相位角確定單元620，用于根據(jù)負(fù)載值檢測(cè)單元檢測(cè)的負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述負(fù)載值與所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值反相關(guān)；信號(hào)輸出單元630，用于在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。其中，如圖7所示，該裝置還可以包括檢測(cè)單元710，用于檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角；晶閘管確定單元720，用于根據(jù)各個(gè)晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間，將檢測(cè)單元檢測(cè)到的相位角所在相位角區(qū)間對(duì)應(yīng)的晶閘管確定為當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管。其中，相位角確定單元620具體可以用于所述負(fù)載值小于第一閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定NI個(gè)位置分布近似均勻的相位角；所述負(fù)載值不小于第一閾值且小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N2個(gè)相位角，其中分布于相位角區(qū)間兩側(cè)的相鄰相位角之間的間隔小于分布于相位角區(qū)間中部的相鄰相位角之間的間隔；所述負(fù)載值不小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N3個(gè)相位角，其中，所述N3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)；第一閾值小于第二閾值，第一閾值和第二閾值均大于O ;N1、N2、N3為自然數(shù)，NI大于N2，N2大于N3。其中，信號(hào)輸出單元630可以通過以下結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)時(shí)間點(diǎn)確定模塊，用于根據(jù)檢測(cè)到的電網(wǎng)電壓的相位角，確定每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)；時(shí)段確定模塊，用于對(duì)于每個(gè)相位角，根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段。
其中，時(shí)段確定模塊具體可以用于將包含該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)且時(shí)長為tl的時(shí)間段作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，tl大于O。優(yōu)選地，晶閘管所在電路為BOOST電路時(shí)，如圖8所示，該裝置還可以包括電壓檢測(cè)單元810，用于檢測(cè)BOOST電路中第一電容和/或第二電容的電容電壓；判斷單元820，用于判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值是否大于預(yù)設(shè)差值閾值；信號(hào)輸出單元630還用于判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值大于預(yù)設(shè)差值閾值時(shí)，同時(shí)向所有晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。8所示的晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置中，負(fù)載值檢測(cè)單元610檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值；相位角確定單元620根據(jù)負(fù)載值檢測(cè)單元檢測(cè)的負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；信號(hào) 輸出單元630在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而只在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段為晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而降低了驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)損耗。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的方法的過程可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)執(zhí)行上述方法中的對(duì)應(yīng)步驟。所述的存儲(chǔ)介質(zhì)可以如R0M/RAM、磁碟、光盤等。以上所述僅是本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請(qǐng)?jiān)淼那疤嵯拢€可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶閘管驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括 檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值，根據(jù)所述負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值與所述負(fù)載值反相關(guān)； 在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值之前還包括 檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角，根據(jù)各個(gè)晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間，將檢測(cè)到的相位角所在相位角區(qū)間對(duì)應(yīng)的晶閘管確定為所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其特征在于，根據(jù)負(fù)載值確定若干個(gè)相位角包括 所述負(fù)載值小于第一閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定NI個(gè)位置分布近似均勻的相位角； 所述負(fù)載值不小于第一閾值且小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N2個(gè)相位角，其中分布于所述相位角區(qū)間兩側(cè)的相鄰相位角之間的間隔小于分布于所述相位角區(qū)間中部的相鄰相位角之間的間隔； 所述負(fù)載值不小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N3個(gè)相位角，其中，所述N3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)； 所述第一閾值小于所述第二閾值，所述第一閾值和所述第二閾值均大于O ;N1、N2、N3為自然數(shù)，NI大于N2，N2大于N3。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)包括 確定所述每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)； 對(duì)于每個(gè)相位角，根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段包括 將包含該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)且時(shí)長為tl的時(shí)間段作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，tl大于
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，晶閘管所在電路為升壓BOOST電路時(shí)，還包括 檢測(cè)BOOST電路中第一電容和/或第二電容的電容電壓，判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值大于預(yù)設(shè)差值閾值時(shí)，同時(shí)向所有晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
7.一種晶閘管驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，包括 負(fù)載值檢測(cè)單元，用于檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值； 相位角確定單元，用于根據(jù)負(fù)載值檢測(cè)單元檢測(cè)的所述負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值與所述負(fù)載值反相關(guān)； 信號(hào)輸出單元，用于在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，還包括 檢測(cè)單元，用于檢測(cè)電網(wǎng)電壓的相位角； 晶閘管確定單元，用于根據(jù)各個(gè)晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間，將檢測(cè)單元檢測(cè)到的相位角所在相位角區(qū)間對(duì)應(yīng)的晶閘管確定為當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的裝置，其特征在于，相位角確定單元具體用于 所述負(fù)載值小于第一閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定NI個(gè)位置分布近似均勻的相位角； 所述負(fù)載值不小于第一閾值且小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N2個(gè)相位角，其中分布于相位角區(qū)間兩側(cè)的相鄰相位角之間的間隔小于分布于相位角區(qū)間中部的相鄰相位角之間的間隔； 所述負(fù)載值不小于第二閾值時(shí)，在晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中確定N3個(gè)相位角，其中，所述N3個(gè)相位角分布于相位角區(qū)間的兩側(cè)； 第一閾值小于第二閾值，第一閾值和第二閾值均大于O ;N1、N2、N3為自然數(shù)，NI大于N2, N2 大于 N3。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，信號(hào)輸出單元包括 時(shí)間點(diǎn)確定模塊，用于根據(jù)檢測(cè)到的電網(wǎng)電壓的相位角，確定每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻占. 時(shí)段確定模塊，用于對(duì)于每個(gè)相位角，根據(jù)該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)確定相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，時(shí)段確定模塊具體用于將包含該相位角對(duì)應(yīng)的時(shí)刻點(diǎn)且時(shí)長為tl的時(shí)間段作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，tl大于O。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，晶閘管所在電路為BOOST電路時(shí)，還包括 電壓檢測(cè)單元，用于檢測(cè)BOOST電路中第一電容和/或第二電容的電容電壓； 判斷單元，用于判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值是否大于預(yù)設(shè)差值閾值；信號(hào)輸出單元還用于判斷電容電壓正常值與電容電壓之間的差值大于預(yù)設(shè)差值閾值時(shí)，同時(shí)向所有晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
全文摘要
本申請(qǐng)公開了一種晶閘管驅(qū)動(dòng)方法及裝置，所述方法包括檢測(cè)晶閘管所在電路的負(fù)載值，根據(jù)負(fù)載值確定若干個(gè)相位角；所述若干個(gè)相位角是位于所述晶閘管對(duì)應(yīng)的相位角區(qū)間中的相位角；所述若干個(gè)相位角的數(shù)量值與所述負(fù)載值反相關(guān)；在所述若干個(gè)相位角中每個(gè)相位角對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出時(shí)段，向所述當(dāng)前需要被驅(qū)動(dòng)的晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。本申請(qǐng)能夠降低晶閘管的驅(qū)動(dòng)損耗。
文檔編號(hào)H02M1/06GK102780383SQ20121024868
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月18日
發(fā)明者杜坤, 黃朱勇 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司