太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]已知，太陽(yáng)能電池的工作原理是利用太陽(yáng)光之輻射能源與半導(dǎo)體材料作用來(lái)產(chǎn)生電能，主要材料包括有半導(dǎo)體材料，如單晶硅、多晶硅、非晶硅之硅基板或II1-V族化合物之半導(dǎo)體材料等，以及用來(lái)作為電極之導(dǎo)電膠，例如，銀膠或鋁膠等。
[0003]太陽(yáng)能電池的制造方法通常先進(jìn)行晶圓表面清潔與粗糙化處理，然后進(jìn)行擴(kuò)散制程，在晶圓表面形成磷玻璃層及摻雜射極(emitter)區(qū)域，以蝕刻制程去除磷玻璃層后，再形成抗反射層，然后，利用網(wǎng)印技術(shù)于電池正、背面以金屬漿料網(wǎng)印出電極圖案，然后進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成電極。最后，進(jìn)行串焊將電池單元串接成模塊。
[0004]然而，習(xí)知電池結(jié)構(gòu)中，由于光線會(huì)被電池表面的電極(指電極及總線電極)所遮蔽，因而使得照射到電極區(qū)域的光線無(wú)法被有效利用。因此，該技術(shù)領(lǐng)域仍須要一種改良的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，以解決上述先前技藝之不足與缺點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種改良的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，能夠增加電池的受光面積，提升短路電流(Isc)，進(jìn)而增加光電轉(zhuǎn)換效率。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包含有:一半導(dǎo)體基板；一摻雜射極層，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的正面；一抗反射層，設(shè)于該摻雜射極層上；以及至少一正面總線電極，設(shè)于該抗反射層上，沿著一第一方向延伸，其中該正面總線電極上設(shè)有至少一間隙。
[0007]優(yōu)選地，該間隙將該正面總線電極斷開(kāi)，構(gòu)成一不連續(xù)的正面總線電極。
[0008]優(yōu)選地，另包含有至少一指電極，沿著一第二方向延伸，且該第一方向垂直該第二方向。
[0009]優(yōu)選地，該指電極通過(guò)該間隙。
[0010]優(yōu)選地，于該正面總線電極上，另設(shè)置有:一模塊焊接材料層；以及一橋接部位，該橋接部位跨越該間隙，以連接該模塊焊接材料層。
[0011]優(yōu)選地，另包含有至少一背面總線電極，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的背面。
[0012]優(yōu)選地，另包含有一接觸電極，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的背面。
[0013]此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包含有:一半導(dǎo)體基板；一摻雜射極層，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的正面；一抗反射層，設(shè)于該摻雜射極層上；至少一正面總線電極，設(shè)于該抗反射層上，沿著一第一方向延伸，其中該正面總線電極上設(shè)有至少一間隙；以及至少一架橋，位于該間隙。
[0014]優(yōu)選地，該架橋的寬度介于0.1mm至1.0mm。
[0015]優(yōu)選地，另包含有至少一指電極，沿著一第二方向延伸，且該第一方向垂直該第二方向。
[0016]優(yōu)選地，該指電極與該架橋相連。
[0017]本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)透過(guò)間隙以及跨越間隙的橋接部位構(gòu)成一鏤空結(jié)構(gòu)，如此使得太陽(yáng)能模塊的受光面積增加，進(jìn)而達(dá)到提升光電轉(zhuǎn)換效率之目的。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1例示本創(chuàng)作太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的剖面圖；
[0019]圖2例示本創(chuàng)作太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的正面的總線電極及指電極；
[0020]圖3以局部放大側(cè)視圖例示由模塊焊接材料層構(gòu)成的鏤空結(jié)構(gòu)；
[0021]圖4及圖5例示為本創(chuàng)作的其它變化型態(tài)。
[0022]本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
【具體實(shí)施方式】
[0023]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0024]請(qǐng)參閱圖1，其例示本創(chuàng)作太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖1所示，太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)I包含有半導(dǎo)體層或半導(dǎo)體基板10，例如，P型摻雜硅基板或硅晶圓，其厚度例如約180-200微米左右。在半導(dǎo)體基板10的正面(受光面)SI另設(shè)有摻雜射極層12，例如，N型摻雜射極層，以及抗反射層14，例如氮化硅或氧化硅等。
[0025]此外，半導(dǎo)體基板10的正面SI另設(shè)有正面總線電極24。在半導(dǎo)體基板10的背面S2設(shè)有背面總線電極25、背面電場(chǎng)層126及接觸電極26。熟習(xí)該項(xiàng)技藝者應(yīng)理解上述結(jié)構(gòu)僅為例示，本創(chuàng)作亦可適用于其它太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。
[0026]如前所述，習(xí)知電池結(jié)構(gòu)中，由于光線會(huì)被電池正面SI的正面總線電極24所遮蔽，因而使得照射到電極區(qū)域的光線無(wú)法被有效利用。為解決這樣的問(wèn)題，本創(chuàng)作于是提出一種改良的正面總線電極設(shè)計(jì)。
[0027]首先，如圖2所示，在太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)I的正面SI先網(wǎng)印形成正面總線電極24以及指電極36，其中，通常是以銀漿網(wǎng)印形成正面總線電極24以及指電極36。正面總線電極24的數(shù)量不限制，可以是兩條、3條或4條，彼此平行，沿著第一方向延伸，而較細(xì)的指電極36則是沿著第二方向延伸，其中第一方向垂直第二方向。
[0028]根據(jù)本實(shí)施例，各正面總線電極24是不連續(xù)的，具有至少一間隙(gap) 242，例如，在圖2中各總線電極24上具有三個(gè)間隙242，將各總線電極24分成四個(gè)獨(dú)立段。根據(jù)本實(shí)施例，可以有至少一指電極242通過(guò)所述間隙242。
[0029]根據(jù)本實(shí)施例，間隙242的寬度可以介于I根至10根指電極的寬度。
[0030]圖3以局部放大側(cè)視圖例示本創(chuàng)作的另一技術(shù)特征。如圖3所示，同樣的，在太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)I的正面SI網(wǎng)印正面總線電極24以及指電極36。正面總線電極24的數(shù)量不限制，可以是兩條、3條或4條，彼此平行，沿著第一方向延伸，而較細(xì)的指電極36則是沿著第二方向延伸，其中第一方向垂直第二方向。各正面總線電極24是不連續(xù)的，具有至少一間隙242。
[0031]根據(jù)本實(shí)施例，太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)I的不連續(xù)的正面總線電極24上另設(shè)置有一模塊焊接材料層44，并透過(guò)跨越間隙242的橋接部位442連接。根據(jù)本實(shí)施例，橋接部位442與模塊焊接材料層44是同時(shí)形成，一體成型的。
[0032]于是，從圖3可清楚看到，本創(chuàng)作透過(guò)間隙242以及跨越間隙242的橋接部位442構(gòu)成一鏤空結(jié)構(gòu)，如此使得太陽(yáng)能模塊的受光面積增加，進(jìn)而達(dá)到提升光電轉(zhuǎn)換效率之目的。
[0033]請(qǐng)參閱圖4及圖5，其為本創(chuàng)作的其它變化型態(tài)。
[0034]如圖4所示，太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)Ia與圖2中的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)I的差異在于:太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)Ia的各間隙242設(shè)有架橋244，故太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)Ia的正面總線電極24是連續(xù)的。此外，架橋244可以設(shè)置在正面總線電極24的同側(cè)。其中，架橋244的寬度可以介于0.1至1.0mm。根據(jù)本實(shí)施例，指電極36可以與架橋244相連。
[0035]如圖5所示，太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)Ib與圖4中的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)Ia的差異在于:太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)Ib架橋244是交替設(shè)置在正面總線電極24的不同側(cè)。
[0036]以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含有: 一半導(dǎo)體基板； 一摻雜射極層，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的正面； 一抗反射層，設(shè)于該摻雜射極層上；以及 至少一正面總線電極，設(shè)于該抗反射層上，沿著一第一方向延伸，其中該正面總線電極上設(shè)有至少一間隙。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該間隙將該正面總線電極斷開(kāi)，構(gòu)成一不連續(xù)的正面總線電極。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包含有至少一指電極，沿著一第二方向延伸，且該第一方向垂直該第二方向。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該指電極通過(guò)該間隙。
5.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，于該正面總線電極上，另設(shè)置有: 一模塊焊接材料層；以及 一橋接部位，該橋接部位跨越該間隙，以連接該模塊焊接材料層。
6.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包含有至少一背面總線電極，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的背面。
7.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包含有一接觸電極，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的背面。
8.一種太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含有: 一半導(dǎo)體基板； 一摻雜射極層，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的正面； 一抗反射層，設(shè)于該摻雜射極層上； 至少一正面總線電極，設(shè)于該抗反射層上，沿著一第一方向延伸，其中該正面總線電極上設(shè)有至少一間隙；以及 至少一架橋，位于該間隙。
9.如權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該架橋的寬度介于0.1mm至1.0mm0
10.如權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包含有至少一指電極，沿著一第二方向延伸，且該第一方向垂直該第二方向。
11.如權(quán)利要求10所述的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該指電極與該架橋相連。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包含有一半導(dǎo)體基板；一摻雜射極層，設(shè)于該半導(dǎo)體基板的正面；一抗反射層，設(shè)于該摻雜射極層上；以及至少一正面總線電極，設(shè)于該抗反射層上，沿著一第一方向延伸，其中該正面總線電極上設(shè)有至少一間隙。本實(shí)用新型提供一種改良的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，能夠增加電池的受光面積，提升短路電流(Isc)，進(jìn)而增加光電轉(zhuǎn)換效率。
【IPC分類】H01L31-0224
【公開(kāi)號(hào)】CN204558478
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420777355
【發(fā)明人】劉禹輝, 葉忠倫, 黃正凱, 康仁和
【申請(qǐng)人】元晶太陽(yáng)能科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2014年12月10日