具有導電通孔的基板的制作方法
【專利摘要】基板包括加有電介質聚合物(215)的襯里的多個通孔(210)，該電介質聚合物(215)具有基本均勻的厚度。該基本均勻的厚度在加有電介質聚合物層襯里的通孔內提供了內腔，該內腔在該通孔內基本上處于中心。由此，后續(xù)將金屬(220)沉積到每個加有電介質聚合物層襯里的通孔的內腔中提供了具有基本上處于中心的金屬導體的導電通孔。
【專利說明】具有導電通孔的基板
_] H.B.蔚、D.W.金、J.李和 S.顧
[0002]相關申請的交叉引用
[0003]本申請要求于2014年3月4日提交的美國專利申請序列號14/196,481的申請日的優(yōu)先權，該申請通過援弓I全部納入于此。
技術領域
[0004]本申請涉及基板，并且尤其涉及具有導電通孔的基板。
【背景技術】
[0005]在基板(諸如玻璃)中形成導電通孔會遇到許多問題。通常，原始玻璃基板通過激光鉆孔或蝕刻來穿孔以形成期望的通孔。電介質層壓工藝隨后在經(jīng)蝕刻或鉆有孔的原始玻璃基板中填充通孔并用層壓電介質涂覆該基板的上表面和下表面。制造商隨后必須采用第二鉆孔或蝕刻工藝來重新打開經(jīng)電介質填充的通孔以形成以電介質作襯里的通孔。用金屬來鍍敷以電介質作襯里的通孔完成期望的導電通孔。由于第二鉆孔工藝，此類導電通孔的形成可以被指定為通孔中通孔(via-1n-via)工藝。
[0006]該第二鉆孔工藝的問題在于，由于基板被做得越來越薄，期望也要減小通孔直徑。但是在用來在第二鉆孔步驟期間對準基板的配準過程中存在可觀的容限，從而鉆孔可能不會在每個經(jīng)電介質填充的通孔的中心。例如，由于玻璃的透明度，因此難以對在配準過程期間在玻璃基板上使用的對準標記進行成像。偏離中心的鉆孔給重新打開的通孔留下了厚度不均勻的電介質襯里，這在當用金屬填充該重新打開的通孔時是不合期望的，因為金屬不會處于通孔的中心。例如，圖1A示出了常規(guī)的圓形通孔100，該通孔100最初用層壓電介質105填充并隨后被重新鉆孔。因為用于對準該第二鉆孔的配準過程中的容限，所以沉積到鉆有孔的電介質105中的金屬110相對于由基板通孔壁115定義的通孔中心是中心偏離的。這是相當有問題的，因為容限可以使得沿著點A(沿著基板壁115)不留下電介質襯里。缺失電介質襯里導致了中空和金屬沉積問題。作為結果，通孔中通孔工藝可以實現(xiàn)的縱橫比(基板厚度與通孔直徑的比率)存在常規(guī)上的限制。該限制進而抑制了密度，因為互連間距不能夠由于通孔中通孔工藝要求相對低的縱橫比(諸如2:1)而減小。例如，若基板厚度為200微米，則通孔直徑需要至少為100微米。該所得的相對寬的導電通孔由此抑制了密度。此外，由于層壓期間所要求的物理力，將電介質層壓到原始鉆有孔的基板上是有問題的。由于玻璃基板的脆弱性，這在層壓玻璃基板時尤其存在問題。
[0007]相應地，本領域存在對不需要通孔中通孔工藝來形成的導電通孔的需求。
[0008]概述
[0009]為了提供沒有通孔中通孔(via-1n-via)工藝的缺點的具有導電通孔的基板，基板通孔使用化學氣相沉積(CVD)工藝以電介質聚合物層作襯里。因為CVD工藝，電介質聚合物層跨基板(包括通孔內)具有基本上均勻的厚度。該電介質聚合物層具有使得盡管電介質聚合物層作為通孔的襯里、每個通孔仍保留開口內腔的厚度。換言之，電介質聚合物被沉積成不填充該通孔，而是作為替代，形成作為每個通孔襯里的電介質聚合物層，從而保留開口內腔。該電介質聚合物層的均勻厚度繞每個開口內腔的外周延伸，從而每個開口內腔由此基本上在該通孔的中心。
[0010]金屬可隨后沉積到該通孔中的開口內腔以在每個通孔內形成金屬導體，該每個通孔從該基板的第一表面延伸到相對的第二表面。由于該電介質聚合物層的基本上均勻的厚度，每個金屬導體基本上在每個通孔內處于中心。這是十分有益的，因為該通孔的縱橫比與常規(guī)通孔中通孔工藝產生的通孔相比可得到增加。此外，該電介質聚合物層的沉積在后續(xù)處理步驟期間保護了該基板。相反，常規(guī)通孔中通孔工藝中使用的電介質層壓工藝由于在該電介質層壓期間需要的物理力而增加了基板破壞的改變。參照以下具體描述，這些和其他益處可以被更好地領會。
[0011]附圖簡述
[0012]圖1A是使用常規(guī)通孔中通孔工藝形成的導電通孔的橫截面視圖。
[0013]圖1B是根據(jù)本公開的實施例形成的導電通孔的橫截面視圖。
[0014]圖2A是根據(jù)本公開的實施例的包括不使用通孔中通孔工藝形成的兩個金屬層和導電通孔的基板的橫截面視圖。
[0015]圖2B是根據(jù)本公開的實施例的包括不使用通孔中通孔工藝形成的四個金屬層和導電通孔的基板的橫截面視圖。
[0016]圖3A是用于形成圖2A的基板的鉆有孔的原始玻璃基板的橫截面視圖。
[0017]圖3B是通孔加有電介質聚合物的襯里之后的圖3A的基板的橫截面視圖。
[0018]圖3C是在沉積金屬晶種層之后的圖3B的基板的橫截面視圖。
[0019]圖3D是在沉積和圖案化光阻層之后的圖3B的基板的橫截面視圖。
[0020]圖3E是沉積金屬以形成兩個金屬層和導電通孔之后的圖3D的基板的橫截面視圖。
[0021]圖3F是剝離經(jīng)圖案化的光阻層之后的圖3E的基板的橫截面視圖。
[0022]圖4是根據(jù)本公開的實施例的需要通孔中通孔工藝來制造包含導電通孔的基板的示例方法的流程圖。
[0023]圖5解說了根據(jù)本公開的實施例的納入包含導電通孔的封裝的一些示例電子系統(tǒng)。
[0024]描述
[0025]提供了不需要通孔中通孔(via-1n-via)工藝的具有通孔的基板。為了提供對所公開的基板的有益屬性的更好理解，首先要討論一些術語。如本文中所使用的，術語“通孔”在沒有進一步限定的情況下是指基板中的貫穿孔。例如，具有第一表面和相對的第二表面的原始基板可以從第一表面貫穿到第二表面進行激光鉆孔以形成通孔。相反，術語“導電通孔”是指包含金屬導體的通孔。通孔使用化學氣相沉積工藝用電解質聚合物加襯里以形成加有電介質聚合物襯里的通孔。隨后可以將金屬沉積到加有電介質聚合物襯里的通孔中以完成導電通孔。
[0026]將通孔加以電介質聚合物層襯里是十分有益的，因為化學氣相沉積工藝確保了電解質聚合物襯里的基本均勻的厚度。電介質聚合物的沉積被定時，從而通孔并未完全被電介質聚合物填滿，但是作為替代，其加有電介質聚合物層的襯里從而保留可以在隨后接納后續(xù)的金屬沉積的足夠大的開口內腔直徑。所得的金屬向每個加有電介質聚合物襯里的通孔的內腔中的沉積由此相對于基板中的通孔壁處于中心。例如，圓形通孔120可以按圖1B的橫截面視圖形成在基板中。若電介質聚合物層125使用化學氣相沉積工藝沉積，那么其將會具有相對于基板通孔壁130的外周基本均勻的厚度。金屬110的后續(xù)沉積由此在導電通孔120內處于中心。相反，通孔中通孔工藝遭受到導電通孔內偏離中心的金屬的可能性。給出該有益的金屬在導電通孔內置于中心，縱橫比可以被大幅增強。例如，本文所公開的導電通孔的縱橫比可以高達10:1或者甚至30:1或者更大。相反，常規(guī)的通孔中通孔工藝通常限于低得多的縱橫比，諸如2:1。所公開的導電通孔由此可以具有相對小的直徑，這促成了降低的互連間隔并由此增強了密度。此外，電介質聚合層的沉積不涉及基板上的物理力并且保護基板免受后續(xù)制造步驟中的損壞。相反，通孔中通孔工藝的電介質層壓工藝涉及基板斷裂的危險，特別是在脆弱基板(諸如玻璃)的情況下。這些和其它優(yōu)點可通過以下對一些示例實施例的討論來更好地領會。
[0027]示例實施例
[0028]用于支持所公開的導電通孔的基板一般可以是平坦的，并且由此具有第一平坦表面和相對的第二平坦表面。該導電通孔在第一和第二平坦表面之間延伸。然而，將領會，非平坦基板表面也在本公開的范圍之內。每個基板表面可以支持一個或多個金屬層，這一個或多個金屬層被圖案化成互連、焊盤和其他導電結構。若每個基板表面僅支持一個金屬層，那么該基板可以被標示為雙金屬層基板。如果每個基板表面支持兩個金屬層，那么該基板可以被標示為四金屬層基板。本文中所公開的基板的金屬層的數(shù)目是設計選擇。首先會討論雙金屬層實施例，隨后討論四金屬層實施例。
[0029]圖2A中的橫截面示出了具有導電通孔210的雙金屬層基板200。以下討論公開了玻璃基板200，但是將領會導電通孔210可以很容易地形成在其他類型的基板中，諸如有機聚合物基板和半導體基板。每個導電通孔210包括置于中心的金屬導體220，這些金屬導體從基板200的第一表面201延伸到基板200的相對第二表面202。沉積金屬導體220以完成每個導電通孔210還形成了毗鄰于基板第一表面201的第一金屬層230，和毗鄰于基板第二表面202的第二金屬層235。例如，第一金屬層230可以被圖案化以形成焊盤240。此外，第一金屬層230可以被圖案化以形成焊盤240和金屬導體220的對應一者之間的互連(未解說)。類似地，第二金屬層235可以被圖案化以形成焊盤250和互連(未解說)。
[0030]為了促成焊盤240和250中的恰適一者到對應金屬導體220的互連，可以沉積金屬導體220使其具有形成金屬層230中的橫向延伸221以及金屬層235中的橫向延伸222的I形橫截面。不管它們的橫截面形狀如何，每個金屬導體220在每個導電通孔210內基本處于中心。特別地，該處于中心受到覆蓋基板表面201和202以及每個導電通孔210的基板通孔壁205的具有基本上均勻的厚度的電介質聚合物層215的影響。因為電介質聚合物層215是使用例如化學氣相沉積工藝沉積的，所以其具有相對均勻的厚度。電介質聚合物層215的厚度取決于沉積時間，沉積工藝的時間越長，厚度越大。例如，一些實施例可以具有5微米的電介質聚合物層215的厚度，而其他實施例可以具有更大的厚度，諸如20微米。取決于用于形成電介質聚合物215的沉積時間，其他實施例可以具有此范圍外的厚度。然而，電介質聚合物層215的沉積是受控的，從而為每個通孔219留出開口的內腔，該內腔隨后由對應的金屬導體220填充。
[0031]電介質聚合物層215可包括聚對二甲苯(聚對苯二亞甲基))、聚萘、特氟龍、聚酰亞胺或者可以使用化學氣相沉積(CVD)形成恰適的電介質單體的其他合適的電介質聚合物。不管各實施例中使用的具體電介質聚合物為何，CVD工藝為電介質聚合物層215確保了相對均勻的厚度。結果，金屬導體220將在每個導電通孔210的基板通孔壁205內基本上處于中心。金屬導體220與金屬層230和235的沉積可以使用電鍍沉積技術(鍍敷)(諸如通過半加成工藝)來執(zhí)行。替換地，可以使用無電鍍沉積。電鍍可要求在沉積金屬導體220之前，首先將晶種層225沉積在電介質聚合物層215上。相反，無電鍍沉積工藝確實要求晶種層。金屬導體220與金屬層230和235可包括任何合適的金屬(諸如，銅或鎳)。類似地，晶種層225可包括金、銀、鎢或其他金屬(諸如，銅或鎳)。在沉積金屬以形成金屬導體220以及金屬層230和235之后，電介質層或鈍化層255可以毗鄰基板200的表面201沉積。電介質層255被圖案化以暴露焊盤240。類似的電介質層或鈍化層260可以毗鄰基板200的表面202沉積并圖案化以暴露焊盤250。一管芯(或多個管芯)可以隨后耦合到焊盤240，而焊盤250可以耦合到電路板以完成集成電路封裝。替換地，基板200可以用來支持無源組件或另一封裝基板(諸如在封裝上封裝(package-on-package)構造中)。注意，電介質層/鈍化層255和260也可以被圖案化以類似于焊盤240和250暴露金屬導體220。
[0032]圖2B中示出了包括多個導電通孔270的四金屬層基板265。關于覆蓋基板265的表面201和202的電介質聚合物層215，如參照圖2A所討論地形成了金屬層230和235。類似地，晶種層225如參照圖2A所討論地那樣沉積。在形成晶種層225之后，諸如通過電鍍沉積或無電鍍工藝來沉積金屬以僅在通孔壁205內部分填充以在電介質聚合物層215上形成中空金屬導體227 ο相反，此類沉積步驟在圖2A的基板200中產生了實心金屬導體220。每個中空金屬導體227具有從基板265的表面201延伸到基板265的表面202的開口內腔。附加電介質聚合物層215可以隨后在沉積金屬導體280之前沉積在中空金屬導體227的內腔之內。金屬導體280類似于圖2A的金屬導體220，其中金屬導體280完全填充剩余通孔內腔并從基板表面201延伸到基板表面202。形成金屬導體280的同一金屬沉積也形成了附加金屬層270和275。金屬層270紙鄰金屬層230，而金屬層275紙鄰金屬層235。如果電鍍沉積工藝被用來形成金屬層270和275以及金屬導體280，則在形成金屬導體280之前，附加晶種層285可以沉積在附加電介質聚合物層215之上。如類似于參照圖2A所討論的，附加金屬層270和275被圖案化以形成期望的焊盤和互連。例如，金屬層270可以被圖案化以形成通過通孔耦合到金屬層230內的互連240的焊盤290。類似地，金屬層275可以被圖案化以形成通過通孔耦合到金屬層235內的互連250的焊盤295。將容易領會，可以用類似的方式形成附加的金屬層。如類似于關于圖2A的基板200討論的，在沉積金屬層270和275以及金屬導體280之后，可以沉積電介質或鈍化層255和260。
[0033]不管形成了多少金屬層，所得導電通孔可以視為包括用于傳導電信號的裝置。例如，雙金屬層實施例中的此類裝置包括金屬導體220，而該裝置可包括四金屬層實施例中的中空金屬導體227和金屬導體280?，F(xiàn)在將討論一些示例制造方法。
[0034]示例制造方法
[0035]雙金屬層基板制造過程可以圖3A中所示地那樣開始?；?00(諸如原始玻璃基板、有機聚合物基板或半導體基板)被穿孔來形成具有基板通孔壁205的通孔300。例如，基板200可以被激光鉆孔或機械鉆孔而形成通孔300。替換地，通孔300可以被蝕刻貫穿基板200。如圖3B中所示，在形成通孔300之后，除了加基板通孔壁205的襯里之外，電介質聚合物層215可以通過化學氣相沉積工藝沉積來覆蓋基板200的表面201和202。電介質聚合物層215可包括聚對二甲苯(聚對苯二亞甲基)、聚萘、特氟龍、聚酰亞胺或者可以使用化學氣相沉積(CVD)形成恰適的電介質單體的其他合適的電介質聚合物。例如，在聚對二甲苯化學氣相沉積工藝中，在裂解階段中，固體二聚物被加熱，從而其形成了單體氣體。鉆有孔的基板200的真空室接納單體氣體，該單體氣體隨后聚合到鉆有孔的基板200上以形成聚對二甲苯層，作為電介質聚合物層215。鉆有孔的基板經(jīng)受單體氣體的時間長度確定了所得電介質聚合物層215的厚度。在一些實施例中，5到20微米的厚度是合適的，雖然將領會在替換性實施例中可以使用更薄或更厚的電介質聚合物層215。該厚度也取決于通孔直徑。例如，若通孔直徑是30微米，則將無法使用15微米厚度的電介質聚合物層215，因為所得通孔隨后將被電介質聚合物完全填充。將會沒有金屬導電體220可以鍍敷到其中的通孔。換言之，若通孔直徑是100微米，那么15微米厚度的電介質聚合物層215可以是合適的，其中所得的加有電介質聚合物層襯里的通孔仍然具有直徑為70微米的開口內腔來接納金屬導體220。電介質聚合物層215的沉積是有益的，因為其實現(xiàn)了如參照圖1B所討論的通孔300中處于中心的導體。此外，電介質聚合物層215保護脆弱的基板材料(諸如，玻璃)使其在后續(xù)處理步驟期間不斷裂。
[0036]如圖3C中所示，晶種層225可以隨后沉積在電介質聚合物層215之上。例如，晶種層225(諸如，銅、鎳、鎢、銀或金)可以被旋涂或以其他方式沉積到電介質聚合物層215上。晶種層225可以相對較薄，諸如厚度僅為數(shù)微米或更小。將領會，若諸如在無電鍍實施例中后續(xù)不使用電鍍工藝，則晶種層225可以被省略。如圖3D中所示，在形成晶種層225之后，掩模層305可以沉積在基板200的表面201和202上的晶種層225之上。例如，掩模層305可以使用光刻技術來圖案化。在圖案化之后，掩模層305掩蔽掉基板200上的在后續(xù)的金屬層形成中不會接納金屬的那些區(qū)域。
[0037]如圖3E中所示，在圖案化掩模305在適當位置的情況下，金屬可以諸如通過鍍敷工藝沉積以形成金屬層230和235以及金屬導體220。替換地，無電鍍沉積工藝可以被用來沉積金屬層230和235以及金屬導體220。金屬層230和235以及金屬導體220可包括銅、鎳或其他合適的金屬。金屬導體220的沉積完成了導電通孔210的形成。相同的金屬沉積也通過毗鄰基板200的表面201的圖案化掩模305的開口沉積金屬層230以形成期望的焊盤240以及也形成去往金屬導體220的互連(未解說)。類似地，該金屬的沉積也沉積金屬層235以形成期望的焊盤250和對應的互連(未解說)。如圖3F中所示，圖案化掩模304可以隨后被剝離或移除。晶種層225的暴露區(qū)域(那些未被焊盤240和250覆蓋的部分)可以隨后被蝕刻掉，之后沉積電介質/鈍化層255和250(圖24中所示)以完成具有導電通孔的基板(81^8七3^七6-'\￥；11:11-conductive-vias)的制造。
[0038]附加金屬層(諸如圖2B的層270和275)的制造是類似的。例如，在如圖2E中所示的形成金屬層230和235之后，沉積了如圖2B中所示的附加電介質聚合物215以覆蓋金屬層230和235，以及加中空金屬導體227的襯里。在沉積附加晶種層285之后，可以沉積第二圖案化掩模層(未解說)，從而焊盤290和295與金屬導體280的沉積一起形成。第二圖案化掩模隨后被蝕刻掉，之后閃蝕晶種層285(在包括晶種層的實施例中)。電介質/鈍化層255和260的沉積將完成四金屬層構造。將領會，可以用類似的方式增加附加的金屬層。
[0039]該制造過程可概述為如圖4的流程圖中所示。初始步驟400包括在延伸通過基板的通孔內沉積電介質聚合物層。后續(xù)步驟405包括在電介質聚合物層上沉積金屬以形成導電通孔。此類沉積可以使用電鍍或無電鍍技術來執(zhí)行?，F(xiàn)在將會討論納入了本文所公開的具有有益導電通孔的基板的一些示例電子系統(tǒng)。
[0040]示例電子系統(tǒng)
[0041]包括如本文中所公開的具有導電通孔的基板的集成電路封裝可以被納入到各種各樣的電子系統(tǒng)中。例如，如圖5中所不，蜂窩電話500、膝上型設備505和平板PC 510都可以包括納入根據(jù)本公開構建的基板的集成電路封裝。其他示例性電子系統(tǒng)(諸如音樂播放器、視頻播放器、通信設備和個人計算機)也可以用根據(jù)本公開構建的集成電路封裝來配置。
[0042]如本領域普通技術人員至此將領會的并取決于手頭的具體應用，可以在本公開的設備的材料、裝置、配置和使用方法上做出許多修改、替換和變動而不會脫離本公開的精神和范圍。有鑒于此，本公開的范圍不應當被限定于本文中所解說和描述的特定實施例(因為其僅是作為本公開的一些示例)，而應當與所附權利要求及其功能等同方案完全相當。
【主權項】
1.一種器件，包括: 具有第一表面和相對第二表面的基板，其中所述基板包括多個通孔，所述通孔從所述第一表面延伸到所述第二表面； 電介質聚合物層，所述電介質聚合物層在所述基板的所述第一和第二表面上的并且加為所述通孔的襯里；以及 對應于所述多個通孔的多個金屬導體，每個金屬導體通過對應的通孔從所述基板的所述第一表面延伸到所述第二表面。2.如權利要求1所述的器件，其特征在于，進一步包括所述金屬導體和所述電解質聚合物層之間的晶種層。3.如權利要求2所述的器件，其特征在于，所述晶種層在每個通孔內圍繞內腔，并且其中每個金屬導體填充其對應通孔中的內腔。4.如權利要求1所述的器件，其特征在于，進一步包括毗鄰所述第一表面的第一多個焊盤和毗鄰所述第二表面的第二多個焊盤。5.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述多個金屬導體包括多個中空金屬導體，并且其中所述電介質聚合物層進一步加為所述中空金屬導體的襯里以在所述中空金屬導體內形成加有電介質聚合物層襯里的內腔，所述器件進一步包括對應于所述多個通孔的多個第二金屬導體，每個第二金屬導體填充所述對應通孔中的所述中空金屬導體的加有所述電介質聚合物層襯里的內腔。6.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述電介質聚合物層選自下組:聚對苯二亞甲基、聚萘、特氟龍和聚酰亞胺。7.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述基板選自由玻璃、半導體和有機聚合物組成的組。8.如權利要求3所述的器件，其特征在于，每個金屬導體具有I形橫截面。9.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述金屬導體包括銅。10.如權利要求4所述的器件，其特征在于，進一步包括毗鄰所述第一表面的第一鈍化層，所述第一鈍化層被圖案化以暴露所述第一多個焊盤。11.如權利要求10所述的器件，其特征在于，進一步包括毗鄰所述第二表面的第二鈍化層，所述第二鈍化層被圖案化以暴露所述第二多個焊盤。12.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件被結合在以下至少一者中:蜂窩電話、膝上型設備、平板設備、音樂播放器、通信設備、計算機和視頻播放器。13.如權利要求5所述的器件，其特征在于，所述第二金屬導體被配置成形成多個焊盤。14.一種方法，包括: 在延伸通過基板的通孔內沉積電介質聚合物層；以及 在所述通孔內在所述電介質聚合物層上沉積金屬以形成導電通孔。15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述通孔包括從所述基板的第一表面向所述基板的相對第二表面延伸的多個通孔，并且其中沉積所述電介質聚合物層進一步包括在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上沉積所述電介質聚合物層。16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，進一步包括圖案化覆蓋所述第一表面的所述電介質聚合物層上的掩模層，所述經(jīng)圖案化的掩模層暴露所述電介質聚合物層的部分，其中所述金屬沉積在所述電介質聚合物層的暴露部分上。17.如權利要求14所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述電介質聚合物層上沉積晶種層，其中沉積金屬包括鍍敷到所述晶種層上。18.如權利要求14所述的方法，其特征在于，沉積金屬包括金屬的無電鍍沉積。19.如權利要求15所述的方法，其特征在于，沉積金屬在每個通孔中形成中空金屬導體，所述方法進一步包括: 沉積附加電介質聚合物以用電介質聚合物層加為每個中空金屬導體的襯里；以及 在每個加有電介質聚合物層襯里的中空金屬導體內沉積金屬以形成導電通孔。20.—種器件，包括: 包括多個通孔的基板； 加為所述多個通孔的襯里的電介質聚合物層；以及 用于通過所述多個通孔傳導信號的裝置。21.如權利要求20所述的器件，其特征在于，所述裝置包括配置成在每個加有電介質聚合物層襯里的通孔內完全填充內腔的金屬。22.如權利要求20所述的器件，其特征在于，每個加有電介質聚合物襯里的通孔的裝置包括中空金屬粧和延伸通過所述中空金屬粧的實心金屬導體。23.如權利要求22所述的器件，其特征在于，附加電介質聚合物層將所述中空金屬粧與所述實心金屬導體絕緣。24.如權利要求22所述的器件，其特征在于，所述基板選自由玻璃、半導體和有機聚合物組成的組。25.如權利要求22所述的器件，其特征在于，進一步包括毗鄰所述基板的第一表面的多個焊盤，以及通過對應多個互連耦合到所述多個焊盤的管芯。26.一種方法，包括: 形成從基板的第一表面延伸到所述基板的相對第二表面的多個通孔； 在每個通孔內沉積電介質聚合物層，所述電介質聚合物層在每個通孔內形成內腔；以及 在每個內腔內沉積金屬以從所述多個通孔形成多個導電通孔。27.如權利要求26所述的方法，其特征在于，沉積所述電介質聚合物層包括所述電介質聚合物層的化學氣相沉積。28.如權利要求26所述的方法，其特征在于，形成所述多個通孔包括在玻璃基板中以激光鉆孔形成所述通孔。29.如權利要求26所述的方法，其特征在于，沉積所述金屬包括鍍敷所述金屬。30.如權利要求26所述的方法，其特征在于，沉積所述金屬包括所述金屬的無電鍍沉積。
【文檔編號】H01L23/48GK106068561SQ201580011643
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2015年2月26日 公開號201580011643.9, CN 106068561 A, CN 106068561A, CN 201580011643, CN-A-106068561, CN106068561 A, CN106068561A, CN201580011643, CN201580011643.9, PCT/2015/17802, PCT/US/15/017802, PCT/US/15/17802, PCT/US/2015/017802, PCT/US/2015/17802, PCT/US15/017802, PCT/US15/17802, PCT/US15017802, PCT/US1517802, PCT/US2015/017802, PCT/US2015/17802, PCT/US2015017802, PCT/US201517802
【發(fā)明人】H·B·蔚, D·W·金, J·S·李, S·顧
【申請人】高通股份有限公司