Tft基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT基板及其制作方法。本發(fā)明的TFT基板的制作方法，通過(guò)將數(shù)據(jù)線、柵極線、及柵極制作于同一層，可節(jié)約一道光罩，通過(guò)采用一道半色調(diào)光罩形成TFT基板中的多個(gè)過(guò)孔與像素電極，可節(jié)約一道光罩，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以節(jié)約兩道光罩，降低生產(chǎn)成本，節(jié)約制程時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，且制程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成電性損傷。本發(fā)明的TFT基板，制程簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，且具有良好的電學(xué)性能。
【專利說(shuō)明】
TFT基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)是目前液晶顯示裝置(LiquidCrystal Display，簡(jiǎn)稱LCD)和有源矩陣驅(qū)動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(Active MatrixOrganic Light-Emitting D1de，簡(jiǎn)稱AMOLED)中的主要驅(qū)動(dòng)元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。
[0003]氧化物半導(dǎo)體(Oxide Semiconductor)由于具有較高的電子迀移率，具有非晶結(jié)構(gòu)，與非晶硅制程兼容性較高，從而在薄膜晶體管中得到了廣泛的應(yīng)用。氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的導(dǎo)帶是由金屬離子的S軌道交疊而成，氧化物半導(dǎo)體的晶型(多晶還是非晶)對(duì)迀移率的影響不大。目前，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管在市場(chǎng)上具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，甚至有可能取代當(dāng)前的主流技術(shù)-硅基薄膜晶體管技術(shù)。
[0004]目前，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的常用結(jié)構(gòu)為具有蝕刻阻擋層(EtchingStopLayer，ESL)的結(jié)構(gòu)，但該結(jié)構(gòu)本身存在一些問(wèn)題，如蝕刻均一性難以控制，需要多加一道光罩及光刻制程，柵極與源/漏極交疊，存儲(chǔ)電容較大，難以達(dá)到高分辨率等。
[0005]相對(duì)于刻蝕阻擋層結(jié)構(gòu)，背溝道刻蝕(Back Channel Etch，BCE)結(jié)構(gòu)具有制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，已成為制備氧化物薄膜晶體管的重要技術(shù)方法之一，但目前背溝道刻蝕制程中源/漏極刻蝕會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成傷害，影響電性且制程較為繁瑣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，可降低生產(chǎn)成本，節(jié)約制程時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，且制程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成電性損傷。
[0007]本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT基板，制程簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，且具有良好的電學(xué)性能。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積一金屬層，采用一道光罩對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到數(shù)據(jù)線、柵極線、及連接至柵極線一側(cè)的柵極，所述數(shù)據(jù)線與柵極線相交叉，且所述柵極線在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；
[0010]步驟2、在所述數(shù)據(jù)線、柵極線、柵極、及基板上沉積絕緣層，在所述絕緣層上形成半導(dǎo)體層，采用一道光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于柵極上方的有源層；
[0011]步驟3、在所述有源層、及絕緣層上形成鈍化層，在所述鈍化層上形成光阻層，采用一道半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光、及顯影，在所述光阻層上形成第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔，所述第一通孔對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線上靠近所述有源層的位置，所述第二通孔與第三通孔分別對(duì)應(yīng)于所述有源層上靠近所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)與所述有源層上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)，所述第四通孔與第五通孔分別對(duì)應(yīng)于所述柵極線斷開(kāi)的兩端；
[0012]同時(shí)在所述光阻層上形成第一薄層區(qū)域、第二薄層區(qū)域與第三薄層區(qū)域、以及除所述第一薄層區(qū)域、第二薄層區(qū)域與第三薄層區(qū)域以外的厚層區(qū)域，所述第一薄層區(qū)域位于所述第一通孔與第二通孔之間；所述第二薄層區(qū)域位于所述第三通孔的一側(cè)，所述第三薄層區(qū)域位于所述第四通孔與第五通孔之間；
[0013]步驟4、沿所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔對(duì)所述絕緣層與鈍化層進(jìn)行干蝕刻處理，在所述絕緣層與鈍化層上形成位于所述數(shù)據(jù)線上靠近所述有源層的位置上方的第一過(guò)孔、及位于所述柵極線斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔與第五過(guò)孔，在所述鈍化層上形成位于所述有源層上靠近所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第二過(guò)孔、以及位于所述有源層上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第三過(guò)孔；
[0014]步驟5、對(duì)所述光阻層進(jìn)行灰化處理，去除所述光阻層上的第一薄層區(qū)域、第二薄層區(qū)域與第三薄層區(qū)域，并薄化厚層區(qū)域;在剩余的光阻層及鈍化層上形成導(dǎo)電薄膜；
[0015]步驟6、剝離剩余的光阻層，同時(shí)去除位于所述光阻層上方的導(dǎo)電薄膜，保留的導(dǎo)電薄膜包括第一導(dǎo)電連接層、第二導(dǎo)電連接層、以及像素電極；
[0016]所述第一導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第一過(guò)孔與第二過(guò)孔連接至所述數(shù)據(jù)線與有源層，所述第二導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第四過(guò)孔與第五過(guò)孔連接至所述柵極線斷開(kāi)的兩端，所述像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔連接至所述有源層。
[0017]所述步驟2中，所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述步驟5中，所述導(dǎo)電薄膜的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯。
[0018]本發(fā)明還提供一種TFT基板，包括基板、設(shè)于所述基板上的數(shù)據(jù)線、柵極線、及柵極、設(shè)于所述數(shù)據(jù)線、柵極線、柵極、及基板上的絕緣層、設(shè)于所述絕緣層上且對(duì)應(yīng)于所述柵極上方的有源層、設(shè)于所述有源層、及絕緣層上的鈍化層、以及設(shè)于所述鈍化層上的第一導(dǎo)電連接層、第二導(dǎo)電連接層、及像素電極；
[0019]所述柵極連接至柵極線一側(cè)，所述數(shù)據(jù)線與柵極線相交叉，且所述柵極線在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；
[0020]所述絕緣層與鈍化層上設(shè)有位于所述數(shù)據(jù)線上靠近所述有源層的位置上方的第一過(guò)孔、及分別位于所述柵極線斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔與第五過(guò)孔，所述鈍化層上設(shè)有位于所述有源層上靠近所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第二過(guò)孔、以及位于所述有源層上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第三過(guò)孔；
[0021]所述第一導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第一過(guò)孔與第二過(guò)孔連接至所述數(shù)據(jù)線與有源層，所述第二導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第四過(guò)孔與第五過(guò)孔連接至所述柵極線斷開(kāi)的兩端，所述像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔連接至所述有源層。
[0022]所述有源層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述第一導(dǎo)電連接層、第二導(dǎo)電連接層、及像素電極的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯。
[0023]本發(fā)明還提供另一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0024]步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積一金屬層，采用一道光罩對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖形化處理，得到數(shù)據(jù)線、柵極線、及連接至柵極線一側(cè)的柵極，所述數(shù)據(jù)線與柵極線相交叉，且所述數(shù)據(jù)線在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述柵極線的兩側(cè)；
[0025]步驟2、在所述數(shù)據(jù)線、柵極線、柵極、及基板上沉積絕緣層，在所述絕緣層上形成半導(dǎo)體層，采用一道光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于柵極上方的有源層；
[0026]步驟3、在所述有源層、及絕緣層上形成鈍化層，在所述鈍化層上形成光阻層，采用一道半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光、及顯影，在所述光阻層上形成第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔，所述第一通孔對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線上靠近所述有源層的位置，所述第二通孔與第三通孔分別對(duì)應(yīng)于所述有源層上靠近所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)與所述有源層上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)，所述第四通孔與第五通孔分別對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)的兩端；
[0027]同時(shí)在所述光阻層上形成第一薄層區(qū)域、第二薄層區(qū)域與第三薄層區(qū)域、以及除所述第一薄層區(qū)域、第二薄層區(qū)域與第三薄層區(qū)域以外的厚層區(qū)域，所述第一薄層區(qū)域位于所述第一通孔與第二通孔之間；所述第二薄層區(qū)域位于所述第三通孔的一側(cè)，所述第三薄層區(qū)域位于所述第四通孔與第五通孔之間；
[0028]步驟4、沿所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔對(duì)所述絕緣層與鈍化層進(jìn)行干蝕刻處理，在所述絕緣層與鈍化層上形成位于所述數(shù)據(jù)線上靠近所述有源層的位置上方的第一過(guò)孔、及位于所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔與第五過(guò)孔，在所述鈍化層上形成位于所述有源層上靠近所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第二過(guò)孔、以及位于所述有源層上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第三過(guò)孔；
[0029]步驟5、對(duì)所述光阻層進(jìn)行灰化處理，去除所述光阻層的第一薄層區(qū)域、第二薄層區(qū)域與第三薄層區(qū)域，并薄化厚層區(qū)域;在剩余的光阻層及鈍化層上形成導(dǎo)電薄膜；
[0030]步驟6、剝離剩余的光阻層，同時(shí)去除位于所述光阻層上方的導(dǎo)電薄膜，保留的導(dǎo)電薄膜包括第一導(dǎo)電連接層、第二導(dǎo)電連接層、以及像素電極；
[0031]所述第一導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第一過(guò)孔與第二過(guò)孔連接至所述數(shù)據(jù)線與有源層，所述第二導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第四過(guò)孔與第五過(guò)孔連接至所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)的兩端，所述像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔連接至所述有源層。
[0032]所述步驟2中，所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述步驟5中，所述導(dǎo)電薄膜的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯。
[0033]所述第一過(guò)孔與第五過(guò)孔為同一過(guò)孔，所述第一導(dǎo)電連接層與第二導(dǎo)電連接層相連接。
[0034]本發(fā)明還提供另一種TFT基板，包括基板、設(shè)于所述基板上的數(shù)據(jù)線、柵極線、及柵極、設(shè)于所述數(shù)據(jù)線、柵極線、柵極、及基板上的絕緣層、設(shè)于所述絕緣層上且對(duì)應(yīng)于所述柵極上方的有源層、設(shè)于所述有源層、及絕緣層上的鈍化層、以及設(shè)于所述鈍化層上的第一導(dǎo)電連接層、第二導(dǎo)電連接層、及像素電極；
[0035]所述柵極連接至柵極線一側(cè)，所述數(shù)據(jù)線與柵極線相交叉，且所述數(shù)據(jù)線在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述柵極線的兩側(cè)；
[0036]所述絕緣層與鈍化層上設(shè)有位于所述數(shù)據(jù)線靠近所述有源層的位置上方的第一過(guò)孔、及分別位于所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔與第五過(guò)孔，所述鈍化層上設(shè)有位于所述有源層上靠近所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第二過(guò)孔、以及位于所述有源層上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線一側(cè)上方的第三過(guò)孔；
[0037]所述第一導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第一過(guò)孔與第二過(guò)孔連接至所述數(shù)據(jù)線與有源層，所述第二導(dǎo)電連接層分別通過(guò)所述第四過(guò)孔與第五過(guò)孔連接至所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)的兩端，所述像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔連接至所述有源層。
[0038]所述有源層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述第一導(dǎo)電連接層、第二導(dǎo)電連接層、及像素電極的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯。
[0039]所述第一過(guò)孔與第五過(guò)孔為同一過(guò)孔，所述第一導(dǎo)電連接層與第二導(dǎo)電連接層相連接。
[0040]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種TFT基板的制作方法，通過(guò)將數(shù)據(jù)線、柵極線、及柵極制作于同一層，可節(jié)約一道光罩，通過(guò)采用一道半色調(diào)光罩形成TFT基板中的多個(gè)過(guò)孔與像素電極，可節(jié)約一道光罩，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以節(jié)約兩道光罩，降低生產(chǎn)成本，節(jié)約制程時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，且制程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成電性損傷。本發(fā)明提供的一種TFT基板，制程簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，且具有良好的電學(xué)性能。
[0041]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【附圖說(shuō)明】
[0042]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。
[0043]附圖中，
[0044]圖1為本發(fā)明的第一種TFT基板的制作方法的流程圖；
[0045]圖2-3為本發(fā)明的第一種TFT基板的制作方法的步驟I的示意圖，且圖3為圖2中沿A-A線的剖面圖；
[0046]圖4-5為本發(fā)明的第一種TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖，且圖5為圖4中沿A-A線的剖面圖；
[0047]圖6-7為本發(fā)明的第一種TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0048]圖8-9為本發(fā)明的第一種TFT基板的制作方法的步驟4-5的示意圖；
[0049]圖10-12為本發(fā)明的第一種TFT基板的制作方法的步驟6的示意圖暨本發(fā)明的第一種TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖，且圖11為圖10中沿A-A線的剖面圖，圖12為圖10中沿B-B線的剖面圖；
[0050]圖13為本發(fā)明的第二種TFT基板的制作方法的流程圖；
[0051]圖14-15為本發(fā)明的第二種TFT基板的制作方法的步驟I的示意圖，且圖15為圖14中沿A’-A’線的剖面圖；
[0052]圖16-17為本發(fā)明的第二種TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖，且圖17為圖16中沿A’-A’線的剖面圖；
[0053]圖18-19為本發(fā)明的第二種TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0054]圖20-21為本發(fā)明的第二種TFT基板的制作方法的步驟4-5的示意圖；
[0055]圖22-24為本發(fā)明的第二種TFT基板的制作方法的步驟6的示意圖暨本發(fā)明的第二種TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖，且圖23為圖22中沿A’-A’線的剖面圖，圖24為圖22中沿B’-B’線的剖面圖；
[0056]圖25為本發(fā)明的第二種TFT基板的制作方法的步驟6的一優(yōu)選實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0057]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0058]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0059]步驟1、請(qǐng)參閱圖2-3，提供一基板10，在所述基板10上沉積一金屬層11，采用一道光罩對(duì)所述金屬層11進(jìn)行圖形化處理，得到數(shù)據(jù)線21、柵極線22、及連接至柵極線22—側(cè)的柵極23，所述數(shù)據(jù)線21與柵極線22相交叉，且所述柵極線22在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述數(shù)據(jù)線21的兩側(cè)。
[0060]具體的，所述基板10為玻璃基板。
[0061]具體的，所述金屬層11為單層金屬層或者多層金屬疊層。優(yōu)選的，所述金屬層11為單層鉬(Mo)層、鉬層與鋁(Al)層的復(fù)合層、或者鉬層與鈦(Ti)層的復(fù)合層。
[0062]步驟2、請(qǐng)參閱圖4-5，在所述數(shù)據(jù)線21、柵極線22、柵極23、及基板10上沉積絕緣層40，在所述絕緣層40上形成半導(dǎo)體層31，采用一道光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層31進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于柵極23上方的有源層30。
[0063]具體的，所述步驟2中，所述半導(dǎo)體層31的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體，所述步驟2采用濺鍍方法形成半導(dǎo)體層31。優(yōu)選的，所述金屬氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦鎵鋅錫氧化物(IGZTO)中的一種。
[0064]具體的，所述絕緣層40的材料包括氧化硅(S1x)與氮化硅(SiNx)中的至少一種。
[0065]步驟3、請(qǐng)參閱圖6-7，在所述有源層30、及絕緣層40上形成鈍化層50，在所述鈍化層50上形成光阻層60，采用一道半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層60進(jìn)行曝光、及顯影，在所述光阻層60上形成第一通孔61、第二通孔62、第三通孔63、第四通孔64、及第五通孔65，所述第一通孔61對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線21上靠近所述有源層30的位置，所述第二通孔62與第三通孔63分別對(duì)應(yīng)于所述有源層30上靠近所述數(shù)據(jù)線21的一側(cè)與所述有源層30上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線21的一側(cè)，所述第四通孔64與第五通孔65分別對(duì)應(yīng)于所述柵極線22斷開(kāi)的兩端；
[0066]同時(shí)在所述光阻層60上形成第一薄層區(qū)域71、第二薄層區(qū)域72與第三薄層區(qū)域73、以及除所述第一薄層區(qū)域71、第二薄層區(qū)域72與第三薄層區(qū)域73以外的厚層區(qū)域75，所述第一薄層區(qū)域71位于所述第一通孔61與第二通孔62之間;所述第二薄層區(qū)域72位于所述第三通孔63的一側(cè)，所述第三薄層區(qū)域73位于所述第四通孔64與第五通孔65之間。
[0067]具體的，所述鈍化層50的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種。
[0068]步驟4、請(qǐng)參閱圖8-9，沿所述第一通孔61、第二通孔62、第三通孔63、第四通孔64、及第五通孔65對(duì)所述絕緣層40與鈍化層50進(jìn)行干蝕刻處理，在所述絕緣層40與鈍化層50上形成位于所述數(shù)據(jù)線21上靠近所述有源層30的位置上方的第一過(guò)孔51、及位于所述柵極線22斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔54與第五過(guò)孔55，在所述鈍化層50上形成位于所述有源層30上靠近所述數(shù)據(jù)線21—側(cè)上方的第二過(guò)孔52、以及位于所述有源層30上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線21一側(cè)上方的第三過(guò)孔53。
[0069]具體的，所述步驟4的干蝕刻制程采用的蝕刻氣體包括六氟化硫(SF6)與氧氣(O2)。
[0070]步驟5、請(qǐng)參閱圖8-9，對(duì)所述光阻層60進(jìn)行灰化處理，去除所述光阻層60的第一薄層區(qū)域71、第二薄層區(qū)域72與第三薄層區(qū)域73，并薄化厚層區(qū)域75;在剩余的光阻層60及鈍化層50上形成導(dǎo)電薄膜80。
[0071 ]具體的，所述步驟5采用氧氣對(duì)所述光阻層60進(jìn)行灰化處理。
[0072]優(yōu)選的，所述步驟5中，所述導(dǎo)電薄膜80的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯，優(yōu)選為石墨烯。
[0073]步驟6、請(qǐng)參閱圖10-12，剝離剩余的光阻層60，同時(shí)去除位于所述光阻層60上方的導(dǎo)電薄膜80，保留的導(dǎo)電薄膜80包括第一導(dǎo)電連接層81、第二導(dǎo)電連接層82、以及像素電極83；
[0074]所述第一導(dǎo)電連接層81分別通過(guò)所述第一過(guò)孔51與第二過(guò)孔52連接至所述數(shù)據(jù)線21與有源層30，所述第二導(dǎo)電連接層82分別通過(guò)所述第四過(guò)孔54與第五過(guò)孔55連接至所述柵極線22斷開(kāi)的兩端，所述像素電極83通過(guò)所述第三過(guò)孔53連接至所述有源層30。
[0075]具體的，所述步驟6中，剝離剩余的光阻層60的方法為:采用有機(jī)溶劑對(duì)光阻層60進(jìn)行溶解，剝離光阻層60的同時(shí)去除位于所述光阻層60上方的導(dǎo)電薄膜80。優(yōu)選的，所述有機(jī)溶劑包括一乙醇胺(MEA)與二甲基亞砜(DMSO)，所述一乙醇胺與二甲基亞砜的質(zhì)量比為7:3。
[0076]具體的，所述步驟6中，所述第一導(dǎo)電連接層81實(shí)現(xiàn)了所述數(shù)據(jù)線21與有源層30的連接且省去了源極的設(shè)置;所述第二導(dǎo)電連接層82實(shí)現(xiàn)了所述柵極線22斷開(kāi)的兩端的連接，使得柵極線22與數(shù)據(jù)線21可以位于同一層且不相互接觸，因此可以在同一制程中形成，降低生產(chǎn)成本;所述像素電極83直接與所述半導(dǎo)體層31相連接，省去了漏極的設(shè)置。
[0077]上述TFT基板的制作方法，通過(guò)將數(shù)據(jù)線、柵極線、及柵極制作于同一層，可節(jié)約一道光罩，通過(guò)采用一道半色調(diào)光罩形成TFT基板中的多個(gè)過(guò)孔與像素電極，可節(jié)約一道光罩，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以節(jié)約兩道光罩，降低生產(chǎn)成本，節(jié)約制程時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，且制程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成電性損傷。
[0078]請(qǐng)參閱圖10-12，基于上述TFT基板的制作方法，本發(fā)明還提供一種TFT基板，包括基板10、設(shè)于所述基板10上的數(shù)據(jù)線21、柵極線22、及柵極23、設(shè)于所述數(shù)據(jù)線21、柵極線
22、柵極23、及基板10上的絕緣層40、設(shè)于所述絕緣層40上且對(duì)應(yīng)于所述柵極23上方的有源層30、設(shè)于所述有源層30、及絕緣層40上的鈍化層50、以及設(shè)于所述鈍化層50上的第一導(dǎo)電連接層81、第二導(dǎo)電連接層82、及像素電極83;
[0079]所述柵極23連接至柵極線22—側(cè)，所述數(shù)據(jù)線21與柵極線22相交叉，且所述柵極線22在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述數(shù)據(jù)線21的兩側(cè)；
[0080]所述絕緣層40與鈍化層50上設(shè)有位于所述數(shù)據(jù)線21上靠近所述有源層30的位置上方的第一過(guò)孔51、及分別位于所述柵極線22斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔54與第五過(guò)孔55，所述鈍化層50上設(shè)有位于所述有源層30上靠近所述數(shù)據(jù)線21—側(cè)上方的第二過(guò)孔52、以及位于所述有源層30上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線21—側(cè)上方的第三過(guò)孔53;
[0081]所述第一導(dǎo)電連接層81分別通過(guò)所述第一過(guò)孔51與第二過(guò)孔52連接至所述數(shù)據(jù)線21與有源層30，所述第二導(dǎo)電連接層82分別通過(guò)所述第四過(guò)孔54與第五過(guò)孔55連接至所述柵極線22斷開(kāi)的兩端，所述像素電極83通過(guò)所述第三過(guò)孔53連接至所述有源層30。
[0082]具體的，所述基板10為玻璃基板。
[0083]具體的，所述數(shù)據(jù)線21、柵極線22、及柵極23為單層金屬層或者多層金屬疊層。優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)線21、柵極線22、及柵極23為單層鉬層、鉬層與鋁層的復(fù)合層、或者鉬層與鈦層的復(fù)合層。
[0084]具體的，所述有源層30的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。優(yōu)選的，所述金屬氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅錫氧化物中的一種。
[0085]具體的，所述第一導(dǎo)電連接層81、第二導(dǎo)電連接層82、及像素電極83的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨稀，優(yōu)選為石墨稀。
[0086]具體的，所述絕緣層40與鈍化層50的材料均包括氧化硅與氮化硅中的至少一種。
[0087]請(qǐng)參閱圖13，本發(fā)明還提供另一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0088]步驟1、請(qǐng)參閱圖14-15，提供一基板10’，在所述基板10’上沉積一金屬層11’，采用一道光罩對(duì)所述金屬層11’進(jìn)行圖形化處理，得到數(shù)據(jù)線21’、柵極線22’、及連接至柵極線22’一側(cè)的柵極23’，所述數(shù)據(jù)線21’與柵極線22’相交叉，且所述數(shù)據(jù)線21’在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述柵極線22’的兩側(cè)。
[0089]具體的，所述基板10’為玻璃基板。
[0090]具體的，所述金屬層11’為單層金屬層或者多層金屬疊層。優(yōu)選的，所述金屬層11’為單層鉬層、鉬層與鋁層的復(fù)合層、或者鉬層與鈦層的復(fù)合層。
[0091]步驟2、請(qǐng)參閱圖16-17，在所述數(shù)據(jù)線21’、柵極線22’、柵極23’、及基板10’上沉積絕緣層40’，在所述絕緣層40’上形成半導(dǎo)體層31’，采用一道光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層31’進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于柵極23’上方的有源層30’。
[0092]具體的，所述步驟2中，所述半導(dǎo)體層31’的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體，所述步驟2采用濺鍍方法形成半導(dǎo)體層31’。優(yōu)選的，所述金屬氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅錫氧化物中的一種。
[0093]具體的，所述絕緣層40，的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種。
[0094]步驟3、請(qǐng)參閱圖18-19，在所述有源層30’、及絕緣層40’上形成鈍化層50’，在所述鈍化層50，上形成光阻層60，，采用一道半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層60，進(jìn)行曝光、及顯影，在所述光阻層60’上形成第一通孔61’、第二通孔62’、第三通孔63’、第四通孔64’、及第五通孔65’，所述第一通孔61’對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線21’上靠近所述有源層30’的位置，所述第二通孔62 ’與第三通孔63 ’分別對(duì)應(yīng)于所述有源層30 ’上靠近所述數(shù)據(jù)線21 ’的一側(cè)與所述有源層30，上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線21，的一側(cè)，所述第四通孔64，與第五通孔65，分別對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線21’斷開(kāi)的兩端；
[0095]同時(shí)在所述光阻層60’上形成第一薄層區(qū)域71’、第二薄層區(qū)域72’與第三薄層區(qū)域73’、以及除所述第一薄層區(qū)域71’、第二薄層區(qū)域72’與第三薄層區(qū)域73’以外的厚層區(qū)域75’，所述第一薄層區(qū)域71’位于所述第一通孔61’與第二通孔62’之間；所述第二薄層區(qū)域72 ’位于所述第三通孔63 ’的一側(cè)，所述第三薄層區(qū)域73 ’位于所述第四通孔64 ’與第五通孔65’之間。
[0096]具體的，所述鈍化層50，的材料包括氧化硅與氮化硅中的至少一種。
[0097]步驟4、請(qǐng)參閱圖20-21，沿所述第一通孔61 ’、第二通孔62 ’、第三通孔63 ’、第四通孔64 ’、及第五通孔65 ’對(duì)所述絕緣層40 ’與鈍化層50 ’進(jìn)行干蝕刻處理，在所述絕緣層40 ’與鈍化層50’上形成位于所述數(shù)據(jù)線21’上靠近所述有源層30’的位置上方的第一過(guò)孔51’、及位于所述數(shù)據(jù)線21 ’斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔54’與第五過(guò)孔55 ’，在所述鈍化層50 ’上形成位于所述有源層30 ’上靠近所述數(shù)據(jù)線21’一側(cè)上方的第二過(guò)孔52’、以及位于所述有源層30 ’上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線21 ’ 一側(cè)上方的第三過(guò)孔53 ’。
[0098]具體的，所述步驟4的干蝕刻制程采用的蝕刻氣體包括六氟化硫與氧氣。
[0099]步驟5、請(qǐng)參閱圖20-21，對(duì)所述光阻層60’進(jìn)行灰化處理，去除所述光阻層60’的第一薄層區(qū)域71’、第二薄層區(qū)域72’與第三薄層區(qū)域73’，并薄化厚層區(qū)域75’；在剩余的光阻層60 ’及鈍化層50 ’上形成導(dǎo)電薄膜80 ’。
[0100]具體的，所述步驟5采用氧氣對(duì)所述光阻層60’進(jìn)行灰化處理。
[0101]具體的，所述步驟5中，所述導(dǎo)電薄膜80’的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯，優(yōu)選為石墨烯。
[0102]步驟6、請(qǐng)參閱圖22-24，剝離剩余的光阻層60’，同時(shí)去除位于所述光阻層60’上方的導(dǎo)電薄膜80’，保留的導(dǎo)電薄膜80’包括第一導(dǎo)電連接層81’、第二導(dǎo)電連接層82’、以及像素電極83’ ；
[0103]所述第一導(dǎo)電連接層81’分別通過(guò)所述第一過(guò)孔51 ’與第二過(guò)孔52 ’連接至所述數(shù)據(jù)線21’與有源層30’，所述第二導(dǎo)電連接層82’分別通過(guò)所述第四過(guò)孔54’與第五過(guò)孔55’連接至所述數(shù)據(jù)線21，斷開(kāi)的兩端，所述像素電極83，通過(guò)所述第三過(guò)孔53，連接至所述有源層30 ο
[0104]具體的，所述步驟6中，剝離剩余的光阻層60’的方法為:采用有機(jī)溶劑對(duì)光阻層60’進(jìn)行溶解，剝離光阻層60’的同時(shí)去除位于所述光阻層60’上方的導(dǎo)電薄膜80’。優(yōu)選的，所述有機(jī)溶劑包括一乙醇胺與二甲基亞砜，所述一乙醇胺與二甲基亞砜的質(zhì)量比為7:3。
[0105]具體的，所述步驟6中，所述第一導(dǎo)電連接層81’實(shí)現(xiàn)了所述數(shù)據(jù)線21’與有源層30’的連接且省去了源極的設(shè)置;所述第二導(dǎo)電連接層82’實(shí)現(xiàn)了所述數(shù)據(jù)線21’斷開(kāi)的兩端的連接，使得柵極線22’與數(shù)據(jù)線21’可以位于同一層且不相互接觸，因此可以在同一制程中形成，降低生產(chǎn)成本;所述像素電極83 ’直接與所述有源層30 ’相連接，省去了漏極的設(shè)置。
[0106]優(yōu)選的，如圖25所示，所述第一過(guò)孔51’與第五過(guò)孔55’為同一過(guò)孔，由于所述第一導(dǎo)電連接層81’、及第二導(dǎo)電連接層82’分別通過(guò)第一過(guò)孔51’、及第五過(guò)孔55’與數(shù)據(jù)線21’相連接，因此，所述第一導(dǎo)電連接層81’與第二導(dǎo)電連接層82’相連接。
[0107]上述TFT基板的制作方法，通過(guò)將數(shù)據(jù)線、柵極線、及柵極制作于同一層，可節(jié)約一道光罩，通過(guò)采用一道半色調(diào)光罩形成TFT基板中的多個(gè)過(guò)孔與像素電極，可節(jié)約一道光罩，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以節(jié)約兩道光罩，降低生產(chǎn)成本，節(jié)約制程時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，且制程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成電性損傷。
[0108]請(qǐng)參閱圖22-25，基于上述TFT基板的制作方法，本發(fā)明還提供一種TFT基板，包括基板10’、設(shè)于所述基板10’上的數(shù)據(jù)線21，、柵極線22’、及柵極23’、設(shè)于所述數(shù)據(jù)線21，、柵極線22’、柵極23’、及基板10’上的絕緣層40’、設(shè)于所述絕緣層40’上且對(duì)應(yīng)于所述柵極23’上方的有源層30’、設(shè)于所述有源層30’、及絕緣層40’上的鈍化層50’、以及設(shè)于所述鈍化層50’上的第一導(dǎo)電連接層81’、第二導(dǎo)電連接層82’、及像素電極83’；
[0109]所述柵極23’連接至柵極線22’一側(cè)，所述數(shù)據(jù)線21’與柵極線22’相交叉，且所述數(shù)據(jù)線21 ’在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述柵極線22 ’的兩側(cè)；
[0110]所述絕緣層40’與鈍化層50 ’上設(shè)有位于所述數(shù)據(jù)線21 ’靠近所述有源層30 ’的位置上方的第一過(guò)孔51’、及分別位于所述數(shù)據(jù)線21’斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔54’與第五過(guò)孔55’，所述鈍化層50 ’上設(shè)有位于所述有源層30 ’上靠近所述數(shù)據(jù)線21’一側(cè)上方的第二過(guò)孔52’、以及位于所述有源層30’上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線21’一側(cè)上方的第三過(guò)孔53’ ；
[0111]所述第一導(dǎo)電連接層81’分別通過(guò)所述第一過(guò)孔51 ’與第二過(guò)孔52 ’連接至所述數(shù)據(jù)線21’與有源層30’，所述第二導(dǎo)電連接層82’分別通過(guò)所述第四過(guò)孔54’與第五過(guò)孔55’連接至所述數(shù)據(jù)線21，斷開(kāi)的兩端，所述像素電極83，通過(guò)所述第三過(guò)孔53，連接至所述有源層30 ο
[0112]具體的，所述基板10’為玻璃基板。
[0113]具體的，所述數(shù)據(jù)線21’、柵極線22’、及柵極23’為單層金屬層或者多層金屬疊層。優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)線21’、柵極線22’、及柵極23’為單層鉬層、鉬層與鋁層的復(fù)合層、或者鉬層與鈦層的復(fù)合層。
[0114]具體的，所述有源層30’的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體。優(yōu)選的，所述金屬氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅錫氧化物中的一種。
[0115]具體的，所述第一導(dǎo)電連接層81’、第二導(dǎo)電連接層82’、及像素電極83’的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨稀，優(yōu)選為石墨稀。
[0116]優(yōu)選的，如圖25所示，所述第一過(guò)孔51’與第五過(guò)孔55’為同一過(guò)孔，所述第一導(dǎo)電連接層81，與第二導(dǎo)電連接層82’相連接。
[0117]具體的，所述絕緣層40’與鈍化層50 ’的材料均包括氧化硅與氮化硅中的至少一種。
[0118]綜上所述，本發(fā)明提供一種TFT基板及其制作方法，本發(fā)明的TFT基板的制作方法，通過(guò)將數(shù)據(jù)線、柵極線、及柵極制作于同一層，可節(jié)約一道光罩，通過(guò)采用一道半色調(diào)光罩形成TFT基板中的多個(gè)過(guò)孔與像素電極，可節(jié)約一道光罩，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以節(jié)約兩道光罩，降低生產(chǎn)成本，節(jié)約制程時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，且制程中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成電性損傷。本發(fā)明的TFT基板，制程簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，且具有良好的電學(xué)性能。
[0119]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉積一金屬層(11)，采用一道光罩對(duì)所述金屬層(11)進(jìn)行圖形化處理，得到數(shù)據(jù)線(21)、柵極線(22)、及連接至柵極線(22) —側(cè)的柵極(23)，所述數(shù)據(jù)線(21)與柵極線(22)相交叉，且所述柵極線(22)在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述數(shù)據(jù)線(21)的兩側(cè)； 步驟2、在所述數(shù)據(jù)線(21)、柵極線(22)、柵極(23)、及基板(10)上沉積絕緣層(40)，在所述絕緣層(40)上形成半導(dǎo)體層(31)，采用一道光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層(31)進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于柵極(23)上方的有源層(30); 步驟3、在所述有源層(30)、及絕緣層(40)上形成鈍化層(50)，在所述鈍化層(50)上形成光阻層(60)，采用一道半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層(60)進(jìn)行曝光、及顯影，在所述光阻層(60)上形成第一通孔(61)、第二通孔(62)、第三通孔(63)、第四通孔(64)、及第五通孔(65)，所述第一通孔(61)對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線(21)上靠近所述有源層(30)的位置，所述第二通孔(62)與第三通孔(63)分別對(duì)應(yīng)于所述有源層(30)上靠近所述數(shù)據(jù)線(21)的一側(cè)與所述有源層(30)上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線(21)的一側(cè)，所述第四通孔(64)與第五通孔(65)分別對(duì)應(yīng)于所述柵極線(22)斷開(kāi)的兩端； 同時(shí)在所述光阻層(60)上形成第一薄層區(qū)域(71)、第二薄層區(qū)域(72)與第三薄層區(qū)域(73)、以及除所述第一薄層區(qū)域(71)、第二薄層區(qū)域(72)與第三薄層區(qū)域(73)以外的厚層區(qū)域(75)，所述第一薄層區(qū)域(71)位于所述第一通孔(61)與第二通孔(62)之間；所述第二薄層區(qū)域(72)位于所述第三通孔(63)的一側(cè)，所述第三薄層區(qū)域(73)位于所述第四通孔(64)與第五通孔(65)之間； 步驟4、沿所述第一通孔(61)、第二通孔(62)、第三通孔(63)、第四通孔(64)、及第五通孔(65)對(duì)所述絕緣層(40)與鈍化層(50)進(jìn)行干蝕刻處理，在所述絕緣層(40)與鈍化層(50)上形成位于所述數(shù)據(jù)線(21)上靠近所述有源層(30)的位置上方的第一過(guò)孔(51)、及位于所述柵極線(22)斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔(54)與第五過(guò)孔(55)，在所述鈍化層(50)上形成位于所述有源層(30)上靠近所述數(shù)據(jù)線(21)—側(cè)上方的第二過(guò)孔(52)、以及位于所述有源層(30)上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線(21)—側(cè)上方的第三過(guò)孔(53); 步驟5、對(duì)所述光阻層(60)進(jìn)行灰化處理，去除所述光阻層(60)的第一薄層區(qū)域(71)、第二薄層區(qū)域(72)與第三薄層區(qū)域(73)，并薄化厚層區(qū)域(75);在剩余的光阻層(60)及鈍化層(50)上形成導(dǎo)電薄膜(80); 步驟6、剝離剩余的光阻層(60)，同時(shí)去除位于所述光阻層(60)上方的導(dǎo)電薄膜(80)，保留的導(dǎo)電薄膜(80)包括第一導(dǎo)電連接層(81)、第二導(dǎo)電連接層(82)、以及像素電極(83); 所述第一導(dǎo)電連接層(81)分別通過(guò)所述第一過(guò)孔(51)與第二過(guò)孔(52)連接至所述數(shù)據(jù)線(21)與有源層(30)，所述第二導(dǎo)電連接層(82)分別通過(guò)所述第四過(guò)孔(54)與第五過(guò)孔(55)連接至所述柵極線(22)斷開(kāi)的兩端，所述像素電極(83)通過(guò)所述第三過(guò)孔(53)連接至所述有源層(30)。2.如權(quán)利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述半導(dǎo)體層(31)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述步驟5中，所述導(dǎo)電薄膜(80)的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯。3.—種TFT基板，其特征在于，包括基板(10)、設(shè)于所述基板(10)上的數(shù)據(jù)線(21)、柵極線(22)、及柵極(23)、設(shè)于所述數(shù)據(jù)線(21)、柵極線(22)、柵極(23)、及基板(10)上的絕緣層(40),設(shè)于所述絕緣層(40)上且對(duì)應(yīng)于所述柵極(23)上方的有源層(30)、設(shè)于所述有源層(30)、及絕緣層(40)上的鈍化層(50)、以及設(shè)于所述鈍化層(50)上的第一導(dǎo)電連接層(81)、第二導(dǎo)電連接層(82)、及像素電極(83); 所述柵極(23)連接至柵極線(22)—側(cè)，所述數(shù)據(jù)線(21)與柵極線(22)相交叉，且所述柵極線(22)在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述數(shù)據(jù)線(21)的兩側(cè)； 所述絕緣層(40)與鈍化層(50)上設(shè)有位于所述數(shù)據(jù)線(21)上靠近所述有源層(30)的位置上方的第一過(guò)孔(51)、及分別位于所述柵極線(22)斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔(54)與第五過(guò)孔(55)，所述鈍化層(50)上設(shè)有位于所述有源層(30)上靠近所述數(shù)據(jù)線(21)—側(cè)上方的第二過(guò)孔(52)、以及位于所述有源層(30)上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線(21)—側(cè)上方的第三過(guò)孔(53);所述第一導(dǎo)電連接層(81)分別通過(guò)所述第一過(guò)孔(51)與第二過(guò)孔(52)連接至所述數(shù)據(jù)線(21)與有源層(30)，所述第二導(dǎo)電連接層(82)分別通過(guò)所述第四過(guò)孔(54)與第五過(guò)孔(55)連接至所述柵極線(22)斷開(kāi)的兩端，所述像素電極(83)通過(guò)所述第三過(guò)孔(53)連接至所述有源層(30)。4.如權(quán)利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述有源層(30)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述第一導(dǎo)電連接層(81)、第二導(dǎo)電連接層(82)、及像素電極(83)的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨稀。5.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(10’)，在所述基板(10’)上沉積一金屬層(11’)，采用一道光罩對(duì)所述金屬層(11’)進(jìn)行圖形化處理，得到數(shù)據(jù)線(21’)、柵極線(22’)、及連接至柵極線(22’)一側(cè)的柵極(23’)，所述數(shù)據(jù)線(21’)與柵極線(22’)相交叉，且所述數(shù)據(jù)線(21’)在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述柵極線(22 ’)的兩側(cè)； 步驟2、在所述數(shù)據(jù)線(21’)、柵極線(22’)、柵極(23’)、及基板(10’)上沉積絕緣層(40’)，在所述絕緣層(40’)上形成半導(dǎo)體層(31 ’)，采用一道光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層(31 ’)進(jìn)行圖形化處理，得到對(duì)應(yīng)于柵極(23 ’)上方的有源層(30 ’)； 步驟3、在所述有源層(30’)、及絕緣層(40’)上形成鈍化層(50’)，在所述鈍化層(50’)上形成光阻層(60’)，采用一道半色調(diào)光罩對(duì)所述光阻層(60’)進(jìn)行曝光、及顯影，在所述光阻層(60’)上形成第一通孔(61’)、第二通孔(62’)、第三通孔(63’)、第四通孔(64’)、及第五通孔(65’)，所述第一通孔(61’)對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線(21’)上靠近所述有源層(30’)的位置，所述第二通孔(62’)與第三通孔(63’)分別對(duì)應(yīng)于所述有源層(30’)上靠近所述數(shù)據(jù)線(21’)的一側(cè)與所述有源層(30’)上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線(21’)的一側(cè)，所述第四通孔(64’)與第五通孔(65’)分別對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線(21’)斷開(kāi)的兩端； 同時(shí)在所述光阻層(60’)上形成第一薄層區(qū)域(71’)、第二薄層區(qū)域(72’)與第三薄層區(qū)域(73’)、以及除所述第一薄層區(qū)域(71’)、第二薄層區(qū)域(72’)與第三薄層區(qū)域(73’)以外的厚層區(qū)域(75’)，所述第一薄層區(qū)域(71’)位于所述第一通孔(61’)與第二通孔(62’)之間；所述第二薄層區(qū)域(72’)位于所述第三通孔(63’)的一側(cè)，所述第三薄層區(qū)域(73’)位于所述第四通孔(64’)與第五通孔(65’)之間； 步驟4、沿所述第一通孔(61’)、第二通孔(62’)、第三通孔(63’)、第四通孔(64’)、及第五通孔(65’)對(duì)所述絕緣層(40’)與鈍化層(50’)進(jìn)行干蝕刻處理，在所述絕緣層(40’)與鈍化層(50’)上形成位于所述數(shù)據(jù)線(21’)上靠近所述有源層(30’)的位置上方的第一過(guò)孔(51 ’)、及位于所述數(shù)據(jù)線(21 ’)斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔(54’)與第五過(guò)孔(55’)，在所述鈍化層(50’)上形成位于所述有源層(30’)上靠近所述數(shù)據(jù)線(21 ’)一側(cè)上方的第二過(guò)孔(52’)、以及位于所述有源層(30’)上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線(21 ’)一側(cè)上方的第三過(guò)孔(53’)； 步驟5、對(duì)所述光阻層(60’)進(jìn)行灰化處理，去除所述光阻層(60’)的第一薄層區(qū)域(71 ’)、第二薄層區(qū)域(72’)與第三薄層區(qū)域(73’)，并薄化厚層區(qū)域(75’)；在剩余的光阻層(60’)及鈍化層(50’)上形成導(dǎo)電薄膜(80’)； 步驟6、剝離剩余的光阻層(60’)，同時(shí)去除位于所述光阻層(60’)上方的導(dǎo)電薄膜(80’)，保留的導(dǎo)電薄膜(80’)包括第一導(dǎo)電連接層(81，)、第二導(dǎo)電連接層(82’)、以及像素電極(83’)； 所述第一導(dǎo)電連接層(81’)分別通過(guò)所述第一過(guò)孔(51’)與第二過(guò)孔(52’)連接至所述數(shù)據(jù)線(21 ’)與有源層(30’)，所述第二導(dǎo)電連接層(82’)分別通過(guò)所述第四過(guò)孔(54’)與第五過(guò)孔(55’)連接至所述數(shù)據(jù)線(21’)斷開(kāi)的兩端，所述像素電極(83’)通過(guò)所述第三過(guò)孔(53’)連接至所述有源層(30’)。6.如權(quán)利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述半導(dǎo)體層(31’)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述步驟5中，所述導(dǎo)電薄膜(80’)的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯。7.如權(quán)利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一過(guò)孔(51’)與第五過(guò)孔(55’)為同一過(guò)孔，所述第一導(dǎo)電連接層(81 ’)與第二導(dǎo)電連接層(82’)相連接。8.—種TFT基板，其特征在于，包括基板(10’)、設(shè)于所述基板(10’)上的數(shù)據(jù)線(21’)、柵極線(22’)、及柵極(23’)、設(shè)于所述數(shù)據(jù)線(21’)、柵極線(22’)、柵極(23’)、及基板(10’)上的絕緣層(40’)、設(shè)于所述絕緣層(40’)上且對(duì)應(yīng)于所述柵極(23’)上方的有源層(30’)、設(shè)于所述有源層(30’)、及絕緣層(40’)上的鈍化層(50’)、以及設(shè)于所述鈍化層(50’)上的第一導(dǎo)電連接層(81 ’)、第二導(dǎo)電連接層(82’)、及像素電極(83’)； 所述柵極(23’)連接至柵極線(22’)一側(cè)，所述數(shù)據(jù)線(21’)與柵極線(22’)相交叉，且所述數(shù)據(jù)線(21’)在交叉處斷開(kāi)，斷開(kāi)的兩端分別位于所述柵極線(22’)的兩側(cè)； 所述絕緣層(40’)與鈍化層(50’)上設(shè)有位于所述數(shù)據(jù)線(21’)靠近所述有源層(30’)的位置上方的第一過(guò)孔(51’)、及分別位于所述數(shù)據(jù)線(21’)斷開(kāi)的兩端上方的第四過(guò)孔(54 ’)與第五過(guò)孔(55 ’)，所述鈍化層(50 ’)上設(shè)有位于所述有源層(30 ’)上靠近所述數(shù)據(jù)線(21’)一側(cè)上方的第二過(guò)孔(52’)、以及位于所述有源層(30’)上遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線(21’)一側(cè)上方的第三過(guò)孔(53’)； 所述第一導(dǎo)電連接層(81’)分別通過(guò)所述第一過(guò)孔(51’)與第二過(guò)孔(52’)連接至所述數(shù)據(jù)線(21 ’)與有源層(30’)，所述第二導(dǎo)電連接層(82’)分別通過(guò)所述第四過(guò)孔(54’)與第五過(guò)孔(55’)連接至所述數(shù)據(jù)線(21’)斷開(kāi)的兩端，所述像素電極(83’)通過(guò)所述第三過(guò)孔(53’)連接至所述有源層(30’)。9.如權(quán)利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述有源層(30’)的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體;所述第一導(dǎo)電連接層(81’)、第二導(dǎo)電連接層(82’)、及像素電極(83’)的材料為透明導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯。10.如權(quán)利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述第一過(guò)孔(51’)與第五過(guò)孔(55’)為同一過(guò)孔，所述第一導(dǎo)電連接層(81’)與第二導(dǎo)電連接層(82’)相連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK105977266SQ201610566026
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年7月18日
【發(fā)明人】李子然
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司