觸控基板及其制作方法、顯示器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種觸控基板及其制作方法、顯示器件。所示觸控基板包括多條觸控電極，每條觸控電極由至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極組成，能夠減小觸控電極的電阻，降低RC延遲，提高觸摸檢測(cè)靈敏度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
觸控基板及其制作方法、顯示器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及觸控技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種觸控基板及其制作方法、顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著觸摸顯示技術(shù)的發(fā)展，從最初的外掛式發(fā)展到目前的內(nèi)嵌式，對(duì)產(chǎn)品的品質(zhì) 要求越來(lái)越高。由于電容式觸摸屏具有高敏感、長(zhǎng)壽命且支持多點(diǎn)觸摸的優(yōu)點(diǎn)，成為時(shí)下的 主流觸摸技術(shù)。電容式觸摸屏又分為自容式觸摸屏和互容式觸摸屏，自容式觸摸屏的觸控 電極與地構(gòu)成電容，當(dāng)手指觸摸到電容屏?xí)r，會(huì)使觸摸點(diǎn)的電容變化，從而來(lái)判斷觸摸位 置?；ト菔接|摸屏的觸控電極包括驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極，觸控電極和驅(qū)動(dòng)電極構(gòu)成電容，當(dāng) 手指觸摸到電容屏?xí)r，會(huì)使觸摸點(diǎn)的電容變化，從而來(lái)判斷觸摸位置。
[0003] 為了提高靈敏度，需要減小觸控電極的電阻，降低RC延遲。降低RC延遲的主要方式 是使用低電阻率材質(zhì)，如Cu、Al等，但是Cu原子活潑性強(qiáng)，容易擴(kuò)散迀移，需要添加額外的阻 擋層，如ΙΤ0等。同時(shí)Cu金屬的刻蝕需要使用H 202，H202存在使用溫度低，易分解等問(wèn)題。Mo/ Al/Mo的使用，也可以降低電阻，但是受到玻璃應(yīng)力以及工藝的限制，Mo/Al/Mo膜層必須維 持在一定厚度，電阻不能無(wú)限降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種觸控基板及其制作方法、顯示器件，用以解決如何減小觸控電極 的電阻的問(wèn)題。
[0005] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種觸控基板，包括多條觸控電極，每 條所述觸控電極由至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極組成。
[0006] 本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示器件，包括如上所述的觸控基板。
[0007] 本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種觸控基板的制作方法，包括形成多條觸控電極的步 驟，其特征在于，形成每條觸控電極的步驟包括：
[0008] 形成至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極。
[0009] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：
[0010] 上述技術(shù)方案中，通過(guò)設(shè)置觸控電極由至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極組成，能夠減小觸 控電極的電阻，降低RC延遲，提高觸摸檢測(cè)靈敏度。
【附圖說(shuō)明】
[0011] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1表不本發(fā)明實(shí)施例中觸控基板的結(jié)構(gòu)不意圖一；
[0013]圖2表示圖1沿A-A的剖視圖；
[0014] 圖3表示圖1沿B-B的剖視圖；
[0015] 圖4、5、7、9、11、13和14表示圖1所示觸控基板的制作過(guò)程示意圖；
[0016] 圖6表示圖5沿C-C的剖視圖；
[0017]圖8表示圖7沿D-D的剖視圖；
[0018]圖10表示圖9沿E-E的剖視圖；
[0019]圖12表示圖1沿A-A的剖視圖；
[0020]圖15表不本發(fā)明實(shí)施例中觸控基板的結(jié)構(gòu)不意圖__。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí) 施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0022] 實(shí)施例一
[0023] 本實(shí)施例中提供一種觸控基板，用于減小觸控電極的電阻，降低RC延遲，提高觸摸 檢測(cè)靈敏度。
[0024] 所述觸控基板包括多條觸控電極，每條所述觸控電極由至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極組 成，由于所述至少兩個(gè)子電極并聯(lián)后，總電阻小于任一子電極的電阻，從而能夠減小觸控電 極的電阻，克服采用低電阻率材料來(lái)減小觸控電極的電阻受到工藝限制的問(wèn)題。
[0025] 本發(fā)明的觸控基板可以為自容式觸控基板，也可以為互容式觸控基板。當(dāng)所述觸 控基板為互容式觸控基板時(shí)，所述觸控電極包括驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極，驅(qū)動(dòng)電極和/或感應(yīng) 電極由至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極組成。
[0026]其中，觸控基板可以外掛在顯示基板上，也可以將觸控電極內(nèi)嵌在顯示基板內(nèi)部， 形成內(nèi)嵌式觸控基板。對(duì)于內(nèi)嵌式觸控基板，為了簡(jiǎn)化制作工藝，可以在制作導(dǎo)電的顯示膜 層的同時(shí)形成觸控電極。
[0027] 本實(shí)施例中以觸控電極內(nèi)嵌在薄膜晶體管陣列基板內(nèi)部為例，來(lái)具體介紹本發(fā)明 的技術(shù)方案。
[0028] 如圖1所示，當(dāng)觸控電極內(nèi)嵌在薄膜晶體管陣列基板內(nèi)部時(shí)，所述內(nèi)嵌式觸控基板 還包括多條柵線1和多條數(shù)據(jù)線6。所述觸控電極包括與柵線1同層的第一子電極2和與數(shù)據(jù) 線6同層的第二子電極8,第一子電極2和第二子電極8并聯(lián)，總電阻小于第一子電極2和第二 子電極8的電阻，從而能夠減小觸控電極的電阻。另外，不需要增加單獨(dú)的制作工藝來(lái)形成 第一子電極2和第二子電極8,簡(jiǎn)化制作工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0029] 為了簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中設(shè)置所述觸控電極與柵線1或數(shù)據(jù)線6平行，下面將通 過(guò)兩個(gè)具體的實(shí)施方式來(lái)描述。
[0030] 在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，如圖1所示，所述觸控電極與數(shù)據(jù)線6平行設(shè)置，柵線1 包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第一線段，相鄰的兩條第一線段之間包括開(kāi)口，觸控電極 位于所述開(kāi)口所在的區(qū)域內(nèi)。
[0031] 進(jìn)一步地，參見(jiàn)圖2所示，所述觸控基板還包括多條第一橋接線12,以及位于柵線1 和第一橋接線12之間的第一絕緣層(對(duì)于底柵型薄膜晶體管，所述第一絕緣層包括圖2中的 柵絕緣層3和鈍化層11)。所述第一絕緣層中具有多個(gè)第一過(guò)孔，第一橋接線12通過(guò)所述第 一過(guò)孔電性連接相鄰的兩條第一線段。具體為，對(duì)于一柵線1的相鄰兩條第一線段，對(duì)應(yīng)的 第一橋接線12的第一端通過(guò)所述第一過(guò)孔與其中一條第一線段電性連接，對(duì)應(yīng)的第一橋接 線12的第二端通過(guò)所述第一過(guò)孔與另一條第一線段電性連接。其中，圖2為圖1沿A-A的剖視 圖。需要說(shuō)明的是，電性連接相鄰的兩條第一線段的結(jié)構(gòu)并不局限為橋接線，例如：也可以 設(shè)置一第一線段填充所述第一過(guò)孔與相鄰的第一線段電性接觸，當(dāng)然還有其他結(jié)構(gòu)形式， 在此不再一一列舉。
[0032] 本實(shí)施方式中，同樣地，也可以通過(guò)橋接線來(lái)實(shí)現(xiàn)觸控電極的第一子電極2和第二 子電極8的并聯(lián)。具體為:如圖14所示，所述觸控基板還包括第三橋接線13,以及位于所述觸 控電極和第三橋接線13之間的第三絕緣層，所述第三絕緣層中還具有第三過(guò)孔，第三橋接 線13通過(guò)所述第三過(guò)孔電性連接第一子電極2和第二子電極8對(duì)應(yīng)的一端，以及第一子電極 2和第二子電極8對(duì)應(yīng)的另一端。通過(guò)在觸控電極的兩端分別設(shè)置一個(gè)第三橋接線13,短接 第一子電極2和第二子電極8的兩端，實(shí)現(xiàn)第一子電極2和第二子電極8的并聯(lián)?？蛇x的，設(shè)置 觸控電極的端部延伸至觸控區(qū)域外圍的非觸控區(qū)域，第三橋接線13位于非觸控區(qū)域，其設(shè) 置不會(huì)影響觸控區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
[0033] 本實(shí)施方式中通過(guò)橋接線來(lái)電性連接?xùn)啪€1的多條第一線段，以及并聯(lián)第一子電 極2和第二子電極8,便于通過(guò)一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成第一橋接線12和第三橋接線13,簡(jiǎn)化 制作工藝，具體將在下面的內(nèi)容中介紹。
[0034] 需要說(shuō)明的是，附圖中僅示意出觸控電極內(nèi)嵌到底柵型薄膜晶體管陣列基板內(nèi)部 的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的技術(shù)方案也適用于觸控電極內(nèi)嵌到其他類(lèi)型的薄膜晶體管陣列基 板內(nèi)部，只需根據(jù)陣列基板的各顯示膜層結(jié)構(gòu)對(duì)觸控電極的子電極位置進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整即 可。
[0035] 結(jié)合圖1-圖3,以及圖14所示，本實(shí)施方式中的內(nèi)嵌式觸控基板具體包括：
[0036] 襯底基板100，為透明基板，如:玻璃基板、石英基板、樹(shù)脂基板；
[0037] 設(shè)置在襯底基板100上的柵線1、觸控電極的第一子電極2,以及薄膜晶體管的柵電 極，所述柵電極與柵線1為一體結(jié)構(gòu)，柵線1與第一子電極2為由同一柵金屬層制得的同層結(jié) 構(gòu)，柵線1包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第一線段，相鄰的兩條第一線段之間包括開(kāi)口， 第一子電極2位于所述開(kāi)口內(nèi)；
[0038]覆蓋襯底基板100的柵絕緣層3;
[0039] 設(shè)置在柵絕緣層3上、與柵電極位置對(duì)應(yīng)的有源層圖案4;
[0040] 設(shè)置在柵絕緣層3上、位于像素區(qū)域的像素電極5;
[0041] 設(shè)置在柵絕緣層3上的數(shù)據(jù)線6、觸控電極的第二子電極8,以及搭接在有源層4上 的源電極和漏電極7,源電極和數(shù)據(jù)線6為一體結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線6和第二子電極8為由同一源漏 金屬層制得的同層結(jié)構(gòu)，漏電極7搭接在像素電極5上；
[0042]覆蓋襯底基板100的鈍化層11;
[0043]設(shè)置在鈍化層11上、位于像素區(qū)域的公共電極10,公共電極10上具有多條狹縫； [0044]設(shè)置在鈍化層11上的第一橋接線12和第三橋接線13,第一橋接線12通過(guò)貫穿鈍化 層11和柵絕緣層3的第一過(guò)孔電性連接?xùn)啪€1的相鄰兩個(gè)第一線段，第三橋接線13通過(guò)鈍化 層11和柵絕緣層3中的第三過(guò)孔短接第一子電極2和第二子電極8的兩端，具體為，第三橋接 線13的一端通過(guò)鈍化層11中的第三過(guò)孔與第二子電極8電性連接，另一端通過(guò)貫穿鈍化層 11和柵絕緣層3與第一子電極2電性連接，實(shí)現(xiàn)第一子電極2和第二子電極8并聯(lián)，如圖14所 示。并聯(lián)的第一子電極2和第二子電極8形成觸控電極，所述觸控電極位于柵線1的所述開(kāi)口 所在的區(qū)域內(nèi)。
[0045] 其中，第一橋接線12和第三橋接線13可以與公共電極10為由同一透明導(dǎo)電層制得 的同層結(jié)構(gòu)。
[0046] 當(dāng)上述觸控基板不包括公共電極時(shí)，在完成薄膜晶體管的制作后才形成像素電 極，像素電極暴露在觸控基板的外面，則第一橋接線12和第三橋接線13可以與像素電極為 由同一透明導(dǎo)電層制得的同層結(jié)構(gòu)。
[0047] 在另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，如圖15所示，所述觸控電極與柵線1平行，包括并聯(lián) 的第一子電極2和第二子電極8,第一子電極2與柵線1同層，第二子電極8與數(shù)據(jù)線6同層。數(shù) 據(jù)線6包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第二線段，相鄰的兩條第二線段之間包括開(kāi)口，觸控 電極位于所述開(kāi)口所在的區(qū)域內(nèi)。
[0048] 進(jìn)一步地，所述觸控基板還包括多條第二橋接線15,以及位于數(shù)據(jù)線6和第二橋接 線15之間的第二絕緣層。所述第二絕緣層中具有多個(gè)第二過(guò)孔，第二橋接線15通過(guò)所述第 二過(guò)孔電性連接相鄰的兩條所述第二線段。具體為:對(duì)于一數(shù)據(jù)線6的相鄰兩條第二線段， 對(duì)應(yīng)的第二橋接線15的第一端通過(guò)所述第二過(guò)孔與其中一條第二線段電性連接，對(duì)應(yīng)的第 二橋接線15的第二端通過(guò)所述第二過(guò)孔與另一條第二線段電性連接。
[0049] 本實(shí)施方式中，同樣地，也可以通過(guò)橋接線來(lái)實(shí)現(xiàn)觸控電極的第一子電極2和第二 子電極8的并聯(lián)。具體為:如圖14所示，所述觸控基板還包括第三橋接線13,以及位于所述觸 控電極和第三橋接線13之間的第三絕緣層，所述第三絕緣層中還具有第三過(guò)孔，第三橋接 線13通過(guò)所述第三過(guò)孔電性連接第一子電極2和第二子電極8對(duì)應(yīng)的一端，以及第一子電極 2和第二子電極8對(duì)應(yīng)的另一端。通過(guò)在觸控電極的兩端分別設(shè)置一個(gè)第三橋接線13,短接 第一子電極2和第二子電極8的兩端，實(shí)現(xiàn)第一子電極2和第二子電極8的并聯(lián)。當(dāng)觸控電極 的端部延伸至觸控區(qū)域外圍的非觸控區(qū)域時(shí)，第三橋接線13位于非觸控區(qū)域，其設(shè)置不會(huì) 影響觸控區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
[0050] 本實(shí)施方式中通過(guò)橋接線來(lái)電性連接數(shù)據(jù)線6的多條第二線段，以及并聯(lián)第一子 電極2和第二子電極8,便于通過(guò)一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成第二橋接線15和第三橋接線13,簡(jiǎn) 化制作工藝。
[0051] 如圖15所示，以觸控電極內(nèi)嵌在底柵型薄膜晶體管陣列基板內(nèi)部為例，所述觸控 基板的具體包括：
[0052] 柵線 1;
[0053]數(shù)據(jù)線6,包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第二線段，相鄰的兩條第二線段之間包 括開(kāi)口，相鄰的兩條第二線段通過(guò)第二橋接線15電性連接；
[0054]與數(shù)據(jù)線6平行的觸控電極，觸控電極包括與柵線1同層的第一子電極2和與數(shù)據(jù) 線6同層的第二子電極8,所述觸控電極位于數(shù)據(jù)線6的所述開(kāi)口所在的區(qū)域內(nèi)。
[0055]至于觸控基板的其他結(jié)構(gòu)與上一個(gè)【具體實(shí)施方式】相同，在此不再贅述。
[0056]當(dāng)然，本發(fā)明的觸控電極不僅可以?xún)?nèi)嵌到液晶顯示基板內(nèi)部，也可以?xún)?nèi)嵌到0LED 顯示基板內(nèi)部?；蛘邔⒈景l(fā)明的觸控基板外掛到液晶顯示基板、0LED顯示基板或其他類(lèi)型 的顯不基板上。
[0057] 實(shí)施例二
[0058]本實(shí)施例中提供一種顯示器件，包括實(shí)施例一中的觸控基板，由于減小了觸控電 極的電阻，從而降低了RC延遲，提高了觸摸檢測(cè)靈敏度。
[0059] 實(shí)施例三
[0060] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本實(shí)施例中提供一種觸控基板的制作方法，包括形成多條觸 控電極的步驟，其特征在于，形成每條觸控電極的步驟包括：
[0061] 形成至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極。
[0062] 通過(guò)上述步驟形成的觸控電極由至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極組成，由于所述至少兩個(gè) 子電極并聯(lián)后，總電阻小于任一子電極的電阻，從而能夠減小觸控電極的電阻，克服采用低 電阻率材料來(lái)減小觸控電極的電阻受到工藝限制的問(wèn)題。
[0063] 結(jié)合圖1-圖3所示，當(dāng)所述觸控電極內(nèi)嵌到薄膜晶體管陣列基板內(nèi)部，形成內(nèi)嵌式 觸控基板時(shí)，所述觸控電極包括并聯(lián)的第一子電極2和第二子電極8,所述制作方法包括：
[0064] 形成柵極金屬層，同一次構(gòu)圖工藝形成柵線1和第一子電極2;
[0065] 形成源漏金屬層，同一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線6和第二子電極7。
[0066] 上述步驟通過(guò)對(duì)同一柵金屬層的構(gòu)圖工藝形成第一子電極1和柵線2,通過(guò)對(duì)同一 源漏金屬層的構(gòu)圖工藝形成第二子電極8和數(shù)據(jù)線6,不需要增加單獨(dú)的制作工藝來(lái)形成第 一子電極2和第二子電極8,簡(jiǎn)化制作工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0067] 為了簡(jiǎn)化制作工藝，本實(shí)施例中設(shè)置所述觸控電極與柵線1或數(shù)據(jù)線6平行，下面 將通過(guò)兩個(gè)具體的實(shí)施方式來(lái)描述。
[0068] 在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，結(jié)合圖1-圖3所示，所述觸控電極與數(shù)據(jù)線6平行。形成 柵線1的步驟包括：
[0069] 形成多條間隔設(shè)置且電性連接的第一線段，相鄰的兩條第一線段之間包括開(kāi)口， 所述觸控電極位于所述開(kāi)口所在的區(qū)域內(nèi)。
[0070] 進(jìn)一步地，所述制作方法還包括：
[0071] 形成多條第一橋接線12;
[0072] 在柵線1和第一橋接線12之間形成第一絕緣層(對(duì)于底柵型薄膜晶體管，所述第一 絕緣層包括圖2中的柵絕緣層3和鈍化層11)，并在所述第一絕緣層中形成多個(gè)第一過(guò)孔9， 第一橋接線12通過(guò)第一過(guò)孔9電性連接相鄰的兩個(gè)第一線段，結(jié)合圖2和圖12所示。其中，圖 2為圖1沿A-A的剖視圖，圖12為圖11沿A-A的剖視圖。
[0073]上述步驟通過(guò)形成第一橋接線12來(lái)電性連接?xùn)啪€1的多條第一線段。
[0074]同樣地，也可以通過(guò)橋接線來(lái)實(shí)現(xiàn)觸控電極的第一子電極2和第二子電極8的并 聯(lián)，則所述制作方法還包括：
[0075]形成至少兩個(gè)第三橋接線13,如圖14所示；
[0076]在所述觸控電極和第三橋接線13之間形成第三絕緣層，并在所述第三絕緣層中形 成多個(gè)第三過(guò)孔，第三橋接線13通過(guò)所述第三過(guò)孔電性連接第一子電極2和第二子電極8對(duì) 應(yīng)的一端，以及第一子電極2和第二子電極8對(duì)應(yīng)的另一端，使第一子電極2和第二子電極8 并聯(lián)，結(jié)合圖13和圖14所示。可選的，設(shè)置觸控電極的端部延伸至觸控區(qū)域外圍的非觸控區(qū) 域，第三橋接線13位于非觸控區(qū)域，其設(shè)置不會(huì)影響觸控區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
[0077]本實(shí)施方式中通過(guò)對(duì)同一膜層的構(gòu)圖工藝同時(shí)形成第一橋接線12和第三橋接線 13,簡(jiǎn)化制作工藝。
[0078] 結(jié)合圖1-圖14所示，以觸控電極內(nèi)嵌到底柵型薄膜晶體管內(nèi)部形成內(nèi)嵌式觸控基 板為例，觸控基板的制作方法具體包括：
[0079] 步驟S1、提供一襯底基板100，為透明基板，如:玻璃基板、石英基板、樹(shù)脂基板；
[0080] 步驟S2、如圖4所示，在襯底基板100上形成柵金屬層，對(duì)所述柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工 藝形成柵線1、觸控電極的第一子電極2,以及薄膜晶體管的柵電極，所述柵電極與柵線1為 一體結(jié)構(gòu)，柵線1包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第一線段，相鄰的兩條第一線段之間包括 開(kāi)口，第一子電極2位于所述開(kāi)口內(nèi)；
[0081 ]具體可以利用磁控濺射在襯底基板100上形成厚度為2200~3400 A的柵金屬層， 所述構(gòu)圖工藝包括涂覆光刻膠，利用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠的圖形， 并以光刻膠為阻擋刻蝕柵金屬層，玻璃剩余的光刻膠，形成柵線1、觸控電極的第一子電極 2,以及薄膜晶體管的柵電極。
[0082] 所述柵金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的 合金，柵金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\M〇，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo 等。
[0083] 步驟S3、在完成步驟S2的襯底基板100上形成柵絕緣層3,參見(jiàn)圖6所示；
[0084] 柵絕緣層3覆蓋整個(gè)襯底基板100,其材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物， 可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體地，柵絕緣層3的材料可以是SiNx，Si0x或Si(0N)x。
[0085] 可以采用化學(xué)氣相沉積的方法連續(xù)沉積氮化硅，形成厚度為3500~4000 A的柵 絕緣層3。
[0086] 步驟S4、在完成步驟S2的襯底基板100上形成有源層圖案4,有源層4與柵電極的位 置對(duì)應(yīng)，結(jié)合圖5和圖6所示，圖6為圖5沿C-C的剖視圖；
[0087] 有源層4可以采用硅半導(dǎo)體材料或金屬氧化物半導(dǎo)體材料(如:銦鋅氧化物、銦錫 氧化物）。
[0088] 以非晶硅為例，在襯底基板100上形成厚度為1 800~2300 A的非晶硅層，然后涂 覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕，形成有源層圖案4。
[0089] 步驟S4、在完成步驟S3的襯底基板100上形成像素電極5,像素電極5位于像素區(qū)域 內(nèi)結(jié)合，圖7和圖8所示，圖8為圖7沿D-D的剖視圖；
[0090] 像素電極5由透明導(dǎo)電材料制得，如:銦鋅氧化物或銦錫氧化物，透明導(dǎo)電材料可 以通過(guò)磁控濺射在襯底基板100上成膜，成膜厚度為400~800 A，然后通過(guò)構(gòu)圖工藝形成 像素電極5。
[0091] 步驟S5、在完成步驟S4的襯底基板100上形成源漏金屬層，對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行 構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線6、觸控電極的第二子電極8,以及搭接在有源層4上的源電極和漏電 極7，結(jié)合圖9和圖10所示，圖10為圖9沿E-E的剖視圖；
[0092]柵線1和6限定多個(gè)像素區(qū)域，源電極和數(shù)據(jù)線6為一體結(jié)構(gòu)，漏電極7搭接在像素 電極5上。
[0093] 所述源漏金屬層可以是&14148肩0,〇，制，附，111，1^&，1等金屬以及這些金屬 的合金，源漏金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\ Mo等。以Μο\Α1\Μο為例，采用磁控派射在襯底基板100上形成源漏金屬層，源漏金屬層的厚 度為3200~40001
[0094] 步驟S6、在完成步驟S5的襯底基板100上形成鈍化層11，并在鈍化層11中形成多個(gè) 第一過(guò)孔9和第三過(guò)孔14，鈍化層11覆蓋整個(gè)襯底基板100，參見(jiàn)圖12和圖13所示；
[0095] 鈍化層11的材料可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以為單層、雙層或多層 結(jié)構(gòu)。具體地，鈍化層11的材料可以是SiNx，SiOx或Si (ON)X。
[0096] 可以采用化學(xué)氣相沉積方法在襯底基板100上沉積氮化硅，形成厚度為 2500~6000 A的鈍化層11。并通過(guò)構(gòu)圖工藝在鈍化層η中形成多個(gè)第一過(guò)孔9和第三過(guò) 孔14。
[0097] 步驟S7、在完成步驟S6的襯底基板100上形成透明導(dǎo)電層，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行 構(gòu)圖工藝形成公共電極10、第一橋接線12和第三橋接線13,第一橋接線12通過(guò)所述第一過(guò) 孔9電性連接?xùn)啪€1的相鄰兩條第一線段，結(jié)合2和圖12所示，第三橋接線13通過(guò)第三過(guò)孔14 短接第一子電極2和第二子電極的兩端，具體的，第三橋接線13的一端通過(guò)鈍化層11中的第 三過(guò)孔14與第二子電極8電性連接，另一端通過(guò)貫穿鈍化層11和柵絕緣層3的第三過(guò)孔14與 第一子電極2電性連接，結(jié)合圖13和14所示，圖中僅示意出觸控電極的一端，另一端與該端 對(duì)稱(chēng)；
[0098] 公共電極10位于像素區(qū)域內(nèi)，且公共電極10上具有多條狹縫，其由透明導(dǎo)電材料 制得，如:銦鋅氧化物或銦錫氧化物，通過(guò)磁控濺射方法在襯底基板100上成膜，形成制備公 共電極1 〇的透明導(dǎo)電層，厚度為40CM 500人5
[0099] 觸控電極的端部延伸至觸控區(qū)域外圍的非觸控區(qū)域，第三橋接線13位于非觸控區(qū) 域。
[0100] 當(dāng)上述內(nèi)嵌式觸控基板不包括公共電極時(shí)，在完成薄膜晶體管的制作后才形成像 素電極，像素電極暴露在觸控基板的外面，則第一橋接線12和第三橋接線13可以與像素電 極由同一透明導(dǎo)電層制得。
[0101] 在另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，如圖15所示，所述觸控電極與柵線1平行，包括并聯(lián) 的第一子電極2和第二子電極8,第一子電極2與柵線1同層，第二子電極8與數(shù)據(jù)線6同層。形 成數(shù)據(jù)線的步驟包括：
[0102] 形成多條間隔設(shè)置且電性連接的第二線段，相鄰的兩條第二子電極之間包括開(kāi) 口，所述觸控電極位于所述開(kāi)口所在的區(qū)域內(nèi)。
[0103]進(jìn)一步地，所述制作方法還包括：
[0104] 形成多條第二橋接線15;
[0105] 在數(shù)據(jù)線6和第二橋接線15之間形成第二絕緣層，并在所述第二絕緣層中形成多 個(gè)第二過(guò)孔，第二橋接線15通過(guò)所述第二過(guò)孔電性連接相鄰的兩條第二線段。
[0106] 上述步驟通過(guò)形成第二橋接線15來(lái)電性連接數(shù)據(jù)線6的多條第二線段。
[0107] 同樣地，也可以通過(guò)橋接線來(lái)實(shí)現(xiàn)觸控電極的第一子電極2和第二子電極8的并 聯(lián)，則所述制作方法還包括：
[0108] 形成至少兩個(gè)第三橋接線13,如圖14所示；
[0109]在所述觸控電極和第三橋接線13之間形成第三絕緣層，并在所述第三絕緣層中形 成多個(gè)第三過(guò)孔，第三橋接線13通過(guò)所述第三過(guò)孔電性連接第一子電極2和第二子電極8， 使第一子電極2和第二子電極8并聯(lián)，結(jié)合圖13和圖14所示?？蛇x的，設(shè)置觸控電極的端部延 伸至觸控區(qū)域外圍的非觸控區(qū)域，第三橋接線13位于非觸控區(qū)域，其設(shè)置不會(huì)影響觸控區(qū) 域的結(jié)構(gòu)。
[0110] 本實(shí)施方式中通過(guò)對(duì)同一膜層的構(gòu)圖工藝同時(shí)形成第二橋接線15和第三橋接線 13,簡(jiǎn)化制作工藝。
[0111] 如圖15所示，以觸控電極內(nèi)嵌到底柵型薄膜晶體管內(nèi)部形成內(nèi)嵌式觸控基板為 例，觸控基板的制作方法具體包括：
[0112]形成柵線1;
[0113]形成數(shù)據(jù)線6,數(shù)據(jù)線6包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第二線段，相鄰的兩條第 二線段之間具有開(kāi)口；
[0114]形成與柵線1平行設(shè)置的觸控電極，觸控電極位于數(shù)據(jù)線6的所述開(kāi)口所在的區(qū)域 內(nèi)，形成觸控電極的步驟包括：
[0115] 通過(guò)對(duì)同一柵金屬層的構(gòu)圖工藝形成柵線1和第一子電極2;
[0116] 通過(guò)對(duì)同一源漏金屬層的構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線6和第二子電極8;
[0117]形成第三橋接線13,在所述觸控電極和第三橋接線13之間形成第三絕緣層，第三 橋接線13通過(guò)位于所述第三絕緣層中的第三過(guò)孔電性連接第一子電極2和第二子電極8對(duì) 應(yīng)的一端，以及第一子電極2和第二子電極8對(duì)應(yīng)的另一端，使第一子電極2和第二子電極8 并聯(lián)；
[0118] 形成第二橋接線15,在數(shù)據(jù)線6和第三橋接線13之間形成第二絕緣層，第二橋接線 15和第三橋接線15通過(guò)對(duì)同一膜層的構(gòu)圖工藝制得，所述第二絕緣層中還具有第二過(guò)孔， 第二橋接線15通過(guò)所述第二過(guò)孔電性連接數(shù)據(jù)線6的多條第二線段；
[0119] 至于觸控基板的其他結(jié)構(gòu)與上一個(gè)【具體實(shí)施方式】中的制作工藝相同，在此不再贅 述。
[0120]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的技術(shù)方案也適用于觸控電極內(nèi)嵌到其他類(lèi)型的薄膜晶體 管陣列基板內(nèi)部，只需根據(jù)陣列基板的各顯示膜層的制作工藝對(duì)觸控電極的子電極的制作 工藝進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整即可。
[0121] 當(dāng)然，本發(fā)明的觸控電極不僅可以?xún)?nèi)嵌到液晶顯示基板內(nèi)部，也可以?xún)?nèi)嵌到0LED 顯示基板內(nèi)部。或者將本發(fā)明的觸控基板外掛到液晶顯示基板、0LED顯示基板或其他類(lèi)型 的顯不基板上。
[0122] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換 也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種觸控基板，包括多條觸控電極，其特征在于，每條所述觸控電極由至少兩個(gè)并聯(lián) 的子電極組成。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控基板還包括多條柵線和多條 數(shù)據(jù)線； 所述觸控電極包括與所述柵線同層的第一子電極和與所述數(shù)據(jù)線同層的第二子電極。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控電極與所述數(shù)據(jù)線平行設(shè) 置，所述柵線包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第一線段，相鄰的兩條第一線段之間包括開(kāi) 口，所述觸控電極位于所述開(kāi)口所在的區(qū)域內(nèi)。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控基板還包括多條第一橋接 線，以及位于所述柵線和第一橋接線之間的第一絕緣層； 所述第一絕緣層中包括多個(gè)第一過(guò)孔，所述第一橋接線通過(guò)所述第一過(guò)孔電性連接相 鄰的兩條所述第一線段。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控電極與所述柵線平行，所述 數(shù)據(jù)線包括多條間隔設(shè)置且電性連接的第二線段，相鄰的兩條第二線段之間包括開(kāi)口，所 述觸控電極位于所述開(kāi)口所在的區(qū)域內(nèi)。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控基板還包括多條第二橋接 線，以及位于所述數(shù)據(jù)線和第二橋接線之間的第二絕緣層； 所述第二絕緣層中包括多個(gè)第二過(guò)孔，所述第二橋接線通過(guò)所述第二過(guò)孔電性連接相 鄰的兩個(gè)所述第二線段。7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控基板還包括第三橋接線，以 及位于所述觸控電極和第三橋接線之間的第三絕緣層； 所述第三絕緣層包括第三過(guò)孔，所述第三橋接線通過(guò)所述第三過(guò)孔電性連接所述第一 子電極和第二子電極對(duì)應(yīng)的一端，以及所述第一子電極和第二子電極對(duì)應(yīng)的另一端。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控電極的端部延伸至觸控區(qū)域 外圍的非觸控區(qū)域，所述第三橋接線位于非觸控區(qū)域。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控基板還包括像素電極和公共 電極，所述第三橋接線與所述像素電極或公共電極為同層結(jié)構(gòu)。10. -種顯示器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的觸控基板。11. 一種觸控基板的制作方法，包括形成多條觸控電極的步驟，其特征在于，形成每條 觸控電極的步驟包括： 在觸控基板上形成至少兩個(gè)并聯(lián)的子電極。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述觸控電極包括并聯(lián)的第一子電 極和第二子電極，所述制作方法包括： 形成柵極金屬層，同一次構(gòu)圖工藝形成柵線和第一子電極； 形成源漏金屬層，同一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線和第二子電極。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括： 形成第三絕緣層，所述第三絕緣層位于所述觸控電極上，在所述第三絕緣層中形成第 二過(guò)孔; 形成第三橋接線，所述第三橋接線通過(guò)所述第三過(guò)孔電性連接所述第一子電極和第二 子電極對(duì)應(yīng)的一端，以及所述第一子電極和第二子電極對(duì)應(yīng)的另一端。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK106095167SQ201610383906
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月1日 公開(kāi)號(hào)201610383906.5, CN 106095167 A, CN 106095167A, CN 201610383906, CN-A-106095167, CN106095167 A, CN106095167A, CN201610383906, CN201610383906.5
【發(fā)明人】姜曉輝, 曲連杰, 王德帥, 張家祥, 張磊
【申請(qǐng)人】北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司