一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及液晶面板的制造技術(shù)領(lǐng)域，在制作過程中避免了由于兩條信號(hào)線之間的相鄰電壓差而導(dǎo)致靜電的產(chǎn)生和累積，防止陣列基板上累積過量靜電而發(fā)生靜電擊穿。在襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成第一信號(hào)線；在襯底基板上，形成用于將至少兩條第一信號(hào)線相連接的第一導(dǎo)通線；在形成有第一信號(hào)線和第一導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第一絕緣層；在第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置處形成第一過孔；通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔位置處的第一導(dǎo)通線斷開。
【專利說明】
一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶面板的制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在TFT_LCD(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示裝置)陣列基板的制造技術(shù)領(lǐng)域，靜電(Electro-Static discharge，ESD)—直是一個(gè)難以解決的問題，靜電會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品良率降低、成本增加、產(chǎn)能下降，一直影響著液晶顯示裝置的品質(zhì)。
[0003]在液晶面板的制作工藝中，尤其是在真空成膜以及干刻蝕刻等等離子體的工作過程中，由于在相鄰的兩條信號(hào)線之間產(chǎn)生電壓差，從而不可避免的會(huì)在陣列基板的玻璃表面上產(chǎn)生并累積靜電。由于在陣列基板的制作工藝中，需要通過移動(dòng)機(jī)械手支撐柱、滾輪等工具支撐陣列基板或?qū)﹃嚵谢暹M(jìn)行工序間的轉(zhuǎn)運(yùn)，而移動(dòng)機(jī)械手支撐柱、滾輪等工具與陣列基板之間的接觸面積小，大量累積在陣列基板上的靜電電荷可能會(huì)在陣列基板與移動(dòng)機(jī)械手支撐柱、滾輪等工具的接觸點(diǎn)處形成靜電聚集點(diǎn)，引起靜電擊穿，導(dǎo)致陣列基板的損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，在制作過程中避免了由于相鄰的兩條信號(hào)線之間存在電壓差而導(dǎo)致靜電的產(chǎn)生和累積，防止陣列基板上累積過量靜電而發(fā)生靜電擊穿。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成第一信號(hào)線;在襯底基板上，形成用于將至少兩條第一信號(hào)線相連接的第一導(dǎo)通線;在形成有第一信號(hào)線和第一導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第一絕緣層;在第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置處形成第一過孔;通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔位置處的第一導(dǎo)通線斷開。
[0007]進(jìn)一步的，還包括:在形成有第一絕緣層的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成第二信號(hào)線;第二信號(hào)線在襯底基板上的投影與第一信號(hào)線在襯底基板上的投影相互交叉;在襯底基板上，形成用于將至少兩條第二信號(hào)線相連通的第二導(dǎo)通線;在形成有第二導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第二絕緣層;在第二絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第二信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)第二導(dǎo)通線的位置形成第二過孔;通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第二過孔位置處的第二導(dǎo)通線斷開。
[0008]優(yōu)選的，在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成第一信號(hào)線的同時(shí)，形成TFT的源極和漏極。
[0009]進(jìn)一步的，形成第一導(dǎo)通線包括:在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的同時(shí)，形成第一導(dǎo)通線。
[0010]優(yōu)選的，在形成第一信號(hào)線的同時(shí)，通過構(gòu)圖工藝形成將至少兩條第一信號(hào)線相連接的第一導(dǎo)通線。
[0011]優(yōu)選的，在襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成第一信號(hào)線的同時(shí)，形成TFT的柵極，柵極與第一信號(hào)線相連接。
[0012]進(jìn)一步的，形成第一導(dǎo)通線之前，制作方法包括:在形成有第一信號(hào)線的襯底基板上，形成柵極絕緣層，且通過構(gòu)圖工藝，在柵極絕緣層對(duì)應(yīng)第一信號(hào)線的位置形成第三過孔;在形成有第一信號(hào)線和第一導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第一絕緣層之前，形成第一導(dǎo)通線包括:在形成有柵極絕緣層的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的同時(shí)，形成第一導(dǎo)通線，第一導(dǎo)通線通過第三過孔將至少兩條第一信號(hào)線相連通。
[0013]優(yōu)選的，在形成第一信號(hào)線的同時(shí)，通過構(gòu)圖工藝形成將至少兩條第一信號(hào)線相連通的第一導(dǎo)通線。
[0014]優(yōu)選的，在形成有第一信號(hào)線和第一導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第一絕緣層之前還包括:通過構(gòu)圖工藝形成TFT源極和漏極的同時(shí)，形成第二信號(hào)線，第二信號(hào)線在襯底基板上的投影與第一信號(hào)線在襯底基板上的投影相互交叉;其中，第一導(dǎo)通線將至少兩條第二信號(hào)線相連接;在形成有第二信號(hào)線的襯底基板上，形成第一絕緣層;在第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置處形成第一過孔的同時(shí)，還包括:在第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第二信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置處形成第四過孔;通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔和第四過孔位置處的第一導(dǎo)通線斷開。
[0015]進(jìn)一步的，在形成有TFT的源極和漏極的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層；在第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置形成第一過孔包括:在鈍化層對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置形成第一過孔;在形成有鈍化層的襯底基板上，形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層通過第一過孔與第一導(dǎo)通線相連接;通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔位置處的第一導(dǎo)通線斷開之前包括，對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行掩膜、曝光;通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔位置處的第一導(dǎo)通線斷開還包括去除第一過孔中的透明導(dǎo)電層，且在進(jìn)行該刻蝕工藝的同時(shí)形成公共電極。
[0016]優(yōu)選的，在形成有TFT的柵極的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成柵極絕緣層;在形成有TFT的源極和漏極的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層;在第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置形成第一過孔包括:在鈍化層以及柵極絕緣層上，在位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線之間，對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線的位置形成第一過孔;在形成有鈍化層的襯底基板上，形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層通過第一過孔與第一導(dǎo)通線相連接;通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔位置處的第一導(dǎo)通線斷開之前包括，對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行掩膜、曝光;通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔位置處的第一導(dǎo)通線斷開還包括去除第一過孔中的透明導(dǎo)電層，且在進(jìn)行該刻蝕工藝的同時(shí)形成公共電極。
[0017]優(yōu)選的，在陣列基板的顯示區(qū)域，以及位于顯示區(qū)域周邊的非顯示區(qū)域均形成有第一導(dǎo)通線。
[0018]優(yōu)選的，顯示區(qū)域還包括有效區(qū)域以及位于有效區(qū)域周邊的虛擬區(qū)域，在顯示區(qū)域形成的第一導(dǎo)通線設(shè)置在虛擬區(qū)域。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面提供一種陣列基板，采用上述的陣列基板的制作方法制得。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例的再一方面提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0021]本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，在制作過程中將至少兩條第一信號(hào)線通過第一導(dǎo)通線連通，消除了第一信號(hào)線之間的電壓差，從而避免由于相鄰兩條第一信號(hào)線之間具有電壓差而在陣列基板上產(chǎn)生并累積靜電，導(dǎo)致在陣列基板上的靜電累積處引起靜電擊穿而損壞陣列基板，在制作第一絕緣層時(shí)制作對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)通線位置處的第一過孔，并在刻蝕工藝中通過第一過孔將第一導(dǎo)通線斷開，從而恢復(fù)陣列基板的使用功會(huì)K。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0024]圖2為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0026]圖4為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法中陣列基板的俯視圖；
[0027]圖5為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0028]圖6為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0029]圖7為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0030]圖8為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0031]圖9為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0032]圖10為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0033]圖11為圖4中沿則-82-83方向的剖視圖；
[0034]圖12為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法中陣列基板的俯視圖；
[0035]圖13為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0036]圖14為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0037]圖15為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0038]圖16為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0039]圖17為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖；
[0040]圖18為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法中陣列基板的俯視圖；
[0041 ] 圖19為圖18中沿A1-A2-A3-A4方向的剖視圖；
[0042]圖20為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法中陣列基板的俯視圖；
[0043]圖21為圖20中沿A1-A2-A3-A4方向的剖視圖；
[0044]圖22為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法中陣列基板的俯視圖；
[0045]圖23為圖20中沿A1-A2-A3-A4方向的剖視圖；
[0046]圖24為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法中陣列基板非顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0047]附圖標(biāo)記:
[0048]10-襯底基板;11-第一信號(hào)線；12-第一導(dǎo)通線；13-第一絕緣層；131-柵極絕緣層；132-鈍化層；133-具有絕緣性質(zhì)的膜層；20-透明導(dǎo)電層；201-公共電極；21-第二信號(hào)線；22-第二導(dǎo)通線;23-第二絕緣層;30-源極;31，31，-引線;40漏極;50-棚.極;60-像素電極;a-第一過孔;b-第二過孔;C-第三過孔;d-第四過孔;X-顯示區(qū)域;Y-非顯示區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0049]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例提供一種步驟如圖1所示的陣列基板的制作方法，包括:
[0051]S101、如圖2所示，在襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成多條第一信號(hào)線11。
[0052]S102、在襯底基板10上，形成用于將至少兩條第一信號(hào)線11相連接的第一導(dǎo)通線12。通過第一導(dǎo)通線12消除至少兩條互相連通的第一信號(hào)線11之間的電壓差，從而減少靜電的產(chǎn)生。
[0053]優(yōu)選的，采用一條第一導(dǎo)通線12將所有的第一信號(hào)線11之間均連通為優(yōu)選的方案，這樣一來，能夠通過第一導(dǎo)通線12的連通，消除所有第一信號(hào)線11之間的電壓差。
[0054]S103、在形成有第一信號(hào)線11和第一導(dǎo)通線12的襯底基板10上，形成第一絕緣層13ο
[0055]S104、在第一絕緣層13上，在位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線11之間，且對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線12的位置處形成第一過孔a。
[0056]S105、通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第一過孔a位置處的第一導(dǎo)通線12斷開。
[0057]需要說明的是，陣列基板如圖4所示劃分有顯示區(qū)域X、非顯示區(qū)域Y。對(duì)于顯示區(qū)域X而言，上述第一信號(hào)線11可以為柵線，在此情況下，將至少兩條柵線互相連通的第一導(dǎo)通線12可以與柵線同層同材料。
[0058]具體的，如圖5所示(為圖4中沿六!^方向的剖視圖)，在通過構(gòu)圖工藝形成TFT的柵極50和柵線的同時(shí)，形成將至少兩條柵線之間互相連通的第一導(dǎo)通線12。
[0059]在形成有柵線的襯底基板10上，形成柵極絕緣層131。
[0060]如圖6所示(為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖)，通過構(gòu)圖工藝形成有源層和像素電極60以及TFT的源極和漏極。
[0061 ]在此基礎(chǔ)上，對(duì)于應(yīng)用于ADS型(Advanced-super Dimens1nal Switching，高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換型)顯示裝置的陣列基板而言，可以將公共電極201制作于陣列基板上，且該公共電極201與像素電極60之間具有鈍化層132。
[0062]具體的，如圖7所示(為圖4中Hh方向的剖視圖)，在形成有像素電極60的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層132。在鈍化層132和柵極絕緣層131對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線12的位置形成穿透鈍化層132和柵極絕緣層131的第一過孔a。其中，上述鈍化層132和柵極絕緣層131構(gòu)成上述第一絕緣層13。
[0063]在此基礎(chǔ)上，如圖8所示(為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖)，在形成有鈍化層132的襯底基板10上，形成透明導(dǎo)電層20，透明導(dǎo)電層20通過第一過孔a與第一導(dǎo)通線12相連接。
[0064]如圖9所示(為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖)，對(duì)透明導(dǎo)電層20進(jìn)行掩膜、曝光。使用能夠同時(shí)刻蝕金屬線和透明導(dǎo)電材料的刻蝕液，在形成公共電極201的圖案同時(shí)，去除第一過孔a中形成公共電極201的透明導(dǎo)電材料，并將第一導(dǎo)通線12切斷，使得連通的任意兩條柵線之間斷開，恢復(fù)柵線的功能。
[0065]此外，將任意兩條柵線互相連通的第一導(dǎo)通線12還可以采用其它導(dǎo)電材料，例如透明導(dǎo)電材料IT0(Indium tin oxide，氧化銦錫)，IZ0(Indium zinc oxide，氧化銦鋅)。
[0066]需要說明的是，陣列基板中的TFT根據(jù)其上的柵極和柵極絕緣層相對(duì)于襯底基板的上下位置關(guān)系不同，可以劃分為底柵型和頂柵型。底柵型指的是柵極相對(duì)于柵極絕緣層而言，位于靠近襯底基板一側(cè);頂柵型指的是柵極相對(duì)于柵極絕緣層而言，位于遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)。
[0067]上述第一信號(hào)線11為柵線的具體舉例說明中，是以上述陣列基板中的TFT為底柵型結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行的說明。當(dāng)上述TFT為頂柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，如圖10所示，在形成有有源層和柵極絕緣層131的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成TFT的柵極50和第一信號(hào)線11(即柵線)，同時(shí)形成將至少兩條第一信號(hào)線11(即柵線)之間互相連通的第一導(dǎo)通線12，此時(shí)第一導(dǎo)通線12與第一信號(hào)線11(即柵線)同層同材料。
[0068]在形成有柵線的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成具有絕緣性質(zhì)的膜層133。
[0069]在形成有具有絕緣性質(zhì)的膜層133的襯底基板10上，形成像素電極60以及TFT的源極30和漏極40，并通過過孔將TFT的源極30和漏極40分別與有源層相連通。
[0070]在形成有TFT的源極30和漏極40的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層132，在具有絕緣性質(zhì)的膜層133和鈍化層132對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線12的位置形成穿透具有絕緣性質(zhì)的膜層133和鈍化層132的第一過孔a。其中，上述具有絕緣性質(zhì)的膜層133和鈍化層132構(gòu)成上述第一絕緣層13。
[0071]在形成有具有絕緣性質(zhì)的膜層133和鈍化層132的襯底基板10上，形成透明導(dǎo)電層20，透明導(dǎo)電層20通過第一過孔a與第一導(dǎo)通線12相連接。
[0072]對(duì)于頂柵型結(jié)構(gòu)，將至少兩條第一信號(hào)線11(即柵線)之間互相連通的第一導(dǎo)通線12刻蝕斷開的步驟與底柵型結(jié)構(gòu)的刻蝕斷開步驟相同，在底柵型結(jié)構(gòu)的制作方法舉例中已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的說明，此處不再贅述。
[0073]或者，上述第一信號(hào)線11可以為數(shù)據(jù)線。在此情況下，用于將至少兩條數(shù)據(jù)線互相連通的第一導(dǎo)通線12可以與數(shù)據(jù)線同層同材料，或者采用同上所述的透明導(dǎo)電材料。
[0074]綜上所述，通過在顯示區(qū)域X設(shè)置第一導(dǎo)通線12將多條柵線或多條數(shù)據(jù)線之間相互連通，從而可以減小顯示區(qū)域X的靜電產(chǎn)生。
[0075]對(duì)于非顯示區(qū)域Y而言，如圖4所示，第一信號(hào)線11可以為引線31，該引線31可以與柵線或者數(shù)據(jù)線同層同材料，且用于將至少兩條引線31互相連通的第一導(dǎo)通線12的材料同上所述。通過在非顯示區(qū)域Y設(shè)置第一導(dǎo)通線12將多條引線31之間相互連通，能夠減小非顯示區(qū)域Y的靜電產(chǎn)生。
[0076]在此基礎(chǔ)上，當(dāng)引線31與數(shù)據(jù)線同層同材料，且該引線31與柵線相連接時(shí)，由于引線31與柵線異層設(shè)置，因此引線31與柵線之間具有絕緣層，通過在該絕緣層上制作過孔，并采用導(dǎo)電材料穿過該過孔使得引線31與柵線相連通。這樣一來，由于引線31和柵線之間通過導(dǎo)電材料間接連接，引線31和柵線之間的導(dǎo)通性能會(huì)受到導(dǎo)電材料自身電阻的影響，導(dǎo)通性能降低。因此，如果僅在顯示區(qū)域X制作第一導(dǎo)通線12，受到導(dǎo)電材料自身電阻的影響，非顯示區(qū)域Y的引線31上的靜電去除效果不理想，反之，如果僅在非顯示區(qū)域Y的引線31上制作第一導(dǎo)通線12，同樣的，顯示區(qū)域X的柵線或數(shù)據(jù)線上的靜電去除效果也不理想。
[0077]因此優(yōu)選的，如圖4所示，在顯示區(qū)域X和非顯示區(qū)域Y分別設(shè)置第一導(dǎo)通線12。
[0078]此外，本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，對(duì)于步驟SlOI與步驟S102之間的先后順序也不作限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要選擇先進(jìn)行步驟SlOl或先進(jìn)行步驟S102，亦或?qū)⒉襟ESlOl與S102同時(shí)進(jìn)行。
[0079]本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法，在制作過程中將至少兩條第一信號(hào)線通過第一導(dǎo)通線連通，消除了第一信號(hào)線之間的電壓差，從而避免由于相鄰兩條第一信號(hào)線之間具有電壓差而在陣列基板上產(chǎn)生并累積靜電，導(dǎo)致在陣列基板上的靜電累積處引起靜電擊穿而損壞陣列基板，在制作第一絕緣層時(shí)制作對(duì)應(yīng)于第一導(dǎo)通線位置處的第一過孔，并在刻蝕工藝中通過第一過孔將第一導(dǎo)通線斷開，從而恢復(fù)陣列基板的使用功能。
[0080]在此基礎(chǔ)上，陣列基板中通常具有異層且交叉設(shè)置的金屬線，例如柵線和數(shù)據(jù)線，在此情況下，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線11為柵線，第二信號(hào)線21為數(shù)據(jù)線時(shí)，在形成有如圖2所示的結(jié)構(gòu)的襯底基板10上，所述陣列基板的制作方法，如圖3所示，還包括:
[0081 ] S201、如圖11所示(為圖4中沿B1-B2-B3方向的剖視圖)，在形成有第一絕緣層13的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成第二信號(hào)線21(即數(shù)據(jù)線)，第二信號(hào)線21(即數(shù)據(jù)線)在襯底基板10上的投影與第一信號(hào)線11(即柵線)在襯底基板10上的投影相互交叉。
[0082]S202、在襯底基板10上，形成用于將至少兩條第二信號(hào)線21相連通的第二導(dǎo)通線22。其中，第二導(dǎo)通線22如圖11所示與第一導(dǎo)通線12相交。
[0083]S203、在形成有第二導(dǎo)通線22的襯底基板10上，形成第二絕緣層23。
[0084]S204、在第二絕緣層23上，在位于任意兩條相連通的第二信號(hào)線21之間，且對(duì)應(yīng)第二導(dǎo)通線22的位置形成第二過孔b。
[0085]S205、通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)第二過孔b位置處的第二導(dǎo)通線22斷開。
[0086]需要說明的是，用于將至少兩條柵線(第一信號(hào)線11)相連接的第一導(dǎo)通線12可以與柵線同層同材料，或者采用上述透明導(dǎo)電材料。用于將至少兩條數(shù)據(jù)線(第二信號(hào)線21)相連接的第二導(dǎo)通線22可以與數(shù)據(jù)線同層同材料，或者采用上述透明導(dǎo)電材料。
[0087]以下以第一導(dǎo)通線12或第二導(dǎo)通線22與如圖9所示的像素電極60同層同材料，直接或通過過孔連通多條第一信號(hào)線11或多條第二信號(hào)線21為例，對(duì)陣列基板的制作方法進(jìn)行詳細(xì)的具體說明。
[0088]實(shí)施例一
[0089]本實(shí)施例中，陣列基板中設(shè)置有第一信號(hào)線11和第一導(dǎo)通線12，在此情況下，如圖4所示，該第一信號(hào)線11為柵線。
[0090]如圖13所示(為圖4中方向的剖視圖)，形成TFT的柵極50的同時(shí)形成第一信號(hào)線11(柵線)。在形成有第一信號(hào)線11(柵線)的襯底基板10上，形成柵極絕緣層131，且通過構(gòu)圖工藝，在柵極絕緣層131對(duì)應(yīng)第一信號(hào)線11(柵線)的位置形成第三過孔C。
[0091]如圖14(為圖4中向的剖視圖)所示，在通過構(gòu)圖工藝形成像素電極60的同時(shí)，形成第一導(dǎo)通線12(此時(shí)第一導(dǎo)通線12與像素電極60同層同材料)，第一導(dǎo)通線12通過第三過孔c將至少兩條第一信號(hào)線11 (柵線)相連通。
[0092]如圖15(為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖)所示，在形成有像素電極60的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成TFT的源極30和漏極40。
[0093]在此基礎(chǔ)上，對(duì)于用于構(gòu)成ADS型(Advanced-superDimens1nal Switching，高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換型)顯示裝置的陣列基板而言，該陣列基板還包括與上述像素電極60絕緣設(shè)置的公共電極201。具體的，如圖15所示，在形成有TFT的源極30和漏極40的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層132。在鈍化層132對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線12的位置形成第一過孔a。其中，上述鈍化層132構(gòu)成上述的第一絕緣層13。
[0094]如圖16所示(為圖4中的剖視圖)，在形成有鈍化層132的襯底基板10上，形成透明導(dǎo)電層20，透明導(dǎo)電層20通過第一過孔a與第一導(dǎo)通線12相連接。
[0095]如圖17所示(為圖4中沿A1-A2-A3方向的剖視圖)，對(duì)透明導(dǎo)電層20進(jìn)行掩膜、曝光，以形成公共電極201的圖案。
[0096]這樣一來，可以在制作公共電極201圖案的同時(shí)，將第一導(dǎo)通線12斷開，避免增加工藝步驟。
[0097]具體的，可以在用于透明導(dǎo)電層20的掩膜版上對(duì)應(yīng)第一過孔a的位置形成與第一過孔a相同的圖案，在對(duì)透明導(dǎo)電層20進(jìn)行掩膜、曝光后，通過刻蝕工藝，在形成公共電極201的圖案的同時(shí)，去除第一過孔a中的透明導(dǎo)電層20，由于第一導(dǎo)通線12為形成像素電極60的透明導(dǎo)電材料，且像素電極60和公共電極201的材料相同，因此采用一種刻蝕液能夠同時(shí)通過第一過孔a將用于形成像素電極60和公共電極201的透明導(dǎo)電材料刻蝕，并將對(duì)應(yīng)第一過孔a位置處的第一導(dǎo)通線12斷開。即將連通的至少兩條柵線之間斷開，恢復(fù)柵線的功會(huì)K。
[0098]此外，對(duì)于上述第一信號(hào)線11為柵線，第一導(dǎo)通線12與像素電極60同層同材料制作的情況下，除了如圖15所示的在形成像素電極60以及第一導(dǎo)通線12之后，通過構(gòu)圖工藝形成TFT的源極30和漏極40的設(shè)置方式之外，還可以為先通過構(gòu)圖工藝形成TFT的源極30和漏極40之后，再形成像素電極60以及與像素電極60同層同材料的第一導(dǎo)通線12。其他設(shè)置及刻蝕與實(shí)施例一所舉例說明的方式相同，以上已進(jìn)行了詳細(xì)的說明，此處不再贅述。
[0099]實(shí)施例二
[0100]本實(shí)施例中，如圖18所示，陣列基板中設(shè)置有第一信號(hào)線11和第一導(dǎo)通線12，該第一信號(hào)線11為數(shù)據(jù)線。即，如圖19所示(為圖18中沿A1-A2-A3-A4方向的剖視圖)，形成TFT的源極30、漏極40的同時(shí)形成第一信號(hào)線11(數(shù)據(jù)線)。
[0101]具體的，如圖19所示，在襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極60的同時(shí)，形成第一導(dǎo)通線12。第一導(dǎo)通線12與像素電極60同層同材料。
[0102]在形成有像素電極60的襯底基板10上，形成第一信號(hào)線11的同時(shí)，形成TFT的源極30和漏極40。第一導(dǎo)通線12將至少兩條第一信號(hào)線11相連接。
[0103]接下來，在形成有TFT的源極30和漏極40的襯底基板10上形成鈍化層132(即第一絕緣層13)、第一過孔a、透明導(dǎo)電層20，以及在制作公共電極201的同時(shí)對(duì)第一導(dǎo)通線12刻蝕斷開的步驟與實(shí)施例一相同，此處不再贅述。
[0104]實(shí)施例三
[0105]本實(shí)施例中，陣列基板中設(shè)置有第一信號(hào)線11和第二信號(hào)線21，以及第一導(dǎo)通線12，該第一信號(hào)線11為柵線，第二信號(hào)線21為數(shù)據(jù)線。如圖20所示，該第一導(dǎo)通線12用于將多條柵線之間相互連通，將多條數(shù)據(jù)線之間相互連通。
[0106]如圖21所示(為圖20中沿k1-k2-h_k^n向的剖視圖)，形成TFT的柵極50的同時(shí)形成第一信號(hào)線11，柵極50與第一信號(hào)線11相連接。
[0107]在通過構(gòu)圖工藝形成像素電極60的同時(shí)，形成第一導(dǎo)通線12，第一導(dǎo)通線12通過第三過孔c將至少兩條第一信號(hào)線11相連通，第一導(dǎo)通線12如圖20所示交叉設(shè)置。
[0108]在形成有像素電極60的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成TFT的源極30和漏極40的同時(shí)，形成與第一信號(hào)線11交叉設(shè)置的第二信號(hào)線21，上述第一導(dǎo)通線12將至少兩條第二信號(hào)線21相連接。
[0109]接下來，在形成有TFT的源極30和漏極40的襯底基板10上形成鈍化層132(即第一絕緣層13)、第一過孔a、第四過孔d(在鈍化層132位于任意兩條相連通的第二信號(hào)線21之間對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線12的位置處形成的過孔)、透明導(dǎo)電層20以及在制作公共電極201的同時(shí)對(duì)第一導(dǎo)通線12刻蝕斷開的步驟與實(shí)施例一相同，此處不再贅述。
[0110]此外，第一導(dǎo)通線12不僅可以如圖20所示為L型，還可以為如圖22所示，將該第一導(dǎo)通線12設(shè)置為折線的形狀。
[0111]上述實(shí)施例三中是以陣列基板中的TFT為底柵型結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明的，對(duì)于頂柵型結(jié)構(gòu)而言，如圖23所示，在形成有有源層和柵極絕緣層131的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成TFT的柵極50和第一信號(hào)線11(即柵線)。
[0112]在形成有TFT的柵極50和第一信號(hào)線11(柵線)的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成具有絕緣性質(zhì)的膜層133。且通過構(gòu)圖工藝，在具有絕緣性質(zhì)的膜層133上形成有第三過孑Lc ο
[0113]在形成有具有絕緣性質(zhì)的膜層133的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極60的同時(shí)，形成第一導(dǎo)通線12。
[0114]在形成有像素電極60的襯底基板10上，通過構(gòu)圖工藝形成TFT的源極30和漏極40的同時(shí)，形成第二信號(hào)線21(數(shù)據(jù)線)，上述第一導(dǎo)通線12將至少兩條第二信號(hào)線21(數(shù)據(jù)線)相連通。
[0115]在形成有第二信號(hào)線21(數(shù)據(jù)線)的襯底基板10上，形成鈍化層132(即第一絕緣層13)，在鈍化層132(即第一絕緣層13)位于任意兩條相連通的第一信號(hào)線11(柵線)之間對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線12的位置形成穿透鈍化層132(即第一絕緣層13)的第一過孔a，在鈍化層132(即第一絕緣層13)位于任意兩條相連通的第二信號(hào)線21(數(shù)據(jù)線)之間對(duì)應(yīng)第一導(dǎo)通線12的位置形成穿透鈍化層132(即第一絕緣層13)的第四過孔d。在形成有鈍化層132的襯底基板10上，形成透明導(dǎo)電層20，透明導(dǎo)電層20通過第一過孔a和第四過孔d與第一導(dǎo)通線12相連接。
[0116]對(duì)透明導(dǎo)電層20進(jìn)行掩膜、曝光。使用能夠同時(shí)刻蝕金屬線和透明導(dǎo)電材料的刻蝕液，在形成公共電極201的圖案同時(shí)，去除第一過孔a和第四過孔d中形成公共電極201的透明導(dǎo)電材料，并將第一導(dǎo)通線12切斷，使得由第一導(dǎo)通線12連通的任意兩條柵線之間，以及由第一導(dǎo)通線12連通的任意兩條數(shù)據(jù)線之間均斷開，恢復(fù)柵線和數(shù)據(jù)線的功能。
[0117]此外，對(duì)于非顯示區(qū)域Y中如圖24所示的多條平行的引線31而言，同樣可以采用與像素電極60同層同材料的第一導(dǎo)通線12，將與柵線同層的多個(gè)引線31相連通的同時(shí)，通過該第一導(dǎo)通線12將與數(shù)據(jù)線同層的引線31’相連通。
[0118]為了保證顯示面板的顯示效果，在顯示面板顯示區(qū)域X的周邊如圖12所示，可以設(shè)置虛擬區(qū)域(Dummy)，虛擬區(qū)域(Dummy)屬于顯示區(qū)域X，但虛擬區(qū)域(Dummy)的設(shè)置主要是使接入的信號(hào)在虛擬區(qū)域(Dummy)經(jīng)過初始的不穩(wěn)定狀態(tài)，當(dāng)信號(hào)進(jìn)入有效的顯示區(qū)域X后已經(jīng)趨于穩(wěn)定，這樣一來可以保證有效的顯示區(qū)域X的顯示效果穩(wěn)定，因此虛擬區(qū)域(Dummy)通常包裹于顯示面板的殼體內(nèi)不用于顯示。因此為了不對(duì)顯示效果造成影響，優(yōu)選的，上述設(shè)置于顯示區(qū)域X的第一導(dǎo)通線12和/或第二導(dǎo)通線22設(shè)置于虛擬區(qū)域(Dummy)內(nèi)。
[0119]將第一導(dǎo)通線12和/或第二導(dǎo)通線22設(shè)置于虛擬區(qū)域(Dummy)內(nèi)的陣列基板的制作過程同實(shí)施例一?三，此處不再贅述。
[0120]此外，由于陣列基板在制作過程中需要通過多次掩模、曝光、刻蝕等工藝過程，且第一導(dǎo)通線12和/或第二導(dǎo)通線22通常非常細(xì)小，極易在工藝過程中發(fā)生接觸不良或斷裂的情況，優(yōu)選的，在顯示區(qū)域X和/或非顯示區(qū)域Y的第一導(dǎo)通線12和/或第二導(dǎo)通線22均設(shè)置為多條。
[0121]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，采用上述陣列基板的制作方法制作而成。上述陣列基板的制作方法中，已經(jīng)對(duì)陣列基板的結(jié)構(gòu)以及制作過程進(jìn)行了詳細(xì)的說明，此處不再贅述。
[0122]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。上述陣列基板的制作方法中，已經(jīng)對(duì)陣列基板的結(jié)構(gòu)以及制作過程進(jìn)行了詳細(xì)的說明，此處不再贅述。
[0123]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成第一信號(hào)線； 在所述襯底基板上，形成用于將至少兩條所述第一信號(hào)線相連接的第一導(dǎo)通線； 在形成有所述第一信號(hào)線和第一導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的所述第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)通線的位置處形成第一過孔； 通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)所述第一過孔位置處的所述第一導(dǎo)通線斷開。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括: 在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成第二信號(hào)線;所述第二信號(hào)線在襯底基板上的投影與所述第一信號(hào)線在襯底基板上的投影相互交叉； 在所述襯底基板上，形成用于將至少兩條所述第二信號(hào)線相連通的第二導(dǎo)通線； 在形成有所述第二導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上，在位于任意兩條相連通的所述第二信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)所述第二導(dǎo)通線的位置形成第二過孔； 通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)所述第二過孔位置處的所述第二導(dǎo)通線斷開。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成所述第一信號(hào)線的同時(shí)，形成TFT的源極和漏極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 在所述襯底基板上，形成用于將至少兩條所述第一信號(hào)線相連接的第一導(dǎo)通線包括: 在所述襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的同時(shí)，形成所述第一導(dǎo)通線。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在形成所述第一信號(hào)線的同時(shí)，通過構(gòu)圖工藝形成將至少兩條所述第一信號(hào)線相連接的第一導(dǎo)通線。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 在襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成所述第一信號(hào)線的同時(shí)，形成TFT的柵極，所述柵極與所述第一信號(hào)線相連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 形成所述第一導(dǎo)通線之前，所述制作方法包括:在形成有所述第一信號(hào)線的襯底基板上，形成柵極絕緣層，且通過構(gòu)圖工藝，在所述柵極絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一信號(hào)線的位置形成第三過孔； 所述在形成有所述第一信號(hào)線和第一導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第一絕緣層之前，形成所述第一導(dǎo)通線包括:在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的同時(shí)，形成所述第一導(dǎo)通線，所述第一導(dǎo)通線通過所述第三過孔將至少兩條所述第一信號(hào)線相連通。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在形成所述第一信號(hào)線的同時(shí)，通過構(gòu)圖工藝形成將至少兩條所述第一信號(hào)線相連通的第一導(dǎo)通線。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成有所述第一信號(hào)線和第一導(dǎo)通線的襯底基板上，形成第一絕緣層之前還包括: 通過構(gòu)圖工藝形成所述TFT源極和漏極的同時(shí)，形成第二信號(hào)線，所述第二信號(hào)線在襯底基板上的投影與所述第一信號(hào)線在襯底基板上的投影相互交叉； 其中，所述第一導(dǎo)通線將至少兩條所述第二信號(hào)線相連接； 在形成有所述第二信號(hào)線的襯底基板上，形成第一絕緣層； 所述在所述第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的所述第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)通線的位置處形成第一過孔的同時(shí)，所述方法還包括: 在所述第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的所述第二信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)通線的位置處形成第四過孔； 通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)所述第一過孔和所述第四過孔位置處的所述第一導(dǎo)通線斷開。10.根據(jù)權(quán)利要求3-5或7任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括: 在形成有所述TFT的源極和漏極的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層； 所述在所述第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的所述第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)通線的位置形成第一過孔包括:在所述鈍化層上，在位于任意兩條相連通的所述第一信號(hào)線之間，對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)通線的位置形成所述第一過孔； 在形成有所述鈍化層的襯底基板上，形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述第一過孔與所述第一導(dǎo)通線相連接； 所述通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)所述第一過孔位置處的所述第一導(dǎo)通線斷開之前包括，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行掩膜、曝光； 所述通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)所述第一過孔位置處的所述第一導(dǎo)通線斷開還包括去除所述第一過孔中的透明導(dǎo)電層，且在進(jìn)行該刻蝕工藝的同時(shí)形成公共電極。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括: 在形成有TFT的柵極的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成柵極絕緣層； 在形成有所述TFT的源極和漏極的襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層； 所述在所述第一絕緣層上，在位于任意兩條相連通的所述第一信號(hào)線之間，且對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)通線的位置形成第一過孔包括:在所述鈍化層以及所述柵極絕緣層上，在位于任意兩條相連通的所述第一信號(hào)線之間，對(duì)應(yīng)所述第一導(dǎo)通線的位置形成所述第一過孔；在形成有所述鈍化層的襯底基板上，形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層通過所述第一過孔與所述第一導(dǎo)通線相連接； 所述通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)所述第一過孔位置處的所述第一導(dǎo)通線斷開之前包括，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行掩膜、曝光； 所述通過刻蝕工藝，將對(duì)應(yīng)所述第一過孔位置處的所述第一導(dǎo)通線斷開還包括去除所述第一過孔中的透明導(dǎo)電層，且在進(jìn)行該刻蝕工藝的同時(shí)形成公共電極。12.—種陣列基板，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的制作方法制得。13.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求12所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK106057823SQ201610619516
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月29日
【發(fā)明人】郝金剛
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司