一種中高壓鋁電解電容器用電極箔的擴(kuò)孔工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種中高壓鋁電解電容器用電極箔的擴(kuò)孔工藝，包括以下步驟：浸漬、一級(jí)腐蝕、一次水洗、通過(guò)氣泡發(fā)生器通入納米氣泡、二級(jí)腐蝕、二次水洗、化洗、二次水洗、烘干。本發(fā)明具有利用納米氣泡產(chǎn)生時(shí)帶負(fù)點(diǎn)的原理，有效抑制自腐蝕和表面腐蝕，陽(yáng)極腐蝕箔減薄率下降，靜電容量明顯提高，通過(guò)對(duì)相應(yīng)掃描電鏡照片和金相照片分析，表面狀態(tài)分布均勻，各孔洞獨(dú)立存在的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】
-種中高壓錯(cuò)電解電容器用電極菊的擴(kuò)孔工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及電容器用電極錐的制造工藝，特別是一種中高壓侶電解電容器用電極 錐的擴(kuò)孔工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，中高壓侶電解電容器用電極錐的制造方法，是通過(guò)浸潰，然后進(jìn)行腐蝕，再 沖洗，最后進(jìn)行烘干。運(yùn)種電極錐制造方法，減薄率高，靜電容量一般，橫向偏差大，目前常 用的腐蝕工藝得到孔桐尺寸在700-950nm，孔密度達(dá)10 9-l〇iVcm2,并孔很多，孔深度差異較 大，已經(jīng)無(wú)法滿足市場(chǎng)需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的是為了克服W上的不足，提供一種減薄率低，靜電容量11點(diǎn)橫向偏 差小的中高壓侶電解電容器用電極錐的擴(kuò)孔工藝。
[0004] 本發(fā)明的目的通過(guò)W下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種中高壓侶電解電容器用電極錐的擴(kuò) 孔工藝，包括W下步驟： A、 浸潰:取純度為99.99%的侶錐，在45-65 °C的一級(jí)槽液中浸潰50-70秒； B、 一級(jí)腐蝕:取出后置于34%-36%的硫酸和8.5%-9.5%鹽酸的水溶液中，在70°C-78°C、 電流密度為0.50A/(cm) 2的條件下，一級(jí)腐蝕85-95秒； C、 一次水洗:取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗； D、 通納米氣泡:取出后在7.8%-8.2%硝酸和0.15%憐酸的水溶液，通過(guò)氣泡發(fā)生器通入 納米氣泡； E、 二級(jí)腐蝕:在60°C-75°C、電流密度為0.09 AAcm) 2的條件下，二級(jí)腐蝕600-800秒； F、 二次水洗:取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗' G、 化洗:在5wt%的硝酸溶液中，在4rC-43°C-的條件下，化洗110-130秒； H、 二次水洗:取出后經(jīng)過(guò)純水水洗； I、 烘干:在290-310°C的條件下進(jìn)行烘干； 本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述納米氣泡為直徑數(shù)十納米(nm)到20微米(皿)。
[0005] 本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)在于:所述納米氣泡帶有負(fù)電。
[0006] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有W下優(yōu)點(diǎn)：利用納米氣泡產(chǎn)生時(shí)帶負(fù)點(diǎn)的原理，有效 抑制自腐蝕和表面腐蝕，陽(yáng)極腐蝕錐減薄率下降，靜電容量明顯提高，通過(guò)對(duì)相應(yīng)掃描電 鏡照片和金相照片分析，表面狀態(tài)分布均勻，孔桐尺寸在680-850皿，孔密度在IO 8-IOVcm2, 各孔桐獨(dú)立存在。
[0007]
【具體實(shí)施方式】： 下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述，但本發(fā)明并不限于W下實(shí)施例。所述 方法無(wú)特別說(shuō)明的均為常規(guī)方法。
[000引實(shí)施例1，一種中高壓侶電解電容器用電極錐的擴(kuò)孔技術(shù):取純度為99.99%的侶 錐，在45°C的一級(jí)槽液中浸潰50秒，取出后置于34%的硫酸和8.5%鹽酸的水溶液中，在70°C、 電流密度為0.50A/(cm) 2的條件下，一級(jí)腐蝕85秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗;取出后在7.8% 硝酸和0.15%憐酸的水溶液，通過(guò)氣泡發(fā)生器通入直徑在50-700nm的納米氣泡，在60°C、電 流密度為0.09 AAcm) 2的條件下，二級(jí)腐蝕600秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗，在5wt%的硝酸 溶液中，在4rC的條件下，化洗110秒;取出后經(jīng)過(guò)純水水洗后，在290°C的條件下，烘干。
[0009] 實(shí)施例2,一種中高壓侶電解電容器用電極錐的擴(kuò)孔技術(shù):取純度為99.99%的侶 錐，在50°C的一級(jí)槽液中浸潰60秒，取出后置于35%的硫酸和9%鹽酸的水溶液中，在74°C、電 流密度為0.50A/( cm) 2的條件下，一級(jí)腐蝕90秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗;取出后在8%硝酸 和0.15%憐酸的水溶液，通過(guò)氣泡發(fā)生器通入直徑在SOO-1000 nm的納米氣泡，在65°C、電流 密度為0.09 AAcm) 2的條件下，二級(jí)腐蝕800秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗，在5wt%的硝酸溶 液中，在42°C的條件下，化洗120秒;取出后經(jīng)過(guò)純水水洗后，在300°C的條件下，烘干。
[0010] 實(shí)施例3,一種中高壓侶電解電容器用電極錐的擴(kuò)孔技術(shù):取純度為99.99%的侶 錐，在65 °C的一級(jí)槽液中浸潰70秒，取出后置于36%的硫酸和9%鹽酸的水溶液中，在78 °C、電 流密度為0.50A/(cm) 2的條件下，一級(jí)腐蝕95秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗;取出后在8.2%硝 酸和0.15%憐酸的水溶液，通過(guò)氣泡發(fā)生器通入直徑在SOO-1000 nm的納米氣泡，在75 °C、電 流密度為0.12 AAcm) 2的條件下，二級(jí)腐蝕800秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗，在5wt%的硝酸 溶液中，在43°C的條件下，化洗130秒;取出后經(jīng)過(guò)純水水洗后，在310°C的條件下，烘干。
[0011] 實(shí)施例4,一種中高壓侶電解電容器用電極錐的擴(kuò)孔技術(shù):取純度為99.99%的侶 錐，在50°C的一級(jí)槽液中浸潰60秒，取出后置于35%的硫酸和9%鹽酸的水溶液中，在74°C、電 流密度為0.50A/( cm) 2的條件下，一級(jí)腐蝕90秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗;取出后在8%硝酸 和0.15%憐酸的水溶液，通過(guò)氣泡發(fā)生器通入直徑在1-20WI1的納米氣泡，在65°C、電流密度 為0.09 AAcm) 2的條件下，二級(jí)腐蝕800秒;取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗，在5wt%的硝酸溶液中， 在42°C的條件下，化洗120秒;取出后經(jīng)過(guò)純水水洗后，在300°C的條件下，烘干。
[0012] 分別對(duì)方法實(shí)施例1-4新的擴(kuò)孔技術(shù)進(jìn)行了測(cè)試，測(cè)試項(xiàng)目包括腐蝕錐減薄厚度 (原始光錐厚度-腐蝕錐厚度）、靜電容量。測(cè)試結(jié)果列于表1中。
[0013] 表1
本發(fā)明利用納米氣泡產(chǎn)生時(shí)帶負(fù)點(diǎn)的原理，有效抑制自腐蝕和表面腐蝕，陽(yáng)極腐蝕錐 減薄率下降，靜電容量明顯提高，通過(guò)對(duì)相應(yīng)掃描電鏡照片和金相照片分析，表面狀態(tài)分 布均勻，孔桐尺寸在680-850nm，孔密度在109-1010/cm2,各孔桐獨(dú)立存在。
[0014]
【申請(qǐng)人】又一聲明，本發(fā)明通過(guò)上述實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方法及裝置結(jié)構(gòu)， 但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述方法及結(jié)構(gòu)才能實(shí) 施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明所選用實(shí)現(xiàn)方法等 效替換及步驟的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開(kāi)的范圍之內(nèi)。
[0015] 本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，凡采用和本發(fā)明相似結(jié)構(gòu)及其方法來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明 目的的所有方式，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種中高壓鋁電解電容器用電極箱的擴(kuò)孔工藝，其特征在于:包括以下步驟： 浸漬:取純度為99.99%的鋁箱，在45-55 °C的一級(jí)槽液中浸漬50-70秒； 一級(jí)腐蝕:取出后置于34%-36%的硫酸和8.5%-9.5%鹽酸的水溶液中，在70°C_78°C、電 流密度為0.50A/(cm)2的條件下，一級(jí)腐蝕85-95秒； 一次水洗:取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗； 通納米氣泡:取出后在7.8%-8.2%硝酸和0.15%磷酸的水溶液，通過(guò)氣泡發(fā)生器通入納 米氣泡； 二級(jí)腐蝕:在60°C-75°C、電流密度為0.09 AAcm) 2的條件下，二級(jí)腐蝕600-800秒； 二次水洗:取出后經(jīng)過(guò)自來(lái)水水洗； 化洗:在5wt%的硝酸溶液中，在4Γ043°C-的條件下，化洗110-130秒； 二次水洗:取出后經(jīng)過(guò)純水水洗； 烘干:在290-310 °C的條件下進(jìn)行烘干。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中高壓鋁電解電容器用電極箱的擴(kuò)孔工藝，其特征在于： 所述納米氣泡為直徑數(shù)十納米到20微米。3. 根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種中高壓鋁電解電容器用電極箱的擴(kuò)孔工藝，其特 征在于:所述納米氣泡帶有負(fù)電。
【文檔編號(hào)】H01G9/045GK105826079SQ201610373155
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月31日
【發(fā)明人】嚴(yán)季新, 陳健, 王建中, 陳小峰
【申請(qǐng)人】南通海星電子股份有限公司, 南通海電子有限公司, 南通海一電子有限公司