一種圖形化有機(jī)功能層的制備方法及應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種圖形化有機(jī)功能層的制備方法及利用該方法制備的高分辨率的OLED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光裝置OLED—般包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，目前全彩OLED的發(fā)光層需要多次使用精密掩膜板Fine Metal Mask(FMM)來(lái)蒸鍍。
[0003]由于精密掩膜板FMM本身的材料以及制作工藝，限制了高分辨率有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)展。在蒸鍍工藝過(guò)程中，每次更換掩膜板均需要其與待蒸鍍基板精確對(duì)位，但是在對(duì)位時(shí)精密掩膜板FMM常會(huì)發(fā)生偏位、纏絲等現(xiàn)象從而造成產(chǎn)品出現(xiàn)彩斑、混色等缺陷，降低了良率。此外，精密掩膜板FMM是消耗品，造價(jià)極其昂貴，大大增加了生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有技術(shù)中精密掩膜板FMM限制了高分辨率有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)展和造成了產(chǎn)品出現(xiàn)彩斑、混色等缺陷問(wèn)題，從而提供一種圖形化有機(jī)功能層的制備方法以及由這種方法制備得到的高分辨率的OLED器件。本發(fā)明的有機(jī)功能層制備時(shí)不需要精密掩膜板，從而降低生產(chǎn)成本和提高良率。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種圖形化有機(jī)功能層的制備方法，包括如下步驟:
[0007]S11:在基材上依次形成疊加設(shè)置的有機(jī)功能層，第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，所述第一保護(hù)層的升華溫度低于所述有機(jī)功能層的升華溫度；
[0008]S12:根據(jù)預(yù)設(shè)圖案圖形化所述第二保護(hù)層，即刻蝕掉部分第二保護(hù)層使部分所述第一保護(hù)層裸露；
[0009]S13:將所述步驟S12的產(chǎn)品置于第一高溫環(huán)境中使裸露的所述第一保護(hù)層升華，從而使所述有機(jī)功能層裸露;所述的第一高溫環(huán)境的溫度高于所述第一保護(hù)層的升華溫度且低于所述機(jī)功能層的升華溫度；
[0010]S14:將基板與所述基材對(duì)位后，再置于第二高溫環(huán)境中使裸露的有機(jī)功能層轉(zhuǎn)移至所述基板上，所述第二高溫環(huán)境的溫度高于所述有機(jī)功能層的升華溫度。
[0011]所述第一保護(hù)層為有機(jī)薄膜層，所述的第二保護(hù)層為光刻膠層。
[0012]所述步驟S12中刻蝕是采用曝光方式去除所述部分光刻膠層，使部分所述有機(jī)功能薄膜層裸露。
[0013]所述的第一保護(hù)層的厚度大于所述有機(jī)功能層的厚度。
[0014]所述的基材為高導(dǎo)熱性的金屬基板。
[0015]所述的有機(jī)功能層為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層中的一種或多種。
[0016]采用所述的方法制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層中的一種。
[0017]一種所述的方法制備得到的高分辨率的OLED器件。本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0018]本發(fā)明提供的有機(jī)功能層的制備方法在導(dǎo)熱性較好的金屬基板上相繼蒸鍍一層OLED中需要使用的有機(jī)功能層以及一層較厚的有機(jī)薄膜保護(hù)層和一層光刻膠保護(hù)層;該有機(jī)薄膜保護(hù)層的升華溫度要求比OLED中需要使用的有機(jī)功能層低，如CBP(4，4’_雙(N-咔唑)-1，Γ-聯(lián)苯)、TPBi (I，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)等。所述光刻膠保護(hù)層利用Photo曝光的方式制備出圖形，由于存在較厚的有機(jī)薄膜保護(hù)層，可以避免最下層的有機(jī)功能薄膜層受到損傷;在高熔點(diǎn)光刻膠的保護(hù)下，通過(guò)加熱將升華溫度較低的有機(jī)薄膜保護(hù)層以加熱升華的方式去除；將待蒸鍍基板與金屬基板對(duì)位后，在光刻膠的保護(hù)下可以通過(guò)加熱的方式將暴露在外的有機(jī)薄膜轉(zhuǎn)移到基板上，用于制備高像素分辨率OLED器件。
[0019]本發(fā)明的有機(jī)功能層的制備過(guò)程不需要使用精密掩膜板，由于精密掩膜板造價(jià)極其昂貴，每減少一組精密掩膜板，即可大幅度降低制備成本。此外，采用精密掩膜板蒸鍍有機(jī)功能層時(shí)，精密掩膜板與蒸鍍基板的對(duì)位經(jīng)常會(huì)使精密掩膜板發(fā)生纏絲、偏位等現(xiàn)象。因此對(duì)位次數(shù)越少，精密掩膜板偏位和纏絲的幾率就越少，產(chǎn)品良率也就越高。而本發(fā)明不需要使用精密掩膜板，避免了由精密掩膜板偏位和纏絲帶來(lái)的彩斑和混色等不良。與【背景技術(shù)】相比，該方法有利于提尚廣品良率。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中，
[0021]圖1-圖4是本發(fā)明的圖形化有機(jī)薄膜制備過(guò)程示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明的圖形化有機(jī)薄膜示意圖；
[0023]圖6-圖10為本發(fā)明的高分辨率OLED器件的制備過(guò)程示意圖
[0024]其中附圖標(biāo)記為:100-金屬基材，101-有機(jī)功能層，102-第一保護(hù)層，103-第二保護(hù)層，104-基板，201-基板，202-陽(yáng)極，203-空穴注入層，204-空穴傳輸層，205-紅色子像素發(fā)光層、206-綠色子像素發(fā)光層、207-藍(lán)色子像素發(fā)光層、208-電子傳輸層、209-電子注入層，210-陰極。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0026]發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，發(fā)明將僅由權(quán)利要求來(lái)限定。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時(shí)，不存在中間元件。
[0027]如圖1至圖4所示，一種圖形化有機(jī)功能層的制備方法，包括如下步驟:
[0028]Sll:如圖1所示，在基材100上依次形成疊加設(shè)置的有機(jī)功能層101，第一保護(hù)層102和第二保護(hù)層103，所述第一保護(hù)層102的升華溫度低于所述有機(jī)功能層101的升華溫度;第一保護(hù)層102為有機(jī)薄膜層，一般采用CBP或TPBi等低升華溫度材料制備;所述的第二保護(hù)層103為光刻膠層。
[0029]S12:如圖2所示，根據(jù)預(yù)設(shè)圖案圖形化所述第二保護(hù)層103，即刻蝕掉部分第二保護(hù)層103使部分所述第一保護(hù)層102裸露；具體是采用曝光方式去除所述部分光刻膠層，使部分所述有機(jī)薄膜層裸露。
[0030]S13:將所述步驟S12的產(chǎn)品置于第一高溫環(huán)境中使裸露的所述第一保護(hù)層102升華，從而使所述有機(jī)功能層101裸露;所述的第一高溫環(huán)境的溫度高于所述第一保護(hù)層102的升華溫度且低于所述機(jī)功能層101的升華溫度；
[0031]S14:將基板104與所述基材100對(duì)位后，再置于第二高溫環(huán)境中使裸露的有機(jī)功能層101轉(zhuǎn)移至所述基板上，得到如圖5所示的有機(jī)功能層;所述第二高溫環(huán)境的溫度高于所述有機(jī)功能層101的升華溫度。
[0032]優(yōu)選地，所述的第一保護(hù)層102的厚度大于所述有機(jī)功能層101的厚度。
[0033]所述的基材100為高導(dǎo)熱性的金屬基板。
[0034]所述的有機(jī)功能層為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層中的一種。
[0035]一種高分辨率的OLED器件的制備方法，采用上述方法制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層中的一種或其中的幾種。
[0036]一種高分辨率的OLED的制備方法，所述的高分辨率的OLED如圖1O所示，包括在基板201上依次沉積彼此層疊的陽(yáng)極202、空穴注入層203、空穴傳輸層204、紅色子像素發(fā)光層205、綠色子像素