處理裝置及處理液的再利用方法
【專利說明】處理裝置及處理液的再利用方法
[0001]相關(guān)申請的交叉參考
[0002]本申請基于2014年9月17日提出的日本專利申請N0.2014-188628號主張優(yōu)先權(quán)，在此援引其全部內(nèi)容以作參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施方式涉及處理裝置及處理液的再利用方法。
【背景技術(shù)】
[0004]在制造半導(dǎo)體裝置或平板顯示器等電子設(shè)備時，進行向形成有硅化合物的被處理物的表面供給處理液、選擇性地將硅化合物除去的刻蝕處理。
[0005]刻蝕處理所使用的處理液中含有由自被處理物除去的無機物或金屬等構(gòu)成的雜質(zhì)。因此，當(dāng)連續(xù)地進行刻蝕處理時，將刻蝕處理后的處理液中的雜質(zhì)除去，對處理液進行再利用。在對這種處理液進行再利用的技術(shù)中，期待進一步提高進行處理液的再利用時的效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施方式涉及下述技術(shù)方案:
[0007]1.一種處理裝置，其具備:
[0008]對含有磷酸、硅化合物和水的溶液進行透析的透析部；
[0009]使用經(jīng)所述透析的溶液進行被處理物的處理的處理部；以及
[0010]將在所述被處理物的處理中使用的溶液進行回收并供給至所述透析部的回收部，
[0011]其中，所述透析部具有使陰離子透過的透過部，
[0012]所述回收部將在所述被處理物的處理中使用的溶液供給至通過所述透過部劃分開的所述透析部內(nèi)的區(qū)域。
[0013]2.根據(jù)上述1所述的處理裝置，其中，所述透析部通過電滲析或擴散透析對所述溶液進行透析。
[0014]3.根據(jù)上述1所述的處理裝置，其中，
[0015]所述透析部通過電滲析對所述溶液進行透析，
[0016]所述透過部設(shè)置在陰極電極與陽極電極之間，
[0017]所述回收部將在所述被處理物的處理中使用的溶液供給至在所述陰極電極與所述透過部之間設(shè)置的所述透析部內(nèi)的第1區(qū)域。
[0018]4.根據(jù)上述3所述的處理裝置，其進一步具備將所述透析中使用的溶液供給至在所述陽極電極與所述透過部之間設(shè)置的所述透析部內(nèi)的第2區(qū)域的第1供給部。
[0019]5.根據(jù)上述4所述的處理裝置，其中，經(jīng)所述透析的溶液從所述第2區(qū)域被供給至所述處理部。
[0020]6.根據(jù)上述4所述的處理裝置，其中，經(jīng)所述透析的溶液在達到規(guī)定濃度之后，從所述第2區(qū)域被供給至所述處理部。
[0021]7.根據(jù)上述4所述的處理裝置，其進一步具備對經(jīng)所述透析的溶液進行收納并供給至所述處理部的第2供給部。
[0022]8.根據(jù)上述4所述的處理裝置，其進一步具備對所述透析中使用的溶液的溫度進行控制的第1溫度控制部。
[0023]9.根據(jù)上述8所述的處理裝置，其進一步具備對所述被處理物的處理中使用的溶液的溫度進行控制的第2溫度控制部。
[0024]10.根據(jù)上述9所述的處理裝置，其進一步具備對經(jīng)所述透析的溶液的溫度進行控制的第3溫度控制部。
[0025]11.一種處理裝置，其具備:
[0026]使用含有磷酸和水的第1溶液進行被處理物的處理的處理部；
[0027]對所述被處理物的處理中使用的第2溶液進行回收的回收部；以及
[0028]對所述第2溶液進行透析而生成第3溶液的透析部，
[0029]其中，所述透析部具有使陰離子透過的透過部，
[0030]所述回收部將所述第2溶液供給至通過所述透過部劃分開的所述透析部內(nèi)的區(qū)域，
[0031]所述處理部在所述第1溶液中添加所述第3溶液、進行所述被處理物的處理。
[0032]12.根據(jù)上述11所述的處理裝置，其中，
[0033]所述透析部通過電滲析對所述第2溶液進行透析，
[0034]所述透過部設(shè)置在陰極電極與陽極電極之間，
[0035]所述回收部將所述第2溶液供給至在所述陰極電極與所述透過部之間設(shè)置的所述透析部內(nèi)的第1區(qū)域。
[0036]13.根據(jù)上述12所述的處理裝置，其進一步具備將所述透析中使用的第4溶液供給至在所述陽極電極與所述透過部之間設(shè)置的所述透析部內(nèi)的第2區(qū)域的第1供給部。
[0037]14.根據(jù)上述13所述的處理裝置，其中，所述第3溶液從所述第2區(qū)域被供給至所述處理部。
[0038]15.根據(jù)上述13所述的處理裝置，其中，所述第3溶液在達到規(guī)定濃度之后，從所述第2區(qū)域被供給至所述處理部。
[0039]16.根據(jù)上述13所述的處理裝置，其進一步具備收納所述第3溶液并供給至所述處理部的第2供給部。
[0040]17.一種處理液的再利用方法，其具備以下工序:
[0041]使用含有磷酸和水的第1溶液進行被處理物的處理的工序；
[0042]對在所述被處理物的處理中使用的第2溶液進行回收的工序；以及
[0043]對所述第2溶液進行透析而生成含有磷酸和水的第3溶液的工序，
[0044]其中，在所述進行被處理物的處理的工序中，在所述第1溶液中添加所述第3溶液。
[0045]18.根據(jù)上述17所述的處理液的再利用方法，其中，所述第2溶液通過電滲析或擴散透析進行透析。
[0046]19.根據(jù)上述17所述的處理液的再利用方法，其中，所述第3溶液在達到規(guī)定濃度之后被添加在所述第1溶液中。
[0047]20.根據(jù)上述17所述的處理液的再利用方法，其進一步具備對所述第3溶液進行加熱的工序。
【附圖說明】
[0048]圖1是用于示例本實施方式的處理裝置的示意圖。
[0049]圖2是用于示例透析部的示意圖。
[0050]圖3是用于示例透析部的一部分的示意圖。
[0051]圖4是用于對本實施方式的處理液的再利用方法進行示例的流程圖。
【具體實施方式】
[0052]實施方式的處理裝置具備透析部、處理部和回收部。上述透析部對含有磷酸、硅化合物和水的溶液進行透析。上述處理部使用經(jīng)上述透析的溶液進行被處理物的處理。上述回收部對上述被處理物的處理中使用的溶液進行回收并供給至上述透析部。上述透析部具有使陰離子透過的透過部。上述回收部將上述被處理物的處理中使用的溶液供給至通過上述透過部劃分開的上述透析部內(nèi)的區(qū)域。
[0053]以下一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明的各實施方式。
[0054]其中，附圖是示意性或者概念性的圖，各部分的厚度與寬度的關(guān)系、部分之間的大小比例等未必一定限定為與現(xiàn)實的情況相同。另外，即便是表示相同部分的情況，也有因附圖不同、相互的尺寸或比例不同地顯示的情況。
[0055]另外，本申請說明書和各附圖中，對與已經(jīng)出現(xiàn)過的附圖中已經(jīng)描述過的要素相同的要素賦予相同的符號，適當(dāng)?shù)厥÷栽敿毜恼f明。
[0056](本實施方式)
[0057]圖1是用于示例本實施方式的處理裝置的示意圖。
[0058]如圖1所示，處理裝置1中設(shè)有罐11、罐12(第1供給部)、罐13(第2供給部)、回收部14、透析部15、溫度控制部16a(第1溫度控制部)、溫度控制部16b (第2溫度控制部)、處理部17及配管構(gòu)件18。其中，處理裝置1中還可設(shè)有對回收部14等的動作進行控制的控制部?？刂撇坷缈梢允窃O(shè)有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等的控制裝置。
[0059]罐11收納溶液110。溶液110成為后述處理液130的原液。另外，罐11中設(shè)有濃度計11a。
[0060]在此，在制造半導(dǎo)體裝置或平板顯示器等電子設(shè)備時，進行下述刻蝕處理:向形成有硅氮化膜(Si3N4)及硅氧化膜(Si02)的被處理物(例如基板)的表面供給作為處理液的高溫(150?160°C )的磷酸水溶液，選擇性地將硅氮化膜除去。如此，使用磷酸(Η3Ρ04)水溶液作為溶液110。
[0061]為了對形成于半導(dǎo)體晶片表面上的硅氮化膜選擇性地刻蝕，優(yōu)選磷酸的濃度相對于溶液110的總質(zhì)量為80質(zhì)量％以上且90質(zhì)量％以下的范圍。
[0062]使用高溫的磷酸水溶液對硅氮化膜進行刻蝕之后，硅化合物溶解、磷酸水溶液中的硅濃度上升。在不進行溶液交換的情況下經(jīng)過多次刻蝕處理、磷酸水溶液中的硅濃度超過飽和濃度時，則含有硅氧化物的雜質(zhì)析出。當(dāng)含有硅氧化物的雜質(zhì)析出到磷酸水溶液中時，該雜質(zhì)附著在基板或處理部17的處理槽上，會發(fā)生堵塞過濾器的問題。
[0063]如上所述，溶液110例如可以為含有磷酸和水的溶液。
[0064]罐12收納溶液120。溶液120例如為水(H20)。另外，溶液120也可以是含有磷酸和水的溶液。例如，溶液120是稀釋磷酸。也可以使用三通閥等在透析部15與罐12之間使溶液120循環(huán)。
[0065]罐13收納處理液130。處理液130含有從罐11供給至罐13的溶液110。另外，處理液130還可以含有溶液120。溶液120含有通過利用透析部15對溶液140進行電滲析所生成的生成液(再生液)。例如，這種生成液是含有磷酸和水的溶液，并介由配管18a被供給至罐13中。
[0066]例如，罐13是對從罐11供給至罐13的磷酸