具有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的基板和面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實施例一般地涉及基板和面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的基板和面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體基板和面板領(lǐng)域中，靜電是導致基板和面板工作實效降低的主要因素之一，靜電的屏蔽和防護工作是基板和面板設(shè)計需要考慮的因素之一，抗靜電能力也是基板和面板的主要性能和信賴性評價指標之一。
[0003]但是目前基板和面板的設(shè)計仍不能避免靜電問題，抗靜電能力低。舉例而言，目前的TFT (薄膜晶體管)面板設(shè)計主要是在TFT基板周圍設(shè)置與柵極同層的接地線，用于引導走靜電。
[0004]以液晶面板中的TFT基板為例，如圖1所示，常規(guī)TFT基板100包括:TFT玻璃基底1 ;位于玻璃基底1上的第一布線層2，其包括柵極布線、其他信號線、面板接地線等；位于第一布線層2上的第一絕緣層3 ;位于第一絕緣層3上的像素電極層4、半導體層8、以及包括源漏極布線與其他信號線的第二布線層5 ;位于像素電極層4、半導體層8以及第二布線層5上的第二絕緣層6 ;位于第二絕緣層6上的公共電極層(一般由ΙΤ0(銦錫氧化物)形成)。
[0005]在這樣的常規(guī)TFT基板中，接地線12由第一布線層2中的最外側(cè)布線形成，其沿TFT面板一周，與FPC (柔性印刷電路)連接。然而，雖然使用了接地線12，這種常規(guī)TFT基板的靜電屏蔽效果仍不夠理想。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供一種具有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的基板和面板及其制造方法，通過增加基板和面板周圍的屏蔽設(shè)計，對基板和面板形成包覆屏蔽圈，可以有效屏蔽外界靜電，提高基板和面板的抗靜電能力。
[0007]根據(jù)本發(fā)明實施例的第一方面，提供一種具有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的基板，所述基板可包括:
[0008]絕緣基底；
[0009]位于絕緣基底上的第一布線層；
[0010]位于所述第一布線層上的第一絕緣層；
[0011]位于所述第一絕緣層上的第二布線層；
[0012]位于所述第二布線層上的第二絕緣層；以及
[0013]位于所述第二絕緣層上的頂部布線層，
[0014]其中，在所述基板周邊，在所述第一絕緣層的溝槽中填充有由所述第二布線層的最外側(cè)布線形成的第一靜電屏蔽部，且在所述第二絕緣層的溝槽中填充有由所述頂部布線層的最外側(cè)布線形成的第二靜電屏蔽部，所述第一和第二靜電屏蔽部相連而形成所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述絕緣基底可以為透明的。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述基板可以為薄膜晶體管基板。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述絕緣基底可以為不透明的。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述基板可以還包括由所述第一布線層的最外側(cè)布線形成的接地線，所述接地線位于所述第一靜電屏蔽部下方且與所述第一靜電屏蔽部相連。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，在所述基板的至少一個拐角處，所述第一和第二靜電屏蔽部可以使用圓倒角。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述基板可以還包括位于所述第一與第二靜電屏蔽部之間的至少一個另外的靜電屏蔽部，所述至少一個另外的靜電屏蔽部可以填充所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間的至少一個另外的絕緣層中的溝槽，并且，所述至少一個另外的靜電屏蔽部可以與所述第一和第二靜電屏蔽部相連。
[0021]根據(jù)本發(fā)明實施例的第二方面，提供一種具有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的面板，其可包括根據(jù)本發(fā)明實施例第一方面的上述基板，可以還包括具有一個或多個靜電屏蔽層的上蓋板，所述上蓋板與所述基板可以通過其間的封框膠而接合在一起，所述一個或多個靜電屏蔽層可以填充所述上蓋板的絕緣層中的溝槽且位于所述上蓋板的與所述第一和第二靜電屏蔽部相對的位置處，所述封框膠可以連接所述第二靜電屏蔽部和所述靜電屏蔽層，并且所述封框膠可以包含各向異性導電粒子。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述上蓋板可以為彩膜，并且所述靜電屏蔽層可以為透明的。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述各向異性導電粒子可以為各向異性導電金球。
[0024]根據(jù)本發(fā)明實施例的第三方面，提供一種制造具有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的基板的方法，可以包括以下步驟:
[0025]在絕緣基底上形成圖案化的第一布線層；
[0026]在所述第一布線層上形成第一絕緣層；
[0027]在所述基板周邊，在所述第一絕緣層中開第一溝槽；
[0028]在所述第一絕緣層上形成圖案化的第二布線層；
[0029]在所述第二布線層上形成第二絕緣層；
[0030]在所述基板周邊，在所述第二絕緣層中開第二溝槽；以及
[0031]在所述第二絕緣層上形成圖案化的頂部布線層，
[0032]其中，所述第二布線層的最外側(cè)布線填充所述第一溝槽而形成第一靜電屏蔽部，且所述頂部布線層的最外側(cè)布線填充所述第二溝槽而形成第二靜電屏蔽部，所述第一和第二靜電屏蔽部相連而形成所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述絕緣基底可以為透明的。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述基板可以為薄膜晶體管基板。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述絕緣基底可以為不透明的。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述第一布線層的最外側(cè)布線形成接地線，所述接地線位于所述第一靜電屏蔽部下方且與所述第一靜電屏蔽部相連。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，在所述基板的至少一個拐角處，所述第一和第二靜電屏蔽部可以使用圓倒角。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，該基板制造方法可以還包括在所述第一與第二靜電屏蔽部之間形成至少一個另外的靜電屏蔽部，所述至少一個另外的靜電屏蔽部可以填充所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間的至少一個另外的絕緣層中的溝槽，并且，所述至少一個另外的靜電屏蔽部可以與所述第一和第二靜電屏蔽部相連。
[0039]根據(jù)本發(fā)明實施例的第四方面，提供一種制造具有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的面板的方法，其可包括根據(jù)本發(fā)明實施例第三方面的上述基板制造方法中的步驟，并且可以還包括以下步驟:
[0040]在上蓋板的與所述第一和第二靜電屏蔽部相對的位置處可以形成填充上蓋板的絕緣層中的溝槽的一個或多個靜電屏蔽層；以及
[0041]用包含各向異性導電粒子的封框膠接合所述上蓋板與所述基板，其中所述封框膠連接所述上蓋板的所述靜電屏蔽層與所述基板的所述第二靜電屏蔽部。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述上蓋板可以為彩膜，并且所述靜電屏蔽層可以為透明的。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，所述各向異性導電粒子可以為各向異性導電金球。
[0044]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明實施例通過在基板或面板的周邊增加包覆式屏蔽結(jié)構(gòu)，有效地將基板或面板各層中否則可能累積的靜電荷引導走，能夠防止外部靜電穿過靜電屏蔽結(jié)構(gòu)損傷基板和面板內(nèi)部走線和元器件，提高基板和面板的抗靜電能力。
【附圖說明】
[0045]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0046]圖1是常規(guī)TFT基板的一般結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0047]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的一個實例的帶有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的TFT基板結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0048]圖3A是帶有接地線的TFT結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0049]圖3B是根據(jù)本發(fā)明實施例的一個實例的帶有靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的TF