封裝基板、覆晶封裝電路及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝基板、覆晶封裝電路及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]新一代的電子產(chǎn)品不僅追求輕薄短小，更朝多功能與高性能的方向發(fā)展，因此，集成電路(Integrated Circuit,簡稱1C)技術(shù)不斷地高密度化與微型化，以期在有限的晶片空間容納更多的電子元件，而其后端的封裝基板及其構(gòu)裝技術(shù)也隨之進展，以符合此新一代的電子產(chǎn)品趨勢。
[0003]由于目前應(yīng)用于鑄?；ミB基板(Molded Interconnect1n Substrate,簡稱MIS)技術(shù)的覆晶式晶片尺寸封裝(Flip-Chip Chip Size Package，簡稱FCCSP)基板10，如圖1所示，其采用感光型底層涂料(primer)材料來制作鑄?；衔飳?6上的介電材料層17，因此對于介電材料的光微影蝕刻制程(Photolithography)所需解析度要求高，尤其是對于腳距密集化(Fine Pitch)的封裝制程，更需要使用特定且高價位的介電材料。此外，在現(xiàn)有FCCSP基板的制造程序中，連接上層電路導線14與下層電路導線12之間的導電銅柱，其制造包含了在鑄模化合物層16與介電材料層17共二次的光微影蝕刻制程，這二段的導電銅柱18及19可能因制程上對位精度的偏差而造成上下位置偏移的狀況，以及介電材料與導電銅柱之間及介電材料與鑄?；衔飳硬牧现g的界面親合力較差，而影響其制成品合格率與可靠度。因此，有必要發(fā)展新的封裝基板技術(shù)，以解決及改善上述的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于:提供一種封裝基板、覆晶封裝電路及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括:
[0006]一種封裝基板，其特征在于，其包括:
[0007]—第一導線層，其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層，該第一介電材料層充填于該第一導線層內(nèi)該第一金屬走線以外的其余部分；
[0008]一導電柱層，形成于該第一導線層上，該導電柱層包含一金屬柱狀物、一具有一凸出部的鑄?；衔飳印⒓耙坏诙殡姴牧蠈?，該金屬柱狀物連接該第一金屬走線，該第二介電材料層形成于該鑄?；衔飳由?，該凸出部圍繞該金屬柱狀物；
[0009]一第二導線層，形成于該導電柱層上，該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線；以及
[0010]一保護層，形成于該第二導線層上。
[0011]其中，該封裝基板為覆晶式晶片尺寸封裝(Flip-Chip Chip Size Package)基板。
[0012]其中，該鑄?；衔飳拥牟牧习h(huán)氧基樹脂(Epoxy-Based Resin)或聚酰亞胺(Polyimide)。
[0013]其中，該第二介電材料層的材料包含環(huán)氧基樹脂或聚酰亞胺。
[0014]其中，該凸出部的寬度由上而下逐漸增大。
[0015]其中，該凸出部具有一凹斜的側(cè)面。
[0016]其中，該金屬柱狀物的側(cè)面完全被該鑄模化合物層所包覆。
[0017]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括:
[0018]一種覆晶封裝電路，其特征在于，其包括:
[0019]一第一導線層，其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層，該第一介電材料層充填于該第一導線層內(nèi)該第一金屬走線以外的其余部分；
[0020]一導電柱層，形成于該第一導線層上，該導電柱層包含一金屬柱狀物、一具有一凸出部的鑄?；衔飳?、及一第二介電材料層，該金屬柱狀物連接該第一金屬走線，該第二介電材料層形成于該鑄模化合物層上，該凸出部圍繞該金屬柱狀物；
[0021]一第二導線層，形成于該導電柱層上，該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線；
[0022]一保護層，形成于該第二導線層上，并具有一露出該第二金屬走線的開口 ；
[0023]一電路晶片，設(shè)置于該第一導線層下，并電性連接該第一金屬走線；以及
[0024]一電路板，設(shè)置于該保護層上，并通過該保護層的開口而電性連接該第二金屬走線。
[0025]其中，該凸出部的寬度由上而下逐漸增大。
[0026]其中，該凸出部具有一凹斜的側(cè)面。
[0027]其中，該金屬柱狀物的側(cè)面完全被該鑄模化合物層所包覆。
[0028]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括:
[0029]一種封裝基板的制作方法，其特征在于，包括下列步驟:
[0030](A)提供一承載板；
[0031](B)在該承載板上形成一第一導線層，該第一導線層包含一第一金屬走線與一第一介電材料層，該第一介電材料層充填于該第一導線層內(nèi)該第一金屬走線以外的其余部分；
[0032](C)在該第一導線層上形成一金屬柱狀物，使得該金屬柱狀物連接該第一金屬走線.
[0033](D)在該承載板上形成一鑄?；衔飳?，該鑄?；衔飳油耆苍摮休d板上的該第一導線層與該金屬柱狀物；
[0034](E)移除部分的該鑄?；衔飳樱沟迷撌Ｓ嗟蔫T?；衔飳影坏谝粎^(qū)域及一第二區(qū)域，該第一區(qū)域的上表面低于該金屬柱狀物的上端面，且該第二區(qū)域圍繞該金屬柱狀物；
[0035](F)在該剩余的鑄?；衔飳由闲纬梢坏诙殡姴牧蠈樱沟迷摰诙殡姴牧蠈拥纳媳砻娓哂谠摻饘僦鶢钗锏纳隙嗣?；
[0036](G)移除部分的該第二介電材料層及/或該鑄模化合物層，使得該金屬柱狀物的上端面露出；
[0037](H)在該第二介電材料層上形成一包含一第二金屬走線的第二導線層，使得該第二金屬走線連接該金屬柱狀物；以及
[0038](I)在該第二導線層上形成一保護層，并移除該承載板。
[0039]其中，該封裝層的材料包含環(huán)氧基樹脂。
[0040]其中，該第二介電材料層的材料包含環(huán)氧基樹脂或聚酰亞胺。
[0041]其中，步驟(E)是以研磨、噴砂、電漿或化學蝕刻方式進行。
[0042]其中，該鑄模化合物層的第二區(qū)域包含一凸出部，且步驟(E)使得該凸出部的寬度由上而下逐漸增大。
[0043]其中，該鑄?；衔飳拥牡诙^(qū)域包含一凸出部，且步驟(E)使得該凸出部具有一凹斜的側(cè)面。
[0044]其中，步驟(E)使得該金屬柱狀物的側(cè)面完全被該鑄?；衔飳拥脑摰诙^(qū)域所包覆。
[0045]其中，步驟(G)包括:憑借研磨、噴砂、電漿或化學蝕刻方式，自上而下去除該第二介電材料層及/或該鑄?；衔飳?，直到該金屬柱狀物的上端面露出。
[0046]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是:通過設(shè)計適當?shù)脑搶щ娭鶎又谱鞒绦?，使導電銅柱可以單段式加工，能夠解決現(xiàn)有中存在的合格率與可靠度受其影響的問題。
[0047]由于現(xiàn)有的FCCSP基板采用感光型介電材料來制作鑄?；衔飳由系慕殡姴牧蠈?，因此對于介電材料的光微影蝕刻制程所需解析度要求高，尤其是對于腳距密集化的封裝制程，更需要使用特定且高價格的介電材料。此外，在現(xiàn)有FCCSP基板的制造程序中，其導柱層中的導電銅柱之制造包含了在鑄?；衔飳优c在介電材料層共二次的光微影蝕刻制程，這二段的導電銅柱可能因制程上對位精度的偏差而造成上下位置偏移的狀況，以及介電材料與導電銅柱之間及介電材料與鑄?；衔飳硬牧现g的界面親合力較差，而影響其制成品良率與可靠度。本案發(fā)明技術(shù)可用以避免上述須采