本申請是申請?zhí)枮?013102586889、申請日為2013年06月26日、發(fā)明創(chuàng)造名稱″電路板的制作方法″的專利的分案申請。

本發(fā)明涉及電路板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種具有金屬凸塊的電路板。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，為了節(jié)省封裝結(jié)構(gòu)的體積。通常需要在作為封裝載板的電路板上面封裝芯片及電路板。其中，芯片對應(yīng)的封裝區(qū)域通常需要設(shè)置較為密集的接觸墊，而與電路板進(jìn)行封裝的接觸墊的面積通常較大，而且分布較為稀疏。并且，在進(jìn)行封裝過程中，通常需要先將芯片封裝于封裝載板，然后再將封裝有芯片的封裝基板與其他電路板進(jìn)行封裝?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常需要在封裝載板的表面制作兩層防焊層，第一層防焊層用于定義出載板上的接觸墊，第二防焊層(damring)形成在第一防焊層上，并環(huán)繞芯片封裝區(qū)域，以在封裝芯片時(shí)起到堤壩作用。然而，由于第一防焊層和第二防焊層分別形成，在封裝之后，容易由于應(yīng)力集中于第一防焊層與第二防焊層的交界處，從而導(dǎo)致第一防焊層和第二防焊層相互分離。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，有必要提供一種電路板的制作及其方法，能夠解決上述問題。

一種電路板，包括第一介電層、第一導(dǎo)電線路層、凸塊圖形和第二介電層，所述第一介電層和第二介電層相互連接，所述第一導(dǎo)電線路層包括中心封裝區(qū)域及環(huán)繞所述中心封裝區(qū)域的外圍封裝區(qū)域，所述凸塊圖形形成于第一介電層具有遠(yuǎn)離第二介電層的表面，所述凸塊圖形與所述第一介電層一體成型，所述凸塊圖形的形狀與所述中心封裝區(qū)域和外圍封裝區(qū)域的交線相對應(yīng)。

一種電路板制作方法，包括步驟：提供載板，所述載板具有第一表面；自所述載板的第一表面向所述載板內(nèi)形成凹槽圖形；通過壓合絕緣材料在所述凹槽圖形內(nèi)形成凸塊圖形，并同時(shí)在載板的第一表面形成第一介電層，所述第一介電層與所述凸塊圖形一體成型；在所述第一介電層的表面形成第一導(dǎo)電線路層，所述第一導(dǎo)電線路層包括中心封裝區(qū)域與外圍封裝區(qū)域，所述中心封裝區(qū)域與外圍封裝區(qū)域的交線與所述凸塊圖形相對應(yīng)；在第一導(dǎo)電線路層一側(cè)壓合第二介電層；以及去除所述載板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案提供的電路板及其制作方法，通過在載板內(nèi)凹槽圖形，然后通過壓合的方式同時(shí)形成第一介電層及凸塊圖形，使得凸塊圖形與第一介電層一體成型。相比于現(xiàn)有技術(shù)中，先后分別通過形成兩次防焊層的方式形成，從而可以避免在封裝之后，由于應(yīng)力集中于兩層防焊層的交界處，使得兩層防焊層相互分離。

附圖說明

圖1是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的載板的剖面示意圖。

圖2是圖1的載板內(nèi)形成凹槽圖形后的剖面示意圖。

圖3是圖2的俯視圖。

圖4是圖2的載板表面壓合第一介電層后的剖面示意圖。

圖5是圖4的第一介電層表面形成第一導(dǎo)電線路層后的剖面示意圖。

圖6是圖5的第一導(dǎo)電線路層一側(cè)壓合第二介電層后的剖面示意圖。

圖7是在圖6的第二介電層表面形成第二導(dǎo)電線路層后的剖面示意圖。

圖8是在圖7的第二導(dǎo)電線路層表面形成防焊層后的剖面示意圖。

圖9是圖8去除載板后的剖面示意圖。

圖10是圖9的第一介電層內(nèi)形成第一開口和第二開口后的剖面示意圖。

圖11是本技術(shù)方案制作的電路板的剖面示意圖。

圖12是圖11的俯視圖。

主要元件符號說明

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式

本技術(shù)方案提供的電路板制作方法包括如下步驟：

第一步，請參閱圖1，提供載板110。

所述載板110為采用金屬材料制成。本實(shí)施例中，載板110采用金屬鋁制成。所述載板110具有第一表面111，所述第一表面111為平面。

第二步，請參閱圖2及圖3，在所述載板110內(nèi)形成凹槽圖形112。

所述凹槽圖形112可以采用激光燒蝕的方式形成。所述凹槽圖形112應(yīng)與欲制作電路板的芯片封裝區(qū)域的邊線相對應(yīng)，本實(shí)施例中，所述凹槽圖形112的形狀大致為口字形。所述凹槽圖形112形成于載板110的中間區(qū)域。

第三步，請參閱圖4，在所述載板110的第一表面111形成第一介電層120并同時(shí)在凹槽圖形112內(nèi)形成凸塊圖形130。

所述第一介電層120及凸塊圖形130可以通過壓合半固化膠片的方式形成。所述凸塊圖形130完全填充于所述凹槽圖形112內(nèi)，第一介電層120覆蓋整個(gè)第一表面111。所述第一介電層120與凸塊圖形130一體成型。所述第一介電層120的材料可以為本領(lǐng)域常用的絕緣材料，如聚酰亞胺等。

所述第一介電層120具有與第一表面111相鄰的第二表面121，所述凸塊圖形130凸出于第二表面121，所述凸塊圖形130的形狀與凹槽圖形112互補(bǔ)，也與欲制作電路板的芯片封裝區(qū)域的邊線相對應(yīng)，本實(shí)施例中，所述凸塊圖形130的形狀大致為口字形。

第四步，請參閱圖5，在第一介電層120遠(yuǎn)離載板110的一側(cè)形成第一導(dǎo)電線路層140。

所述第一導(dǎo)電線路層140可以采用半加成法制成?？梢岳斫獾氖牵龅谝粚?dǎo)電線路層140也可以采用其他業(yè)內(nèi)常用的線路制作方法制作形成。

所述第一導(dǎo)電線路層140包括中心封裝區(qū)域141及外圍封裝區(qū)域142。所述中心封裝區(qū)域141內(nèi)包括多個(gè)分布較為密集且面積較小的第一接觸墊1411，所述外圍封裝區(qū)域142環(huán)繞所述中心封裝區(qū)域141，外圍封裝區(qū)域142內(nèi)分布有分布較為稀疏且面積較大的第二接觸墊1421。所述中心封裝區(qū)域141與外圍封裝區(qū)域142的交線與凸塊圖形130相對應(yīng)。

第五步，請參閱圖6，在第一導(dǎo)電線路層140一側(cè)壓合第二介電層150。

本步驟中，也可以采用壓合半固化膠片的方式形成第二介電層150。本實(shí)施例中，第二介電層150的材料與第一介電層120的材料相同。所述第二介電層150的厚度可以大于第一介電層120的厚度。

本實(shí)施例中，本步驟之后，還可以進(jìn)一步包括在第二介電層150內(nèi)形成孔151?？梢圆捎眉す鉄g的方式形成孔151。孔151貫穿所述第二介電層150，使得第一導(dǎo)電線路層140的第二接觸墊1421從孔151的底部露出。

第六步，請參閱圖7，在第二介電層150遠(yuǎn)離第一介電層120的一側(cè)形成第二導(dǎo)電線路層160。

本步驟同樣可以采用形成第一導(dǎo)電線路層140相同的方法形成第二導(dǎo)電線路層160。

本實(shí)施例中，在形成第二導(dǎo)電線路層160之前或者同時(shí)，還在孔151內(nèi)形成導(dǎo)電材料，從而形成導(dǎo)電孔152，所述第一導(dǎo)電線路層140與第二導(dǎo)電線路層160通過導(dǎo)電孔152相互電導(dǎo)通。

第七步，請參閱圖8，在第二導(dǎo)電線路層160的表面形成防焊層170。

本步驟可以采用印刷液態(tài)防焊油墨的方式形成防焊層170。所述防焊層170內(nèi)形成有多個(gè)開孔171，部分第二導(dǎo)電線路層160內(nèi)的導(dǎo)電線路從開孔171露出，形成電連接墊161。

第八步，請一并參閱圖9，去除載板110。

本實(shí)施例中，載板110采用鋁制成，本步驟可以采用化學(xué)蝕刻的方式將載板110去除，使得第一介電層120及凸塊圖形130暴露出來。

第九步，請參閱圖10，在所述第一介電層120內(nèi)形成多個(gè)第一開口123及多個(gè)第二開口124，每個(gè)第一開口123與第一接觸墊1411相對應(yīng)，每個(gè)第一接觸墊1411從對應(yīng)的第一開口123露出。每個(gè)第二開口124與一個(gè)第二接觸墊1421相對應(yīng)，每個(gè)第二接觸墊1421從對應(yīng)的第二開口124露出。

所述第一開口123和第二開口124可以采用激光燒蝕的方式形成。

第十步，請參閱圖11及圖12，在所述第一接觸墊1411、第二接觸墊1421及電連接墊161的表面形成保護(hù)層180，并在第一接觸墊1411上的保護(hù)層180的表面形成焊料凸塊190，從而得到電路板100。

所述保護(hù)層180可以為有機(jī)保焊膜(osp)，也可以為鎳金層或鎳鈀金層。

請參閱圖11及圖12，本技術(shù)方案還提供一種電路板100，所述電路板100包括第一介電層120、凸塊圖形130、第一導(dǎo)電線路層140、第二介電層150及第二導(dǎo)電線路層160。

所述第一介電層120和第二介電層150相互連接。所述第一導(dǎo)電線路層140位于第一介電層120和第二介電層150之間。

所述第一導(dǎo)電線路層140包括中心封裝區(qū)域141及外圍封裝區(qū)域142。所述中心封裝區(qū)域141內(nèi)包括多個(gè)分布較為密集且面積較小的第一接觸墊1411，所述外圍封裝區(qū)域142環(huán)繞所述中心封裝區(qū)域141，外圍封裝區(qū)域142內(nèi)分布有分布較為稀疏且面積較大的第二接觸墊1421。

所述第一介電層120具有遠(yuǎn)離第二介電層150的第二表面121。所述凸塊圖形130形成于所述第二表面121一側(cè)。所述凸塊圖形130與第一介電層120采用相同的材料制成，并一體成型。凸塊圖形130與所述第一導(dǎo)電線路層140中心封裝區(qū)域141與外圍封裝區(qū)域142的交線相對應(yīng)。

所述第一介電層120內(nèi)形成有多個(gè)第一開口123及多個(gè)第二開口124，每個(gè)第一開口123與第一接觸墊1411相對應(yīng)，每個(gè)第一接觸墊1411從對應(yīng)的第一開口123露出。每個(gè)第二開口124與一個(gè)第二接觸墊1421相對應(yīng)，每個(gè)第二接觸墊1421從對應(yīng)的第二開口124露出。

所述第二導(dǎo)電線路層160形成于第二介電層150遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電線路層140的一側(cè)。所述第二導(dǎo)電線路層160表面形成有防焊層170。所述防焊層170內(nèi)形成有多個(gè)開孔171，部分第二導(dǎo)電線路層160內(nèi)的導(dǎo)電線路從開孔171露出，形成電連接墊161。

所述電路板100還可以包括保護(hù)層180，所述保護(hù)層180形成于電連接墊161、第一接觸墊1411和第二接觸墊1421的表面。

所述第一接觸墊1411上的保護(hù)層180的表面還形成有焊料凸塊190，用于封裝電子元件時(shí)進(jìn)行焊接。

本技術(shù)方案提供的電路板及其制作方法，通過在載板內(nèi)凹槽圖形，然后通過壓合的方式同時(shí)形成第一介電層及凸塊圖形，使得凸塊圖形與第一介電層一體成型。相比于現(xiàn)有技術(shù)中，先后分別通過形成兩次防焊層的方式形成，從而可以避免在封裝之后，由于應(yīng)力集中于兩層防焊層的交界處，使得兩層防焊層相互分離。

可以理解的是，本技術(shù)方案的電路板制作方法可以應(yīng)用于高密度互連電路板(hdi)的制作。

可以理解的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。