一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體器件領域，更具體地說，涉及一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法。
【背景技術】
[0002]晶圓片是制造半導體芯片的基本材料，在半導體芯片的制造過程中，需要對所述晶圓片進行單面刻蝕，而濕法刻蝕以其操作簡便、對設備要求低、易于實現(xiàn)大批量生產(chǎn)以及對所述晶圓片損傷少的優(yōu)點成為主流的單面刻蝕方法?，F(xiàn)有技術中，在進行所述晶圓片的單面刻蝕之前，需要在其不需要進行刻蝕的一面涂覆或生長保護層，然后將所述具有保護層的晶圓片浸入腐蝕液體中對其待刻蝕面進行刻蝕，最后取出該晶圓片，去除所述保護層并進行清洗，完成所述晶圓片的單面刻蝕。
[0003]但是上述晶圓片單面刻蝕方法的缺點是需要增加在所述晶圓片表面涂覆或生長保護層的工序，降低了所述半導體芯片的生產(chǎn)效率，而且所述保護層在所述晶圓片浸入所述腐蝕液體時存在發(fā)生脫落或剝離的風險，而所述保護層一旦脫落或剝離就會使所述晶圓片報廢，從而增加所述半導體芯片的生產(chǎn)成本。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明實施例提供了一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法，所述刻蝕方法不需要在所述晶圓片表面涂覆或生長保護層即可完成對所述晶圓片的單面刻蝕。
[0005]一種刻蝕裝置，應用于晶圓片濕法刻蝕，包括:
[0006]底座；
[0007]設置于所述底座上的多個夾片環(huán)，相鄰夾片環(huán)之間用于放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)，且所述夾片環(huán)呈圓環(huán)形，其側壁包括至少一個進液槽；
[0008]設置于所述底座上的夾緊裝置，所述夾緊裝置用于夾緊放置在所述底座上的多個夾片環(huán)和多個晶圓片。
[0009]優(yōu)選的，所述刻蝕裝置還包括:位于所述夾片環(huán)外側面的至少一個定位塊，設置于所述底座內(nèi)表面的定位臺；
[0010]所述定位塊的側面與所述定位臺的側面接觸，用于使所述夾片環(huán)穩(wěn)定放置在所述定位臺上。
[0011]優(yōu)選的，所述定位臺的內(nèi)表面為圓弧面，其半徑等于所述夾片環(huán)的半徑。
[0012]優(yōu)選的，所述定位塊的數(shù)量大于或等于兩個，所述定位臺的內(nèi)表面的弧長小于或等于所述夾片環(huán)任意相鄰兩個定位塊之間的弧長。
[0013]優(yōu)選的，所述底座內(nèi)表面為圓弧面，其半徑等于所述夾片環(huán)半徑與所述定位臺沿所述夾片環(huán)徑向方向的長度之和。
[0014]優(yōu)選的，所述定位塊沿所述夾片環(huán)徑向方向的長度大于等于5_。
[0015]優(yōu)選的，所述夾緊裝置包括螺紋桿、夾持板、第一固定板和第二固定板；其中，
[0016]所述第一固定板和第二固定板相對設置于所述底座兩端，所述第一固定板設置有螺紋孔；
[0017]所述夾持板設置于所述第一固定板和第二固定板之間，所述夾持板與所述第二固定板之間用于放置所述夾片環(huán)和所述晶圓片；
[0018]所述螺紋桿通過所述螺紋孔與所述第一固定板螺紋連接；
[0019]所述夾持板與所述螺紋桿抵接，當所述螺紋桿向所述第二固定板方向旋進時推動所述夾持板夾緊所述夾片環(huán)和所述晶圓片。
[0020]優(yōu)選的，所述夾片環(huán)的直徑的取值范圍為30mm-200mm，包括端點值。
[0021 ] 優(yōu)選的，所述刻蝕裝置采用的材料為耐腐蝕材料。
[0022]優(yōu)選的，所述耐腐蝕材料為聚氯乙烯或聚四氟乙烯或聚丙烯。
[0023]—種晶圓片的單面刻蝕方法，應用于上述任一項權利要求所述的刻蝕裝置，包括:
[0024]將多個所述夾片環(huán)放置在所述底座上；
[0025]在每兩個相鄰的夾片環(huán)之間放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)；
[0026]利用所述夾緊裝置夾緊所述夾片環(huán)和晶圓片；
[0027]通過所述夾片環(huán)的進液槽注入腐蝕液體，對所述晶圓片的待刻蝕面進行刻蝕。
[0028]優(yōu)選的，將多個所述夾片環(huán)放置在所述底座上之后，在每兩個相鄰的夾片環(huán)之間放置至少兩個緊貼的晶圓片之前還包括:
[0029]將所述晶圓片浸水，以利用水的張力使所述晶圓片貼緊。
[0030]優(yōu)選的，通過所述夾片環(huán)的進液槽注入腐蝕液體，對所述晶圓片的待刻蝕面進行刻蝕包括:
[0031]將所述夾緊裝置、所述夾片環(huán)和所述晶圓片浸入腐蝕液體中；
[0032]所述腐蝕液體通過所述夾片環(huán)的進液槽注入所述刻蝕裝置，對所述晶圓片的待刻蝕面進行刻蝕。
[0033]本發(fā)明實施例提供了一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法，其中，所述刻蝕裝置的底座上用于放置多個所述夾片環(huán)，相鄰夾片環(huán)之間用于放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)，當利用所述夾緊裝置夾緊放置在所述底座上的多個夾片環(huán)和多個晶圓片后可以通過所述夾片環(huán)的進液槽注入腐蝕液體對所述晶圓片進行刻蝕。由于至少兩個所述晶圓片緊貼，且僅有所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)，因此在所述腐蝕液體通過所述夾片環(huán)的進液槽注入后，所述腐蝕液體僅能夠接觸到所述晶圓片的待刻蝕面，從而達到了對所述晶圓片單面刻蝕的目的。并且利用所述刻蝕裝置對晶圓片進行刻蝕不需要對所述晶圓片進行涂覆或生長保護層的操作，從而不存在所述保護層發(fā)生脫落或剝離而導致晶圓片在刻蝕過程中報廢的風險，因此提高了晶圓片的刻蝕效率，降低了所述晶圓片的刻蝕成本。
【附圖說明】
[0034]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0035]圖1為本發(fā)明的一個實施例提供的一種夾片環(huán)的示意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明的一個實施例提供的一種底座的不意圖；
[0037]圖3為本發(fā)明的一個實施例提供的夾片環(huán)與底座位置關系的示意圖；
[0038]圖4為本發(fā)明的一個實施例提供的一種刻蝕裝置的示意圖；
[0039]圖5為本發(fā)明的一個實施例提供的一種晶圓片單面刻蝕的方法流程圖；
[0040]圖6為本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例提供的一種晶圓片單面刻蝕的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0041]正如【背景技術】所述，現(xiàn)有技術中采用濕法刻蝕所述晶圓片時，效率較低，成本較
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[0042]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種刻蝕裝置，應用于晶圓片濕法刻蝕，包括:
[0043]底座；
[0044]設置于所述底座上的多個夾片環(huán)，相鄰夾片環(huán)之間用于放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)，且所述夾片環(huán)呈圓環(huán)形，其側壁包括至少一個進液槽；
[0045]設置于所述底座上的夾緊裝置，所述夾緊裝置用于夾緊放置在所述底座上的多個夾片環(huán)和多個晶圓片。
[0046]相應的，本發(fā)明實施例還提供了一種晶圓片的單面刻蝕方法，應用于上述實施例所述的刻蝕裝置，包括:
[0047]將多個所述夾片環(huán)放置在所述底座上；
[0048]在每兩個相鄰的夾片環(huán)之間放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)；
[0049]利用所述夾緊裝置夾緊所述夾片環(huán)和晶圓片；
[0050]通過所述夾片環(huán)的進液槽注入腐蝕液體，對所述晶圓片的待刻蝕面進行刻蝕。
[0051]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的一種刻蝕裝置及晶圓片單面刻蝕方法，其中，所述刻蝕裝置的底座上用于放置多個所述夾片環(huán)，相鄰夾片環(huán)之間用于放置至少兩個晶圓片，所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)，當利用所述夾緊裝置夾緊放置在所述底座上的多個夾片環(huán)和多個晶圓片后可以通過所述夾片環(huán)的進液槽注入腐蝕液體對所述晶圓片進行刻蝕。由于至少兩個所述晶圓片緊貼，且僅有所述晶圓片的待刻蝕面朝向與其相鄰的所述夾片環(huán)，因此在所述腐蝕液體通過所述夾片環(huán)的進液槽注入后，所述腐蝕液體僅能夠接觸到所述晶圓片的待刻蝕面，從而達到了對所述晶圓片單面刻蝕的目的。并且利用所述刻蝕裝置對晶圓片進行刻蝕不需要對所述晶圓片進行涂覆或生長保護層的操作，從而不存在所述保護層發(fā)送脫落或剝離而導致晶圓片在刻蝕過程中報廢的風險，因此提高了晶圓片的刻蝕效率，降低了所述晶圓片的刻蝕成本。
[0052]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例