介質(zhì)層13能實(shí)現(xiàn)完全分離，另外，所述介質(zhì)層13與半導(dǎo)體芯片14之間必須具有足夠的附著力以將各半導(dǎo)體芯片14固定于所述介質(zhì)層13表面。
[0037]作為示例，所述介質(zhì)層13包括二氧化硅及氮化硅中的一種。在本實(shí)施例中，所述介質(zhì)層13為二氧化硅，其可以通過(guò)如氣相沉積等方法制作于所述粘合層12上。當(dāng)然，其他的介質(zhì)層13也同樣適用，并不限于此處所列舉的示例。
[0038]如圖1及圖4所示，接著進(jìn)行步驟3)S13，將半導(dǎo)體芯片14正面朝下地附著于所述介質(zhì)層13表面。
[0039]在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體芯片14為扇出型半導(dǎo)體芯片14。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，本發(fā)明的封裝方法也可以用于安裝如存儲(chǔ)器件、顯示器件、輸入組件、分立元件、電源、穩(wěn)壓器等器件，且并不限定于此處所列舉的幾種示例。
[0040]作為示例，所述半導(dǎo)體芯片14的數(shù)量可以為I個(gè)至I個(gè)晶圓所能承載的半導(dǎo)體芯片14數(shù)量，在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體芯片14的數(shù)量為I個(gè)晶圓所能承載的半導(dǎo)體芯片14數(shù)量。
[0041 ] 如圖1及圖5所示，然后進(jìn)行步驟4) S14，采用注塑工藝對(duì)各半導(dǎo)體芯片14進(jìn)行封裝。
[0042]作為示例，所述注塑工藝采用的封裝材料15包括硅膠以及環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。在本實(shí)施例中，所述封裝材料15為硅膠。通過(guò)注塑工藝后的半導(dǎo)體芯片14可以被進(jìn)一步地固定在硅膠以及介質(zhì)層13之間，大大增強(qiáng)其穩(wěn)定性。
[0043]如圖1及圖6所示，然后進(jìn)行步驟5)S15，分離所述粘合層12及介質(zhì)層13，以去除所述載體11及粘合層12。
[0044]在本實(shí)施例中，可以采用撕裂的方式將所述粘合層12及介質(zhì)層13進(jìn)行分離，以去除所述載體11及粘合層12。相比于傳統(tǒng)的減薄工藝，如研磨、腐蝕等來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的分離方法非常簡(jiǎn)單，易于操作，可以大大降低工藝成本。
[0045]如圖1及圖7所示，接著進(jìn)行步驟6)S16，基于所述介質(zhì)層13對(duì)所述半導(dǎo)體芯片14形成重新布線層16。
[0046]作為示例，具體包括以下步驟:
[0047]步驟6-1)，采用光刻工藝及刻蝕工藝于所述介質(zhì)層13中形成與半導(dǎo)體芯片14電性引出所對(duì)應(yīng)的通孔。
[0048]步驟6-2)，于各通孔中填充金屬導(dǎo)體，形成連接通孔。
[0049]作為示例，所述金屬導(dǎo)體包括Cu、Al等金屬材料，可以通過(guò)如沉積、電鍍等工藝填充于所述通孔中，形成連接通孔。在本實(shí)施例中，所述金屬導(dǎo)體為Cu。
[0050]步驟6-3)，于所述介質(zhì)層13表面形成于所述連接通孔對(duì)應(yīng)連接的重新布線層16。[0051 ] 在本實(shí)施例中，步驟6-3)具體包括以下步驟:
[0052]步驟6_3a)，于所述介質(zhì)層13表面制作光刻膠圖形。
[0053]步驟6_3b)，基于所述光刻膠圖形于所述介質(zhì)層13表面沉積或?yàn)R射種子層。在本實(shí)施例中，所述種子層為T(mén)i/Cu層。
[0054]步驟6_3c)，基于所述種子層電鍍金屬導(dǎo)體形成金屬連線。
[0055]步驟6-3d)，去除所述光刻膠圖形，以形成重新布線層16。
[0056]如圖1及圖8所示，最后進(jìn)行步驟7) S17，于所述重新布線層16上進(jìn)行植球回流工藝，形成微凸點(diǎn)17。
[0057]具體地，在對(duì)應(yīng)于每個(gè)連接通孔的位置形成如金錫合金等導(dǎo)體材料，然后通過(guò)植球回流工藝，形成微凸點(diǎn)17，用于與后續(xù)的支撐結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電連接及引出。
[0058]如上所述，本發(fā)明提供一種晶圓級(jí)芯片封裝方法，所述晶圓級(jí)芯片封裝方法包括步驟:1)提供一載體11，于所述載體11的表面形成粘合層12 ;2)于所述粘合層12表面形成介質(zhì)層13 ;3)將半導(dǎo)體芯片14正面朝下地附著于所述介質(zhì)層13表面；4)采用注塑工藝對(duì)各半導(dǎo)體芯片14進(jìn)行封裝；5)分離所述粘合層12及介質(zhì)層13，以去除所述載體11及粘合層12 ;6)基于所述介質(zhì)層13對(duì)所述半導(dǎo)體芯片14形成重新布線層16。本發(fā)明通過(guò)在粘合層12與半導(dǎo)體芯片14之間制作介質(zhì)層13，避免了粘合層12與半導(dǎo)體芯片14直接粘合而造成半導(dǎo)體芯片14被污染的問(wèn)題。通過(guò)本發(fā)明的封裝方法，可以將封裝過(guò)程中半導(dǎo)體芯片14被污染的情況得到極大的控制，從而提高半導(dǎo)體芯片14的成品率及電性能。本發(fā)明步驟簡(jiǎn)單，可以有效提高產(chǎn)品的良率及性能，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0059]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于，所述晶圓級(jí)芯片封裝方法包括步驟: 1)提供一載體，于所述載體的表面形成粘合層； 2)于所述粘合層表面形成介質(zhì)層； 3)將半導(dǎo)體芯片正面朝下地附著于所述介質(zhì)層表面； 4)采用注塑工藝對(duì)各半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝； 5)分離所述粘合層及介質(zhì)層，以去除所述載體及粘合層； 6)基于所述介質(zhì)層對(duì)所述半導(dǎo)體芯片形成重新布線層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:還包括步驟7)，于所述重新布線層上進(jìn)行植球回流工藝，形成微凸點(diǎn)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:所述半導(dǎo)體芯片為扇出型半導(dǎo)體芯片。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:所述載體包括玻璃、半導(dǎo)體、金屬及剛性的聚合物中的一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:所述粘合層與介質(zhì)層所采用的材料不同，并且所述粘合層與介質(zhì)層能實(shí)現(xiàn)完全分離。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:所述介質(zhì)層與半導(dǎo)體芯片之間具有足夠的附著力以將各半導(dǎo)體芯片固定于所述介質(zhì)層表面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:所述粘合層包括膠帶、通過(guò)旋涂工藝制作的粘合膠或環(huán)氧樹(shù)脂中的一種，所述介質(zhì)層包括二氧化硅及氮化硅中的一種。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:步驟4)的注塑工藝采用的封裝材料包括硅膠以及環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:步驟6)包括以下步驟: 6-1)采用光刻工藝及刻蝕工藝于所述介質(zhì)層中形成與半導(dǎo)體芯片電性引出所對(duì)應(yīng)的通孔； 6-2)于各通孔中填充金屬導(dǎo)體，形成連接通孔； 6-3)于所述介質(zhì)層表面形成于所述連接通孔對(duì)應(yīng)連接的重新布線層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓級(jí)芯片封裝方法，其特征在于:步驟6-3)包括以下步驟: 6-3a)于所述介質(zhì)層表面制作光刻膠圖形； 6-3b)基于所述光刻膠圖形于所述介質(zhì)層表面沉積或?yàn)R射種子層； 6-3c)基于所述種子層電鍍金屬導(dǎo)體形成金屬連線； 6-3d)去除所述光刻膠圖形，以形成重新布線層。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種晶圓級(jí)芯片封裝方法，包括：1）提供一載體，于所述載體的表面形成粘合層；2）于所述粘合層表面形成介質(zhì)層；3）將半導(dǎo)體芯片正面朝下地附著于所述介質(zhì)層表面；4）采用注塑工藝對(duì)各半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝；5）分離所述粘合層及介質(zhì)層，以去除所述載體及粘合層；6）基于所述介質(zhì)層對(duì)所述半導(dǎo)體芯片形成重新布線層；7）于所述重新布線層上進(jìn)行植球回流工藝，形成微凸點(diǎn)。本發(fā)明通過(guò)在粘合層與半導(dǎo)體芯片之間制作介質(zhì)層，避免了粘合層與半導(dǎo)體芯片直接粘合而造成半導(dǎo)體芯片被污染的問(wèn)題。通過(guò)本發(fā)明的封裝方法，可以將封裝過(guò)程中半導(dǎo)體芯片被污染的情況得到極大的控制，從而提高半導(dǎo)體芯片的成品率及電性能。
【IPC分類(lèi)】H01L23/14, H01L23/29, H01L21/56, H01L21/58, H01L21/78
【公開(kāi)號(hào)】CN105161465
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510486611
【發(fā)明人】林正忠, 仇月東
【申請(qǐng)人】中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體（江陰）有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年8月10日