Tft基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種TFT基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶體管基板(TFT，ThinFilm Transistor)、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。
[0005]如圖1-7所示，為現(xiàn)有的一種TFT基板的制作方法，包括以下步驟:
[0006]步驟1、如圖1所示，提供一基板100，在所述基板100上沉積一金屬層，采用一道光刻制程對所述金屬層進行圖案化處理，得到間隔設(shè)置的第一遮光層210、第二遮光層220 ；
[0007]步驟2、如圖2所示，在所述第一遮光層210、第二遮光層220、及基板100上依次沉積氮化娃層300與氧化娃層400 ；
[0008]步驟3、如圖3所示，在所述氧化硅層400上沉積一非晶硅層，采用準分子激光退火制程將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層500 ;
[0009]步驟4、如圖4所示，采用一道光刻制程對所述多晶硅層500進行圖案化處理，得到分別對應(yīng)于所述第一遮光層210、第二遮光層220的第一有源層510、第二有源層520 ;
[0010]步驟5、如圖5所示，對所述第一有源層510、第二有源層520進行P型離子注入，形成第一 P型輕摻雜有源層610、第二 P型輕摻雜有源層620 ；
[0011]步驟6、如圖6所示，在所述第一 P型輕摻雜有源層610、第二 P型輕摻雜有源層620、及氧化硅層400上涂布一光阻層700，采用一道黃光制程對所述光阻層700進行曝光、顯影，暴露出所述第一 P型輕摻雜有源層610的兩端區(qū)域，以所述光阻層700為掩膜，對所述第一 P型輕摻雜有源層610的兩端進行離子注入，如圖7所示，去除所述光阻層700后，得到位于所述第一 P型輕摻雜有源層610兩端的N型重摻雜區(qū)612、及位于兩N型重摻雜區(qū)612之間的P型輕摻雜溝道區(qū)614。
[0012]上述TFT基板的制作方法，首先對多晶硅層500進行圖案化處理，得到島狀的第一有源層510、第二有源層520后，再對第一有源層510、及第二有源層520進行P型離子注入，其缺點是:蝕刻出島狀的第一有源層510、第二有源層520之后，會造成氧化硅層400的裸露，在進行P型離子注入的過程中會將P型離子注入到裸露出來的氧化硅層400中，對其晶格結(jié)構(gòu)造成破壞，同時P型離子植入到氧化硅層400中將引入載流子，可能對元器件的電學(xué)特性造成一定的影響。
[0013]因此有必要提供一種改進的TFT基板的制作方法，以解決傳統(tǒng)制程中遇到的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，可保證在P型輕摻雜制程中，P型離子不容易被注入到多晶硅層下方的氧化硅層中，對所述氧化硅層的損傷較小，使制得的TFT基板具有良好的綜合性能和優(yōu)異的電性表現(xiàn)。
[0015]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括以下步驟:
[0016]步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積一金屬層，采用一道光刻制程對所述金屬層進行圖案化處理，得到間隔設(shè)置的第一遮光層、第二遮光層；
[0017]步驟2、在所述第一遮光層、第二遮光層、及基板上依次沉積氮化硅層與氧化硅層；
[0018]步驟3、在所述氧化硅層上沉積一非晶硅層，采用低溫結(jié)晶工藝將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶娃層；
[0019]步驟4、對所述多晶硅層進行P型離子注入，形成P型輕摻雜多晶硅層；
[0020]步驟5、采用一道光刻制程對所述P型輕摻雜多晶硅層進行圖案化處理，得到分別對應(yīng)于所述第一遮光層、第二遮光層的第一有源層、第二有源層；
[0021]步驟6、在所述第一有源層、第二有源層、及氧化硅層上涂布一光阻層，采用一道黃光制程對所述光阻層進行曝光、顯影，暴露出所述第一有源層的兩端區(qū)域，以所述光阻層為掩膜，對所述第一有源層的兩端進行N型離子注入，去除所述光阻層后，得到位于所述第一有源層兩端的N型重摻雜區(qū)、及位于兩N型重摻雜區(qū)之間的P型輕摻雜區(qū)；
[0022]步驟7、在所述第一有源層、第二有源層、及氧化硅層上沉積柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上沉積一金屬層，采用一道光刻制程對所述金屬層進行圖案化處理，得到分別對應(yīng)于第一有源層、第二有源層的第一柵極、第二柵極；
[0023]步驟8、以所述第一柵極為掩模，對所述第一有源層的P型輕摻雜區(qū)的兩端進行N型離子注入，在所述P型輕摻雜區(qū)上形成位于兩端的N型輕摻雜區(qū)、及位于兩N型輕摻雜區(qū)之間的P型輕摻雜溝道區(qū)；
[0024]步驟9、在所述第一柵極、第二柵極、及柵極絕緣層上涂布一光阻層，采用一道黃光制程對所述光阻層進行曝光、顯影，暴露出第二柵極及柵極絕緣層上對應(yīng)于所述第二有源層上方的區(qū)域，以所述第二柵極為掩膜，對所述第二有源層的兩端進行P型離子注入，去除所述光阻層后，得到位于所述第二有源層兩端的P型重摻雜區(qū)、及位于兩P型重摻雜區(qū)之間的P型輕摻雜溝道區(qū)；
[0025]步驟10、在所述第一柵極、第二柵極、及柵極絕緣層上依次形成層間絕緣層、源漏極。
[0026]所述步驟I中，所述基板為玻璃基板；所述第一遮光層、第二遮光層的材料為鉬。
[0027]所述步驟3中，所述低溫結(jié)晶工藝為準分子激光退火工藝。
[0028]所述步驟5中的光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、及干蝕刻制程。
[0029]所述步驟7中，所述柵極絕緣層的材料為氮化硅與氧化硅的組合。
[0030]所述步驟4和步驟9注入的P型離子為硼離子。
[0031]所述步驟6和步驟8注入的N型離子為磷離子。
[0032]所述第一有源層中，所述N型重摻雜區(qū)中的N型離子濃度范圍為114?
2X 10151ns/cm2，所述N型輕摻雜區(qū)中的N型離子濃度范圍為113?3 X 10 131ns/cm2，所述P型輕摻雜溝道區(qū)中的P型離子濃度范圍為112?5X10 121ns/cm2。
[0033]所述第二有源層中，所述P型重摻雜區(qū)中的P型離子濃度范圍為114?
2X 10151ns/cm2，所述P型輕摻雜溝道區(qū)中的P型離子濃度范圍為112?5 X 10 121ns/cm2。
[0034]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，通過首先對多晶硅層進行P型輕摻雜，然后再對P型輕摻雜多晶硅層進行圖案化處理，可保證在P型輕摻雜制程中，P型離子不容易被注入到多晶硅層下方的氧化硅層中，對所述氧化硅層的損傷較小，近乎可以忽略不計，與傳統(tǒng)的生產(chǎn)制程相比，本發(fā)明的制作方法并沒有增加工藝制程和操作時間，僅僅通過調(diào)整多晶硅層的圖案化處理與P型輕摻雜制程的順序，即可使制得的TFT基板具有良好的綜合性能和優(yōu)異的電性表現(xiàn)。
【附圖說明】
[0035]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0036]附圖中，
[0037]圖1為現(xiàn)有的一種TFT基板的制作方法步驟I的示意圖；
[0038]圖2為現(xiàn)有的一種TFT基板的制作方法步驟2的示意圖；
[0039]圖3為現(xiàn)有的一種TFT基板的制作方法步驟3的示意圖；
[0040]圖4為現(xiàn)有的一種TFT基板的制作方法步驟4的示意圖；
[0041 ]圖5為現(xiàn)有的一種TFT基板的制作方法步驟5的示意圖；
[0042]圖6-7為現(xiàn)有的一種TFT基板的制作方法步驟6的示意圖；
[0043]圖8為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟I的示意圖；
[0044]圖9為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟2的示意圖；
[0045]圖10為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟3的示意圖；
[0046]圖11為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟4的示意圖；
[0047]圖12為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟5的示意圖；
[0048]圖13-14為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟6的示意圖；
[0049]圖15為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟7的示意圖；
[0050]圖16為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟8的示意圖；
[0051]圖17-18為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟9的示意圖。
【具體實施方式】
[0052]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0053]本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括以下步驟:
[0054]步驟1、