一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其包括：堆疊圓片，其包括通過膠層鍵合的第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片，第一半導(dǎo)體圓片第一表面上的連接焊盤稱為第一連接焊盤，第二半導(dǎo)體圓片第一表面上的連接焊盤稱為第二連接焊盤；多個溝槽，其與第一連接焊盤和/或第二連接焊盤對應(yīng)，并位于第二半導(dǎo)體圓片的第二表面；與所述多個溝槽分別對應(yīng)的多個連接孔，其自對應(yīng)的溝槽的底部貫穿至第一半導(dǎo)體圓片的第一表面；重分布層，其形成于第二半導(dǎo)體圓片的第二表面和/或溝槽上方，其包括多個連接部和/或多個焊墊部，且連接部填充對應(yīng)的連接孔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型可以以低成本/小封裝面積方式實現(xiàn)多功能集成IC(集成電路)/MEMS器件的制造。
【專利說明】
一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。
【【背景技術(shù)】】
[0002]微機電系統(tǒng)MEMS(Micro_Electro Mechanical System)器件近些年成長迅速，從單一功能發(fā)展到多功能集成，目前已有多種6軸和9軸集成器件問世。從功能集成技術(shù)上來看，分為S0C(System On a Chip，系統(tǒng)單芯片)和SIP(System In a Package，系統(tǒng)級封裝)兩種。
[0003]SOC是通過FAB工藝將全部功能集成到單顆裸Die(芯片)上，可實現(xiàn)高密度、高速、降低功耗等性能，然而其帶來開發(fā)周期長，芯片良率低等問題，由于不同MEMS功能的FAB工藝/材料不盡相同，所以往往只能通過攤大集成裸die的面積來排布，因而芯片面積也比單一功能芯片大。
[0004]SIP是將各種單一功能裸die(晶片)通過封裝技術(shù)組裝到一個封裝體內(nèi)實現(xiàn)集成，可分為并排(side by side)組裝和堆疊組裝，有開發(fā)周期短、芯片良率高等優(yōu)勢，然而并排組裝有封裝面積大(比SOC還要大)、集成度低等問題;堆疊組裝可獲得很小的封裝面積，尤其是晶圓級封裝，能大大提升封裝效率和降低成本，極具發(fā)展?jié)摿Γ壳皩崿F(xiàn)上下堆疊圓片之間的互連方式多為金屬鍵合技術(shù)，這對圓片的設(shè)計、鍵合工藝和耐溫性都有特殊要求，導(dǎo)致其適用范圍有較大局限性。
[0005]因為，有必要提出一種改進的方案來克服上述問題。
【【實用新型內(nèi)容】】
[0006]本實用新型的目的在于提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其可以以低成本/小封裝面積方式實現(xiàn)多功能集成IC (集成電路)/MEMS器件的制造。
[0007]為了解決上述問題，根據(jù)本實用新型的一個方面，本實用新型提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其包括:堆疊圓片，其包括第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片，每個半導(dǎo)體圓片包括第一表面、與該第一表面相對的第二表面、集成于該半導(dǎo)體圓片上的多個半導(dǎo)體模塊，各個半導(dǎo)體模塊在半導(dǎo)體圓片的第一表面具有數(shù)個連接焊盤，第一半導(dǎo)體圓片的第一表面和第二半導(dǎo)體圓片的第一表面通過膠層鍵合，以形成第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片間的堆疊，其中，第一半導(dǎo)體圓片第一表面上的連接焊盤稱為第一連接焊盤，第二半導(dǎo)體圓片第一表面上的連接焊盤稱為第二連接焊盤;多個溝槽，其與第一連接焊盤和/或第二連接焊盤對應(yīng)，并自所述第二半導(dǎo)體圓片的第二表面延伸至所述第二半導(dǎo)體圓片內(nèi)；與所述多個溝槽分別對應(yīng)的多個連接孔，其自對應(yīng)的溝槽的底部貫穿至所述第一半導(dǎo)體圓片的第一表面;重分布層，其形成于所述第二半導(dǎo)體圓片的第二表面和/或所述溝槽上方，其包括與所述多個溝槽分別對應(yīng)的多個重分布區(qū)，每個重分布區(qū)包括多個連接部和/或多個焊墊部，每個重分布區(qū)的連接部填充對應(yīng)的連接孔。
[0008]進一步的，部分第一連接焊盤與部分第二連接焊盤對齊，與對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤對應(yīng)的溝槽的底部暴露出對應(yīng)的第二連接焊盤，與對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤對應(yīng)的連接孔自對應(yīng)的溝槽的底部依次貫穿下方的第二連接焊盤、膠層以暴露出對齊的第一連接焊盤。
[0009]進一步的，部分對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤通過所述重分布區(qū)的連接部電連接;或所述重分布區(qū)的連接部將所述重分布區(qū)的焊墊部以及對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤電連接。
[0010]進一步的，部分第一連接焊盤無與之對齊的第二連接焊盤，與此部分第一連接焊盤對應(yīng)的溝槽，其貫穿所述第二半導(dǎo)體圓片；與此部分第一連接焊盤對應(yīng)的連接孔自對應(yīng)的溝槽的底部依次貫穿膠層以暴露出對應(yīng)的第一連接焊盤;此部分第一連接焊盤通過所述重分布區(qū)的連接部與對應(yīng)的焊墊部電連接。
[0011 ]進一步的，部分第二連接焊盤無與之對齊的第一連接焊盤，與此部分第二連接焊盤對應(yīng)的溝槽的底部暴露出對應(yīng)的第二連接焊盤;與此部分第二連接焊盤對應(yīng)的連接孔自對應(yīng)的溝槽的底部依次貫穿下方的第二連接焊盤、膠層，此部分第二連接焊盤通過所述重分布區(qū)的連接部與對應(yīng)的焊墊部電連接。
[0012]進一步的，所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)還包括第一鈍化層和/或第二鈍化層，所述第一鈍化層在重分布層下以覆蓋形成有溝槽的第二半導(dǎo)體圓片的第二表面，所述連接孔還貫穿該第一鈍化層;所述第二鈍化層形成于所述重分布層上方以覆蓋所述連接部，該第二鈍化層具有暴露所述焊墊部的開口。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型采用廣泛適用的圓片鍵合(adhesivebonding)和RDL(Re-Distribut1n Layer，重分布層)互連技術(shù)，以低成本/小封裝面積方式實現(xiàn)多功能集成IC/MEMS器件的制造。
【【附圖說明】】
[0014]為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
[0015]圖1為本實用新型中的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制造方法在一個實施例中的流程示意圖；
[0016]圖2a_圖2j為圖1中的制造方法的各個步驟實施之后的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3a_圖3b為第一連接焊盤和第二連接焊盤的另外兩種排布情況時所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4為所述重分布區(qū)只有連接部時所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖5a_圖5e為第二種溝槽形成方式時所述制造方法的各個步驟實施之后的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實施方式】】
[0020]本實用新型的詳細描述主要通過程序、步驟、邏輯塊、過程或其他象征性的描述來直接或間接地模擬本實用新型技術(shù)方案的運作。為透徹的理解本實用新型，在接下來的描述中陳述了很多特定細節(jié)。而在沒有這些特定細節(jié)時，本實用新型則可能仍可實現(xiàn)。所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員使用此處的這些描述和陳述向所屬領(lǐng)域內(nèi)的其他技術(shù)人員有效的介紹他們的工作本質(zhì)。換句話說，為避免混淆本實用新型的目的，由于熟知的方法和程序已經(jīng)容易理解，因此它們并未被詳細描述。
[0021]此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本實用新型至少一個實現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的是，本實用新型中的相連、連接或相接等表示直接或間接電性連接。
[0022]請參考圖1所示，其為本實用新型中的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制造方法500在一個實施例中的流程示意圖。以下結(jié)合圖2a-2j顯示了圖1所示的制造方法500的各個步驟實施之后的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。所述制造方法500包括如下步驟。
[0023]步驟510、如圖2a所示，提供第一半導(dǎo)體圓片640和第二半導(dǎo)體圓片650。每個半導(dǎo)體圓片包括第一表面641、651、與該第一表面641、651相對的第二表面643、653、集成于該半導(dǎo)體圓片上的多個半導(dǎo)體模塊，各個半導(dǎo)體模塊在半導(dǎo)體圓片的第一表面641、651具有數(shù)個連接焊盤642、652。為了便于描述，第一半導(dǎo)體圓片640第一表面上的連接焊盤稱為第一連接焊盤642，第二半導(dǎo)體圓片650第一表面上的連接焊盤稱為第二連接焊盤652。此外，圖2a-圖2j中僅僅示意出了晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域，也只是示例性的給出了兩個第一連接焊盤642和兩個第二連接焊盤652，實際上，第二連接焊盤652和第一連接焊盤642可以有很多個。
[0024]步驟520、如圖213所不，通過adhesive layer(膠層)660將第一半導(dǎo)體圓片640的第一表面和第二半導(dǎo)體圓片650的第一表面鍵合，以形成包括第一半導(dǎo)體圓片640和第二半導(dǎo)體圓片650的堆疊圓片。鍵合后，堆疊圓片的第一表面之間形成至少一個密封腔(cavity)。
[0025]步驟530、自所述第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面的與第一連接焊盤642和/或第二連接焊盤652對應(yīng)的位置開設(shè)多個溝槽，所述溝槽自所述第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面延伸至所述第二半導(dǎo)體圓片內(nèi)。
[0026]在一個實施例中，所述開設(shè)多個溝槽的步驟530包括:
[0027]步驟A、在所述第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面上對應(yīng)第一連接焊盤和/或第二連接焊盤的位置開設(shè)第一溝槽部611，并在第一溝槽部611的底部保留一定厚度的第二半導(dǎo)體圓片650的本體材料，如圖2c所示，該步驟可以通過切割或刻蝕等工藝實現(xiàn)；
[0028]步驟B、在第一溝槽部611的底部繼續(xù)蝕刻以去除第一溝槽部611的底部剩余的第二半導(dǎo)體圓片650的本體材料，從而得到第二溝槽部612，第一溝槽部611和第二溝槽部612共同形成所述溝槽，如圖2d，該步驟可以通過刻蝕等工藝實現(xiàn)。
[0029]在圖2c_2d所示的實施例中，開設(shè)所述溝槽的位置都對應(yīng)著對齊的第一連接焊盤642和第二連接焊盤652，此時此處開設(shè)的溝槽610底部暴露出對應(yīng)的第二連接焊盤652。
[0030]步驟540、如圖2e所示，在形成有所述溝槽610的第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面和/或所述溝槽上覆蓋第一鈍化層670。
[0031]步驟550、如圖2f所示的，開設(shè)自所述溝槽610的底部貫穿至所述第一半導(dǎo)體圓片640的第一表面的連接孔620 ο在圖2f所示的實施例中，連接孔620自該溝槽610的底部依次貫穿下方的第二連接焊盤652、膠層660以暴露出對齊的第一連接焊盤642。所述連接孔可以通過激光打孔(Laser drill)工藝或蝕刻工藝形成。
[0032]步驟560、如圖2g所示，在第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面上方形成重分布層630，該重分布層630包括多個重分布區(qū)，每個重分布區(qū)包括一個焊墊部634和/或一個連接部632。每個重分布區(qū)對應(yīng)一個溝槽610，所述連接部632可以填充于所述連接孔620中，并電性連接第一連接焊盤642和/或第二連接焊盤652。所述重分布層630采用導(dǎo)電性材料。
[0033]步驟570、如圖2h所示，在所述重分布層630上方形成第二鈍化層680，所述第二鈍化層680覆蓋所述連接部632且具有暴露焊墊部643的開口。
[0034]步驟580、如圖2i和2j所示，在所述第二半導(dǎo)體650第二表面暴露出的焊墊部634上布置焊球690，以形成引腳輸出端口。在其他實施例中，也可以在暴露的焊墊部634不植球，以形成無引腳輸出端口。圖2j的610所指的區(qū)域為形成所述溝槽的區(qū)域。
[0035]隨后對由圖1所示的制造方法制得的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)進劃片切割，以得到單個芯片。請參考圖2j所述，其為切割后所得芯片的俯視圖。
[0036]需要特別說明的是，在形成堆疊圓片后，第一連接焊盤642和第二連接焊盤652的排布情況分為三種，第一種排布情況是:第一連接焊盤642和第二連接焊盤652對齊，第二種排布情況是:有第一連接焊盤且無第二連接焊盤與之對齊，第三種排布情況是:有第二連接焊盤且無第一連接焊盤與之對齊。上文以及圖2b至圖2i中，都是以第一種排布情況(第一連接焊盤642和第二連接焊盤652對齊)為例，進行介紹。這里再次介紹一下其他排布情況下的制造方法。
[0037]如圖3a所示的，在第一連接焊盤642和第二連接焊盤652的第二種排布情況下，SP有第一連接焊盤642且無第二連接焊盤652與之對齊，此時步驟530中開設(shè)的溝槽610會貫穿所述第二半導(dǎo)體圓片直到所述膠層660，步驟550中開設(shè)的連接孔620會自該溝槽610的底部依次貫穿膠層660以暴露出對應(yīng)的第一連接焊盤642。其余步驟可以第一種排布情況相同。
[0038]如圖3b所示的，在第一連接焊盤642和第二連接焊盤652的第三種排布情況下，有第二連接焊盤652且無第一連接焊盤642與之對齊，此時在步驟530開設(shè)的溝槽610的底部暴露出對應(yīng)的第二連接焊盤652，在步驟550中開設(shè)的連接孔620會自該溝槽610的底部依次貫穿下方的第二連接焊盤652、膠層660。其余步驟可以第一種排布情況相同。在圖3a、3b中，都未示出所述第二鈍化層680。
[0039]在圖2g、圖3a和圖3b所示的實施例中，所述重分布層630的每個重分布區(qū)均包括有與第一連接焊盤642和/或第二連接焊盤652連接的連接部632和焊接部634。然而，在有些實施例中，如圖4所示的，對應(yīng)于每個溝槽610的部分重分布區(qū)可以不包括焊接部634，而只是包括連接部632，此時第一連接焊盤642和/或第二連接焊盤652都不需要與外部電性連接。
[0040]在上文中，圖2c_2d示意出了步驟530在一個實施例的實現(xiàn)方式。在另一個實施例中，也可以如圖5a所示的，所述開設(shè)多個溝槽的步驟530可以為在所述第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面上對應(yīng)第一連接焊盤和/或第二連接焊盤的位置直接刻蝕到第二連接焊盤652或膠層660，以得到所述溝槽610，該步驟可以通過刻蝕等工藝實現(xiàn)。
[0041]圖5b為在圖5a所示的溝槽開設(shè)方式的基礎(chǔ)上經(jīng)過步驟540形成第一鈍化層670后的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的狀態(tài)示意圖；圖5c為在圖5a所示的溝槽開設(shè)方式的基礎(chǔ)上經(jīng)過步驟550形成連接孔620后的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的狀態(tài)示意圖；圖5d為在圖5a所示的溝槽開設(shè)方式的基礎(chǔ)上經(jīng)過步驟560形成重分布層630后的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的狀態(tài)示意圖；圖5d為在圖5a所示的溝槽開設(shè)方式的基礎(chǔ)上經(jīng)過步驟570形成第二鈍化層680后的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的狀態(tài)示意圖。
[0042]根據(jù)本實用新型的另一個方面，本實用新型提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。
[0043]請參考圖2i所示的，所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)包括堆疊圓片、溝槽610、連接孔620和重分布層630。
[0044]所述堆疊圓片包括第一半導(dǎo)體圓片640和第二半導(dǎo)體圓片650，每個半導(dǎo)體圓片包括第一表面、與該第一表面相對的第二表面、集成于該半導(dǎo)體圓片上的多個半導(dǎo)體模塊(未圖示，即半導(dǎo)體晶片)，各個半導(dǎo)體模塊在半導(dǎo)體圓片的第一表面具有數(shù)個連接焊盤，第一半導(dǎo)體圓片640的第一表面和第二半導(dǎo)體圓片650的第一表面通過膠層(adhesive layer)660鍵合，以形成第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片間的堆疊。
[0045]所述溝槽610與第一連接焊盤642和/或第二連接焊盤652對應(yīng)，并自所述第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面延伸至所述第二半導(dǎo)體圓片650內(nèi)。所述連接孔620自所述溝槽610的底部貫穿至所述第一半導(dǎo)體圓片140的第一表面。所述重分布層130形成于所述第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面和所述溝槽610上方且填充所述連接孔620，該重分布層630包括多個重分布區(qū)，每個重分布區(qū)包括多個焊墊部和/或多個連接部。
[0046]如圖2i所示的，其示意出了部分第一連接焊盤642與部分第二連接焊盤652對齊的示例。與對齊的第一連接焊盤642和第二連接焊盤652對應(yīng)的溝槽610的底部暴露出對應(yīng)的第二連接焊盤652 ；與對齊的第一連接焊盤642和第二連接焊盤652對應(yīng)的連接孔620自該溝槽610的底部依次貫穿下方的第二連接焊盤652、膠層660以暴露出對齊的第一連接焊盤642;該重分布區(qū)的連接部632將所述焊墊部634以及對齊的第一連接焊盤642和第二連接焊盤652電連接。
[0047]圖2i所示的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)還包括第一鈍化層670和第二鈍化層680，所述第一鈍化層670在所述重分布層630下以覆蓋形成有溝槽610的第二半導(dǎo)體圓片650的第二表面，所述連接孔620還貫穿該第一鈍化層670;所述第二鈍化層680形成于重分布層630上方以覆蓋所述連接部632，該第二鈍化層680具有暴露焊墊部634的開口。
[0048]在圖2i所示的實施例中，所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個氣密鍵合(未圖示)，所述氣密鍵合設(shè)置于堆疊圓片的第一表面之間；所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個空腔(未圖示)，所述空腔位于堆疊圓片的第一表面之間，所述空腔內(nèi)可填充氣態(tài)物質(zhì)或為真空。
[0049]請參考圖3a所述，其為本實用新型在一個實施例中的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的第二部分縱剖面圖，其與圖2i所示的縱剖面圖的主要區(qū)別在于，即有第一連接焊盤642且無第二連接焊盤652與之對齊，第一連接焊盤642通過連接部632電連接。
[0050]請參考圖3b所述，其為本實用新型在一個實施例中的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的第三部分縱剖面圖，其與圖2i所示的縱剖面圖的主要區(qū)別在于，即有第二連接焊盤652且無第一連接焊盤642與之對齊;與此部分第一連接焊盤642對應(yīng)的溝槽610，其貫穿所述第二半導(dǎo)體圓片;連接孔620自該溝槽610的底部依次貫穿膠層以暴露出對應(yīng)的第一連接焊盤642;此部分第一連接焊盤642通過連接部632與焊墊部634電連接。
[0051]本實用新型中，第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片上集成的半導(dǎo)體模塊可以為IC或MEMS器件。
[°°52] 綜上所述，本實用新型中，通過adhesive bonding圓片鍵合和RDL互連技術(shù)實現(xiàn)了第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片的互連，從而不僅降低了芯片的封裝尺寸小和制造成本，還具有適用范圍光且開發(fā)周期短(相比S0C)的優(yōu)點。
[0053]上述說明已經(jīng)充分揭露了本實用新型的【具體實施方式】。需要指出的是，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對本實用新型的【具體實施方式】所做的任何改動均不脫離本實用新型的權(quán)利要求書的范圍。相應(yīng)地，本實用新型的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述【具體實施方式】。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括: 堆疊圓片，其包括第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片，每個半導(dǎo)體圓片包括第一表面、與該第一表面相對的第二表面、集成于該半導(dǎo)體圓片上的多個半導(dǎo)體模塊，各個半導(dǎo)體模塊在半導(dǎo)體圓片的第一表面具有數(shù)個連接焊盤，第一半導(dǎo)體圓片的第一表面和第二半導(dǎo)體圓片的第一表面通過膠層鍵合，以形成第一半導(dǎo)體圓片和第二半導(dǎo)體圓片間的堆疊，其中，第一半導(dǎo)體圓片第一表面上的連接焊盤稱為第一連接焊盤，第二半導(dǎo)體圓片第一表面上的連接焊盤稱為第二連接焊盤； 多個溝槽，其與第一連接焊盤和/或第二連接焊盤對應(yīng)，并自所述第二半導(dǎo)體圓片的第二表面延伸至所述第二半導(dǎo)體圓片內(nèi)； 與所述多個溝槽分別對應(yīng)的多個連接孔，其自對應(yīng)的溝槽的底部貫穿至所述第一半導(dǎo)體圓片的第一表面； 重分布層，其形成于所述第二半導(dǎo)體圓片的第二表面和/或所述溝槽上方，其包括與所述多個溝槽分別對應(yīng)的多個重分布區(qū)，每個重分布區(qū)包括多個連接部和/或多個焊墊部，每個重分布區(qū)的連接部填充對應(yīng)的連接孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 部分第一連接焊盤與部分第二連接焊盤對齊，與對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤對應(yīng)的溝槽的底部暴露出對應(yīng)的第二連接焊盤，與對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤對應(yīng)的連接孔自對應(yīng)的溝槽的底部依次貫穿下方的第二連接焊盤、膠層以暴露出對齊的第一連接焊盤。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 部分對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤通過所述重分布區(qū)的連接部電連接;或所述重分布區(qū)的連接部將所述重分布區(qū)的焊墊部以及對齊的第一連接焊盤和第二連接焊盤電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 部分第一連接焊盤無與之對齊的第二連接焊盤， 與此部分第一連接焊盤對應(yīng)的溝槽，其貫穿所述第二半導(dǎo)體圓片； 與此部分第一連接焊盤對應(yīng)的連接孔自對應(yīng)的溝槽的底部依次貫穿膠層以暴露出對應(yīng)的第一連接焊盤； 此部分第一連接焊盤通過所述重分布區(qū)的連接部與對應(yīng)的焊墊部電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 部分第二連接焊盤無與之對齊的第一連接焊盤， 與此部分第二連接焊盤對應(yīng)的溝槽的底部暴露出對應(yīng)的第二連接焊盤； 與此部分第二連接焊盤對應(yīng)的連接孔自對應(yīng)的溝槽的底部依次貫穿下方的第二連接焊盤、膠層， 此部分第二連接焊盤通過所述重分布區(qū)的連接部與對應(yīng)的焊墊部電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述晶圓級封裝結(jié)構(gòu)還包括第一鈍化層和/或第二鈍化層，所述第一鈍化層在重分布層下以覆蓋形成有溝槽的第二半導(dǎo)體圓片的第二表面，所述連接孔還貫穿該第一鈍化層；所述第二鈍化層形成于所述重分布層上方以覆蓋所述連接部，該第二鈍化層具有暴露所述 焊墊部的開口。
【文檔編號】H01L23/52GK205542757SQ201620112614
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月3日
【發(fā)明人】饒杰, 周海峰, 文彪, 凌方舟, 蔣樂躍
【申請人】美新半導(dǎo)體（無錫）有限公司