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有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法

文檔序號(hào):8529468閱讀:412來(lái)源:國(guó)知局
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法
【專利說(shuō)明】
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 2014年2月19日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的且標(biāo)題為"有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備"的韓國(guó) 專利申請(qǐng)No. 10-2014-0019221,通過(guò)引用整體被合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004] 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)可包 括空穴注入電極、電子注入電極、以及形成在空穴注入電極和電子注入電極之間的有機(jī)發(fā) 射層。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以是自發(fā)射顯示設(shè)備,在該自發(fā)射顯示設(shè)備中,從空穴注入電極 注入的空穴和從電子注入電極注入的電子可在有機(jī)發(fā)射層中結(jié)合并產(chǎn)生激子。隨著激子從 激發(fā)態(tài)降至基態(tài),可產(chǎn)生光。
[0005] 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可以是自發(fā)射的,可不需要單獨(dú)的光源,并且有機(jī)發(fā)光顯示設(shè) 備可在低壓下驅(qū)動(dòng)且被配置成質(zhì)量輕且薄。極好的視角、對(duì)比度、響應(yīng)時(shí)間和其它特性可使 得有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備被廣泛用于諸如MP3播放器、移動(dòng)電話之類的個(gè)人便攜式設(shè)備和電視 機(jī)中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 實(shí)施例可通過(guò)提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn),該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括:基 板;在所述基板上的第一電極;在所述第一電極上且包括有機(jī)發(fā)射層的中間層;以及第二 電極,所述第二電極包括含偶極子材料的第一層、含具有3. 6eV或更小的功函數(shù)的材料的 第二層、以及含導(dǎo)電材料的第三層,所述第一層至所述第三層被順序地布置在所述中間層 上。
[0007] 所述第一層至所述第三層可分別由氟化鋰(LiF)、鐿(Yb)和銀(Ag)形成。
[0008] 所述第二電極可進(jìn)一步包括第四層,所述第四層位于所述第二層和所述第三層之 間并且可包括Yb和Ag的化合物。
[0009] 所述第二層至所述第四層的片電阻值可以是5Q/cm2或更小。
[0010] 所述第一層的厚度可在約〇? 5nm至約5nm之間。
[0011] 所述第二層的厚度可在約0? 5nm至約5nm之間。
[0012] 所述第三層的厚度可在約5nm至約30nm之間。
[0013] 所述第一層可包括氟化物系化合物或氯化物系化合物。
[0014] 所述第二層可包括金屬、金屬合金或金屬氧化物。
[0015] 所述第三層可包括銀(Ag)、鋁(Al)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅 (ZnO)、氧化銦(In2O3)、銦鎵氧化物(IGO)、鋁鋅氧化物(AZO)、納米線和石墨烯中的至少之 〇
[0016] 所述第一電極可包括反射金屬層和透明導(dǎo)電氧化物層。
[0017] 所述第一電極可包括通過(guò)順序地堆疊銦錫氧化物(ITO)、銀(Ag)和ITO形成的堆 疊層結(jié)構(gòu),并且所述第一電極中Ag層的厚度可以是600A或更大。
[0018] 所述第二層的厚度可在約0? 5nm至約5nm之間。
[0019] 所述第三層的厚度可在約5nm至約30nm之間。
【附圖說(shuō)明】
[0020] 通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例,特征對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將變得 顯而易見(jiàn),附圖中:
[0021] 圖1圖示根據(jù)一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖;以及
[0022] 圖2圖不根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備的不意性剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 現(xiàn)在將參照附圖在下文中更充分地描述示例實(shí)施例;然而,這些示例實(shí)施例可以 以不同的形式被體現(xiàn),并且不應(yīng)被解釋為局限于在此提出的實(shí)施例。而是,這些實(shí)施例被 提供使得本公開(kāi)將是全面的和完整的,并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實(shí)施方 式。
[0024] 在附圖中,相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的要素。這些實(shí)施例在下面僅參照附圖 來(lái)描述以解釋本說(shuō)明書(shū)的方面。在本文中使用的術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)列 出項(xiàng)的任一個(gè)和所有組合。當(dāng)諸如"…中的至少之一"之類的表達(dá)出現(xiàn)在一列要素之后時(shí), 該表達(dá)修飾整列要素,而不修飾該列的個(gè)別要素。
[0025] 將理解,盡管術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"等可在本文中用于描述各部件,這些部件不應(yīng)受 這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用于區(qū)分一個(gè)部件與另一部件。
[0026] 本文中使用的單數(shù)形式"一"、"一個(gè)"和"所述"旨在也包括復(fù)數(shù)形式,除非上下文 另外清楚地指出。
[0027] 將進(jìn)一步理解,本文中使用的術(shù)語(yǔ)"包括"和/或"包含"指定所述的特征或部件 的存在,但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征或部件的存在或增加。
[0028] 將理解,當(dāng)一層、區(qū)域或部件被稱為"形成在"另一層、區(qū)域或部件"上"時(shí),其可直 接或間接地形成在該另一層、區(qū)域或部件上。也就是說(shuō),例如,可以存在中間的層、區(qū)域或部 件。還將理解,當(dāng)一層被稱為"在"另一層"下面"時(shí),其可直接在下面,并且也可存在一個(gè) 或多個(gè)中間的層。另外,還將理解,當(dāng)一層被稱為"在"兩層"之間"時(shí),其可以是兩層之間 的唯一的層,或也可存在一個(gè)或多個(gè)中間的層。
[0029] 為了便于說(shuō)明,圖中要素的尺寸可被放大。換句話說(shuō),由于圖中部件的尺寸和厚度 為了便于說(shuō)明而隨意地被圖示,因此下列實(shí)施例不局限于此。
[0030] 圖1圖示根據(jù)一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的示意性剖視圖。
[0031] 參照?qǐng)D1,根據(jù)一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100可包括基板110、在基板110上 的第一電極120、包括有機(jī)發(fā)射層(EML)且可位于第一電極120上的中間層130、以及可包 括第一層141、第二層142和第三層143的第二電極140。
[0032] 基板110可以是具有極好的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度的玻璃基板 或塑料基板,可容易地被處理,并且可防水。第一電極120可位于基板110上。
[0033] 第一電極120可以是可充當(dāng)空穴注入電極的陽(yáng)極,并且可以是反射電極。第一電 極120可包括反射金屬層和透明導(dǎo)電氧化物層,該反射金屬層可包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁 (Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)和鉻(Cr)中的至少之一,并且該 透明導(dǎo)電氧化物層形成在該反射金屬層上和/或下。
[0034] 透明導(dǎo)電氧化物層可包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧 化銦(In2O3)、銦鎵氧化物(IGO)和鋁鋅氧化物(AZO)中的至少之一。
[0035] 第一電極120可被形成為例如IT0/Ag/IT0的堆疊層結(jié)構(gòu)。例如,Ag的厚度可以 是600A以上,以在可視區(qū)域中具有足夠的反射率。
[0036] 中間層130可被布置在第一電極120上。中間層130包括有機(jī)EML,并且可進(jìn)一步 包括在第一電極120和有機(jī)EML之間的空穴傳輸區(qū)域、以及在有機(jī)EML和第二電極140之 間的電子傳輸區(qū)域。
[0037] 空穴傳輸區(qū)域可包括例如空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、緩沖層和電子阻 擋層(EBL)中的至少之一。電子傳輸區(qū)域可包括例如空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL) 和電子注入層(EIL)中的至少之一。
[0038]有機(jī)EML可包括銅鈦菁(CuPc)、N'_二(萘-1-基)-N,N'_聯(lián)苯-聯(lián)苯胺(NPB)、 三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、聚(對(duì)苯撐乙烯)(PPV)系有機(jī)材料或聚芴系有機(jī)材料。
[0039] 包括在中間層130中的有機(jī)EML可包括發(fā)射例如紅光、綠光或藍(lán)光的有機(jī)材料。在 一實(shí)施例中,有機(jī)EML可發(fā)射白光。有機(jī)EML可包括發(fā)射紅光的發(fā)光材料、發(fā)射綠光的發(fā)光 材料和發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光材料彼此被堆疊的結(jié)構(gòu),或發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光材料被混 合的結(jié)構(gòu)。
[0040] 顏色紅、綠和藍(lán)僅僅被提供作為示例。除紅、綠和藍(lán)的組合之外,可采用能夠發(fā)射 白光的其它各種顏色的任意組合。
[0041] 第二電極140被布置在中間層130上,該第二電極140可包括順序地布置在中間 層130上的第一層141、第二層142和第三層143。第二電極140可以是作為電子注入電極 的陰極。
[0042] 第一層141包括偶極子材料,并且可包括氟化物系化合物或氯化物系化合物。
[0043] 第一層141可以是通過(guò)隧穿(tunneling)將從第二層142和第三層143注入的電 子傳輸至中間層130的非導(dǎo)電層,并且可形成為例如薄膜以允許隧穿。
[0044] 例如,第一層141的厚度可在從約0? 5nm至約5nm的范圍。當(dāng)?shù)谝粚?41的厚度 小于約〇? 5nm時(shí),沉積可能是困難的??商娲?,當(dāng)?shù)谝粚?41的厚度大于約5nm時(shí),隧穿 可能是困難的,并且可能難以將從第二層142和第三層143注入的電子傳輸至包括有機(jī)EML 的中間層130。
[0045] 第二層142可包括具有約3. 6eV或更小的功函數(shù)的金屬、金屬合金或金屬氧化物。
[0046] 第一層141和第三層143之間的第二層142具有低于第三層143的功函數(shù)。如果
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