一種晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)分析方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程，尤指一種晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)分析方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在晶圓測(cè)試的過程中，被測(cè)元件的良率除了被測(cè)元件(device under test, DUT)的制程本身的問題外，也包含了其他的因素，例如測(cè)試機(jī)的問題，即測(cè)試機(jī)臺(tái)的探針未正確校正，或測(cè)試機(jī)臺(tái)的程式并未以正確的測(cè)試參數(shù)為基礎(chǔ)，皆會(huì)影響被測(cè)元件的良率，惟上述晶圓測(cè)試的品管流程無法分析被測(cè)元件不合格的問題為制程本身或測(cè)試機(jī)臺(tái)所致，便無法正確地解決被測(cè)元件不合格的問題，且合格被測(cè)元件的測(cè)試資料同樣無記錄可循，若最終產(chǎn)品有需要校正的話，便無法提供校正的相關(guān)數(shù)據(jù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的主要目的，在于解決上述的問題而提供一種晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)分析方法，由擷取晶圓的各被測(cè)元件的不同參數(shù)后，能在三維空間坐標(biāo)中依被測(cè)元件對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)點(diǎn)X、Y以及參數(shù)的數(shù)據(jù)為坐標(biāo)點(diǎn)Z繪成立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map)和立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map)，此立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map)和立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map)可依需求顯現(xiàn)欲知項(xiàng)目的分析結(jié)果，而有利于后續(xù)的分析及應(yīng)用。
[0004]為達(dá)前述的目的，本發(fā)明包括:
[0005]取得參數(shù):將測(cè)試的晶圓分成多個(gè)被測(cè)元件，對(duì)該多個(gè)被測(cè)元件進(jìn)行電性測(cè)試，并擷取各該被測(cè)元件于不同的參數(shù)下測(cè)得的數(shù)據(jù)；
[0006]篩選分析參數(shù):依據(jù)欲分析的結(jié)果為需求，在前述不同的參數(shù)中篩選出特定參數(shù)；
[0007]繪制立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map)和立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map):定義一三維空間座標(biāo)坐標(biāo)，包括代表第一參數(shù)的X座標(biāo)坐標(biāo)軸、代表第二參數(shù)的Y座標(biāo)坐標(biāo)軸以及代表第三參數(shù)之Z座標(biāo)坐標(biāo)軸，該三維空間座標(biāo)坐標(biāo)中以多個(gè)座標(biāo)坐標(biāo)點(diǎn)X、Y、Z產(chǎn)生三維柱狀之的立體化圖形之的立體晶圓實(shí)體位置分布圖(ParameterLocat1n Map)和立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map)。
[0008]本發(fā)明的上述及其他目的與優(yōu)點(diǎn)，不難從下述所選用實(shí)施例的詳細(xì)說明與附圖中，獲得深入了解。
[0009]當(dāng)然，本發(fā)明在某些另件上，或另件的安排上容許有所不同，但所選用的實(shí)施例，則于本說明書中，予以詳細(xì)說明，并于附圖中展示其構(gòu)造。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的被測(cè)元件在電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率為參數(shù)的立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map) Paloc_Map。
[0011]圖2為本發(fā)明的被測(cè)元件在校正后電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率為參數(shù)的立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map) Paloc_Map。
[0012]圖3為本發(fā)明的被測(cè)元件在電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的電流為參數(shù)的立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map) Paloc_Map。
[0013]圖4為本發(fā)明的被測(cè)元件在電性測(cè)試時(shí)于同一坐標(biāo)X、Y的被測(cè)元件未通過測(cè)試者的累計(jì)數(shù)量的立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map)
[0014]Paloc_Map。
[0015]圖5為本發(fā)明的被測(cè)元件在電性測(cè)試時(shí)于同一坐標(biāo)X、Y的被測(cè)元件通過測(cè)試者的累計(jì)數(shù)量的立體晶圓實(shí)體位置分布圖。
[0016]圖6為本發(fā)明的多個(gè)晶圓以一特定的分級(jí)條件繪成的立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map) ο
[0017]圖7為本發(fā)明的多個(gè)晶圓以多個(gè)特定的分級(jí)條件繪成的立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map) ο
[0018]圖8為本發(fā)明的多個(gè)晶圓以多個(gè)特定的分級(jí)條件及分組的組別繪成的立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map)。
【具體實(shí)施方式】
[0019]請(qǐng)參閱圖1至圖8，圖中所示者為本發(fā)明所選用的實(shí)施例，此僅供說明之用，在專利申請(qǐng)上并不受此種實(shí)施例的限制。
[0020]本實(shí)施例提供一種晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)分析方法，其包括:
[0021]取得參數(shù):將測(cè)試的晶圓分成多個(gè)被測(cè)元件，對(duì)該多個(gè)被測(cè)元件進(jìn)行電性測(cè)試，并擷取各該被測(cè)元件于不同的參數(shù)下測(cè)得的數(shù)據(jù)；
[0022]篩選分析參數(shù):依據(jù)欲分析的結(jié)果為需求，在前述不同的參數(shù)中篩選出特定參數(shù)；
[0023]繪制立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map)和立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map):定義一三維空間坐標(biāo)，包括代表第一參數(shù)的X坐標(biāo)軸、代表第二參數(shù)的Y坐標(biāo)軸以及代表第三參數(shù)的Z坐標(biāo)軸，該三維空間坐標(biāo)中以多個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)X、Y、Z產(chǎn)生三維柱狀的立體化圖形的立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map)和立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map) ο
[0024]于本實(shí)施例中，該三維空間坐標(biāo)為透過電腦裝置將各該被測(cè)元件依晶圓的位置以及一特定參數(shù)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，其中該X、Y坐標(biāo)軸為橫坐標(biāo)，該Z坐標(biāo)軸為縱坐標(biāo)，以橫坐標(biāo)定義各該被測(cè)元件的坐標(biāo)點(diǎn)X、Y，且以縱坐標(biāo)定義該特定參數(shù)的數(shù)據(jù)為坐標(biāo)點(diǎn)Z，于三維空間坐標(biāo)中依該多個(gè)被測(cè)元件個(gè)別對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)點(diǎn)X、Y、Z產(chǎn)生該立體晶圓實(shí)體位置分布圖(Parameter Locat1n Map)和立體長(zhǎng)條圖(Bin_bar_Map)。
[0025]如圖1所示，為一種依上述晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)分析方法所制成的立體晶圓實(shí)體位置分布圖，其以單一晶圓為測(cè)試對(duì)象，圖中可見晶圓的各被測(cè)元件皆被定義一坐標(biāo)點(diǎn)X、Y，且于此立體晶圓實(shí)體位置分布圖中，該參數(shù)以各被測(cè)元件于電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率為例，而各該被測(cè)元件于電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率的數(shù)據(jù)即為各坐標(biāo)點(diǎn)Z。由圖1所示的立體晶圓實(shí)體位置分布圖，可迅速且清楚的得知，測(cè)試的晶圓的各被測(cè)元件于電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率有高低落差，在制程中有校正的必要。又如圖2所示的立體晶圓實(shí)體位置分布圖，經(jīng)制程校正后，各該被測(cè)元件于電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率的數(shù)據(jù)，亦可迅速且清楚的得知，測(cè)試的晶圓的各被測(cè)元件于電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率已相當(dāng)接近。
[0026]如圖3所示，為另一種依上述晶