一種手持式自適應(yīng)中電壓功率mosfet參數(shù)測量儀的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀，包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測試連接端口和設(shè)置在所述殼體上的LCD顯示模塊與操作鈕；本實用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀采用可循環(huán)充電鋰電池供電，并配備有常用封裝的功率MOSFET測試夾具，工程技術(shù)人員只需要將裝載有中電壓功率MOSFET的測試夾具插入測量接口，按下測量按鈕即可測量中電壓功率MOSFET的Ciss、Coss、Crss、Vth及Vds參數(shù)并在面板的LCD顯示屏顯示測量所得數(shù)據(jù)；整個測量過程方便、快捷、及時、準(zhǔn)確、高效。手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀性價比高、易推廣，在產(chǎn)品選型、產(chǎn)品設(shè)計的過程中為工程技術(shù)人員提供有價值的依據(jù)。
【專利說明】
一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及電子元件的參數(shù)測量領(lǐng)域，具體涉及一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀。
【背景技術(shù)】
[0002]功率MOSFET器件是目前功率半導(dǎo)體開關(guān)器件中市場容量最大、需求增長最快的電子器件，同時也是最好的功率開關(guān)器件;隨著功率MOSFET在電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，型號規(guī)格繁多；針對不同電子產(chǎn)品應(yīng)用，需要設(shè)計、選擇不同參數(shù)的功率MOSFET，中電壓功率MOSFET 范圍為 100V〈Vds 彡 250V。
[0003]現(xiàn)有的中電壓功率MOSFET測量儀主要是針對晶圓FAB廠、晶圓測試廠和封裝廠批量測試中電壓功率MOSFET而設(shè)計，具有復(fù)雜的工控電路和機械結(jié)構(gòu)，采用市電供電方式，并以機臺的形式存在。其價格昂貴，調(diào)試、維修困難，一般企業(yè)無力承擔(dān)相關(guān)費用，使得眾多MOSFET設(shè)計企業(yè)、MOSFET銷售企業(yè)及電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠商無法方便、快捷、及時的獲得相應(yīng)中電壓功率MOSFET器件的CiSS、CoSS、CrSS、Vth及Vds參數(shù)為工程技術(shù)人員提供有價值的依據(jù)。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型要解決的技術(shù)問題是:提出一種結(jié)構(gòu)簡化且測量功能齊全的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀。
[0005]本實用新型為解決上述技術(shù)問題提出的技術(shù)方案是:一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀，包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測試連接端口和設(shè)置在所述殼體上的IXD顯示模塊與操作鈕；
[0006]所述PCB板上設(shè)有鋰電池管理單元、LDO-A單元、LDO-B單元、IMHz信號源單元、DC/DC升壓電源單元、自動平衡電橋模塊、自由軸矢量發(fā)生器、信號調(diào)理單元和MCU模塊；
[0007]所述鋰電池組為所述LDO-A單元、LDO-B單元和DC/DC升壓電源單元供電，所述LDO-A單元分別為所述IMHz信號源單元、自動平衡電橋模塊和信號調(diào)理單元供電，所述LDO-B單元分別為所述自由矢量軸發(fā)生器單元、MCU模塊和LCD顯示模塊供電；
[0008]所述IMHz信號源單元的信號輸出到自動平衡電橋模塊，所述自動平衡電橋模塊的信號輸出到信號調(diào)理單元，所述自由軸矢量發(fā)生器的信號輸出到所述信號調(diào)理單元，所述信號調(diào)理單元的信號輸出到MCU模塊，所述MCU模塊的信號輸出到所述LCD顯示模塊，所述操作鈕連接到所述MCU模塊的控制信息輸入端，所述MCU模塊的控制端連接到所述自動平衡電橋模塊，所述測試連接端口連接到所述自動平衡電橋模塊；
[0009]所述DC/DC升壓電源單元用于產(chǎn)生直流偏置電壓和擊穿電壓，所述直流偏置電壓的可調(diào)范圍為0V-55V，所述擊穿電壓的可調(diào)范圍為100V-300V，所述直流偏置電壓和擊穿電壓分別加載至自動平衡電橋模塊。
[0010]進(jìn)一步的，還包括用于夾持連接MOSFET不同封裝體的測試夾具，所述測試夾具連接到所述測試連接端口。
[0011]進(jìn)一步的，所述操作鈕包括電壓調(diào)節(jié)旋鈕、測量旋鈕、電源按鈕和復(fù)位按鈕。
[0012]本實用新型的有益效果是:
[0013]本實用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀采用可循環(huán)充電鋰電池供電，并配備有常用封裝的功率MOSFET測試夾具，工程技術(shù)人員只需要將裝載有中電壓功率M O S F E T的測試夾具插入測量接口，按下測量按鈕即可測量中電壓功率M O S F E T的CiSS、C0SS、CrSS、Vth及Vds參數(shù)并在面板的IXD顯示屏顯示測量所得數(shù)據(jù);整個測量過程方便、快捷、及時、準(zhǔn)確、高效。手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀性價比高、易推廣，在產(chǎn)品選型、產(chǎn)品設(shè)計的過程中為工程技術(shù)人員提供有價值的依據(jù)。
【附圖說明】
[0014]下面結(jié)合附圖對本實用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀作進(jìn)一步說明。
[0015]圖1是本實用新型中手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀的外觀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2是本實用新型中手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實施方式】
實施例
[0017]根據(jù)圖1和圖2所示，本實用新型中的手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀，包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測試連接端口和設(shè)置在殼體上的LCD顯示模塊與操作鈕。
[0018]PCB板上設(shè)有鋰電池管理單元、LDO-A單元、LDO-B單元、IMHz信號源單元、DC/DC升壓電源單元、自動平衡電橋模塊、自由軸矢量發(fā)生器、信號調(diào)理單元和M⑶模塊，M⑶模塊為微處理器及其外圍電路。LDO-A單元和LDO-B單元分別為低壓差線性穩(wěn)壓器-A和低壓差線性穩(wěn)壓器-B。
[0019]其中，鋰電池組為LDO-A單元、LDO-B單元和DC/DC升壓電源單元供電。
[0020]LDO-A單元產(chǎn)生±5V電壓，分別為IMHz信號源單元、自動平衡電橋模塊和信號調(diào)理單元供電，LDO-B單元分別為自由矢量軸發(fā)生器單元、MCU模塊和LCD顯示模塊供電。
[0021]鋰電池管理單元用于鋰電池組電量計算及充放電保護(hù)。
[0022]IMHz信號源單元用于產(chǎn)生測量基準(zhǔn)信號并將基準(zhǔn)信號輸出到自動平衡電橋模塊，自動平衡電橋模塊的信號輸出到信號調(diào)理單元，自由軸矢量發(fā)生器的信號輸出到信號調(diào)理單元，信號調(diào)理單元的信號輸出到M⑶模塊，M⑶模塊的信號輸出到LCD顯示模塊，操作鈕連接到MCU模塊的控制信息輸入端，MCU模塊的控制端連接到自動平衡電橋模塊，測試連接端口連接到自動平衡電橋模塊。
[0023]自動平衡電橋模塊用于信號轉(zhuǎn)換。
[0024]自由軸矢量發(fā)生器用于產(chǎn)生0°及90°相敏檢波信號。
[0025]信號調(diào)理單元用于調(diào)理相敏檢波后的信號。
[0026]MCU模塊用于數(shù)據(jù)采集、處理并接受功能按鍵操作指令并做出相應(yīng)測試條件設(shè)置后進(jìn)行測量，并將測試數(shù)據(jù)結(jié)果通過LCD顯示模塊顯示。
[0027]DC/DC升壓電源單元用于產(chǎn)生直流偏置電壓和擊穿電壓，直流偏置電壓的可調(diào)范圍為0V-55V，擊穿電壓的可調(diào)范圍為100V-300V，直流偏置電壓和擊穿電壓分別加載至自動平衡電橋模塊。測量Ciss、Coss、Crss時，對中電壓功率MOSFET施加直流偏置電壓；測量Vds時，對中電壓功率MOSFET施加擊穿電壓，且電路具有過流及短路保護(hù)功能。
[0028]可以作為優(yōu)選的是:還包括用于夾持連接MOSFET不同封裝體的測試夾具，測試夾具連接到測試連接端口。
[0029]可以作為優(yōu)選的是:操作鈕包括電壓調(diào)節(jié)旋鈕、測量旋鈕、電源按鈕和復(fù)位按鈕。
[0030]在使用時，電子工程技術(shù)人員將待測中電壓功率MOSFET器件(待測器件簡稱DUT)放置入MOSFET測試夾具中(T0-220封裝系列可直接插入測量連接端口，無需測量夾具)，并將測試夾具插入測量連接端口，打開電源開關(guān)，旋轉(zhuǎn)直流偏置電壓調(diào)節(jié)旋鈕，將直流偏置電壓設(shè)置為MOSFET數(shù)據(jù)手冊的測試電壓條件，測試電壓值在LCD屏右下角顯示，設(shè)置好后按下測試按鍵，即進(jìn)行數(shù)據(jù)測試，測試結(jié)果將顯示在IXD屏上。
[0031]本實用新型的不局限于上述實施例，本實用新型的上述各個實施例的技術(shù)方案彼此可以交叉組合形成新的技術(shù)方案，另外凡采用等同替換形成的技術(shù)方案，均落在本實用新型要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀，其特征在于:包括殼體、設(shè)置在殼體中的鋰電池組、PCB板、測試連接端口和設(shè)置在所述殼體上的IXD顯示模塊與操作鈕； 所述PCB板上設(shè)有鋰電池管理單元、LDO-A單元、LDO-B單元、IMHz信號源單元、DC/DC升壓電源單元、自動平衡電橋模塊、自由軸矢量發(fā)生器、信號調(diào)理單元和MCU模塊； 所述鋰電池組為所述LDO-A單元、LDO-B單元和DC/DC升壓電源單元供電，所述LDO-A單元分別為所述IMHz信號源單元、自動平衡電橋模塊和信號調(diào)理單元供電，所述LDO-B單元分別為所述自由矢量軸發(fā)生器單元、MCU模塊和LCD顯示模塊供電； 所述IMHz信號源單元的信號輸出到自動平衡電橋模塊，所述自動平衡電橋模塊的信號輸出到信號調(diào)理單元，所述自由軸矢量發(fā)生器的信號輸出到所述信號調(diào)理單元，所述信號調(diào)理單元的信號輸出到MCU模塊，所述MCU模塊的信號輸出到所述LCD顯示模塊，所述操作鈕連接到所述MCU模塊的控制信息輸入端，所述MCU模塊的控制端連接到所述自動平衡電橋模塊，所述測試連接端口連接到所述自動平衡電橋模塊； 所述DC/DC升壓電源單元用于產(chǎn)生直流偏置電壓和擊穿電壓，所述直流偏置電壓的可調(diào)范圍為0V-55V，所述擊穿電壓的可調(diào)范圍為100V-300V，所述直流偏置電壓和擊穿電壓分別加載至自動平衡電橋模塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀，其特征在于:還包括用于夾持連接MOSFET不同封裝體的測試夾具，所述測試夾具連接到所述測試連接端口。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述手持式自適應(yīng)中電壓功率MOSFET參數(shù)測量儀，其特征在于:所述操作鈕包括電壓調(diào)節(jié)旋鈕、測量旋鈕、電源按鈕和復(fù)位按鈕。
【文檔編號】G01R31/26GK205665369SQ201620552318
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月8日
【發(fā)明人】劉治剛
【申請人】晶科華興集成電路（深圳）有限公司