提高測試晶圓使用壽命的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種提高測試晶圓使用壽命的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在測試工廠里，通常需要對一個(gè)產(chǎn)品的DC(直流)參數(shù)進(jìn)行相關(guān)性驗(yàn)證，例如保持測試機(jī)不變，變化不同的探針卡來檢驗(yàn)此探針卡是否符合測試要求，也可以保持探針卡不變，用不同的測試機(jī)來檢驗(yàn)此測試機(jī)是否能夠測試此產(chǎn)品。
[0003]目前用的方法是將整片晶圓從頭到尾進(jìn)行一遍DC測試，完成后比較兩片晶圓的良率和DC參數(shù)，來確定相關(guān)性驗(yàn)證是否合格。具體的，包括兩種方式:
[0004]—、測試整片晶圓
[0005]目前的相關(guān)性驗(yàn)證都是整片晶圓都需測試，花費(fèi)的時(shí)間較長，晶圓尺寸越來越大，管芯數(shù)越來越多，以后的相關(guān)性驗(yàn)證會越來越慢，效率越來越差；
[0006]二、多次測試整片晶圓
[0007]做相關(guān)性驗(yàn)證的晶圓往往是同一片專門做相關(guān)性驗(yàn)證的晶圓，多次整片測試后，會造成針跡難以辨別，甚至?xí)绊懴嚓P(guān)性驗(yàn)證的結(jié)果，達(dá)不到做相關(guān)性驗(yàn)證的目的。
[0008]而且，現(xiàn)在晶圓的尺寸越來越大，管芯數(shù)也越來越多，勢必造成測試時(shí)間非常長，對于測試工廠來說會大大影響量產(chǎn)的效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種提高測試晶圓使用壽命的方法，能夠解決測試時(shí)間長，且針跡不容易控制，導(dǎo)致測試晶圓使用壽命短的問題。
[0010]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種提高測試晶圓使用壽命的方法，包括步驟:
[0011]將測試晶圓進(jìn)行分區(qū)，分成若干區(qū)域；
[0012]對其中部分區(qū)域進(jìn)行測試，直至針跡無法辨別，再更換區(qū)域測試。
[0013]進(jìn)一步的，在所述的提高測試晶圓使用壽命的方法中，將測試晶圓進(jìn)行等分。
[0014]進(jìn)一步的，在所述的提高測試晶圓使用壽命的方法中，將所述區(qū)域分為第一部分、第二部分和第三部分。
[0015]進(jìn)一步的，在所述的提高測試晶圓使用壽命的方法中，先測試所述第一部分，當(dāng)?shù)谝徊糠轴樭E無法辨別，再測試所述第二部分，當(dāng)?shù)诙糠轴樭E無法辨別，再測試所述第三部分。
[0016]進(jìn)一步的，在所述的提高測試晶圓使用壽命的方法中，將測試晶圓進(jìn)行分區(qū)包括步驟:使用額外的探針臺設(shè)置區(qū)域，保存設(shè)置。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:將測試晶圓進(jìn)行區(qū)域并對部分區(qū)域測試，當(dāng)相關(guān)性驗(yàn)證測試晶圓被測試多次后，部分區(qū)域針跡變大變深，無法進(jìn)行下一次相關(guān)性驗(yàn)證時(shí)，可以更換區(qū)域進(jìn)行相關(guān)性驗(yàn)證，從而增加測試晶圓的使用壽命，由于區(qū)域測試中所要測試的數(shù)量降低，能夠提高測試效率。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中提高測試晶圓使用壽命的方法的流程圖；
[0019]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中測試晶圓分區(qū)后的示意圖；
[0020]圖3至圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中測試過程中的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的提高測試晶圓使用壽命的方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0022]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠贡景l(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0023]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0024]請參考圖1，在本實(shí)施例中，提出了一種提高測試晶圓使用壽命的方法，包括步驟:
[0025]S100:將測試晶圓進(jìn)行分區(qū)，分成若干區(qū)域；
[0026]S200:對其中部分區(qū)域進(jìn)行測試，直至針跡無法辨別，再更換區(qū)域測試。
[0027]請參考圖2，在本實(shí)施例中，可以將測試晶圓進(jìn)行等分;分別分為第一部分1、第二部分2和第三部分3，當(dāng)然，在本實(shí)施例之外的其他實(shí)施例中，也可以不進(jìn)行等分，或者分為多個(gè)部分，不僅僅限于3個(gè)部分。具體分區(qū)可以根據(jù)實(shí)際要求進(jìn)行，例如根據(jù)針卡的排列情況任意劃分范圍，本實(shí)施例只為一種范例。
[0028]具體的，由于所有的晶圓均在探針臺上進(jìn)行測試，每個(gè)產(chǎn)品會有一個(gè)相對應(yīng)的探針臺設(shè)置，每次測試時(shí)調(diào)用相應(yīng)的設(shè)置就可以進(jìn)行量產(chǎn)，晶圓分區(qū)通過額外加一個(gè)探針臺設(shè)置預(yù)先確定等分或分區(qū)區(qū)域，下次進(jìn)行相關(guān)性驗(yàn)證時(shí)直接調(diào)用所述設(shè)置即可，通過探針臺調(diào)用也可避免多次測試造成的設(shè)置不正確、測試范圍存在偏差等問題。
[0029]在分區(qū)完成之后，先測試所述第一部分I，如圖3所示，當(dāng)?shù)谝徊糠諭針跡無法辨別，再測試所述第二部分2，如圖4所示，當(dāng)?shù)诙糠?針跡無法辨別，再測試所述第三部分3，如圖5所示。
[0030]具體的，當(dāng)相關(guān)性驗(yàn)證晶圓被多次測試后，針跡變大變深難以分辨時(shí)，可以刪除之前所使用的等分區(qū)域的探針臺設(shè)置，重新做個(gè)不重復(fù)的探針臺設(shè)置即可，這樣針跡又變得清晰可見，即保證了針跡的要求，也提高了相關(guān)性驗(yàn)證的可靠性，更縮短了相關(guān)性驗(yàn)證所需的時(shí)間。
[0031]對于DC測試來說，通過晶圓等分法來進(jìn)行相關(guān)性驗(yàn)證，最大限度的保持住了相關(guān)性驗(yàn)證的準(zhǔn)確性，并且可以根據(jù)探針卡的排列分布，可以制造一個(gè)探針臺走步最少的等分空間，大大節(jié)省了測試時(shí)間和探針臺走步時(shí)間。
[0032]本技術(shù)發(fā)明通過晶圓等分法進(jìn)行DC測試相關(guān)性驗(yàn)證，縮短測試時(shí)間，提高相關(guān)性驗(yàn)證效率，靈活選擇區(qū)域保證晶圓的針跡質(zhì)量，提高驗(yàn)證可靠性，由于DC參數(shù)測試方式較簡單，所以并不會因?yàn)闃颖镜臏p少降低相關(guān)性驗(yàn)證的準(zhǔn)確性。
[0033]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的提高測試晶圓使用壽命的方法中，將測試晶圓進(jìn)行區(qū)域并對部分區(qū)域測試，當(dāng)相關(guān)性驗(yàn)證測試晶圓被測試多次后，部分區(qū)域針跡變大變深，無法進(jìn)行下一次相關(guān)性驗(yàn)證時(shí)，可以更換區(qū)域進(jìn)行相關(guān)性驗(yàn)證，從而增加測試晶圓的使用壽命，由于區(qū)域測試中所要測試的數(shù)量降低，能夠提高測試效率。
[0034]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，包括步驟: 將測試晶圓進(jìn)行分區(qū)，分成若干區(qū)域； 對其中部分區(qū)域進(jìn)行測試，直至針跡無法辨別，再更換區(qū)域測試。2.如權(quán)利要求1所述的提高測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，將測試晶圓進(jìn)行等3.如權(quán)利要求1所述的提高測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，將所述區(qū)域分為第一部分、第二部分和第三部分。4.如權(quán)利要求3所述的提高測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，先測試所述第一部分，當(dāng)?shù)谝徊糠轴樭E無法辨別，再測試所述第二部分，當(dāng)?shù)诙糠轴樭E無法辨別，再測試所述第三部分。5.如權(quán)利要求1所述的提高測試晶圓使用壽命的方法，其特征在于，將測試晶圓進(jìn)行分區(qū)包括步驟:使用額外的探針臺設(shè)置區(qū)域，保存設(shè)置。
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種提高測試晶圓使用壽命的方法，將測試晶圓進(jìn)行區(qū)域并對部分區(qū)域測試，當(dāng)相關(guān)性驗(yàn)證測試晶圓被測試多次后，部分區(qū)域針跡變大變深，無法進(jìn)行下一次相關(guān)性驗(yàn)證時(shí)，可以更換區(qū)域進(jìn)行相關(guān)性驗(yàn)證，從而增加測試晶圓的使用壽命，由于區(qū)域測試中所要測試的數(shù)量降低，能夠提高測試效率。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN105679690
【申請?zhí)枴緾N201610056903
【發(fā)明人】王玉龍, 劉遠(yuǎn)華, 牛勇, 岳小兵, 凌儉波
【申請人】上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2016年1月27日