CH4 (g) (4)
[0042]O (g) +CnH2n+2 (s) — CO (g) +CHxOy (g) +H2O (g) (5)
[0043]另外，大氣壓等離子體工藝過程中同時(shí)會產(chǎn)生紫外光，結(jié)合上述化學(xué)反應(yīng)，具有良好的表面清潔效果。
[0044]在氫氣和氧氣的混合氣體中，氫氣的流量優(yōu)選為500?lOOOsccm，氧氣的流量優(yōu)選為1000?2000SCCm，流量過低則不足以提供足夠的等離子體。
[0045]本發(fā)明的方法還包括利用剝離裝置，對灰化后的光致抗蝕劑進(jìn)行剝離處理，以完全去除光致抗蝕劑。
[0046]為了獲得穩(wěn)定良好的剝離效果，目前行業(yè)內(nèi)主要使用溶劑系剝離液進(jìn)行剝離。由于溶劑系剝離液中一般含有銨的成份，而銨水解生成的OH-(堿離子)會與柵極中的金屬反應(yīng)，造成金屬腐蝕，影響產(chǎn)品質(zhì)量，因此一般剝離工藝在剝離單元之后通常都會使用異丙醇(IPA)進(jìn)行剝離液的置換，以去除剝離后玻璃基板表面殘存的有機(jī)成分，并防止基板上的剝離液在水洗槽水解后與金屬反應(yīng)造成的金屬腐蝕。
[0047]本發(fā)明的剝離裝置可包括剝離槽、異丙醇槽、水洗槽和干燥槽。剝離槽用于提供剝離液，以去除光致抗蝕劑，其中所用的剝離液包含MEA與BDG ;異丙醇槽用于置換剝離液，以去除剝離后玻璃基板表面殘存的有機(jī)成分；水洗槽用于清洗玻璃基板，以去除殘余的異丙醇；干燥槽用于干燥玻璃基板并去除水分。
[0048]目前已知的去除光致抗蝕劑的工藝中，需先利用干刻蝕裝置進(jìn)行灰化，然后將基板從干刻蝕裝置中取出，再放入剝離裝置中，這樣會在多個(gè)腔室中進(jìn)行多次的取出和放入動作，工藝較為繁瑣，同時(shí)利用干刻蝕裝置的灰化需在真空環(huán)境下進(jìn)行，極大地延長了灰化處理的時(shí)間，且配備真空系統(tǒng)的購置費(fèi)用和維護(hù)費(fèi)用較高。
[0049]本發(fā)明的方法采用大氣等離子體處理裝置替代干刻蝕裝置進(jìn)行灰化，且中大氣等離子體處理裝置可與剝離裝置相連接，利用同一傳送裝置使玻璃基板連續(xù)地進(jìn)行灰化和剝離處理，從而避免了腔室之間的人工轉(zhuǎn)移，減少工藝流程，改善工藝的連貫性，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)本發(fā)明的方法不需要真空系統(tǒng)，大大縮短了灰化處理的時(shí)間，且減少了設(shè)備購置費(fèi)用和維護(hù)費(fèi)用，降低了生產(chǎn)成本。
[0050]除非另作限定，本發(fā)明所用術(shù)語均為本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的含義。
[0051]以下通過實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。
[0052]實(shí)施例
[0053]實(shí)施例1
[0054]采用化學(xué)氣相沉積法在玻璃基板上形成氧化硅和氮化硅層疊結(jié)構(gòu)的緩沖層。
[0055]采用化學(xué)氣相沉積法在緩沖層上形成非晶硅層。
[0056]利用準(zhǔn)分子激光退火(ELA)將非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，并對多晶硅層進(jìn)行圖案化。
[0057]在圖案化后的多晶硅層上涂布光致抗蝕劑，進(jìn)行曝光、顯影和溝道摻雜，形成源極區(qū)和漏極區(qū)。
[0058]接著去除光致抗蝕劑，首先設(shè)定大氣等離子體處理裝置的參數(shù)，將上電極的頻率設(shè)定為13.56MHz，射頻功率設(shè)定為1000W ;將下電極的頻率設(shè)定為3.2MHz，射頻功率設(shè)定為500W;同時(shí)將工作壓力調(diào)整為10_3托。
[0059]通過氣體流量控制器向大氣等離子體處理裝置中通入500sCCm的氫氣和100sccm的氧氣。
[0060]之后將基板放置于傳送帶上，緩慢地通過大氣等離子體處理裝置，進(jìn)行灰化處理，去除一定厚度的表面變質(zhì)的光致抗蝕劑，同時(shí)去除基板上的有機(jī)殘余物，灰化處理的時(shí)間為120秒。
[0061]最后直接將基板傳送進(jìn)入剝離裝置，依次通過剝離槽、異丙醇槽、水洗槽和干燥槽，進(jìn)行剝離處理，去除余下的光致抗蝕劑，從而完全去除光致抗蝕劑。
[0062]實(shí)施例2
[0063]采用化學(xué)氣相沉積法在玻璃基板上形成氧化硅和氮化硅層疊結(jié)構(gòu)的緩沖層。
[0064]采用化學(xué)氣相沉積法在緩沖層上形成非晶硅層。
[0065]利用準(zhǔn)分子激光退火(ELA)將非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，并對多晶硅層進(jìn)行圖案化。
[0066]在圖案化后的多晶硅層上涂布光致抗蝕劑，進(jìn)行曝光、顯影和溝道摻雜，形成源極區(qū)和漏極區(qū)。
[0067]接著去除光致抗蝕劑，首先設(shè)定大氣等離子體處理裝置的參數(shù)，將上電極的頻率設(shè)定為13.56MHz，射頻功率設(shè)定為1000W ;將下電極的頻率設(shè)定為3.2MHz，射頻功率設(shè)定為500W;同時(shí)將工作壓力調(diào)整為10_2托。
[0068]通過氣體流量控制器向大氣等離子體處理裝置中通入500sCCm的氫氣和100sccm的氧氣。
[0069]之后將基板放置于傳送帶上，緩慢地通過大氣等離子體處理裝置，進(jìn)行灰化處理，去除一定厚度的表面變質(zhì)的光致抗蝕劑，同時(shí)去除基板上的有機(jī)殘余物，灰化處理的時(shí)間為200秒。
[0070]最后直接將基板傳送進(jìn)入剝離裝置，依次通過剝離槽、異丙醇槽、水洗槽和干燥槽，進(jìn)行剝離處理，去除余下的光致抗蝕劑，從而完全去除光致抗蝕劑。
[0071]綜上所述，采用本發(fā)明的方法，可有效減少去除光致抗蝕劑的時(shí)間，簡化工藝流程，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)減少設(shè)備購置費(fèi)用和維護(hù)費(fèi)用，降低生產(chǎn)成本。
[0072]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明所描述的實(shí)施方式僅僅是示范性的，可在本發(fā)明的范圍內(nèi)作出各種其他替換、改變和改進(jìn)。因而，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，而僅由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種去除光致抗蝕劑的方法，包括: 涂布光致抗蝕劑對低溫多晶硅進(jìn)行溝道摻雜； 利用大氣等離子體處理裝置，通入氣體形成等離子體，對所述光致抗蝕劑進(jìn)行灰化處理； 去除有機(jī)殘余物；以及 利用剝離裝置，對光致抗蝕劑進(jìn)行剝離處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述大氣等離子體處理裝置包括上電極和下電極，所述上電極的頻率為13.56MHz，所述下電極的頻率為3.2MHz。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述上電極的RF功率設(shè)定在100KW以上，所述下電極的RF功率設(shè)定在500KW以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述大氣等離子體處理裝置的工作氣壓設(shè)定為10_3?10_2 托。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中進(jìn)行灰化處理的時(shí)間為25?300秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中進(jìn)行灰化處理的時(shí)間為120?200秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的方法，其中所述氣體為氫氣和氧氣的混合氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，所述氫氣和氧氣的混合氣體中氫氣的流量為500sccm，氧氣的流量為lOOOsccm。
9.一種去除光致抗蝕劑的設(shè)備，包括用于形成等離子體并對光致抗蝕劑進(jìn)行灰化處理的大氣等離子體處理裝置以及用于對灰化后的光致抗蝕劑進(jìn)行剝離處理的剝離裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的設(shè)備，其中所述剝離裝置包括剝離槽、異丙醇槽、水洗槽和干燥槽。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種去除光致抗蝕劑的方法，包括：涂布光致抗蝕劑對低溫多晶硅進(jìn)行溝道摻雜；利用大氣等離子體處理裝置，通入氣體形成等離子體，對所述光致抗蝕劑進(jìn)行灰化處理；去除有機(jī)殘余物；以及利用剝離裝置，對光致抗蝕劑進(jìn)行剝離處理。本發(fā)明還提供一種去除光致抗蝕劑的設(shè)備。采用本發(fā)明的方法，可有效減少去除光致抗蝕劑的時(shí)間，簡化工藝流程，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)減少設(shè)備購置費(fèi)用和維護(hù)費(fèi)用，降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L21-02, H01L21-67
【公開號】CN104779136
【申請?zhí)枴緾N201410012432
【發(fā)明人】黃子晏, 譚莉, 林信安, 林志明, 廖子毅
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2014年1月10日