以外與實(shí)施例5完全相同的方法制作出薄膜晶體管。然后，通過(guò)利用鹽酸沖洗半導(dǎo)體層207的沒(méi)有被保護(hù)層208覆蓋的部分而進(jìn)行元件的分離(實(shí)施例7)。在實(shí)施例7中，能夠減小截止?fàn)顟B(tài)下的電流(漏電流)值。
[0182](實(shí)施例8)
[0183]通過(guò)直至形成保護(hù)層208的工序?yàn)橹古c實(shí)施例7完全相同的方法制作出薄膜晶體管。然后，通過(guò)將半導(dǎo)體層207的沒(méi)有被保護(hù)層208覆蓋的部分暴露于鹽酸的蒸氣中進(jìn)行去除而進(jìn)行元件的分離(實(shí)施例8)。在實(shí)施例8中，能夠減小截止?fàn)顟B(tài)下的電流(漏電流)值。
[0184](對(duì)比例5)
[0185]直至形成條紋形狀的保護(hù)層208的工序?yàn)橹?，與實(shí)施例5相同。在對(duì)比例5中，在未去除半導(dǎo)體層207的沒(méi)有被保護(hù)層208覆蓋的部分的情況下，沒(méi)有進(jìn)行元件的分離。在對(duì)比例5中，截止?fàn)顟B(tài)下的電流(漏電流)值變高。
[0186](對(duì)比例6)
[0187]通過(guò)直至形成保護(hù)層208的工序?yàn)橹古c實(shí)施例7完全相同的方法制作出薄膜晶體管。在對(duì)比例6中，在未去除半導(dǎo)體層207的沒(méi)有被保護(hù)層208覆蓋的部分的情況下，沒(méi)有進(jìn)行元件的分離。在對(duì)比例6中，截止?fàn)顟B(tài)下的電流(漏電流)值變高。
[0188](第2實(shí)施例的結(jié)果)
[0189]如以上說(shuō)明所示，在實(shí)施例5?8中，利用涂敷法將半導(dǎo)體層207形成為條紋形狀，在與半導(dǎo)體層207正交的方向上利用涂敷法形成保護(hù)層208后，將導(dǎo)體層207的沒(méi)有被保護(hù)層208覆蓋的部分利用有機(jī)類(lèi)溶劑、無(wú)機(jī)類(lèi)溶劑以及它們的混合溶液中的某一個(gè)進(jìn)行去除。由此，與對(duì)比例5、6相比，能夠校準(zhǔn)精度良好地形成半導(dǎo)體層207和保護(hù)層208，且利用簡(jiǎn)單的方法實(shí)現(xiàn)晶體管元件250的分離，進(jìn)而能夠制作表現(xiàn)出良好的元件特性的薄膜晶體管300。
[0190]〈其他〉
[0191]以上，本申請(qǐng)主張優(yōu)先權(quán)的日本國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)2012-208496(2012年9月21日申請(qǐng))以及日本國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)2012-208497 (2012年9月21日申請(qǐng))的全部?jī)?nèi)容，通過(guò)參照而作為本公開(kāi)的一部分。
[0192]在此，參照有限的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但權(quán)利范圍并不限定于這些實(shí)施方式，基于上述公開(kāi)內(nèi)容做出的各實(shí)施方式的改變對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。
[0193]標(biāo)號(hào)的說(shuō)明
[0194]1,201,401 基板
[0195]2、202、402 柵極電極
[0196]3,203,403電容器電極
[0197]4、204、404柵極絕緣體層
[0198]5、205、405 源極電極
[0199]6、206、406 漏極電極
[0200]7,207,407 半導(dǎo)體層
[0201]7a、207a 溝道部
[0202]8、208、408 保護(hù)層
[0203]50、250、450 晶體管元件
[0204]100,300,500 薄膜晶體管
[0205]110、310層間絕緣膜
[0206]120、320 像素電極
[0207]130,330 共用電極
[0208]140,340 顯示介質(zhì)
[0209]200,400圖像顯示裝置
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管，其具有基板、以及形成在所述基板上的多個(gè)晶體管元件， 該薄膜晶體管的特征在于， 所述各晶體管元件具有: 柵極電極，其形成在所述基板上； 柵極絕緣體層，其形成在所述基板上，覆蓋所述柵極電極； 源極電極以及漏極電極，它們形成在所述柵極絕緣體層上； 半導(dǎo)體層，其從所述源極電極上經(jīng)過(guò)所述柵極絕緣體層上而形成至所述漏極電極上；以及 保護(hù)層，其形成在所述半導(dǎo)體層上， 所述保護(hù)層形成為遍布所述各晶體管元件的條紋形狀， 在所述各晶體管元件的從所述源極電極至所述漏極電極的溝道長(zhǎng)度方向，或與該溝道長(zhǎng)度方向在俯視觀察時(shí)相交叉的方向上，所述半導(dǎo)體層的兩端的位置和所述保護(hù)層的兩端的位置相一致。
2.一種薄膜晶體管，其具有基板、以及形成在所述基板上的多個(gè)晶體管元件， 該薄膜晶體管的特征在于， 所述各晶體管元件具有: 柵極電極，其形成在所述基板上； 柵極絕緣體層，其形成在所述基板上，覆蓋所述柵極電極； 源極電極以及漏極電極，它們形成在所述柵極絕緣體層上； 半導(dǎo)體層，其從所述源極電極上經(jīng)過(guò)所述柵極絕緣體層上而形成至所述漏極電極上；以及 保護(hù)層，其形成在所述半導(dǎo)體層上， 所述保護(hù)層形成為與所述各晶體管元件的從所述源極電極至所述漏極電極的溝道長(zhǎng)度方向在俯視觀察時(shí)相交叉、且遍布所述各晶體管元件的條紋形狀， 在俯視觀察時(shí)，在所述溝道長(zhǎng)度方向上，所述半導(dǎo)體層的兩端的位置和所述保護(hù)層的兩端的位置相一致。
3.一種薄膜晶體管，其具有基板、以及形成在所述基板上的多個(gè)晶體管元件， 該薄膜晶體管的特征在于， 所述各晶體管元件具有: 柵極電極，其形成在所述基板上； 柵極絕緣體層，其形成在所述基板上，覆蓋所述柵極電極； 源極電極以及漏極電極，它們形成在所述柵極絕緣體層上； 半導(dǎo)體層，其從所述源極電極上經(jīng)過(guò)所述柵極絕緣體層上而形成至所述漏極電極上；以及 保護(hù)層，其形成在所述半導(dǎo)體層上， 所述保護(hù)層形成為與所述各晶體管元件的從所述源極電極至所述漏極電極的溝道長(zhǎng)度方向平行、且遍布所述各晶體管元件的條紋形狀， 在俯視觀察時(shí)，在與所述溝道長(zhǎng)度方向相交叉的方向上，所述半導(dǎo)體層的兩端的位置和所述保護(hù)層的兩端的位置相一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層由氧化物半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述保護(hù)層由無(wú)機(jī)化合物構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述保護(hù)層由有機(jī)物構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述保護(hù)層由無(wú)機(jī)化合物和有機(jī)物的混合物構(gòu)成。
9.一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管在基板上具有多個(gè)晶體管元件， 該薄膜晶體管的制造方法的特征在于，具有下述工序: 在所述基板上形成柵極電極； 以覆蓋所述柵極電極的方式在所述基板上形成柵極絕緣體層； 在所述柵極絕緣體層上形成源極電極以及漏極電極； 將半導(dǎo)體層從所述源極電極上經(jīng)過(guò)所述柵極絕緣體層上而形成至所述漏極電極上； 在所述半導(dǎo)體層上形成保護(hù)層；以及 部分地去除所述半導(dǎo)體層，將所述各晶體管元件間電氣分離， 在形成所述半導(dǎo)體層的工序中，將該半導(dǎo)體層形成為跨過(guò)所述各晶體管元件的形成區(qū)域的條紋形狀， 在形成所述保護(hù)層的工序中，將該保護(hù)層形成為與所述半導(dǎo)體層在俯視觀察時(shí)相交叉、且遍布所述各晶體管元件的形成區(qū)域的條紋形狀， 在部分地去除所述半導(dǎo)體層的工序中，使用所述保護(hù)層作為掩模，對(duì)該半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在形成所述半導(dǎo)體層的工序中，在與所述各晶體管元件中的從所述源極電極至所述漏極電極的溝道長(zhǎng)度方向平行的方向上，形成該半導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在形成所述半導(dǎo)體層的工序中，在與所述各晶體管元件的從所述源極電極至所述漏極電極的溝道長(zhǎng)度方向在俯視觀察時(shí)相交叉的方向上，形成該半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9?11中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在形成所述半導(dǎo)體層的工序中，利用涂敷法形成該半導(dǎo)體層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9?12中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在形成所述保護(hù)層的工序中，利用涂敷法形成該保護(hù)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 所述涂敷法是凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉(zhuǎn)膠版印刷、絲網(wǎng)印刷、噴墨、熱轉(zhuǎn)印印刷、點(diǎn)膠、旋轉(zhuǎn)涂敷、擠壓式涂敷、微型凹版涂敷、浸涂中的某一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求9?14中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在部分地去除所述半導(dǎo)體層的工序中，利用有機(jī)類(lèi)溶劑、無(wú)機(jī)類(lèi)溶劑、或它們的混合溶液對(duì)該半導(dǎo)體層進(jìn)行沖洗。
16.根據(jù)權(quán)利要求9?14中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 在部分地去除所述半導(dǎo)體層的工序中，通過(guò)將該半導(dǎo)體層暴露于有機(jī)類(lèi)溶劑、無(wú)機(jī)類(lèi)溶劑、以及它們的混合溶液的蒸氣中而進(jìn)行去除。
17.一種圖像顯示裝置，其特征在于，具有: 權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管； 層間絕緣膜，其形成在所述薄膜晶體管上； 像素電極，其形成在所述層間絕緣膜上，與所述漏極電極電連接；以及 顯示介質(zhì)，其包含形成在所述像素電極上的共用電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的像素顯示裝置，其特征在于， 所述顯示介質(zhì)是電泳型反射顯示裝置、透過(guò)型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半透過(guò)型液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示裝置以及無(wú)機(jī)EL顯示裝置中的某一種。
【專(zhuān)利摘要】對(duì)源極電極(5)和漏極電極(6)進(jìn)行成膜，利用涂敷法將半導(dǎo)體層(7)形成為與X軸方向(溝道長(zhǎng)度方向)平行的條紋形狀。然后，將保護(hù)層(8)形成為與和半導(dǎo)體層(7)正交的Y軸方向(溝道寬度方向)平行的條紋形狀。然后，通過(guò)有機(jī)類(lèi)溶劑、無(wú)機(jī)類(lèi)溶劑、或它們的混合溶液去除半導(dǎo)體層(7)中的沒(méi)有被保護(hù)層(8)覆蓋的部分。由此，以良好的校準(zhǔn)精度形成半導(dǎo)體層(7)和保護(hù)層(8)、且通過(guò)簡(jiǎn)單的過(guò)程實(shí)現(xiàn)晶體管元件(50)間的電氣分離。
【IPC分類(lèi)】H01L21-336, G02F1-1368, H01L51-05, H01L29-786, H01L21-28, H01L51-50, H05B33-14
【公開(kāi)號(hào)】CN104662646
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380049159
【發(fā)明人】村田廣大
【申請(qǐng)人】凸版印刷株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年9月6日
【公告號(hào)】US20150129862, WO2014045543A1