本公開涉及半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，更具體地，涉及包括連接基板的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、提供了一種半導(dǎo)體封裝件，以實(shí)現(xiàn)適合在電子產(chǎn)品中使用的集成電路芯片。隨著近來電子工業(yè)的發(fā)展，各種各樣地開發(fā)了半導(dǎo)體封裝件，以實(shí)現(xiàn)諸如緊湊尺寸、重量輕和制造成本低的目標(biāo)。半導(dǎo)體芯片的尺寸隨著半導(dǎo)體芯片的高度集成而變得越來越小。然而，由于半導(dǎo)體芯片的小尺寸，難以粘附、處理和測試焊料球。另外，由于半導(dǎo)體芯片的小尺寸，在獲取多樣化的安裝板方面也存在問題。提出了一種扇出型面板級封裝(fo-plp)來解決上述問題。在扇出型面板半導(dǎo)體封裝中，再分布線的面積不可避免地大于半導(dǎo)體芯片的面積。因此，與半導(dǎo)體芯片的利用率相比，存在分配給半導(dǎo)體芯片的面積過大的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供了一種電性質(zhì)得到改善的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

2、此外，提供了一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性提高的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

3、此外，還提供了一種簡化了工藝且降低了成本的半導(dǎo)體封裝件制造方法，以及通過該方法制造的半導(dǎo)體封裝件。

4、根據(jù)示例實(shí)施例的一方面，一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布基板；模塊結(jié)構(gòu)，所述模塊結(jié)構(gòu)位于所述第一再分布基板上；第一模制層，所述第一模制層位于所述第一再分布基板上并且圍繞所述模塊結(jié)構(gòu)；以及垂直連接結(jié)構(gòu)，所述垂直連接結(jié)構(gòu)位于所述模塊結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述垂直連接結(jié)構(gòu)垂直延伸并且連接到所述第一再分布基板，其中，所述模塊結(jié)構(gòu)包括：中介層基板，所述中介層基板包括玻璃基板；第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片安裝在中介層基板上；以及第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述中介層基板上。

5、根據(jù)示例實(shí)施例的一方面，一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布基板；連接基板，所述連接基板位于所述第一再分布基板上，所述連接基板具有穿透所述連接基板的開口；模塊結(jié)構(gòu)，所述模塊結(jié)構(gòu)位于所述第一再分布基板上并且位于所述連接基板的所述開口中；以及第一模制層，所述第一模制層位于所述第一再分布基板上，所述第一模制層覆蓋所述模塊結(jié)構(gòu)和所述連接基板，其中，所述模塊結(jié)構(gòu)包括：中介層基板；第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片位于所述中介層基板上；以及第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片位于所述中介層基板上，其中，所述中介層基板包括：核心部分；上堆積部分，所述上堆積部分位于所述核心部分的頂表面上；以及下堆積部分，所述下堆積部分位于所述核心部分的底表面上，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片通過所述上堆積部分電連接，并且所述下堆積部分直接接觸所述第一再分布基板。

6、根據(jù)示例實(shí)施例的一方面，一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布基板；第二再分布基板，所述第二再分布基板位于所述第一再分布基板上；連接基板，所述連接基板將所述第一再分布基板連接到所述第二再分布基板，所述連接基板具有穿透所述連接基板的開口；模塊結(jié)構(gòu)，所述模塊結(jié)構(gòu)位于所述第一再分布基板和所述第二再分布基板之間，所述模塊結(jié)構(gòu)位于所述連接基板的所述開口中；多個(gè)外部端子，所述多個(gè)外部端子位于所述第一再分布基板的底表面上；以及上封裝件，所述上封裝件安裝在所述第二再分布基板上，其中，所述模塊結(jié)構(gòu)包括：中介層基板，所述中介層基板連接到所述第一再分布基板；第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片位于所述中介層基板上；以及第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片位于所述中介層基板上并且與所述第一半導(dǎo)體芯片間隔開，并且所述中介層基板的核心部分和所述第一再分布基板的電介質(zhì)圖案包括彼此不同的材料。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述垂直連接結(jié)構(gòu)包括位于所述第一再分布基板上的連接基板，所述連接基板具有穿透所述連接基板的開口，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述連接基板包括基體層和位于所述基體層中的導(dǎo)電構(gòu)件，并且

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一模制層覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介層基板直接接觸所述第一再分布基板的頂表面，并且

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一再分布基板包括電介質(zhì)圖案，并且

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括位于所述第一模制層上的第二再分布基板，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片均通過焊料球或接合線耦接到所述中介層基板，或者

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述模塊結(jié)構(gòu)還包括位于所述中介層基板上的第二模制層，所述第二模制層覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片，并且

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述中介層基板包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片通過所述上堆積部分電連接。

13.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述核心部分包括玻璃或硅。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括位于所述第一模制層上的第二再分布基板，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一半導(dǎo)體芯片包括垂直地穿透所述第一半導(dǎo)體芯片的多個(gè)芯片通路，并且

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括位于所述第二再分布基板上的上封裝件。

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一模制層覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述模塊結(jié)構(gòu)還包括位于所述中介層基板上的第二模制層，所述第二模制層覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片，并且

20.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一再分布基板；模塊結(jié)構(gòu)，所述模塊結(jié)構(gòu)位于所述第一再分布基板上；第一模制層，所述第一模制層位于所述第一再分布基板上并且圍繞所述模塊結(jié)構(gòu)；以及垂直連接結(jié)構(gòu)，所述垂直連接結(jié)構(gòu)位于所述模塊結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述垂直連接結(jié)構(gòu)垂直延伸并且連接到所述第一再分布基板，其中，所述模塊結(jié)構(gòu)包括：中介層基板，所述中介層基板包括玻璃基板；第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片安裝在中介層基板上；以及第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片安裝在所述中介層基板上。

技術(shù)研發(fā)人員：姜政勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9