本發(fā)明屬于垂直腔面發(fā)射激光器領(lǐng)域，具體涉及一種雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、垂直腔面發(fā)射激光器(vcsel)具有體積小、閾值電流低、光束質(zhì)量好、光電轉(zhuǎn)換效率高、易于二維列陣集成和制造等優(yōu)點(diǎn)，逐漸應(yīng)用于光通訊、光互連、信息存貯、顯示、醫(yī)療、工業(yè)加工和軍事等方面，展現(xiàn)了廣闊的發(fā)展前景。傳統(tǒng)的氧化限制型結(jié)構(gòu)vcsel在器件研究上存在技術(shù)工藝路線有待改進(jìn)、成品率和可靠性有待提高等問(wèn)題。傳統(tǒng)工藝中往往采用氧化方式來(lái)控制電流限制孔徑的大小，以此實(shí)現(xiàn)單模輸出，這種工藝難以精確控制孔徑大小，尤其是在小尺寸電流限制孔徑(5um以下尤甚)的制備工藝中；并且采用的單側(cè)電流限制對(duì)電場(chǎng)的限制效果也有待提高。另一方面，上下分布式布拉格反射鏡(dbr)的外延生長(zhǎng)也可能會(huì)面臨dbr材料與襯底的晶格不匹配、折射率差較小、散熱性差等問(wèn)題，這一點(diǎn)在gan基、inp基器件方面體現(xiàn)尤為明顯。因此，急需實(shí)現(xiàn)一種效率更高、更加易于制備和控制的結(jié)構(gòu)來(lái)推動(dòng)vcsel的發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、因此，本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，提供一種雙介質(zhì)db?r型垂直腔面發(fā)射激光器、其制備方法。

2、在闡述本發(fā)明的技術(shù)方案之前，定義本文中所使用的術(shù)語(yǔ)如下：

3、術(shù)語(yǔ)“vcsel”是指：垂直腔面發(fā)射激光器。

4、術(shù)語(yǔ)“dbr”是指：上下分布式布拉格反射鏡。

5、術(shù)語(yǔ)“n型半導(dǎo)體”是指：自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。

6、術(shù)語(yǔ)“p型半導(dǎo)體層”是指：空穴濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。

7、術(shù)語(yǔ)“ito”是指：氧化銦錫。

8、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面提供了一種雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器，所述雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器包括：導(dǎo)電熱沉層、金屬電極、介質(zhì)dbr層、透明導(dǎo)電層、絕緣介質(zhì)層、有源結(jié)構(gòu)層；其中，

9、所述金屬電極包括第一金屬電極和第二金屬電極；

10、所述介質(zhì)dbr層包括第一介質(zhì)dbr層和第二介質(zhì)dbr層；

11、所述透明導(dǎo)電層包括第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層；和/或

12、所述絕緣介質(zhì)層包括第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層。

13、根據(jù)本發(fā)明第一方面的雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器包括自下而上依次設(shè)置的：

14、具有散熱性和導(dǎo)電性的導(dǎo)電熱沉層；

15、第一金屬電極；

16、與所述第一金屬電極間隔分布的第一介質(zhì)dbr層；

17、用于電流擴(kuò)展的第一透明導(dǎo)電層；

18、第一絕緣介質(zhì)層，且在第一絕緣介質(zhì)層的中間形成第一電流窗口；

19、有源結(jié)構(gòu)層；

20、第二絕緣介質(zhì)層,且在第二絕緣介質(zhì)層的中間形成第二電流窗口；

21、用于電流擴(kuò)展的第二透明導(dǎo)電層；和

22、第二金屬電極，所述第二金屬電極的中間形成出光窗口，并且在所述第二金屬電極和所述第二透明導(dǎo)電層之間，第二金屬電極和第二介質(zhì)dbr層間隔分布；

23、優(yōu)選地，所述導(dǎo)電熱沉層和所述第一金屬電極之間還包括鍵合層；和/或

24、優(yōu)選地，所述有源結(jié)構(gòu)層包括自上而下依次設(shè)置的：

25、p型半導(dǎo)體層；

26、有源層；和

27、n型半導(dǎo)體層。

28、根據(jù)本發(fā)明第一方面的雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述第一介質(zhì)dbr層、所述第二介質(zhì)dbr層和所述第一透明導(dǎo)電層、所述第二透明導(dǎo)電層形成光學(xué)限制層；

29、所述第一透明導(dǎo)電層、所述第二透明導(dǎo)電層和所述第一絕緣介質(zhì)層、所述第二絕緣介質(zhì)層形成電流限制層；

30、所述第一金屬電極和所述第二金屬電極的材料選自以下一種或多種：金、鋁、鎳、鈦、鋅、鉑，銀、銅、鉻、鍺、鈀、鈷、鎢，優(yōu)選選自以下一種或多種：金、鈦、鎳、鋁、銀、鉻、鉑，更優(yōu)選選自以下一種或多種：金、鈦、鎳、鉑；

31、所述第一介質(zhì)dbr層和所述第二介質(zhì)dbr層的材料選自以下一種或多種：氧化硅、氮化硅、氧化鎳、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈮、氧化鈦、氧化鉿；

32、所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層的材料選自以下一種或多種：ito、氧化鋅、碳化硅、石墨烯、導(dǎo)電聚合物、薄層金屬，優(yōu)選選自以下一種或多種：ito、氧化鋅、碳化硅、石墨烯、銀、鋁、銅、金，更優(yōu)選選為：ito或氧化鋅；

33、所述第一絕緣介質(zhì)層和所述第二絕緣介質(zhì)層的材料選自以下一種或多種：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鎳、氧化鋁、氮化鋁，氮化硼的單層或疊層，優(yōu)選選自以下一種或多種：氮化硅、氧化硅、氧化鋁，更優(yōu)選為：氮化硅或氧化硅；

34、所述有源層的材料選自以下一種或多種：硅、鍺、鎵氮、鎵砷、銦磷、碳化硅、硅化鍺/硅量子阱、銦鎵氮/鎵氮量子阱、銦鎵砷/鎵砷量子阱、鋁鎵砷/鎵砷量子阱、銦鎵砷/鋁鎵砷量子阱、硅量子點(diǎn)、鍺量子點(diǎn)、鎵氮量子點(diǎn)、鎵砷量子點(diǎn)、銦磷量子點(diǎn)、硅化鍺量子點(diǎn)、銦鎵氮量子點(diǎn)、銦鎵砷量子點(diǎn)、鋁鎵砷量子點(diǎn)、銦鎵砷量子點(diǎn)，優(yōu)選選自以下一種或多種：硅化鍺/硅量子阱、銦鎵氮/鎵氮量子阱、銦鎵砷/鎵砷量子阱、鋁鎵砷/鎵砷量子阱、銦鎵砷/鋁鎵砷量子阱，更優(yōu)選選自以下一種或多種：銦鎵氮/鎵氮量子阱、銦鎵砷/鎵砷量子阱、鋁鎵砷/鎵砷量子阱、銦鎵砷/鋁鎵砷量子阱；和/或

35、所述導(dǎo)電熱沉層選自以下一種或多種：?jiǎn)谓饘倩?、合金基板、陶瓷基板；所述單金屬基板的材料?yōu)選選自以下一種或多種：金、銅、鋁、銀；所述合金基板的材料優(yōu)選選自以下一種或多種：鉬銅、鎢銅、鉻銅；和/或所述陶瓷基板的材料優(yōu)選選自以下一種或多種：鋁氮、金剛石、碳化硅；

36、優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)dbr層的反射率大于99％，所述第二介質(zhì)dbr層的反射率大于98％且小于第一dbr的反射率；

37、優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)dbr層和所述第二介質(zhì)dbr層的材料為介質(zhì)材料對(duì)；所述介質(zhì)材料對(duì)的折射率差更優(yōu)選為不小于0.1；

38、優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層的材料電阻率小于0.05ω.cm，對(duì)于激光器發(fā)射中心波長(zhǎng)的透射率大于70％；和/或

39、優(yōu)選地，所述陶瓷基板的熱導(dǎo)率大于300w/(m·k)。

40、本發(fā)明的第二方面提供了制備第一方面所述的雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器的方法，所述方法包括以下步驟：

41、(1)制備包含p型半導(dǎo)體層、有源層和n型半導(dǎo)體層的初始有源結(jié)構(gòu)層；

42、(2)在步驟(1)制備的初始有源結(jié)構(gòu)層的p型半導(dǎo)體層上依次制備第一絕緣介質(zhì)層、第一透明導(dǎo)電層、第一介質(zhì)dbr層和第一金屬電極；

43、(3)在步驟(2)制備的第一金屬電極上制備導(dǎo)電熱沉層，并露出所述有源結(jié)構(gòu)層的n型半導(dǎo)體層；和

44、(4)在步驟(3)露出的n型半導(dǎo)體層上依次制備第二絕緣介質(zhì)層、第二透明導(dǎo)電層、第二介質(zhì)dbr層和第二金屬電極，即得所述雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器。

45、根據(jù)本發(fā)明第二方面的方法，其中，所述步驟(1)中還包括以下步驟：

46、(a)選擇晶圓襯底；和

47、(b)在步驟(a)的晶圓襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、選擇停止層、n型半導(dǎo)體層、有源層和p型半導(dǎo)體層，即得所述初始有源結(jié)構(gòu)層；

48、優(yōu)選地，所述步驟(a)中，所述晶圓襯底選自以下一種或多種：鎵砷、硅、鍺、鎵氮、銦磷、碳化硅、藍(lán)寶石，更優(yōu)選選自以下一種或多種：鎵砷、硅、鎵氮、銦磷；和/或

49、優(yōu)選地，所述步驟(b)中，所述生長(zhǎng)的方法為外延生長(zhǎng)，更優(yōu)選選自以下一種或多種：金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積、分子束外延、氣相外延、液相外延，進(jìn)一步優(yōu)選為屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積和/或分子束外延。

50、根據(jù)本發(fā)明第二方面的方法，其中，所述步驟(2)中：

51、所述第一絕緣介質(zhì)層的制備方法選自以下一種或多種：原子層沉積、濺射、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、離子束蒸發(fā)；

52、所述第一透明導(dǎo)電層的制備方法選自以下一種或多種：濺射、蒸發(fā)、離子鍍膜、濕式涂布法、溶膠-凝膠法、高溫?zé)峤鈬娡俊⒒瘜W(xué)氣相沉積、高溫?zé)峤鈬娡浚?/p>

53、所述第一金屬電極的制備方法為沉積法；

54、在制備所述第一透明導(dǎo)電層之前還包括：在所述第一絕緣介質(zhì)層上制備第一圖形，以第一圖形為掩膜，刻蝕或腐蝕所述第一絕緣介質(zhì)層至所述p型半導(dǎo)體層，形成第一電流窗口；

55、在制備所述第一金屬電極之前還包括：在所述第一介質(zhì)dbr層上制備第二圖形，以第二圖形為掩膜，刻蝕或腐蝕所述第一介質(zhì)dbr層至所述第一透明導(dǎo)電層，形成第一電極孔；和/或

56、所述第一金屬電極覆蓋所述第一介質(zhì)dbr層和所述第一電極孔底部的第一透明導(dǎo)電層。

57、根據(jù)本發(fā)明第二方面的方法，其中，所述步驟(4)中：

58、所述第二絕緣介質(zhì)層的制備方法選自以下一種或多種：原子層沉積、濺射、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、離子束蒸發(fā)；

59、所述第二透明導(dǎo)電層的制備方法選自以下一種或多種：濺射、蒸發(fā)、離子鍍膜、濕式涂布法、溶膠-凝膠法、高溫?zé)峤鈬娡?、化學(xué)氣相沉積、高溫?zé)峤鈬娡浚?/p>

60、所述第二金屬電極的制備方法為沉積法；

61、在制備所述第二透明導(dǎo)電層之前還包括：在所述第二絕緣介質(zhì)層上制備第三圖形，以第三圖形為掩膜，刻蝕或腐蝕所述第二絕緣介質(zhì)層至n型半導(dǎo)體層，形成第二電流窗口；

62、在制備所述第二金屬電極之前還包括：在所述第二介質(zhì)dbr層上制備第四圖形，以第四圖形為掩膜，刻蝕或腐蝕所述第二介質(zhì)dbr層至所述第二透明導(dǎo)電層，形成第二電極孔；和/或

63、在所述第二金屬電極上制備第五圖形，以第五圖形為掩膜，沉積所述第二金屬電極，所述第二金屬電極覆蓋所述第二介質(zhì)dbr層和第二電極孔底部的第一透明導(dǎo)電層，且在所述第二介質(zhì)dbr層中間形成出光窗口。

64、根據(jù)本發(fā)明第二方面的方法，其中，

65、在所述步驟(2)中，制備第一絕緣介質(zhì)層是通過(guò)：在p型半導(dǎo)體層上直接制備或埋層制備而實(shí)現(xiàn)的；和/或

66、在所述步驟(4)中，制備第二絕緣介質(zhì)層是通過(guò)：在n型半導(dǎo)體層上直接制備或埋層制備而實(shí)現(xiàn)的；

67、優(yōu)選地，所述第一絕緣介質(zhì)層的埋層制備方法為：刻蝕p型半導(dǎo)體層后再制備第一絕緣介質(zhì)層；和/或

68、優(yōu)選地，所述第二絕緣介質(zhì)層的埋層制備方法為：刻蝕n型半導(dǎo)體層后再制備第二絕緣介質(zhì)層。

69、根據(jù)本發(fā)明第二方面的方法，其中，所述步驟(3)中還包括：

70、(c)在所述第一金屬電極上制備鍵合層；

71、(d)將步驟(c)制備的鍵合層鍵合至導(dǎo)電熱沉層上，得到鍵合結(jié)構(gòu)；和

72、(e)去除步驟(d)中所得鍵合結(jié)構(gòu)的晶圓襯底、緩沖層和選擇停止層，露出所述有源結(jié)構(gòu)層的n型半導(dǎo)體層表面；

73、優(yōu)選地，所述步驟(c)中，所述鍵合層的材料選自以下一種或多種：金錫、銦、銅錫、金硅、銀、固化膠；

74、優(yōu)選地，所述步驟(d)中，所述鍵合方法選自以下一種或多種：金屬擴(kuò)散鍵合、金屬共晶鍵合、低溫直接鍵合、等離子體輔助鍵合；

75、優(yōu)選地，所述步驟(e)中，所述晶圓襯底和所述緩沖層的去除方法選自以下一種或多種：襯底減薄方法、化學(xué)機(jī)械拋光方法、濕法腐蝕方法、干法刻蝕方法、激光剝離方法，更優(yōu)選為濕法腐蝕方法或激光剝離方法；所述選擇停止層的去除方法為濕法腐蝕或干法刻蝕。

76、根據(jù)本發(fā)明第二方面的方法，其中，所述步驟(3)中還包括：

77、(f)在所述第一金屬電極上電鍍厚金屬得到導(dǎo)電熱沉層；和

78、(g)去除步驟(1)制備的初始有源結(jié)構(gòu)層的晶圓襯底、緩沖層和選擇停止層，露出所述有源結(jié)構(gòu)層的n型半導(dǎo)體層表面

79、優(yōu)選地，所述步驟(f)中，所述電鍍的金屬選自以下一種或多種：銅、金、鉻、鎳、鋅、銀、鈦，更優(yōu)選為：銅或鉻；和/或

80、優(yōu)選地，所述步驟(g)中，所述晶圓襯底和所述緩沖層的去除方法選自以下一種或多種：襯底減薄方法、化學(xué)機(jī)械拋光方法、濕法腐蝕方法、干法刻蝕方法、激光剝離方法，更優(yōu)選為濕法腐蝕方法或激光剝離方法；所述選擇停止層的去除方法為濕法腐蝕或干法刻蝕。

81、傳統(tǒng)的氧化限制型結(jié)構(gòu)vcsel往往采用外延方式制備上下dbr層實(shí)現(xiàn)對(duì)光場(chǎng)的控制，再通過(guò)后續(xù)的氧化工藝實(shí)現(xiàn)對(duì)電流限制孔徑大小即電場(chǎng)的控制。在本發(fā)明中，采用光刻技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)氧化工藝，避免電流孔徑限制不精確的問(wèn)題；同時(shí)利用上下雙介質(zhì)dbr+透明導(dǎo)電性層代替?zhèn)鹘y(tǒng)外延dbr層，實(shí)現(xiàn)電流擴(kuò)展以及更好的光場(chǎng)限制。

82、本發(fā)明提供了一種雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法，避免傳統(tǒng)vcsel制備工藝的不足。

83、所述雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器的整體結(jié)構(gòu)自下而上依次設(shè)置：

84、導(dǎo)電熱沉層：

85、第一金屬電極；

86、間隔分布的第一金屬電極和第一介質(zhì)dbr層；

87、第一透明導(dǎo)電層；

88、第一絕緣介質(zhì)層，且在第一絕緣介質(zhì)層的中間形成第一電流窗口；

89、p型半導(dǎo)體層；

90、有源層；

91、n型半導(dǎo)體層；

92、第二絕緣介質(zhì)層,且在第二絕緣介質(zhì)層的中間形成第二電流窗口；

93、第二透明導(dǎo)電層

94、間隔分布的第二金屬電極和第二dbr層；

95、第二金屬電極，且在第二金屬電極的中間形成出光窗口；

96、所述雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為：

97、光學(xué)限制層：由上下兩層的介質(zhì)dbr層和兩層透明導(dǎo)電層構(gòu)成；

98、電流限制層：由上下兩層透明導(dǎo)電層和兩層絕緣介質(zhì)層構(gòu)成，透明導(dǎo)電層起到電流擴(kuò)展作用，避免電流堆積；

99、散熱：兼具良好散熱性和導(dǎo)電性的導(dǎo)電熱沉層。

100、所述雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法包括但不僅限于鍵合導(dǎo)電熱沉層和直接絕緣介質(zhì)方法、電鍍導(dǎo)電熱沉層和直接絕緣介質(zhì)方法、鍵合導(dǎo)電熱沉層和埋層絕緣介質(zhì)方法。其中，

101、所述鍵合導(dǎo)電熱沉層和直接絕緣介質(zhì)方法一包括以下步驟：

102、1、提供生長(zhǎng)工藝所需的晶圓襯底；優(yōu)選地，所述晶圓襯底選自以下一種或多種：鎵砷、硅、鍺、鎵氮、銦磷、碳化硅、藍(lán)寶石；

103、2、在晶圓上依次外延生長(zhǎng)緩沖層、選擇停止層、n型半導(dǎo)體層、有源層、p型半導(dǎo)體層；優(yōu)選地，所述外延生長(zhǎng)方法選自金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積和/或分子束外延；

104、3、在p型半導(dǎo)體上制備第一絕緣介質(zhì)層，優(yōu)選地，所述第一絕緣介質(zhì)層的制備方法選自以下一種或多種：原子層沉積、濺射、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、離子束蒸發(fā)；

105、4、在第一絕緣介質(zhì)層上制備第一圖形，以第一圖形為掩膜，利用刻蝕/腐蝕技術(shù)，刻蝕第一絕緣介質(zhì)層至p型半導(dǎo)體層，形成第一電流窗口；

106、5、在第一絕緣介質(zhì)層上制備第一透明導(dǎo)電層；優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電層的制備方法選自以下一種或多種：濺射、蒸發(fā)、離子鍍膜、濕式涂布法、溶膠-凝膠法、高溫?zé)峤鈬娡?、化學(xué)氣相沉積、高溫?zé)峤鈬娡浚?/p>

107、6、在第一透明導(dǎo)電層上制備第一介質(zhì)dbr層；

108、7、在第一介質(zhì)dbr層上制備第二圖形，以第二圖形為掩膜，利用刻蝕/腐蝕技術(shù)，刻蝕第一介質(zhì)dbr層至第一透明導(dǎo)電層，形成第一電極孔；

109、8、沉積第一金屬電極，該金屬電極覆蓋第一介質(zhì)dbr層以及第一電極孔底部的第一透明導(dǎo)電層；

110、9、在第一金屬電極上制備鍵合層；

111、10、將步驟(11)制備的晶圓通過(guò)鍵合層鍵合至導(dǎo)電熱沉層上；

112、11、利用襯底去除技術(shù)去除晶圓襯底以及緩沖層；

113、12、利用濕法腐蝕或干法刻蝕技術(shù)去除選擇停止層，露出n型半導(dǎo)體層表面；

114、13、在n型半導(dǎo)體層上制備第二絕緣介質(zhì)層，優(yōu)選地，所述第二絕緣介質(zhì)層的制備方法選自以下一種或多種：原子層沉積、濺射、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、離子束蒸發(fā)；

115、14、在第二絕緣介質(zhì)層上制備第三圖形，以第三圖形為掩膜，利用刻蝕/腐蝕技術(shù)，刻蝕第二絕緣介質(zhì)層至n型半導(dǎo)體層，形成第二電流窗口；

116、15、在第二絕緣介質(zhì)層上制備第二透明導(dǎo)電層；優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電層的制備方法選自以下一種或多種：濺射、蒸發(fā)、離子鍍膜、濕式涂布法、溶膠-凝膠法、高溫?zé)峤鈬娡?、化學(xué)氣相沉積、高溫?zé)峤鈬娡浚?/p>

117、16、在第二透明導(dǎo)電層上制備第二dbr層；

118、17、在第二dbr層上制備第四圖形，以第四圖形為掩膜，利用刻蝕/腐蝕技術(shù)，刻蝕第二dbr層至第二透明導(dǎo)電層，形成第二電極孔；

119、18、在第二金屬電極上制備第五圖形，以第五圖形為掩膜，沉積第二金屬電極，該金屬電極覆蓋第二dbr層以及第二電極孔底部的第一透明導(dǎo)電層，且在第二dbr層中間形成出光窗口。

120、所述電鍍導(dǎo)電熱沉層和直接絕緣介質(zhì)方法二為用電鍍金屬導(dǎo)電熱沉層的方式替代方法一中的鍵合導(dǎo)電熱沉層。

121、所述鍵合導(dǎo)電熱沉層和埋層絕緣介質(zhì)方法三為用埋層絕緣介質(zhì)層代替方法一中的直接沉積絕緣介質(zhì)層。

122、本發(fā)明技術(shù)方案的關(guān)鍵點(diǎn)在于整體的結(jié)構(gòu)，具體地：

123、1、通過(guò)光刻精確控制電流限制孔徑大小，對(duì)電流形成精確限制，有效地避免原有vcsel路線中氧化工藝對(duì)電流限制窗口的影響問(wèn)題。

124、2、利用上下雙介質(zhì)dbr替換傳統(tǒng)外延dbr技術(shù)路線，緩解部分(inp、gan基)外延壓力的同時(shí)，可以形成更高反射率的諧振腔以實(shí)現(xiàn)對(duì)光場(chǎng)的更好限制。

125、3、透明導(dǎo)電層加入，能實(shí)現(xiàn)良好的電流擴(kuò)展，避免電流堵塞。

126、本發(fā)明的雙介質(zhì)dbr型垂直腔面發(fā)射激光器、其制備方法可以具有但不限于以下有益效果：

127、1、利用在絕緣介質(zhì)層上進(jìn)行光刻的工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)vcsel工藝中對(duì)電流限制層的濕法氧化工藝，精確控制孔徑大小，形成可控大小的電流限制窗口。

128、2、利用介質(zhì)dbr替換傳統(tǒng)外延dbr技術(shù)路線，緩解部分(inp、gan基)外延壓力同時(shí)，僅需更薄dbr層對(duì)就能形成更高反射率的諧振腔，實(shí)現(xiàn)對(duì)光場(chǎng)地更好限制。

129、3、在n、p型半導(dǎo)體上分別制備透明導(dǎo)電層，實(shí)現(xiàn)良好的電流擴(kuò)展，避免電流堵塞引發(fā)的效率變低以及縮短器件壽命。

130、4、通過(guò)將外延結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電性、散熱性較好的導(dǎo)電熱沉層上，去除原始襯底，提升器件的散熱和光電性能。