本發(fā)明涉及顯示器指紋識別技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種顯示器陣列基板、制備方法和顯示器。

背景技術(shù)：

隨著技術(shù)的發(fā)展，很多手機、平板電腦等顯示裝置開始具有指紋識別功能。在指紋識別技術(shù)中指紋采集的主要實現(xiàn)方式有光學式、電容式等。其中采用光學式進行指紋采集的指紋識別技術(shù)的識別范圍相對較大，且成本相對較低。

當前l(fā)cd顯示終端的光學指紋識別多集成在非顯示區(qū)域的觸控板上(比如，home鍵上)。為了保證手指與光學指紋傳感器較近的距離，需要將厚厚的玻璃蓋板(cover)切口以保證手指與感光單元之間具有較近的距離，這樣增加了制造工藝的難度和成本。另外，機械按鍵的存在會降低屏占比。

目前，oled(organiclight-emittingdiode，有機電致發(fā)光二極管)器件由于其具有全固態(tài)結(jié)構(gòu)、高亮度、全視角、響應(yīng)速度快、可柔性顯示等一系列優(yōu)點，已成為極具競爭力和發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。oled的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具半導體特性之銦錫氧化物(indiumtinoxide，簡稱ito)，與陽極相連，再加上另一個陰極，組成如三明治的結(jié)構(gòu)。整個結(jié)構(gòu)層中包括了：空穴傳輸層(holetransportlayer，簡稱htl)、電致發(fā)光(electroluminescent，簡稱el)層與電子傳輸層(electrontransportlayer，簡稱etl)。當電力供應(yīng)至適當電壓時，陽極空穴與陰極電荷就會在發(fā)光層中結(jié)合，產(chǎn)生光亮，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(rgb)三原色，構(gòu)成基本色彩。oled的特性是自己發(fā)光，不像tftlcd需要背光。

如圖1所示，現(xiàn)有oled器件的結(jié)構(gòu)自襯底朝上依次包括：像素補償電路101，陽極103，電致發(fā)光el層105和陰極107。其中，el層105中排列著多個像素單元，每一個像素單元可以包括r(紅)、g(綠)、b(藍)三種子像素單元。

其中，如圖2所示，像素補償電路可以采用2t1c結(jié)構(gòu)或其他結(jié)構(gòu)。以2t1c結(jié)構(gòu)為例，像素補償電路包括第一薄膜晶體管t1、電容c和第二薄膜晶體管t2。其中，第一薄膜晶體管t1的柵極電性連接柵線scan，源極電性連接數(shù)據(jù)信號線data，漏極與第二薄膜晶體管t2的柵極及電容c的一端電性連接；第二薄膜晶體管t2的源極電性連接高電壓端vdd，漏極電性連接有機發(fā)光二極管d的陽極；有機發(fā)光二極管d的陰極電性連接公共接地電極vss；電容c的一端電性連接第一薄膜晶體管t1的漏極，另一端電性連接第二薄膜晶體管t2的漏極。顯示時，柵線scan控制第一薄膜晶體管t1打開，數(shù)據(jù)信號線data的數(shù)據(jù)信號電壓經(jīng)過第一薄膜晶體管t1進入到第二薄膜晶體管t2的柵極及電容c，然后第一薄膜晶體管t1閉合，由于電容c作用，第二薄膜晶體管t2的柵極電壓仍可繼續(xù)保持數(shù)據(jù)信號電壓，使得第二薄膜晶體管t2處于導通狀態(tài)，高電壓信號端vdd與數(shù)據(jù)信號電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流通過第二薄膜晶體管t2進入有機發(fā)光二極管d，驅(qū)動有機發(fā)光二極管d發(fā)光。

因此，針對oled顯示器，如何實現(xiàn)一種新的指紋識別方案，從而省去機械按鍵的限制，是需要解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請?zhí)峁┝艘环N顯示器陣列基板、制備方法和顯示器，能夠?qū)崿F(xiàn)在顯示屏全屏范圍內(nèi)的指紋采集。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示器陣列基板，包括：

光敏感應(yīng)信號采集模塊，用于采集手指谷脊反射的電致發(fā)光el層出射的光信號，將所述采集的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栠M行輸出；

其中，所述光敏感應(yīng)信號采集模塊設(shè)置在電致發(fā)光二極管陣列基板的像素補償電路層與陽極層之間，所述el層在所述陽極層與陰極層之間；所述像素補償電路層在靠近所述陣列基板襯底的一側(cè)，所述陰極層在遠離所述陣列基板襯底的一側(cè)。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示器陣列基板的制備方法，包括：

在電致發(fā)光二極管陣列基板的襯底上形成像素補償電路層；

在所述像素補償電路層的上層形成包含光敏感應(yīng)信號采集模塊的結(jié)構(gòu)層，所述光敏感應(yīng)信號采集模塊用于采集手指谷脊反射的電致發(fā)光el層出射的光信號，將所述采集的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栠M行輸出；

在所述包含光敏感應(yīng)信號采集模塊的結(jié)構(gòu)層的上方形成陽極層，在所述陽極層的上方形成el層，在所述el層的上方形成陰極層。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示器，包括上述顯示器陣列基板。

與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供了一種顯示器陣列基板、制備方法和顯示器。通過在oled陣列基板的像素補償電路層與電致發(fā)光el層之間陣列分布光敏感應(yīng)信號采集模塊，從而采集手指谷脊反射的電致發(fā)光el層出射的光信號，將所述采集的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栠M行輸出，實現(xiàn)了在顯示屏全屏范圍內(nèi)的指紋采集。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術(shù)方案的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的oled器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的oled的像素補償電路的原理示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例1中的一種顯示器陣列基板示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例1中的光電二極管與開關(guān)單元的連接示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例1中光電傳感單元、氧化物薄膜晶體管與像素補償電路的低溫多晶硅薄膜晶體管的位置示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例2中一種顯示器陣列基板的制備方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機可執(zhí)行指令的計算機系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

實施例1

如圖3所示，本發(fā)明實施例提供一種顯示器陣列基板，包括：

光敏感應(yīng)信號采集模塊102，用于采集手指谷脊反射的電致發(fā)光el層105出射的光信號，將所述采集的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栠M行輸出；

其中，所述光敏感應(yīng)信號采集模塊102設(shè)置在電致發(fā)光二極管陣列基板的像素補償電路層101與陽極層103之間，所述el層105在所述陽極層103與陰極層107之間；所述像素補償電路層101在靠近所述陣列基板襯底的一側(cè)，所述陰極層107在遠離所述陣列基板襯底的一側(cè)。

在一種實施方式中，所述光敏感應(yīng)信號采集模塊在所述陣列基板中呈陣列分布。

在一種實施方式中，所述光敏感應(yīng)信號采集模塊包括：光電傳感單元和開關(guān)單元；

所述光電傳感單元，用于采集手指谷脊反射的所述el層出射的光信號，將所述采集的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?，在接收到開關(guān)單元的控制信號后進行輸出；

所述開關(guān)單元，用于向所述光電傳感單元發(fā)送控制信號，所述控制信號用于觸發(fā)所述光電傳感單元輸出電信號。

如圖4所示，所述光電傳感單元是光電二極管200，所述開關(guān)單元是薄膜晶體管201。所述光電二極管200包括：第一電極、感光材料層和第二電極。所述薄膜晶體管201包括：柵極(g)、源極(s)和漏極(d)。

所述光電二極管的第一電極與所述薄膜晶體管的源極連接，所述光電二極管的第二電極與一個提供固定電壓的電源(vdd)連接；

所述薄膜晶體管的柵極連接控制信號線(gate)，所述控制信號線上的控制信號用于控制所述薄膜晶體管的截止或?qū)ǎ凰霰∧ぞw管的漏極連接數(shù)據(jù)讀取信號線(date)，所述數(shù)據(jù)讀取信號線用于采集所述光電傳感單元輸出的電流信號。

光電二極管200將光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘枺诒∧ぞw管201開啟時，對電流信號進行輸出；在薄膜晶體管關(guān)閉時，不輸出電流信號。由于手指指紋谷脊間的差異，光源照射到手指上會產(chǎn)生不同的反射，從而使到達光電二極管處的光強出現(xiàn)變化，產(chǎn)生不同的光電流差異。在多個光敏感應(yīng)信號采集模塊構(gòu)成的陣列結(jié)構(gòu)中，通過薄膜晶體管的控制，各個光電二極管依次輸出電流信號，即可實現(xiàn)對指紋谷脊的檢測。

其中，由于指紋識別需要的光很弱，所以弱光下光電二極管獲取的光電流很低，需要匹配漏電流很低的薄膜晶體管，而采用氧化物(oxide)工藝制作的薄膜晶體管具有漏電流低的特性，能夠滿足要求。

在一種實施方式中，所述像素補償電路包括低溫多晶硅ltps(lowtemperaturepoly-silicon)薄膜晶體管(thinfilmtransistor，簡稱tft)；所述光敏感應(yīng)信號采集模塊的開關(guān)單元包括氧化物薄膜晶體管，所述氧化物薄膜晶體管可以是銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，簡稱igzo)薄膜晶體管。

在一種實施方式中，所述光電傳感單元設(shè)置在所述開關(guān)單元的上方。

在一種實施方式中，所述光電傳感單元是光電二極管，所述光電二極管包括：第一電極、感光材料層和第二電極，所述第一電極與所述氧化物薄膜晶體管的源極連接，所述第二電極與一個提供固定電壓的電源連接；

所述氧化物薄膜晶體管的柵極連接控制信號線，所述控制信號線上的控制信號用于控制所述氧化物薄膜晶體管的截止或?qū)ǎ凰鲅趸锉∧ぞw管的漏極連接數(shù)據(jù)讀取信號線，所述數(shù)據(jù)讀取信號線用于采集所述光電傳感單元輸出的電流信號。

其中，所述光電二極管比如pin光電二極管或者有機光電二極管(organicphotodiodes，簡稱opd)；

如圖5所示，所述像素補償電路的ltps薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底上的多晶硅有源層11、第一柵絕緣層(gateinsulator，簡稱gi)12、第一柵極(gate)13、層間絕緣層(interdayerdielectric，簡稱ild)14、第一源極15、第一漏極16和鈍化層(passivation，簡稱pvx)17。

所述光敏感應(yīng)信號采集模塊的氧化物薄膜晶體管包括依次設(shè)置在所述ltps薄膜晶體管的鈍化層17上的第二柵極18、第二柵絕緣層19、氧化物有源層20、第二源極21、第二漏極22和樹脂層23。

所述光敏感應(yīng)信號采集模塊的光電二極管包括依次設(shè)置在所述第二開關(guān)單元的樹脂層23上的第一電極24、感光材料層25和第二電極26。

在一種實施方式中，所述電致發(fā)光二極管可以是oled(organiclight-emittingdiode，有機電致發(fā)光二極管)或qled(quantumdotlight-emittingdiode，量子點電致發(fā)光二極管)。

實施例2

如圖6所示，本發(fā)明實施例提供一種顯示器陣列基板的制備方法，包括：

步驟s10，在電致發(fā)光二極管陣列基板的襯底上形成像素補償電路層；

步驟s20，在所述像素補償電路層的上層形成包含光敏感應(yīng)信號采集模塊的結(jié)構(gòu)層，所述光敏感應(yīng)信號采集模塊用于采集手指谷脊反射的電致發(fā)光el層出射的光信號，將所述采集的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘栠M行輸出；

步驟s30，在所述包含光敏感應(yīng)信號采集模塊的結(jié)構(gòu)層的上方形成陽極層，在所述陽極層的上方形成el層，在所述el層的上方形成陰極層。

在一種實施方式中，所述光敏感應(yīng)信號采集模塊包括：光電傳感單元和開關(guān)單元；

所述光電傳感單元，用于采集手指谷脊反射的所述el層出射的光信號，將所述采集的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枺诮邮盏介_關(guān)單元的控制信號后進行輸出；

所述開關(guān)單元，用于向所述光電傳感單元發(fā)送控制信號，所述控制信號用于觸發(fā)所述光電傳感單元輸出電信號。

在一種實施方式中，所述在電致發(fā)光二極管陣列基板的襯底上形成像素補償電路層，包括：在所述襯底上形成低溫多晶硅薄膜晶體管：

在所述襯底上形成多晶硅有源層；

形成覆蓋所述多晶硅有源層的第一柵絕緣層；

在所述第一柵絕緣層上形成第一柵極；

形成覆蓋所述第一柵極的層間絕緣層；

在所述層間絕緣層上形成第一源極和第一漏極，所述第一源極和第一漏極通過開設(shè)在層間絕緣層和第一柵絕緣層上的過孔與多晶硅有源層連通；

在所述層間絕緣層上形成覆蓋所述第一源極和第一漏極的鈍化層。

在一種實施方式中，所述在所述像素補償電路層的上層形成包含光敏感應(yīng)信號采集模塊的結(jié)構(gòu)層，包括：

在所述像素補償電路層的上層形成包含開關(guān)單元的第一結(jié)構(gòu)層，在所述第一結(jié)構(gòu)層的上層形成包含光電傳感單元的第二結(jié)構(gòu)層。

在一種實施方式中，所述在所述像素補償電路層的上層形成包含開關(guān)單元的第一結(jié)構(gòu)層，包括：在所述像素補償電路層的上層形成包含氧化物薄膜晶體管的第一結(jié)構(gòu)層：

在所述像素補償電路層的上層形成第二柵極；

形成覆蓋所述第二柵極的第二柵絕緣層；

在所述第二柵絕緣層上形成氧化物有源層；

在所述氧化物有源層的同層形成第二源極和第二漏極，所述第二源極和第二漏極與所述氧化物有源層連通；

在所述氧化物有源層上形成覆蓋所述第二源極和第二漏極的樹脂層；

將所述氧化物薄膜晶體管的柵極與控制信號線連接，所述控制信號線上的控制信號用于控制所述薄膜晶體管的截止或?qū)?；將所述氧化物薄膜晶體管的漏極與數(shù)據(jù)讀取信號線連接，所述數(shù)據(jù)讀取信號線用于采集所述光電傳感單元輸出的電流信號。

在一種實施方式中，所述在所述第一結(jié)構(gòu)層的上層形成包含光電傳感單元的第二結(jié)構(gòu)層，包括：在所述第一結(jié)構(gòu)層的上層形成包含光電二極管的第二結(jié)構(gòu)層：

在所述第一結(jié)構(gòu)層的上層依次形成光電二極管的第一電極、感光材料層和第二電極；

將所述光電二極管的第一電極與氧化物薄膜晶體管的源極連接，將所述光電二極管的第二電極與一個提供固定電壓的電源連接。

在一種實施方式中，所述電致發(fā)光二極管可以是oled(organiclight-emittingdiode，有機電致發(fā)光二極管)或qled(quantumdotlight-emittingdiode，量子點電致發(fā)光二極管)。

實施例3

本發(fā)明實施例提供一種顯示器，包括上述顯示器陣列基板。

雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式及細節(jié)上進行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。