【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

通常，顯示裝置包括顯示面板和背光模組，其中顯示面板用于顯示畫(huà)面，但顯示面板本身不能發(fā)光，需要靠背光模組為其提供光線(xiàn)。

顯示面板包括陣列基板、彩膜基板和位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，其中，陣列基板朝向背光模組設(shè)置，陣列基板上設(shè)置有多個(gè)薄膜晶體管，薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)對(duì)光照敏感，現(xiàn)有技術(shù)中有源層的的朝向背光模組的一側(cè)設(shè)置有遮光層，用以遮擋由背光模組射向薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)的光線(xiàn)。

本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)背光模組照射至陣列基板上的光線(xiàn)較強(qiáng)時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)中的遮光層對(duì)光線(xiàn)的遮擋效果不好，穿過(guò)遮光層照射至薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)上的光線(xiàn)仍然較強(qiáng)，使得薄膜晶體管的光漏流嚴(yán)重，進(jìn)而導(dǎo)致顯示面板出現(xiàn)串?dāng)_和殘影等不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中因薄膜晶體管中的有源層的溝道區(qū)光照嚴(yán)重，而造成薄膜晶體管的光漏流嚴(yán)重的技術(shù)問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板，以及沿遠(yuǎn)離所述襯底基板方向依次設(shè)置的輔助遮光層、絕緣層、主遮光層和緩沖層，所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有多條沿第一方向延伸的柵線(xiàn)和多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)，多條所述柵線(xiàn)和多條所述數(shù)據(jù)線(xiàn)限定出多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管；

其中，所述輔助遮光層包括多個(gè)第一輔助遮光部，所述主遮光層包括多個(gè)主遮光部，所述薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在所述陣列基板上的正投影，位于所述主遮光部在所述陣列基板上的正投影內(nèi)，且所述薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在所述陣列基板上的正投影，位于所述第一輔助遮光部在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括以上任一項(xiàng)所述的陣列基板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括以上所述的顯示面板。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板的制作方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成輔助遮光層，所述輔助遮光層包括多個(gè)第一輔助遮光部；

在形成了所述輔助遮光層的所述襯底基板上，形成絕緣層；

在形成了所述絕緣層的所述襯底基板上，形成主遮光層，所述主遮光層包括多個(gè)主遮光部；

在形成了所述主遮光層的所述襯底基板上，形成緩沖層；

在形成了所述緩沖層的所述襯底基板上，形成多條沿第一方向延伸的柵線(xiàn)和多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)，多條所述柵線(xiàn)和多條所述數(shù)據(jù)線(xiàn)限定出多個(gè)像素區(qū)域；

在所述像素區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在所述陣列基板上的正投影，位于所述主遮光部在所述陣列基板上的正投影內(nèi)，且所述薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在所述陣列基板上的正投影，位于所述第一輔助遮光部在所述陣列基板上的正投影內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，其中，陣列基板的襯底基板上依次設(shè)置的輔助遮光層、絕緣層、主遮光層和緩沖層，輔助遮光層包括多個(gè)第一輔助遮光部，主遮光層包括多個(gè)主遮光部，由于薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在陣列基板上的正投影，位于主遮光部在陣列基板上的正投影內(nèi)，且薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在陣列基板上的正投影，位于第一輔助遮光部在陣列基板上的正投影內(nèi)，上述主遮光部相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的遮光層，從而使得在本發(fā)明實(shí)施例中從背光模組照射向薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)的光線(xiàn)不僅會(huì)受到主遮光部的遮擋，還會(huì)受到第一輔助遮光部的遮擋，因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有效減小了照射至薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)的光線(xiàn)的強(qiáng)度，進(jìn)而可以降低薄膜晶體管的光漏流，進(jìn)而改善顯示面板的串?dāng)_和殘影等不良。

【附圖說(shuō)明】

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖一；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖二；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖三；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖1、圖2和圖3沿a-a’方向的截面示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖四；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖五；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖1和圖2沿b-b’方向的截面示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)的反射率對(duì)比圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示面板的截面示意圖；

圖10是本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的俯視圖；

圖11是本發(fā)明實(shí)施例所提供的方案一、方案二與現(xiàn)有技術(shù)的色偏對(duì)比圖；

圖12是本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的俯視圖；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1、圖2、圖3和圖4所示，圖1～圖3是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖一～三，需要說(shuō)明的是，圖1～圖3所示為同一陣列基板，為清楚地示出陣列基板1包括的柵線(xiàn)60、數(shù)據(jù)線(xiàn)70、主遮光層40和輔助遮光層20各自與薄膜晶體管80之間的相對(duì)位置關(guān)系，上述圖1中僅示出柵線(xiàn)60、數(shù)據(jù)線(xiàn)70和薄膜晶體管80，圖2中僅示出輔助遮光層20和薄膜晶體管80，圖3中僅示出主遮光層40和薄膜晶體管80，圖4是本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖1、圖2和圖3沿a-a’方向的截面示意圖，陣列基板1包括襯底基板10，以及沿遠(yuǎn)離襯底基板10方向依次設(shè)置的輔助遮光層20、絕緣層30、主遮光層40和緩沖層50，緩沖層50遠(yuǎn)離襯底基板10的一側(cè)設(shè)置有多條沿第一方向x延伸的柵線(xiàn)60和多條沿第二方向y延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)70，多條柵線(xiàn)60和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)70限定出多個(gè)像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管80。

其中，如圖2、圖3和圖4所示，輔助遮光層20包括多個(gè)第一輔助遮光部21，主遮光層40包括多個(gè)主遮光部41，薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影位于主遮光部41在陣列基板1上的正投影內(nèi)，且薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影位于第一輔助遮光部21在陣列基板1上的正投影內(nèi)。其中，所述多個(gè)主遮光部41沿著第一方向x延伸，并沿著第二方向y排布。在本實(shí)施例中，主遮光部41為主遮光層40中的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)。

需要補(bǔ)充的是，薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)指的是有源層81中與柵極重疊的部分，有源層81的其他部分用于與薄膜晶體管的源極和漏極電連接，在柵極上施加有薄膜晶體管80的導(dǎo)通電壓時(shí)，溝道區(qū)中載流子可發(fā)生定向移動(dòng)，溝道區(qū)處于導(dǎo)電狀態(tài)，薄膜晶體管80的源極和漏極之間導(dǎo)通，薄膜晶體管80處于導(dǎo)通狀態(tài)，在柵極上未施加薄膜晶體管80的導(dǎo)通電壓時(shí)，溝道區(qū)處于不導(dǎo)電狀態(tài)，薄膜晶體管80的源極和漏極之間不導(dǎo)通，薄膜晶體管80處于截止?fàn)顟B(tài)。

示例性地，如圖1～圖4所示，薄膜晶體管80包括有源層81、柵極82、源極83和漏極84，可選地，本發(fā)明實(shí)施例中的有源層81為u型，其與柵線(xiàn)60具有兩處交疊，且與數(shù)據(jù)線(xiàn)70具有交疊，有源層81與柵線(xiàn)60的交疊部分作為其溝道區(qū)，有源層81未與柵線(xiàn)60交疊的區(qū)域在制作時(shí)需要進(jìn)行摻雜，用以降低該區(qū)域的電阻，改善有源層81與源極83和漏極84之間的電連接性能。柵線(xiàn)60與有源層81交疊的部分直接作為柵極82，數(shù)據(jù)線(xiàn)70的與有源層81交疊的部分直接作為源極83。如此設(shè)置，可以使得薄膜晶體管80具有雙溝道，有助于降低薄膜晶體管80的漏電流。

本發(fā)明實(shí)施例中的主遮光層40相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的遮光層，從而使得在本發(fā)明實(shí)施例中從背光模組照射向薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的光線(xiàn)不僅會(huì)受到主遮光層40的遮擋，還會(huì)受到第一輔助遮光部21的遮擋，因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有效減小了照射至薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的光線(xiàn)的強(qiáng)度，進(jìn)而可以降低薄膜晶體管80的光漏流，進(jìn)而改善顯示面板的串?dāng)_和殘影等不良。

當(dāng)然現(xiàn)有技術(shù)中也存在一些提高遮光層遮光效果的方式，例如，將遮光層加厚(例如，遮光層的厚度為150nm)，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的材質(zhì)為多晶硅時(shí)，有源層81的溝道區(qū)對(duì)光照更敏感，若直接將現(xiàn)有技術(shù)中的遮光層加厚，雖然可以改善遮光層的遮光效果，減小薄膜晶體管的光漏流，但是，由于遮光層的材質(zhì)一般為鉬(mo)或者鋁(al)等，具有良好的導(dǎo)熱性，在遮光層的厚度加大后，會(huì)在將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅的激光晶化制程中，導(dǎo)致溫度不夠，晶化不完全。

而采用本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，上述主遮光層40包括主遮光部41相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的遮光層，其厚度較小，在將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅的激光晶化制程中，不會(huì)導(dǎo)走過(guò)多的熱量，保證了溫度，可以有效提高非晶硅的晶化程度，而且緩沖層50的厚度也無(wú)需增加，不會(huì)影響薄膜晶體管80與其他結(jié)構(gòu)之間的耦合電容，有利于維持薄膜晶體管80的電性能。

由以上所述可知，主遮光部41的厚度越小，其對(duì)非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅的激光晶化過(guò)程影響越小，因此，本發(fā)明實(shí)施例中選擇主遮光層40的厚度小于輔助遮光層20的厚度，從而可以在保證主遮光層40和輔助遮光層20的遮光效果的同時(shí)，避免對(duì)非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅的激光晶化過(guò)程影響過(guò)大?？蛇x地，本發(fā)明實(shí)施例中的主遮光層40的厚度為30nm～60nm，例如35nm。可選地，輔助遮光層20的厚度為90nm～120nm，例如115nm?？蛇x地，緩沖層50的材質(zhì)為氧化硅，厚度為200nm～400nm。

另外，可選地，輔助遮光層20的材質(zhì)為鋁或者鉬；絕緣層30的材質(zhì)為氮化硅；絕緣層30的厚度為200nm～300nm。本發(fā)明實(shí)施例中主遮光層40的材質(zhì)也可以為鋁或者鉬。其中，輔助遮光層20的材質(zhì)與主遮光層40的材質(zhì)可以相同，也可以不同，本發(fā)明實(shí)施例不進(jìn)行限定，例如，主遮光層40的材質(zhì)為鉬，輔助遮光層20的材質(zhì)為鋁。

由之前所述可知，本發(fā)明實(shí)施例中薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，位于主遮光部41在陣列基板1上的正投影內(nèi)，且薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影位于第一輔助遮光部21在陣列基板1上的正投影內(nèi)，在滿(mǎn)足上述投影關(guān)系的情況下，輔助遮光層20包括的第一輔助遮光部21，以及主遮光層40包括的主遮光部41的具體結(jié)構(gòu)可以有多種，下面本發(fā)明實(shí)施例舉例進(jìn)行描述。

可選地，如圖2和圖5所示，圖5是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖四，第一輔助遮光部21為沿第一方向x延伸的條狀結(jié)構(gòu)。其中，如圖2所示，第一輔助遮光部21為條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)第一輔助遮光部21的長(zhǎng)度與其延伸方向上設(shè)置的所有的薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)，此時(shí)，其延伸方向上的所有薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影均位于該第一輔助遮光部21在陣列基板1上的正投影內(nèi)，該第一輔助遮光部21用于遮擋沿其延伸方向上設(shè)置的所有薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)。如圖5所示，第一輔助遮光部21為條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)第一輔助遮光部21的長(zhǎng)度僅與一個(gè)薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)，此時(shí)，一個(gè)薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，位于其對(duì)應(yīng)的一個(gè)第一輔助遮光部21在陣列基板1上的正投影內(nèi)，該第一輔助遮光部21僅用于遮擋該薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)。

可選地，如圖3和圖6所示，圖6是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖五，主遮光部41為沿第一方向x延伸的條狀結(jié)構(gòu)。其中，如圖3所示，主遮光部41為條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)主遮光部41的長(zhǎng)度與其延伸方向上設(shè)置的所有的薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)，此時(shí)，其延伸方向上的所有薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，均位于該主遮光部41在陣列基板1上的正投影內(nèi)，該主遮光部41用于遮擋沿其延伸方向上設(shè)置的所有薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)。如圖6所示，主遮光部41為條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)主遮光部41的長(zhǎng)度僅與一個(gè)薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)，此時(shí)，一個(gè)薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，位于其對(duì)應(yīng)的一個(gè)主遮光部41在陣列基板1上的正投影內(nèi)，該主遮光部41僅用于遮擋該薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)。

此外，如圖2和圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例中的輔助遮光層20還包括多個(gè)第二輔助遮光部22，第二輔助遮光部22為沿第二方向y延伸的條狀結(jié)構(gòu)。如圖7所示，圖7是本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖1和圖2沿b-b’方向的截面示意圖，第二輔助遮光部22可以遮擋從斜向射向陣列基板1的光線(xiàn)，不僅可以進(jìn)一步減小照射至薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的光線(xiàn)的強(qiáng)度，進(jìn)而進(jìn)一步降低薄膜晶體管80的光漏流，進(jìn)一步改善顯示面板的串?dāng)_和殘影等不良，還可以改善顯示面板的視角和色偏現(xiàn)象。其中，斜向指的是不與陣列基板1所在平面垂直的方向。

其中，如圖2所示，第二輔助遮光部22為條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)第二輔助遮光部22的長(zhǎng)度與其延伸方向上設(shè)置的所有像素區(qū)域的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，或者，如圖5所示，第二輔助遮光部22為條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)第二輔助遮光部22的長(zhǎng)度僅與一個(gè)像素區(qū)域在其延伸方向上的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)。

可選地，如圖7所示，圖7是本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖1和圖2沿b-b’方向的截面示意圖，圖7中箭頭指示的是射向陣列基板1的光線(xiàn)，數(shù)據(jù)線(xiàn)70在陣列基板1上的正投影位于第二輔助遮光部22在陣列基板1上的正投影內(nèi)，從而使得在垂直于陣列基板1的方向上，第二輔助遮光部22和數(shù)據(jù)線(xiàn)70的遮光面積較小，使得第二輔助遮光層22的設(shè)計(jì)對(duì)顯示面板的穿透率的影響最小。

可選地，如圖1和圖2所示，第二輔助遮光部22與數(shù)據(jù)線(xiàn)70一一對(duì)應(yīng)，從而使得在第一方向x上，每個(gè)薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的兩側(cè)均設(shè)置有第二輔助遮光部22，進(jìn)而可以進(jìn)一步減小照射至薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的光線(xiàn)的強(qiáng)度，進(jìn)而進(jìn)一步降低薄膜晶體管80的光漏流，進(jìn)一步改善顯示面板的串?dāng)_和殘影等不良。

其中，如圖2所示，輔助遮光層20包括多個(gè)第一輔助遮光部21和多個(gè)第二輔助遮光部22，且第一輔助遮光部21為沿第一方向x延伸的條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)第一輔助遮光部21的長(zhǎng)度與其延伸方向上設(shè)置的所有的薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)相對(duì)應(yīng)，第二輔助遮光部22為沿第二方向y延伸的條狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)第二輔助遮光部22的長(zhǎng)度與其延伸方向上設(shè)置的所有像素區(qū)域的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，且第二輔助遮光部22與數(shù)據(jù)線(xiàn)70一一對(duì)應(yīng)時(shí)，整個(gè)輔助遮光層20呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，均勻分布在整個(gè)陣列基板1上，從而可以使得輔助遮光層20上的溫度分布均勻，不會(huì)造成局部溫度過(guò)高，進(jìn)而可以避免因局部溫度過(guò)高對(duì)薄膜晶體管80的器件穩(wěn)定性的影響，而且還可以具有較好的遮光效果。

為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更直觀地了解本發(fā)明實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比在遮光方面的優(yōu)勢(shì)，下面本發(fā)明實(shí)施例對(duì)輔助遮光層20具有如圖2所示的結(jié)構(gòu)的方案(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為本方案)，與現(xiàn)有技術(shù)中僅設(shè)置遮光層的技術(shù)方案(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為現(xiàn)有技術(shù))的遮光效果進(jìn)行對(duì)比，其中，現(xiàn)有技術(shù)中遮光層的厚度為35nm，材質(zhì)為鉬，本發(fā)明實(shí)施例中主遮光層40的厚度為35nm，材質(zhì)為鉬，第一輔助遮光層20的厚度為115nm，材質(zhì)為鋁。如圖8所示，圖8是本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)的反射率對(duì)比圖，其中，橫坐標(biāo)表示波長(zhǎng)，圖8中用wavelength表示，縱坐標(biāo)表示反射率，圖8中用reflectance表示，針對(duì)波長(zhǎng)范圍為400nm～700nm的可見(jiàn)光，本方案的遮光效果均遠(yuǎn)大于現(xiàn)有技術(shù)的遮光效果，例如，在波長(zhǎng)為400nm時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案可反射約92％的光線(xiàn)，而現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案僅能反射約55％的光線(xiàn)。

此外，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，如圖9所示，圖9是本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示面板的截面示意圖，本發(fā)明實(shí)施例中的顯示面板包括以上任一項(xiàng)所述的陣列基板1。具體地，如圖9所示，上述顯示面板還包括與陣列基板1相對(duì)設(shè)置的彩膜基板2，以及位于陣列基板1和彩膜基板2之間的液晶層3。其中，如圖10所示，圖10是本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的俯視圖，彩膜基板2上設(shè)置有黑矩陣201和色阻202，黑矩陣201與陣列基板1上的柵線(xiàn)60、數(shù)據(jù)線(xiàn)70和薄膜晶體管80相對(duì)應(yīng)，用于遮擋柵線(xiàn)60、數(shù)據(jù)線(xiàn)70和薄膜晶體管80。具體地，如圖10所示，黑矩陣201包括沿第一方向x延伸的第一黑矩陣201a，以及沿第二方向y延伸的第二黑矩陣201b，色阻202包括不同顏色的色阻202，例如色阻202包括紅色色阻202a、綠色色阻202b和藍(lán)色色阻202c，紅色色阻202a、綠色色阻202b和藍(lán)色色阻202c在第一方向x上交替設(shè)置。

如圖2和圖5所示，當(dāng)陣列基板1上的輔助遮光層20還包括多個(gè)第二輔助遮光部22，第二輔助遮光部22為沿第二方向y延伸的條狀結(jié)構(gòu)時(shí)，第二輔助遮光部22可以遮擋從斜向射向陣列基板1的光線(xiàn)，不僅可以進(jìn)一步減小照射至薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的光線(xiàn)的強(qiáng)度，進(jìn)而進(jìn)一步降低薄膜晶體管80的光漏流，進(jìn)一步改善顯示面板的串?dāng)_和殘影等不良，還可以改善顯示面板的視角和色偏現(xiàn)象。此時(shí)，若只需保證本發(fā)明實(shí)施例中的顯示面板的視角及色偏與現(xiàn)有技術(shù)相同，則顯示面板中的彩膜基板2上的第二黑矩陣21b的寬度可以適當(dāng)減小，進(jìn)而可以提升顯示面板的穿透率。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需求選擇改善色偏和視角的方案，或者，提升顯示面板的穿透率的方案，此處不進(jìn)行限定。

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員更直觀地了解本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案在遮光方面以及提升顯示面板的穿透率方面的優(yōu)勢(shì)，下面本發(fā)明實(shí)施例對(duì)輔助遮光層20具有如圖2所示的結(jié)構(gòu)，第二黑矩陣201b具有不同的寬度時(shí)的兩個(gè)方案(以下分別簡(jiǎn)稱(chēng)為方案一和方案二)，與現(xiàn)有技術(shù)中僅設(shè)置遮光層的技術(shù)方案(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為現(xiàn)有技術(shù))進(jìn)行對(duì)比。其中，現(xiàn)有技術(shù)中遮光層的厚度為35nm，材質(zhì)為鉬，沿第二方向y延伸的黑矩陣的寬度為5.5μm；方案一中主遮光層40的厚度為35nm，材質(zhì)為鉬，輔助遮光層20的厚度為115nm，材質(zhì)為鋁，第二黑矩陣201b的寬度為5.5μm；方案二中主遮光層40的厚度為35nm，材質(zhì)為鉬，輔助遮光層20的厚度為115nm，材質(zhì)為鋁，第二黑矩陣201b的寬度為5.0μm。如圖11所示，圖11是本發(fā)明實(shí)施例所提供的方案一、方案二與現(xiàn)有技術(shù)的色偏對(duì)比圖，方案一與現(xiàn)有技術(shù)相比，較大視角(例如，視角大于或等于40°)對(duì)應(yīng)的色偏有明顯改善，二者的顯示面板的穿透率相同，均為5.15％，方案二與現(xiàn)有技術(shù)相比，雖然各視角對(duì)應(yīng)的色偏無(wú)改善，但由于第二黑矩陣201b的寬度從5.5μm降低到5.0μm，因此，顯示面板的穿透率提升至5.28％，漲幅約為2.5％。其中，圖11中色偏用△u’v’表示，△u’v’越大，代表色偏越差。

此外，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，如圖12所示，圖12是本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的俯視圖，顯示裝置包括以上所述的顯示面板600。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以是例如智能手機(jī)、可穿戴式智能手表、智能眼鏡、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀、車(chē)載顯示器、電子書(shū)等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

顯示裝置還包括位于靠近顯示面板600包括的陣列基板1設(shè)置的背光模組，背光模組為顯示面板提供光線(xiàn)。

可選地，本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置為抬頭顯示器，該抬頭顯示器應(yīng)用于汽車(chē)中，該抬頭顯示器可以將顯示畫(huà)面投射至汽車(chē)的擋風(fēng)玻璃上，從而使得駕駛員抬頭即可觀看到顯示畫(huà)面，安全性更高。但由于擋風(fēng)玻璃在顯示畫(huà)面的同時(shí)，能夠透射外界光線(xiàn)，從而使得抬頭顯示器包括的背光模組的亮度需要很高(例如，高達(dá)百萬(wàn)nit級(jí)別)才會(huì)使顯示畫(huà)面清楚。因此，顯示裝置為抬頭顯示器時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案的優(yōu)勢(shì)更明顯。

此外，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括：

提供一襯底基板。

在襯底基板上形成輔助遮光層，輔助遮光層包括多個(gè)第一輔助遮光部。可選地，在襯底基板上形成的輔助遮光層還包括多個(gè)第二輔助遮光部。其中，第一輔助遮光部和第二輔助遮光部的具體結(jié)構(gòu)以及輔助遮光層的材質(zhì)和厚度均可參見(jiàn)之前對(duì)陣列基板的相關(guān)描述，此處不再進(jìn)行贅述。

在形成了輔助遮光層的襯底基板上，形成絕緣層。

在形成了絕緣層的襯底基板上，形成主遮光層，主遮光層包括多個(gè)主遮光部。其中，主遮光部的具體結(jié)構(gòu)以及主遮光層的材質(zhì)和厚度均可參見(jiàn)之前對(duì)陣列基板1的相關(guān)描述，此處不再進(jìn)行贅述。

在形成了主遮光層的襯底基板上，形成緩沖層。

在形成了緩沖層的襯底基板上，形成多條沿第一方向延伸的柵線(xiàn)和多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)，多條柵線(xiàn)和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)限定出多個(gè)像素區(qū)域。

在像素區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管，薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在陣列基板上的正投影，位于主遮光部在陣列基板上的正投影內(nèi)，且薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)在陣列基板上的正投影，位于第一輔助遮光部在陣列基板上的正投影內(nèi)。

其中，形成薄膜晶體管的步驟包括多個(gè)子步驟，其中的一些子步驟與以上各步驟可以同時(shí)進(jìn)行，基于此，下面本發(fā)明實(shí)施例對(duì)陣列基板的制作方法進(jìn)行舉例說(shuō)明：

如圖1～圖4以及圖13所示，圖13是本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法的流程圖，陣列基板1的制作方法包括：

步驟s1、提供一襯底基板10。

步驟s2、在襯底基板10上形成輔助遮光層20，輔助遮光層20包括多個(gè)第一輔助遮光部21和多個(gè)第二輔助遮光部22。

步驟s3、在形成了輔助遮光層20的襯底基板10上，形成絕緣層30。

步驟s4、在形成了絕緣層30的襯底基板10上，形成主遮光層40，主遮光層40包括多個(gè)主遮光部41。

步驟s5、在形成了主遮光層40的襯底基板10上，形成緩沖層50。

步驟s6、在形成了緩沖層50的襯底基板10上，形成薄膜晶體管80的有源層81，其中，薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，位于主遮光部41在陣列基板1上的正投影內(nèi)，且薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，位于第一輔助遮光部21在陣列基板1上的正投影內(nèi)。示例性地，有源層80為u型。

可選地，薄膜晶體管80的有源層81的材質(zhì)為多晶硅時(shí)，在形成了緩沖層50的襯底基板10上，形成薄膜晶體管80的有源層81具體包括：在形成了緩沖層50的襯底基板10上，形成一層非晶硅，對(duì)非晶硅進(jìn)行激光晶化形成多晶硅，進(jìn)而形成材質(zhì)為多晶硅的有源層81。

步驟s7、在形成了薄膜晶體管80的有源層81的襯底基板10上，形成柵極絕緣層90。

步驟s8、在形成了柵極絕緣層90的襯底基板10上，形成多條沿第一方向x延伸的柵線(xiàn)60，其中，柵線(xiàn)60具有和薄膜晶體管80的有源層801交疊的部分，此交疊部分直接作為薄膜晶體管80的柵極82。

步驟s9、在形成了多條沿第一方向x延伸的柵線(xiàn)60的襯底基板10上，形成層間絕緣層100，并在層間絕緣層100和柵極絕緣層90上形成與薄膜晶體管80的源極83對(duì)應(yīng)的第一過(guò)孔v1，以及與薄膜晶體管80的漏極84對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔v2。

步驟s10、在形成了具有第一過(guò)孔v1和第二過(guò)孔v2的層間絕緣層100的襯底基板10上，形成數(shù)據(jù)線(xiàn)70和薄膜晶體管的漏極84，其中，數(shù)據(jù)線(xiàn)70具有和薄膜晶體管80的有源層81交疊的部分，此交疊部分直接作為薄膜晶體管80的源極83，薄膜晶體管80的源極83通過(guò)第一過(guò)孔v1與薄膜晶體管80的有源層81連接，薄膜晶體管80的漏極84通過(guò)第二過(guò)孔v2與薄膜晶體管80的有源層81連接。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，其中，陣列基板1的襯底基板10上依次設(shè)置的輔助遮光層20、絕緣層30、主遮光層40和緩沖層50，輔助遮光層20包括多個(gè)第一輔助遮光部21，主遮光層40包括多個(gè)主遮光部41，由于薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，位于主遮光部41在陣列基板1上的正投影內(nèi)，且薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)在陣列基板1上的正投影，位于第一輔助遮光部21在陣列基板上的正投影內(nèi)，上述主遮光部41相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的遮光層，從而使得在本發(fā)明實(shí)施例中從背光模組照射向薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的光線(xiàn)不僅會(huì)受到主遮光部41的遮擋，還會(huì)受到第一輔助遮光部21的遮擋，因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有效減小了照射至薄膜晶體管80的有源層81的溝道區(qū)的光線(xiàn)的強(qiáng)度，進(jìn)而可以降低薄膜晶體管80的光漏流，進(jìn)而改善顯示面板的串?dāng)_和殘影等不良。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。