本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種陣列基板的制作方法及顯示裝置的制作方法。
背景技術(shù):
薄膜晶體管(tft)是有源矩陣液晶顯示屏(amlcd)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(amoled)顯示屏的像素驅(qū)動部件,在實(shí)現(xiàn)大尺寸、高清晰度、高幀頻率的顯示中起著重要作用。目前tft的有源層材料主要有氫化非晶硅、低溫多晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體和氧化物半導(dǎo)體,其中,氧化物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率和好的均勻性,適用于驅(qū)動amlcd和amoled。為了實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示,tft器件尺寸需要實(shí)現(xiàn)“小型化”,而實(shí)現(xiàn)背溝道刻蝕(bce)結(jié)構(gòu)是tft器件尺寸“小型化”的關(guān)鍵。
在bce結(jié)構(gòu)中,為了減少電容串?dāng)_并降低功耗,通常在源極和漏極與電極層(像素電極或公共電極)之間增設(shè)有平坦化層。此外,電路設(shè)計(jì)中為了達(dá)到一定存儲電容,會在電極層之上增加金屬功能層。在制作這種結(jié)構(gòu)的陣列基板的過程中,在進(jìn)行電極層與金屬功能層的刻蝕時(shí),一般會選用htm(halftone工藝)工藝同時(shí)刻蝕電極層與金屬功能層,以降低成本。而htm工藝涉及一步灰化工序,即,在利用多灰階掩膜層使金屬功能層的整層膜層形成電極層所需圖案之后,需要對該多灰階掩膜層進(jìn)行灰化處理;然后,利用經(jīng)灰化處理后的多灰階掩膜層使金屬功能層的整層膜層形成金屬功能層所需圖案。
但是,由于灰化氣體為氧氣,在進(jìn)行灰化處理時(shí)氧氣被電離會產(chǎn)生大量的電荷。大量電荷在遇到電極層的整層膜層(ito)之后極易產(chǎn)生電荷的聚集現(xiàn)象,從而在整層膜層的表面產(chǎn)生電弧放電,進(jìn)而會影響膜層的性質(zhì)與產(chǎn)品特性,嚴(yán)重時(shí)還會對設(shè)備產(chǎn)生損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一,提出了一種陣列基板的制作方法及顯示裝置的制作方法,其可以保證膜層的性質(zhì)與產(chǎn)品特性,以及保證工藝順利并安全的進(jìn)行。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種陣列基板的制作方法,包括:
在平坦化層上依次形成電極層的整層膜層和金屬功能層的整層膜層;
利用多灰階掩膜層使所述金屬功能層的整層膜層形成所述電極層所需圖案;
對所述多灰階掩膜層進(jìn)行灰化處理;
利用具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層使所述電極層的整層膜層形成所述電極層所需圖案;
利用經(jīng)灰化處理后的所述多灰階掩膜層使具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層形成所述金屬功能層所需圖案;
還包括:
在所述對所述多灰階掩膜層進(jìn)行灰化處理之前,在所述電極層的整層膜層的未被具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層覆蓋的部分之上形成絕緣保護(hù)層。
優(yōu)選的,所述絕緣保護(hù)層的形成包括:
在所述平坦化層上依次形成所述電極層的整層膜層、金屬層的整層膜層和所述金屬功能層的整層膜層;
利用所述多灰階掩膜層使所述金屬功能層的整層膜層形成所述電極層所需圖案;
對所述金屬層的整層膜層的未被具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層覆蓋的部分進(jìn)行氧化處理,獲得透明、且絕緣的金屬氧化層用作所述絕緣保護(hù)層。
優(yōu)選的,所述金屬層包括鋁。
優(yōu)選的,所述金屬層的厚度在
優(yōu)選的,采用磁控濺射方法沉積所述金屬層的整層膜層。
優(yōu)選的,采用離子注入設(shè)備對所述金屬層的整層膜層的未被具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層覆蓋的部分進(jìn)行氧化處理。
優(yōu)選的,在對所述金屬層的整層膜層的未被具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層覆蓋的部分進(jìn)行氧化處理,獲得透明、且絕緣的金屬氧化層用作所述絕緣保護(hù)層之后,包括:
對所述多灰階掩膜層進(jìn)行灰化處理;
利用具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層同時(shí)去除所述金屬氧化層,和所述電極層的整層膜層的未被所述金屬功能層覆蓋的部分,從而形成所述電極層所需圖案;
利用經(jīng)灰化處理后的所述多灰階掩膜層使具有所述電極層所需圖案的所述金屬功能層形成所述金屬功能層所需圖案。
優(yōu)選的,所述利用所述多灰階掩膜層使所述金屬功能層的整層膜層形成所述電極層所需圖案,進(jìn)一步包括:
在所述金屬功能層的整層膜層上涂光刻膠層;
采用多灰階掩膜版對光刻膠層進(jìn)行曝光,以在所述金屬功能層的整層膜層上形成具有所述電極層所需圖案的所述多灰階掩膜層;
去除所述金屬功能層的整層膜層的未被所述多灰階掩膜層覆蓋的部分。
優(yōu)選的,所述金屬功能層包括mo。
優(yōu)選的,所述電極層包括ito。
優(yōu)選的在平坦化層上依次形成電極層的整層膜層和金屬功能層的整層膜層之前,還包括:
提供一基板;
在所述基板上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、鈍化層和平坦化層。
作為另一個(gè)技術(shù)方案,本發(fā)明還提供一種顯示裝置的制作方法,其包括本發(fā)明提供的上述陣列基板的制作方法。
本發(fā)明具有以下有益效果:
本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法,其在對多灰階掩膜層進(jìn)行灰化處理之前,在電極層的整層膜層的未被具有電極層所需圖案的金屬功能層覆蓋的部分形成絕緣保護(hù)層,該絕緣保護(hù)層可以在進(jìn)行灰化處理時(shí),有效避免電弧放電現(xiàn)象,從而可以保證膜層的性質(zhì)與產(chǎn)品特性,以及保證工藝順利并安全的進(jìn)行。
本發(fā)明提供的顯示裝置的制作方法,其通過采用本發(fā)明提供的上述陣列基板的制作方法,可以保證膜層的性質(zhì)與產(chǎn)品特性,以及保證工藝順利并安全的進(jìn)行。
附圖說明
圖1a為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第1步驟的過程圖;
圖1b為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第2步驟的過程圖;
圖1c為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第3步驟的過程圖;
圖1d為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第4步驟的過程圖;
圖1e為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第5步驟的過程圖;
圖1f為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第6步驟的過程圖;
圖2a為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第1步驟的過程圖;
圖2b為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第2步驟的過程圖;
圖2c為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第3步驟的過程圖;
圖2d為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第4步驟的過程圖;
圖2e為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第5步驟的過程圖;
圖2f為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第6步驟的過程圖;
圖2g為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的第7步驟的過程圖。
具體實(shí)施方式
為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法及顯示裝置的制作方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
請一并參閱圖1a~圖1f,本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法,其包括:
步驟101、在平坦化層1上依次形成電極層的整層膜層2和金屬功能層的整層膜層3,如圖1a所示。
上述電極層根據(jù)具體需要可以為像素電極或者公共電極,該電極層的整層膜層2通常采用ito材料制作。
上述金屬功能層(通常稱matel3或者第三種金屬層),其通常在電路設(shè)計(jì)中為了達(dá)到一定存儲電容而存在。該金屬功能層可以采用mo等金屬材料制作。
步驟102、利用多灰階掩膜層4使金屬功能層的整層膜層3形成具有電極層所需圖案的金屬功能層3a,如圖1b所示。
上述多灰階掩膜層4通常包括光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)和光刻膠去除區(qū),其中,光刻膠去除區(qū)對應(yīng)的圖案即為上述電極層所需圖案。多灰階掩膜層4通常采用光刻膠材料制作。
在上述步驟102中,通過刻蝕金屬功能層的整層膜層3的未被多灰階掩膜層4覆蓋的部分,即,對應(yīng)多灰階掩膜層4的光刻膠去除區(qū)的部分,最終可以使金屬功能層的整層膜層3形成電極層所需圖案。
步驟103、在電極層的整層膜層2的未被具有電極層所需圖案的金屬功能層3a覆蓋的部分之上形成絕緣保護(hù)層5a,即,在電極層的整層膜層2的所有的未被金屬功能層3a覆蓋的暴露區(qū)域上覆蓋絕緣保護(hù)層5a,如圖1c所示。
步驟104、對上述多灰階掩膜層4進(jìn)行灰化處理,如圖1d所示。
通過灰化處理,以去除多灰階掩膜層4的光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠,并減薄光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠的厚度,從而獲得具有金屬功能層所需圖案的多灰階掩膜層4a。
步驟105、利用具有電極層所需圖案的金屬功能層3a使電極層的整層膜層2形成具有電極層所需圖案的電極層2a,如圖1e所示。
在上述步驟105中,可以同時(shí)或者先后刻蝕絕緣保護(hù)層5a和電極層的整層膜層2的未被金屬功能層3a覆蓋的部分。
步驟106、利用經(jīng)灰化處理后的多灰階掩膜層4a使具有電極層所需圖案的金屬功能層3a形成具有金屬功能層所需圖案的金屬功能層3b,如圖1f所示。
在上述步驟106中,通過刻蝕金屬功能層3a未被多灰階掩膜層4a覆蓋部分,可以獲得具有金屬功能層所需圖案的金屬功能層3b。
綜上所述,通過在對多灰階掩膜層4進(jìn)行灰化處理(步驟104)之前,在電極層的整層膜層2的未被具有電極層所需圖案的金屬功能層3a覆蓋的部分之上形成絕緣保護(hù)層5a(步驟103),該絕緣保護(hù)層5a可以在進(jìn)行灰化處理時(shí),有效避免電弧放電現(xiàn)象,從而可以保證膜層的性質(zhì)與產(chǎn)品特性,以及保證工藝順利并安全的進(jìn)行。
需要說明的是,在實(shí)際應(yīng)用中,在平坦化層1上依次形成電極層的整層膜層2和金屬功能層的整層膜層3之前,還包括:
提供一基板;
在該基板上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、鈍化層和平坦化層1。
上述基板、柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極和鈍化層屬于陣列基板的常規(guī)設(shè)置,未在圖中示出,且在此不進(jìn)行詳細(xì)描述。當(dāng)然,在實(shí)際應(yīng)用中,可以根據(jù)具體需要增減任意功能膜層。
請一并參閱圖2a~2g,本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法,其在上述第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上,包含了對絕緣保護(hù)層5a的形成提出的一個(gè)具體實(shí)施方式。
具體地,上述絕緣保護(hù)層5a的形成包括:
步驟201、在平坦化層1上依次形成電極層的整層膜層2和金屬層的整層膜層5,如圖2a所示。
上述金屬層包括鋁。而且,該金屬層的厚度在
步驟202、在金屬層的整層膜層5上形成金屬功能層的整層膜層3,如圖2b所示。
步驟203、利用多灰階掩膜層4使金屬功能層的整層膜層3形成具有電極層所需圖案的金屬功能層3a,如圖2d所示。
上述步驟203具體可以包括:
步驟2031、在金屬功能層的整層膜層3上涂光刻膠層;
步驟2032、采用多灰階掩膜版對上述光刻膠層進(jìn)行曝光,以金屬功能層的整層膜層3上形成具有電極層所需圖案的多灰階掩膜層4,如圖2c所示。
步驟2033、去除金屬功能層的整層膜層3的未被多灰階掩膜層4覆蓋的部分,以獲得具有電極層所需圖案的金屬功能層3a,如圖2d所示。
步驟204、對金屬層的整層膜層5的未被具有電極層所需圖案的金屬功能層3a覆蓋的部分進(jìn)行氧化處理,獲得透明、且絕緣的金屬氧化層用作所述絕緣保護(hù)層5a,如圖2d所示。而金屬層的整層膜層5的被具有電極層所需圖案的金屬功能層3a覆蓋的部分5b仍然為金屬材料。
例如,對于鋁的金屬層,通過上述氧化處理可以獲得透明、且絕緣的三氧化二鋁。
優(yōu)選的,采用離子注入設(shè)備對金屬層的整層膜層5的未被具有電極層所需圖案的金屬功能層3a覆蓋的部分進(jìn)行氧化處理。該離子注入設(shè)備能夠產(chǎn)生氧離子,氧離子通過設(shè)置在金屬層上方的電極板的加速作用,自金屬層上方摻雜入該金屬層中。
步驟205、對多灰階掩膜層4進(jìn)行灰化處理,如圖2e所示。
通過灰化處理,以去除多灰階掩膜層4的光刻膠部分保留區(qū)的光刻膠,并減薄光刻膠完全保留區(qū)的光刻膠的厚度,從而獲得具有金屬功能層所需圖案的多灰階掩膜層4a。
步驟206、利用具有電極層所需圖案的金屬功能層3a去除上述絕緣保護(hù)層5a,而僅保留金屬層的整層膜層5的被具有電極層所需圖案的金屬功能層3a覆蓋的部分5b;同時(shí),去除電極層的整層膜層2的未被金屬功能層覆蓋的部分,從而形成具有電極層所需圖案的電極層2a,如圖2f所示。
由于絕緣保護(hù)層5a的厚度較薄(
步驟207、利用經(jīng)灰化處理后的多灰階掩膜層4a使具有電極層所需圖案的金屬功能層3a形成具有金屬功能層所需圖案的金屬功能層3b,如圖2g所示。
作為另一個(gè)技術(shù)方案,本發(fā)明還提供一種顯示裝置的制作方法,其包括本發(fā)明上述各個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法。
本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的制作方法,其通過采用本發(fā)明上述各個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法,可以保證膜層的性質(zhì)與產(chǎn)品特性,以及保證工藝順利并安全的進(jìn)行。
可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。