本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高密度超小型厚膜晶片電阻及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著科技的進(jìn)步，時(shí)代的發(fā)展及人們對(duì)各類(lèi)電子產(chǎn)品的要求不斷提升，近年來(lái)，消費(fèi)者對(duì)超小型、高性能、多功能、便攜性及可穿戴式電子產(chǎn)品的不斷需求，促使各類(lèi)電子產(chǎn)品趨向于“輕”、“薄”、“短”、“小”的方向飛速發(fā)展，從而使得高密度超小型厚膜晶片電阻（型號(hào)為01005）得以推廣應(yīng)用。

目前，高密度超小型厚膜晶片電阻的應(yīng)用越來(lái)越廣，給設(shè)備和工藝帶來(lái)了挑戰(zhàn)，因?yàn)楦呙芏瘸⌒秃衲ぞ娮鑼?duì)各種變數(shù)更加敏感，細(xì)小的變化可能導(dǎo)致非常顯著的影響，只有材料、機(jī)器、工藝、人員和環(huán)境完美的結(jié)合才能獲得穩(wěn)健組裝工藝和高質(zhì)量的高密度超小型厚膜晶片電阻?，F(xiàn)有技術(shù)中的高密度超小型厚膜晶片電阻，在制作過(guò)程中，制作精度低，生產(chǎn)材料的利用率低，制作成本較高，且廢料會(huì)對(duì)環(huán)境存在影響，如何克服上述的問(wèn)題，是當(dāng)前急需解決的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有的高密度超小型厚膜晶片電阻，制作精度低，生產(chǎn)材料的利用率低，制作成本較高，且廢料會(huì)對(duì)環(huán)境存在影響的問(wèn)題。本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻及其制造方法，電阻的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，具有高密度、超小尺寸，且較低的制作成本，可多個(gè)同時(shí)制作，同時(shí)也滿(mǎn)足了客戶(hù)應(yīng)用端對(duì)高密度超小型厚膜晶片電阻的應(yīng)用需求，具有良好的應(yīng)用前景。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：

一種高密度超小型厚膜晶片電阻，其特征在于：包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的背面兩長(zhǎng)側(cè)邊設(shè)置有折條線(xiàn)，所述陶瓷基板的正面兩短側(cè)邊設(shè)置有折粒線(xiàn)，所述折條線(xiàn)和折粒線(xiàn)在空間內(nèi)相垂直設(shè)置，所述陶瓷基板的背面印刷有背面電極，所述陶瓷基板的正面上折粒線(xiàn)的內(nèi)側(cè)對(duì)稱(chēng)印刷有第一正面電極，兩片第一正面電極之間印刷有電阻阻體，所述電阻阻體的上表面設(shè)置有第一保護(hù)層，所述電阻阻體及第一保護(hù)層上設(shè)置有鐳切線(xiàn),兩片第一正面電極的上表面還設(shè)置有第二正面電極，所述第二正面電極用于保護(hù)對(duì)應(yīng)的第一正面電極，所述鐳切線(xiàn)的上表面設(shè)置有第二保護(hù)層且覆蓋在第一保護(hù)層上，位于第一正面電極兩側(cè)的陶瓷基板的兩側(cè)面分別設(shè)置有側(cè)面電極，用于將第一正面電極與背面電極導(dǎo)通。

前述的一種高密度超小型厚膜晶片電阻，其特征在于：所述陶瓷基板采用氧化鋁材質(zhì)制成。

前述的一種高密度超小型厚膜晶片電阻，其特征在于：所述背面電極、第一正面電極和側(cè)面電極的表面均鍍有鎳層，所述鎳層的外表面鍍有錫層。

前述的一種高密度超小型厚膜晶片電阻，其特征在于：所述第一正面電極采用銀鈀材料制成，所述第二正面電極采用樹(shù)脂銀材料制成。

前述的一種高密度超小型厚膜晶片電阻，其特征在于：所述鎳層的厚度為4-15μm。

前述的一種高密度超小型厚膜晶片電阻，其特征在于：所述錫層的厚度為5-15μm。

前述的一種高密度超小型厚膜晶片電阻，其特征在于：所述電阻阻體的印刷圖形面積為0.020mm²-0.024mm²。

一種高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法，其特征在于：包括以下步驟，

步驟（1），以氧化鋁為材質(zhì)制作陶瓷基板體，在陶瓷基板的背面采用激光鐳射切割方式刻置將其等分的多條折條線(xiàn)，在陶瓷基板的正面采用激光鐳射切割方式刻置將其等分的多條折粒線(xiàn)，折條線(xiàn)和折粒線(xiàn)在空間內(nèi)相垂直設(shè)置，將陶瓷基板體劃分為若干份陶瓷基板；

步驟（2），將刻置有折條線(xiàn)、折粒線(xiàn)的陶瓷基板體通過(guò)超聲波儀器進(jìn)行清洗；

步驟（3），在陶瓷基板體的背面通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆銀漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，從而在陶瓷基板體的各陶瓷基板的背面形成背面電極；

步驟（4），在陶瓷基板體的各陶瓷基板的正面上折粒線(xiàn)的內(nèi)側(cè)對(duì)稱(chēng)部位，通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆銀鈀漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，從而從而在陶瓷基板體的各陶瓷基板的正面形成對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一正面電極；

步驟（5），通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式在各陶瓷基板正面兩側(cè)的第一正面電極之間印刷涂覆一層阻體漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，從而形成電阻阻體；

步驟（6），在電阻阻體的上表面，通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆一層玻璃漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，從而形成作為保護(hù)電阻阻體的第一保護(hù)層；

步驟（7），通過(guò)使用激光鐳射切割的方式對(duì)電阻阻體進(jìn)行修正，形成客戶(hù)所需的阻值及精度，在電阻阻體及第一保護(hù)層上形成鐳切線(xiàn)；

步驟（8），在第一正面電極的上表面，通過(guò)絲網(wǎng)印刷方式印刷涂覆一層樹(shù)脂銀漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，從而形成作為第一正面電極的第二正面電極；

步驟（9），在鐳切線(xiàn)的上表面，通過(guò)絲網(wǎng)印刷方式印刷涂覆一層樹(shù)脂漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，從而形成作為電阻阻體的第二保護(hù)層，且第二保護(hù)層()且覆蓋在第一保護(hù)層上；

步驟（10），沿所述陶瓷基板體的每條折條線(xiàn)將經(jīng)過(guò)步驟-步驟處理后的陶瓷基板體，依序折成條狀的陶瓷基板條狀半成品；

步驟（11），將陶瓷基板條狀半成品通過(guò)治具堆疊的方式堆疊在一起，對(duì)陶瓷基板條狀半成品的兩側(cè)面采用真鍍鎳鉻合金材料方式，形成使第一正面電極與背面電極導(dǎo)通的側(cè)面電極；

步驟（12），沿所述陶瓷基板條狀半成品的每條折粒線(xiàn)將經(jīng)過(guò)步驟-步驟處理后的陶瓷基板條狀半成品，依序折成粒狀的陶瓷基板粒狀半成品；

步驟（13），將陶瓷基板粒狀半成品的背面電極、正面電極和側(cè)面電極的表面通過(guò)滾鍍方式電鍍一層金屬鎳，從而形成鎳層；

步驟（14），再將陶瓷基板粒狀半成品的鎳層的表面通過(guò)滾鍍方式電鍍一層金屬錫，從而形成錫層，完成高密度超小型厚膜晶片電阻的制造。

前述的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法，其特征在于：所述鎳層的厚度為4-15μm，所述錫層的厚度為5-15μm，所述電阻阻體的印刷圖形面積為0.020mm²-0.024mm²。

前述的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法，其特征在于：步驟（3）中的銀漿料的燒結(jié)溫度為：850±5℃，步驟（4）中的銀鈀漿料的燒結(jié)溫度為：850±5℃，步驟（5）的阻體漿料燒結(jié)溫度為：850±5℃，步驟（6）中玻璃漿料的燒結(jié)溫度為：600±5℃，步驟（8）中的樹(shù)脂銀漿料的燒結(jié)溫度為：200±10℃，步驟（9）中的樹(shù)脂漿料的燒結(jié)溫度為：200±10℃。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻及其制造方法，高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法不同于其它元件，更加精確的控制，是應(yīng)對(duì)高密度、超小型、便攜式及可穿戴式智能電子產(chǎn)品領(lǐng)域的不斷發(fā)展而獨(dú)立自主進(jìn)行研發(fā)的，同時(shí)結(jié)合現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備及生產(chǎn)工藝，通過(guò)對(duì)印刷圖形及印刷工藝的調(diào)整，最終完成高密度超小型厚膜晶片電阻的制造，可應(yīng)用于高密度印刷電路板組裝領(lǐng)域、耳機(jī)、助聽(tīng)器、藍(lán)牙、通訊設(shè)備、智能手表、手機(jī)射頻模塊、微型硬盤(pán)、可攜式內(nèi)存產(chǎn)品（如sd卡）等電子產(chǎn)品領(lǐng)域，高密度超小型厚膜晶片電阻的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，具有高密度、超小尺寸，且較低的制作成本，可多個(gè)電阻同時(shí)制作，同時(shí)也滿(mǎn)足了客戶(hù)應(yīng)用端對(duì)高密度超小型厚膜晶片電阻的應(yīng)用需求，具有良好的應(yīng)用前景。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（1）后陶瓷基板體的示意圖；

圖3是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（1）刻出折條線(xiàn)的示意圖；

圖4是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（1）刻出折粒線(xiàn)的示意圖；

圖5是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（2）后的示意圖；

圖6是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（3）后的示意圖；

圖7是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（4）后的示意圖；

圖8是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（5）后的示意圖；

圖9是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（6）后的示意圖；

圖10是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（7）后的示意圖；

圖11是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（8）后的示意圖；

圖12是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（9）后的示意圖；

圖13是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（10）后的示意圖；

圖14是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（11）后的示意圖。

圖15是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（12）后的示意圖；

圖16是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（13）后的示意圖。

圖17是本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法的步驟（14）后的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。

如圖1所示，本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻，包括陶瓷基板01，所述陶瓷基板01的背面兩長(zhǎng)側(cè)邊設(shè)置有折條線(xiàn)02，所述陶瓷基板01的正面兩短側(cè)邊設(shè)置有折粒線(xiàn)03，所述折條線(xiàn)02和折粒線(xiàn)03在空間內(nèi)相垂直設(shè)置，所述陶瓷基板01的背面印刷有背面電極04，所述陶瓷基板01的正面上折粒線(xiàn)03的內(nèi)側(cè)對(duì)稱(chēng)印刷有第一正面電極05，兩片第一正面電極05之間印刷有電阻阻體06，所述電阻阻體06的上表面設(shè)置有第一保護(hù)層07，所述電阻阻體06及第一保護(hù)層07上設(shè)置有鐳切線(xiàn)08,兩片第一正面電極05的上表面還設(shè)置有第二正面電極09，所述第二正面電極09用于保護(hù)對(duì)應(yīng)的第一正面電極05，所述鐳切線(xiàn)08的上表面設(shè)置有第二保護(hù)層10且覆蓋在第一保護(hù)層07上，位于第一正面電極05兩側(cè)的陶瓷基板01的兩側(cè)面分別設(shè)置有側(cè)面電極11，用于將第一正面電極05與背面電極04導(dǎo)通。

所述陶瓷基板01采用氧化鋁材質(zhì)制成，成本較低，便于批生產(chǎn)，所述背面電極04、第一正面電極05和側(cè)面電極11的表面均鍍有鎳層12，所述鎳層12的外表面鍍有錫層13。

所述第一正面電極05采用銀鈀材料制成，銀鈀材料的散熱性能好，可提升電阻的可靠性及更好的功率性能，所述第二正面電極09采用樹(shù)脂銀材料制成，可有效及更好的保護(hù)第一正面電極05，以確保阻值的可靠性及穩(wěn)定性。

所述鎳層15的厚度為4-15μm，錫層16的厚度為5-15μm，所述電阻阻體06的印刷圖形面積為0.020mm²-0.024mm²。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，上述的高密度超小型厚膜晶片電阻，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，具有優(yōu)異的功率特性，且較低的制作成本，同時(shí)也滿(mǎn)足了客戶(hù)應(yīng)用端對(duì)高密度超小型厚膜晶片電阻的應(yīng)用需求。

本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法，包括以下步驟：

步驟（1），如圖2-圖4所示，以氧化鋁為材質(zhì)制作陶瓷基板體，在陶瓷基板的背面采用激光鐳射切割方式刻置將其等分的多條折條線(xiàn)02，在陶瓷基板的正面采用激光鐳射切割方式刻置將其等分的多條折粒線(xiàn)03，折條線(xiàn)02和折粒線(xiàn)03在空間內(nèi)相垂直設(shè)置，將陶瓷基板體劃分為若干份陶瓷基板01，可以制造出多個(gè)高密度超小型厚膜晶片電阻，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；

步驟（2），如圖5所示，將刻置有折條線(xiàn)02、折粒線(xiàn)03的陶瓷基板體通過(guò)超聲波儀器進(jìn)行清洗；

步驟（3），如圖6所示，在陶瓷基板體的背面通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆銀漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為：850±5℃，從而在陶瓷基板體的各陶瓷基板01的背面形成背面電極04；

步驟（4），如圖7所示，在陶瓷基板體的各陶瓷基板01的正面上折粒線(xiàn)03的內(nèi)側(cè)對(duì)稱(chēng)部位，通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆銀鈀漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為：850±5℃，從而在陶瓷基板體的各陶瓷基板01的正面形成對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一正面電極05，銀鈀漿料制成的第一正面電極05，散熱性能更好，可提升產(chǎn)品的可靠性及更好的功率性能；

步驟（5），如圖8所示，通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式在各陶瓷基板01正面兩側(cè)的第一正面電極05之間印刷涂覆一層阻體漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為：850±5℃，從而形成電阻阻體06，電阻阻體06的印刷圖形面積為0.020mm²-0.024mm²，滿(mǎn)足高密度超小型厚膜晶片電阻的需求；

步驟（6），如圖9所示，在電阻阻體06的上表面，通過(guò)絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆一層玻璃漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為：600±5℃，從而形成作為保護(hù)電阻阻體06的第一保護(hù)層07；

步驟（7），如圖10所示，通過(guò)使用激光鐳射切割的方式對(duì)電阻阻體06進(jìn)行修正，形成客戶(hù)所需的阻值及精度，在電阻阻體06及第一保護(hù)層07上形成鐳切線(xiàn)08，激光鐳射調(diào)整方式，不僅達(dá)到規(guī)定的阻值及精度，還能更好的降低激光鐳射切割對(duì)電阻阻體的損傷；

步驟（8），如圖11所示，在第一正面電極05的上表面，通過(guò)絲網(wǎng)印刷方式印刷涂覆一層樹(shù)脂銀漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為：200±10℃，從而形成作為第一正面電極05的第二正面電極09，從而更有利于產(chǎn)品功率的提升，第二正面電極09采用樹(shù)脂銀材料制成，可有效及更好的保護(hù)第一正面電極05，以確保阻值的可靠性及穩(wěn)定性；

步驟（9），如圖12所示，在鐳切線(xiàn)08的上表面，通過(guò)絲網(wǎng)印刷方式印刷涂覆一層樹(shù)脂漿料，并進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為：200±10℃，從而形成作為電阻阻體06的第二保護(hù)層10，且第二保護(hù)層10且覆蓋在第一保護(hù)層07上；

步驟（10），如圖13所示，沿所述陶瓷基板體的每條折條線(xiàn)02將經(jīng)過(guò)步驟（1）-步驟（9）處理后的陶瓷基板體，依序折成條狀的陶瓷基板條狀半成品；

步驟（11），如圖14所示，將陶瓷基板條狀半成品通過(guò)治具堆疊的方式堆疊在一起，對(duì)陶瓷基板條狀半成品的兩側(cè)面采用真鍍鎳鉻合金材料方式，形成使第一正面電極05與背面電極04導(dǎo)通的側(cè)面電極11，鎳鉻合金材料成本低，價(jià)格便宜；

步驟（12），如圖15所示，沿所述陶瓷基板條狀半成品的每條折粒線(xiàn)03將經(jīng)過(guò)步驟（10）-步驟（11）處理后的陶瓷基板條狀半成品，依序折成粒狀的陶瓷基板粒狀半成品；

步驟（13），如圖16所示，將陶瓷基板粒狀半成品的背面電極04、正面電極05和側(cè)面電極11的表面通過(guò)滾鍍方式電鍍一層金屬鎳，從而形成鎳層12；

步驟（14），如圖17所示，再將陶瓷基板粒狀半成品的鎳層12的表面通過(guò)滾鍍方式電鍍一層金屬錫，從而形成錫層13，完成高密度超小型厚膜晶片電阻的制造，優(yōu)選的，所述鎳層12的厚度為4-15μm，錫層13的厚度為5-15μm，從而完成高密度超小型厚膜晶片電阻的制造，高密度超小型厚膜晶片電阻，如圖1所示。

綜上所述，本發(fā)明的高密度超小型厚膜晶片電阻及其制造方法，高密度超小型厚膜晶片電阻的制造方法不同于其它元件，更加精確的控制，是應(yīng)對(duì)高密度、超小型、便攜式及可穿戴式智能電子產(chǎn)品領(lǐng)域的不斷發(fā)展而獨(dú)立自主進(jìn)行研發(fā)的，同時(shí)結(jié)合現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備及生產(chǎn)工藝，通過(guò)對(duì)印刷圖形及印刷工藝的調(diào)整，最終完成高密度超小型厚膜晶片電阻的制造，可應(yīng)用于高密度印刷電路板組裝領(lǐng)域、耳機(jī)、助聽(tīng)器、藍(lán)牙、通訊設(shè)備、智能手表、手機(jī)射頻模塊、微型硬盤(pán)、可攜式內(nèi)存產(chǎn)品（如sd卡）等電子產(chǎn)品領(lǐng)域，高密度超小型厚膜晶片電阻的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，具有高密度、超小尺寸，且較低的制作成本，可多個(gè)電阻同時(shí)制作，同時(shí)也滿(mǎn)足了客戶(hù)應(yīng)用端對(duì)高密度超小型厚膜晶片電阻的應(yīng)用需求，具有良好的應(yīng)用前景。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。