本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管、一種包括該薄膜晶體管的陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示裝置和一種該薄膜晶體管的制作方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的，氧化物陣列基板由于其優(yōu)越的性能和相對(duì)簡易的生產(chǎn)工藝越來越受到各大廠商和科研機(jī)構(gòu)的追捧。其中頂柵結(jié)構(gòu)氧化物陣列基板由于其較低的cgs和cgd，在lcd和oled領(lǐng)域都有不錯(cuò)的應(yīng)用前景。

但是，常規(guī)的頂柵結(jié)構(gòu)陣列基板，如圖1所示，在制備中由于采用自對(duì)準(zhǔn)工藝而會(huì)形成一個(gè)輕摻雜區(qū)114(lightlydopeddrain，ldd)，該輕摻雜區(qū)114不受柵壓控制，而且其導(dǎo)體化程度的優(yōu)劣直接影響到陣列基板200上的薄膜晶體管的性能，同時(shí)也由于輕摻雜區(qū)114的存在，薄膜晶體管的溝道長度無法準(zhǔn)確定義。

因此，如何設(shè)計(jì)出一種能夠準(zhǔn)確定義薄膜晶體管的溝道長度的陣列基板成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種薄膜晶體管、一種包括該薄膜晶體管的陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示裝置以及一種該薄膜晶體管的制作方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層以及同層且間隔設(shè)置的源極和漏極，所述有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)和連接所述源極接觸區(qū)和所述漏極接觸區(qū)的溝道區(qū)，所述源極接觸區(qū)覆蓋所述源極的至少一部分，所述漏極接觸區(qū)覆蓋所述漏極的至少一部分，所述溝道區(qū)位于所述源極和漏極之間的間隔區(qū)。

優(yōu)選地，所述源極包括層疊設(shè)置的第一源極層和第二源極層，所述第一源極層位于所述源極接觸區(qū)和所述第二源極層之間，且所述第一源極層的邊緣與所述源極接觸區(qū)的邊緣對(duì)齊；

所述漏極包括層疊設(shè)置的第一漏極層和第二漏極層，所述第一漏極層位于所述漏極接觸區(qū)和所述第二漏極層之間，且所述第一漏極層的邊緣與所述漏極接觸區(qū)的邊緣對(duì)齊。

優(yōu)選地，所述第一源極層和所述第一漏極層由金屬材料制成；所述第二源極層和所述第二漏極層由透明導(dǎo)電氧化物材料制成。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括柵極和柵極絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述柵極和所述有源層之間，且所述柵極位于所述有源層的上方。

本發(fā)明的第二方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括前文記載的所述薄膜晶體管。

優(yōu)選地，所述陣列基板包括顯示區(qū)，所述陣列基板的顯示區(qū)包括多個(gè)像素單元，設(shè)置在所述顯示區(qū)中的所述薄膜晶體管前文所述的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述像素單元中，且像素單元中還設(shè)置有像素電極，在同一個(gè)所述像素單元中，所述像素電極與所述第二漏極層形成為一體。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括環(huán)繞所述顯示區(qū)設(shè)置的周邊區(qū)，所述顯示區(qū)中設(shè)置的薄膜晶體管為前文所述的薄膜晶體管，所述源極包括層疊設(shè)置的第一源極層和第二源極層，所述陣列基板還包括位于周邊區(qū)的綁定電極引線層和綁定電極層，所述綁定電極層與所述第二源極層和所述第二漏極層同層設(shè)置，所述綁定電極引線層設(shè)置在所述柵極絕緣層的上方；所述綁定電極引線層包括多條綁定電極引線，所述綁定電極層包括多個(gè)綁定電極，每條綁定電極引線對(duì)應(yīng)至少一個(gè)綁定電極，且所述綁定電極引線通過貫穿所述柵極絕緣層的過孔與相應(yīng)的綁定電極電性連接，所述綁定電極引線用于與電路板綁定連接。

本發(fā)明的第三方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，所述陣列基板包括前文記載的所述陣列基板。

本發(fā)明的第四方面，提供了一種薄膜晶體管的制作方法，所述制作方法包括：

形成包括源極和漏極的圖形，所述源極和所述漏極同層且間隔設(shè)置；

形成包括有源層的圖形，所述有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)和連接所述源極接觸區(qū)和所述漏極接觸區(qū)的溝道區(qū)，所述源極接觸區(qū)覆蓋所述源極的至少一部分，所述漏極接觸區(qū)覆蓋所述漏極的至少一部分，所述溝道區(qū)位于所述源極和漏極之間的間隔區(qū)。

優(yōu)選地，所述形成包括源極和漏極的圖形的步驟包括：

形成第二源漏材料層，所述第二源漏層的材料包括透明導(dǎo)電氧化物材料；

形成第一源漏材料層，所述第一源漏材料層的材料包括金屬材料；

利用同一張掩模板對(duì)所述第一源漏材料層和所述第二源漏材料層進(jìn)行刻蝕，以形成第一中間源極層和第一中間漏極層，所述第一中間源極層和所述第一中間漏極層間隔設(shè)置，以及第二源極層和第二漏極層；

形成有源層的步驟包括：

依次沉積半導(dǎo)體材料層和光刻膠層；

以光刻膠層為掩模刻蝕所述半導(dǎo)體材料層，形成所述有源層；

以有源層為掩?？涛g所述第一中間源極層和第一中間漏極層，以形成所述第一源極層和所述第一漏極層；所述第一源極層和所述第二源極層形成所述源極，所述第一漏極層和所述第二漏極層形成所述漏極。

本發(fā)明的薄膜晶體管，有源層包括源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)和連接源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)的溝道區(qū)，源極接觸區(qū)覆蓋部分源極，漏極接觸區(qū)覆蓋部分漏極，溝道區(qū)位于源極和漏極之間的間隔區(qū)。該結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管在制作過程中，先形成源極和漏極，之后再形成有源層，因此，在該薄膜晶體管的制作工藝中，不會(huì)產(chǎn)生輕摻雜區(qū)，同時(shí)，由于源極和漏極之間的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)，因此，可以根據(jù)實(shí)際需要，準(zhǔn)確定義所形成的溝道區(qū)的長度，溝道區(qū)的長度確定后，可以準(zhǔn)確地確定驅(qū)動(dòng)電壓的大小，有利于包括該薄膜晶體管的顯示裝置進(jìn)行精確的顯示，提高該顯示裝置的顯示性能，提高用戶體驗(yàn)。另外，可在該薄膜晶體管的制作過程中，可以通過控制刻蝕的時(shí)間或者刻蝕的深度，以形成所需要結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，結(jié)構(gòu)簡單，且有源層分別通過源極接觸區(qū)和漏極接觸區(qū)與源極和漏極直接導(dǎo)通，因此，不必再設(shè)置過孔結(jié)構(gòu)，因此能夠簡化制造工藝。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明第六實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明第七實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明

100：薄膜晶體管；

110：有源層；

111：源極接觸區(qū)；

112：漏極接觸區(qū)；

113：溝道區(qū)；

114：輕摻雜區(qū)；

120：源極；

121：第一源極層；

122：第二源極層；

130：漏極；

131：第一漏極層；

132：第二漏極層；

140：柵極；

150：柵極絕緣層；

160：光刻膠層；

200：陣列基板；

210：綁定電極引線層；

220：綁定電極層；

230：過孔。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

參考圖8，本發(fā)明的第一方面，涉及一種薄膜晶體管100。該薄膜晶體管100包括有源層110以及同層且間隔設(shè)置的源極120和漏極130。其中，該有源層110包括源極接觸區(qū)111、漏極接觸區(qū)112和連接源極接觸區(qū)111和漏極接觸區(qū)112的溝道區(qū)113，該源極接觸區(qū)111覆蓋源極120的至少一部分，漏極接觸區(qū)112覆蓋漏極130的至少一部分，溝道區(qū)113位于源極120和漏極130之間的間隔區(qū)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，上述源極接觸區(qū)111覆蓋源極120的至少一部分，是指是源極接觸區(qū)111可以全部覆蓋源極120，也可以有部分覆蓋源極120，只要能夠保證源極120與源極接觸區(qū)111有部分接觸，能夠使得源極120與有源層110導(dǎo)通。同樣，漏極接觸區(qū)112覆蓋漏極130的至少一部分，是指漏極接觸區(qū)112可以全部覆蓋漏極130，也可以僅僅有部分覆蓋漏極130，能夠使得漏極130與有源層110導(dǎo)通。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100中，有源層110包括源極接觸區(qū)111、漏極接觸區(qū)112和連接源極接觸區(qū)111和漏極接觸區(qū)112的溝道區(qū)113，源極接觸區(qū)111覆蓋部分源極120，漏極接觸區(qū)112覆蓋部分漏極130，溝道區(qū)113位于源極120和漏極130之間的間隔區(qū)。該結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100在制作過程中，先形成源極120和漏極130，之后再形成有源層，因此，在該薄膜晶體管100的制作工藝中，不會(huì)產(chǎn)生輕摻雜區(qū)114，同時(shí)，由于源極120和漏極130之間的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)113，因此，可以根據(jù)實(shí)際需要，準(zhǔn)確定義所形成的溝道區(qū)113的長度。溝道區(qū)的長度確定后，可以準(zhǔn)確地確定驅(qū)動(dòng)電壓的大小，有利于包括該薄膜晶體管100的顯示裝置進(jìn)行精確的顯示，提高該顯示裝置的顯示性能，提高用戶體驗(yàn)。

另外，可在該薄膜晶體管100的制作過程中，可以通過控制刻蝕的時(shí)間或者刻蝕的深度，以形成所需要結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100，結(jié)構(gòu)簡單，且有源層110分別通過源極接觸區(qū)111和漏極接觸區(qū)112與源極120和漏極130直接搭接，因此，不必再設(shè)置過孔結(jié)構(gòu)，能夠簡化制造工藝。

優(yōu)選地，上述源極120包括層疊設(shè)置的第一源極層121和第二源極層122。其中，第一源極層121位于源極接觸區(qū)111和第二源極層122之間，且第一源極層121的邊緣與源極接觸區(qū)111的邊緣對(duì)齊。

上述漏極130包括層疊設(shè)置的第一漏極層131和第二漏極層132。其中，第一漏極層131位于漏極接觸區(qū)112和第二漏極層132之間，且第一漏極層131的邊緣與漏極接觸區(qū)112的邊緣對(duì)齊。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100，在實(shí)際應(yīng)用該薄膜晶體管100的器件中，例如，顯示裝置，該薄膜晶體管100的第二源極層122以及第二漏極層132為傳統(tǒng)薄膜晶體管的源極和漏極，位于該第二源極層122和第二漏極層132之上的第一源極層121和第一漏極層131，可以充當(dāng)犧牲層的作用，在刻蝕工藝中，可以對(duì)該兩層結(jié)構(gòu)的源極120和漏極130分別進(jìn)行刻蝕，在第一刻蝕，即溝道刻蝕時(shí)，可以僅僅刻蝕溝道區(qū)113所對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一源極層121、第二源極層122、第一漏極層131和第二漏極層132。在第二次刻蝕時(shí)，可以將多余的第一源極層121和第一漏極層131刻蝕掉，形成所需要的薄膜晶體管100的結(jié)構(gòu)。因此，在溝道刻蝕時(shí)，第一源極層121和第一漏極層131能夠有效保護(hù)第二源極層122和第二漏極層132，避免第二源極層122和第二漏極層132被破壞，提高該薄膜晶體管100的性能。

應(yīng)當(dāng)理解的是，第一源極層121的邊緣與源極接觸區(qū)111的邊緣對(duì)齊以及第一漏極層131的邊緣與漏極接觸區(qū)112的邊緣對(duì)齊，在實(shí)際制作工藝中，可以通過一次構(gòu)圖工藝形成所需的結(jié)構(gòu)，可以使得制作工藝更加簡單，降低該薄膜晶體管100的制作成本。

優(yōu)選地，上述第一源極層121和第一漏極層131由金屬材料制成。第二源極層122和第二漏極層132由透明導(dǎo)電氧化物材料制成。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100，兩個(gè)源極層和漏極層分別采用不同材料制成，因此，在該薄膜晶體管100的實(shí)際制作工藝中，第一源極層121和第一漏極層131能夠有效保護(hù)第二源極層122和第二漏極層132，也就是說，可以通過兩次刻蝕工藝，分別刻蝕兩個(gè)由不同材料制成的源極層和漏極層，以形成所需要的薄膜晶體管100的結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，對(duì)于構(gòu)成第一源極層121和第一漏極層131具體的金屬材料并沒有作出限定，例如，可以是mo、ti等既能便于通過濕刻刻蝕又能通過干刻刻蝕的金屬材料。對(duì)于構(gòu)成第二源極層122和第二漏極層132的透明導(dǎo)電氧化物材料并沒有作出限定，例如，可以是izo或ito等透明導(dǎo)電氧化物材料，當(dāng)?shù)诙礃O層122和第二漏極層132的材料由透明導(dǎo)電氧化物材料制成時(shí)，能夠有效提高應(yīng)用該薄膜晶體管100的顯示裝置的開口率。

優(yōu)選地，上述薄膜晶體管100還包括柵極140和柵極絕緣層150。其中，該柵極絕緣層150位于柵極140和有源層110之間，且柵極140位于有源層110的上方。

也就是說，該薄膜晶體管100為頂柵型薄膜晶體管，常規(guī)的頂柵型薄膜晶體管在制備中采用自對(duì)準(zhǔn)工藝會(huì)形成一個(gè)輕摻雜區(qū)114，該區(qū)域不受柵壓控制，而且該區(qū)域?qū)w化的程度直接影響到薄膜晶體管的導(dǎo)電性能，同時(shí)，由于輕摻雜區(qū)114的存在，薄膜晶體管的溝道區(qū)的長度也無法準(zhǔn)確定義。采用本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100，不會(huì)產(chǎn)生輕摻雜區(qū)114，因此，能夠準(zhǔn)確定義溝道區(qū)113的長度，溝道區(qū)的長度確定后，可以準(zhǔn)確地確定驅(qū)動(dòng)電壓的大小，有利于包括該薄膜晶體管100的顯示裝置進(jìn)行精確的顯示，提高該顯示裝置的顯示性能，提高用戶體驗(yàn)。

本發(fā)明的第二方面，涉及一種陣列基板200。其中，該陣列基板200可以包括顯示區(qū)和環(huán)繞顯示區(qū)的周邊區(qū)，陣列基板200的顯示區(qū)設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括前文記載的薄膜晶體管100。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的陣列基板200，設(shè)置有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100，因此，在制作過程中，先形成源極120和漏極130，之后再形成有源層，因此，不會(huì)產(chǎn)生輕摻雜區(qū)114，同時(shí)，由于源極120和漏極130之間的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)113，因此，可以根據(jù)實(shí)際需要，準(zhǔn)確定義所形成的溝道區(qū)113的長度，溝道區(qū)113的長度確定后，可以準(zhǔn)確地確定驅(qū)動(dòng)電壓的大小，有利于包括應(yīng)用該陣列基板200的顯示裝置進(jìn)行精確的顯示，提高該顯示裝置的顯示性能，提高用戶體驗(yàn)。

優(yōu)選地，上述陣列基板200的顯示區(qū)包括多個(gè)像素單元(未標(biāo)記)，每個(gè)像素單元中均設(shè)置有薄膜晶體管100和像素電極(未標(biāo)記)，在同一個(gè)像素單元中，像素電極可以與第二漏極層132形成為一體，此時(shí)第二漏極層132應(yīng)當(dāng)為透明電極，也即由透明導(dǎo)電氧化物材料制成，能夠簡化該陣列基板200的制作工藝，且能夠有效提高陣列基板200的開口率。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的陣列基板200，像素電極與第二漏極層132形成為一體，即在制作該結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100時(shí)，在形成第二漏極層132的同時(shí)形成了像素電極，因此，能夠進(jìn)一步的簡化該陣列基板200的制作工藝，且能夠有效提高陣列基板200的開口率。

優(yōu)選地，上述陣列基板200還包括位于周邊區(qū)的綁定電極引線層210和綁定電極層220。其中，該綁定電極層220與第二源極層122和第二漏極層132同層設(shè)置，也就是說，該綁定電極層220可以與第二源極層122和第二漏極層132同步形成。綁定電極引線層210設(shè)置在柵極絕緣層150的上方，綁定電極引線層210包括多條綁定電極引線(未標(biāo)記)，綁定電極層220包括多個(gè)綁定電極(未標(biāo)記)，每條綁定電極引線對(duì)應(yīng)至少一個(gè)綁定電極，且綁定電極引線通過貫穿柵極絕緣層150的過孔230與相應(yīng)的綁定電極電性連接，綁定電極引線用于與電路板(圖中并未示出)綁定連接。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的陣列基板200，在周邊區(qū)220設(shè)置綁定電極層220和綁定電極引線層210，且綁定電極層220可以與第二源極層122和第二漏極層132同步形成，因此，能夠簡化該陣列基板200的制作工藝，容易實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)，降低該陣列基板200的制作成本。

本發(fā)明的第三方面，涉及一種顯示裝置(圖中并未示出)，顯示裝置包括陣列基板，陣列基板包括前文記載的陣列基板200。

本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的顯示裝置，具有上述結(jié)構(gòu)的陣列基板200，該陣列基板200具有前文記載的薄膜晶體管100的結(jié)構(gòu)，因此，該結(jié)構(gòu)的顯示裝置不會(huì)形成輕摻雜區(qū)114，可以有效提高該顯示裝置的顯示性能，能夠準(zhǔn)確定義所形成的溝道區(qū)113的長度，溝道區(qū)113的長度確定后，可以準(zhǔn)確地確定驅(qū)動(dòng)電壓的大小，有利于提高該顯示裝置的顯示性能，提高用戶體驗(yàn)。

本發(fā)明的第四方面，涉及一種薄膜晶體管的制作方法。其中，該制作方法包括：

參考圖2至圖8，形成包括源極120和漏極130的圖形，源極120和漏極130同層且間隔設(shè)置。

具體地，在該步驟中，可以通過一次構(gòu)圖工藝形成包括源極120和漏極130的圖形，例如，先沉積形成源極120和漏極130的圖形的材料以及光刻膠層，對(duì)該光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，形成保留區(qū)和去除區(qū)，保留區(qū)對(duì)應(yīng)需要形成源極120和漏極130的圖形的區(qū)域，去除區(qū)對(duì)應(yīng)其他位置，以光刻膠層為掩膜，刻蝕去除區(qū)對(duì)應(yīng)的源極120和漏極130材料層，形成所需要的源極120和漏極130的圖形。

形成包括有源層110的圖形，有源層110包括源極接觸區(qū)111、漏極接觸區(qū)112和連接源極接觸區(qū)111和漏極接觸區(qū)112的溝道區(qū)113。漏極接觸區(qū)112覆蓋漏極130的至少一部分，溝道區(qū)113位于源極120和漏極130之間的間隔區(qū)。

具體地，該步驟中，可以通過沉積的方式沉積有源層材料以及光刻膠，通過對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，以光刻膠為掩膜刻蝕有源層材料，形成所需要的有源層110的結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例的薄膜晶體管的制作方法，先形成源極120和漏極130圖形，之后形成有源層110圖形，有源層110的源極接觸區(qū)111覆蓋部分源極120，漏極接觸區(qū)112覆蓋部分漏極130，溝道區(qū)113位于源極120和漏極130之間的間隔區(qū)。因此，在該薄膜晶體管100的制作工藝中，不會(huì)產(chǎn)生輕摻雜區(qū)114，同時(shí)，由于源極120和漏極130之間的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)113，因此，可以根據(jù)實(shí)際需要，準(zhǔn)確定義所形成的溝道區(qū)113的長度，溝道區(qū)113的長度確定后，可以準(zhǔn)確地確定驅(qū)動(dòng)電壓的大小，有利于包括應(yīng)用該陣列基板200的顯示裝置進(jìn)行精確的顯示，提高該顯示裝置的顯示性能，提高用戶體驗(yàn)。另外，可在該薄膜晶體管100的制作過程中，可以通過控制刻蝕的時(shí)間或者刻蝕的深度，以形成所需要結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管100，結(jié)構(gòu)簡單，且有源層110分別通過源極接觸區(qū)111和漏極接觸區(qū)112與源極120和漏極130直接搭接，因此，不必再設(shè)置過孔結(jié)構(gòu)，降低制作成本，。

優(yōu)選地，上述形成包括源極120和漏極130的圖形包括：

形成第二源漏材料層，第二源漏層的材料包括透明導(dǎo)電氧化物材料。

形成第一源漏材料層，第一源漏材料層的材料包括金屬材料。

利用同一張掩模板對(duì)第一源漏材料層和第二源漏材料層進(jìn)行刻蝕，以形成第一中間源極層和第一中間漏極層，第一中間源極層和第一中間漏極層間隔設(shè)置，以及第二源極層122和第二漏極層132。

形成有源層110的步驟包括：

依次沉積半導(dǎo)體材料層和光刻膠層。

以光刻膠層為掩?？涛g半導(dǎo)體材料層，形成有源層110。

以有源層110為掩?？涛g第一中間源極層和第一中間漏極層，以形成第一源極層121和第一漏極層131，,第一源極層121和第二源極層122形成源極120，第一漏極層131和第二漏極層132形成漏極130。

具體地，如圖2所示，依次沉積透明導(dǎo)電氧化物材料層和金屬材料層。

具體地，該透明導(dǎo)電氧化物材料層可以是izo或ito等透明導(dǎo)電氧化物材料。

金屬材料層可以是mo、ti等既能便于通過濕刻刻蝕又能通過干刻刻蝕的金屬材料。

如圖2所示，利用一次構(gòu)圖工藝形成包括第二源極層122和第二漏極層132的圖形以及第一中間源極層和第一中間漏極層的圖形。

具體地，可以在金屬材料層上涂覆光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，以光刻膠為掩膜，刻蝕金屬材料層和透明導(dǎo)電氧化物材料層，形成包括第二源極層122和第二漏極層132的圖形以及第一中間源極層和第一中間漏極層的圖形。

形成有源層110的步驟包括：

如圖3和圖4所示，依次沉積氧化物材料層和光刻膠層160。

對(duì)光刻膠層160進(jìn)行曝光和顯影，形成保留區(qū)和去除區(qū)，保留區(qū)對(duì)應(yīng)第二源極層122、第二漏極層132以及第一中間源極層和第一中間漏極層131的位置，去除區(qū)對(duì)應(yīng)除保留區(qū)對(duì)應(yīng)的其他位置。

如圖4所示，以光刻膠為掩膜，刻蝕去除區(qū)對(duì)應(yīng)的氧化物材料層，以形成包括有源層110的圖形。

如圖5和圖6所示，以有源層110為掩膜，刻蝕第一中間源極層和第一中間漏極層的圖形，以形成包括源極接觸區(qū)111和漏極接觸區(qū)112以及第一源極層121的圖形和第一漏極層131的圖形。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。