技術(shù)特征：

1.TiO₂/BiVO₄納米陣列光電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：通過溶膠凝膠法制備TiO₂種子層溶膠；

步驟二：采用浸漬提拉法在FTO導(dǎo)電玻璃基底上涂覆TiO₂種子層；

步驟三：經(jīng)過熱處理后，將長有TiO₂種子層的導(dǎo)電玻璃放置在TiO₂生長溶液中經(jīng)過水熱處理，得到TiO₂納米棒陣列；

步驟四：采用連續(xù)離子交換法將BiVO₄納米粒子沉積到TiO₂納米棒上，得到TiO₂/BiVO₄納米陣列光電極。

2.如權(quán)利要求1所述的TiO₂/BiVO₄納米陣列光電極的制備方法，其特征在于，所述步驟一是將乙二醇胺(C₄H₁₁NO₂)和乙醇(C₂H₅OH)混合，并逐滴加入鈦酸丁酯(C₁₆H₃₆O₄Ti)，配置0.2～0.5mol/L的種子層溶膠。

3.如權(quán)利要求1所述的TiO₂/BiVO₄納米陣列光電極的制備方法，其特征在于，所述步驟二是采用浸漬提拉法在FTO導(dǎo)電玻璃完成TiO₂鍍膜，在100℃下烘干后，重復(fù)上述步驟對FTO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行第二次拉膜，兩次拉膜結(jié)束后將FTO導(dǎo)電玻璃于放置烘箱中干燥1～4h。

4.如權(quán)利要求1所述的TiO₂/BiVO₄納米陣列光電極的制備方法，其特征在于，所述步驟三是將樣品退火處理后放入TiO₂生長溶液中，160℃下水熱反應(yīng)8～12h，60℃條件下干燥，得到TiO₂納米棒。

5.如權(quán)利要求1所述的TiO₂/BiVO₄納米陣列光電極的制備方法，其特征在于，所述步驟四是采用連續(xù)離子交換法將BiVO₄納米粒子沉積到TiO₂納米棒上；常溫下，將釩酸鉍(BiVO₄·5H₂O)溶解于乙二醇甲醚(CH₃OCH₂CH₂OH)中，配置成含0.005～0.01mol/L Bi³⁺的前驅(qū)體溶液；然后，將偏釩酸銨(NH₄VO₃)溶解于100℃的熱水中，配置成含0.005～0.01mol/L VO₄^3-的前驅(qū)體溶液；最后，將長有TiO₂納米棒的導(dǎo)電玻璃先后浸漬在Bi³⁺和VO₄^3-的前驅(qū)體溶液中60s，重復(fù)循環(huán)5～15次。